本文以Kintex-7系列XC7K410T FPGA芯片和兩片MT41J128M16 DDR3 SDRAM芯片為硬件平臺(tái)，設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了基于FPGA的視頻圖形顯示系統(tǒng)的DDR3多端口存儲(chǔ)管理。##每片
2015-04-07 15:52:10
13985 
每片DDR2存儲(chǔ)器的容量為1Gb，兩片DDR2芯片組合，得到總?cè)萘繛?b class="flag-6" style="color: red">2Gb。單DDR2存儲(chǔ)器為16bit，兩片存儲(chǔ)器共用控制線和地址線，數(shù)據(jù)線并列，即組成了32位的2Gb存儲(chǔ)模組。
2020-08-21 15:09:007428 
和?x16 配置中均可提供高達(dá)?2133Mbps 的數(shù)據(jù)傳輸速率，并可與1.5V DDR3實(shí)現(xiàn)100%兼容。目前，華邦的?DRAM 產(chǎn)品布局包括1Gb-4Gb DDR3、128Mb-2Gb DDR2
2022-04-20 16:04:033594 
DDR內(nèi)存1代已經(jīng)淡出市場(chǎng)，直接學(xué)習(xí)DDR3 SDRAM感覺有點(diǎn)跳躍；如下是DDR1、DDR2以及DDR3之間的對(duì)比。
2023-04-04 17:08:475108 
DDR3 SDRAM(Double-Data-Rate ThreeSynchronous Dynamic Random Access Memory)是DDR SDRAM的第三代產(chǎn)品，相較于DDR2，DDR3有更高的運(yùn)行性能與更低的電壓。
2025-04-10 09:42:533931 
DDR內(nèi)存條經(jīng)歷了DDR內(nèi)存條、DDR2內(nèi)存條、DDR3內(nèi)存條三個(gè)時(shí)代。這里給出了DDR內(nèi)存條、DDR2內(nèi)存條、DDR3內(nèi)存條的對(duì)比分析。
2011-12-29 14:21:564584 DDR2 DDR3 dimm接口封裝文件，金手指接口
2017-12-03 22:22:02
為了實(shí)現(xiàn)更強(qiáng)大的系統(tǒng)操作，DDR3 SDRAM驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)通過降低電容得到了增強(qiáng)，動(dòng)態(tài)片上端接（ODT）和新的校準(zhǔn)方案。電容減少來自于使用新的合并驅(qū)動(dòng)器。使用新驅(qū)動(dòng)程序，組成輸出驅(qū)動(dòng)程序的電路共享用于ODT。DDR2上使用單獨(dú)的結(jié)構(gòu)作為輸出驅(qū)動(dòng)器和終端阻抗。
2019-05-23 08:20:56
江山科技最新推出JS-9500內(nèi)存檢測(cè)儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領(lǐng)先業(yè)界的軟硬件測(cè)試系統(tǒng),采用國(guó)際內(nèi)存業(yè)界最先進(jìn)自動(dòng)儲(chǔ)存器測(cè)試程序,能快速、準(zhǔn)確檢測(cè)內(nèi)存條, 內(nèi)存
2009-02-10 22:53:43
江山科技最新推出JS-9500內(nèi)存檢測(cè)儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領(lǐng)先業(yè)界的軟硬件測(cè)試系統(tǒng),采用國(guó)際內(nèi)存業(yè)界最先進(jìn)自動(dòng)儲(chǔ)存器測(cè)試程序,能快速、準(zhǔn)確檢測(cè)內(nèi)存條, 內(nèi)存
2009-03-12 16:05:56
江山科技最新推出JS-9500內(nèi)存檢測(cè)儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領(lǐng)先業(yè)界的軟硬件測(cè)試系統(tǒng),采用國(guó)際內(nèi)存業(yè)界最先進(jìn)自動(dòng)儲(chǔ)存器測(cè)試程序,能快速、準(zhǔn)確檢測(cè)內(nèi)存條,筆記本
2009-08-17 22:58:49
概述: JS-9300A內(nèi)存檢測(cè)儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領(lǐng)先業(yè)界的軟硬件測(cè)試系統(tǒng),采用國(guó)際內(nèi)存業(yè)界最先進(jìn)自動(dòng)儲(chǔ)存器測(cè)試程序,能快速、準(zhǔn)確檢測(cè)
2009-03-13 15:46:57
江山科技最新推出JS-9500內(nèi)存測(cè)試儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領(lǐng)先業(yè)界的軟硬件測(cè)試系統(tǒng),采用國(guó)際內(nèi)存業(yè)界最先進(jìn)自動(dòng)儲(chǔ)存器測(cè)試程序,能快速、準(zhǔn)確檢測(cè)內(nèi)存條, 內(nèi)存
2009-02-10 22:50:27
江山科技最新推出JS-9500內(nèi)存測(cè)試儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領(lǐng)先業(yè)界的軟硬件測(cè)試系統(tǒng),采用國(guó)際內(nèi)存業(yè)界最先進(jìn)自動(dòng)儲(chǔ)存器測(cè)試程序,能快速、準(zhǔn)確檢測(cè)內(nèi)存條, 內(nèi)存
2009-02-10 22:55:45
江山科技最新推出JS-9500內(nèi)存測(cè)試儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領(lǐng)先業(yè)界的軟硬件測(cè)試系統(tǒng),采用國(guó)際內(nèi)存業(yè)界最先進(jìn)自動(dòng)儲(chǔ)存器測(cè)試程序,能快速、準(zhǔn)確檢測(cè)內(nèi)存條,筆記本
2009-08-17 23:00:19
DDR3（double-data-rate three synchronous dynamic random accessmemory）是應(yīng)用在計(jì)算機(jī)及電子產(chǎn)品領(lǐng)域的一種高帶寬并行數(shù)據(jù)總線。DDR3 在 DDR2
2019-05-22 08:36:26
DDR4,DDR3,DDR2,DDR1及SDRAM有什么不同之處?
2021-03-12 06:22:08
DR2與DDR有哪些區(qū)別？DDR3與DDR2的區(qū)別是什么？
2021-10-26 06:15:07
大家好，我們可以在這里討論使用DDR2 / DDR3內(nèi)存與FIFO（我的好奇心）的差異/優(yōu)點(diǎn)/缺點(diǎn)。以上來自于谷歌翻譯以下為原文Hi All, Can we discuss here
2019-02-14 06:14:38
效能，不會(huì)在零售市場(chǎng)成為技術(shù)主流）當(dāng)市場(chǎng)需求超過4GB的時(shí)候，64位CPU與操作系統(tǒng)就是唯一的解決方案，此時(shí)也就是DDR3內(nèi)存的普及時(shí)期。2、從外觀上說：DDR2代的是240PIN的 （中間部分有凹槽
2014-12-30 14:35:58
效能，不會(huì)在零售市場(chǎng)成為技術(shù)主流）當(dāng)市場(chǎng)需求超過4GB的時(shí)候，64位CPU與操作系統(tǒng)就是唯一的解決方案，此時(shí)也就是DDR3內(nèi)存的普及時(shí)期。2、從外觀上說：DDR2代的是240PIN的 （中間部分有凹槽
2014-12-30 14:36:44
并不會(huì)注意一些數(shù)字上的差異，如DDR3和DDr2，或許大多數(shù)人都會(huì)追求時(shí)髦選擇DDR3，但是你真的了解DDR2與DDR3的區(qū)別嗎？作為消費(fèi)者，其實(shí)我們可主宰自己的命運(yùn)，用知識(shí)的武器捍衛(wèi)自己的選擇。下面
2011-12-13 11:29:47
方案的硬件設(shè)計(jì)。DDR2 器件設(shè)計(jì)方法參考 DDR3 即可。兩者在體系結(jié)構(gòu)上差別很小，主要區(qū)別 DDR3 器件的總線速度更快，DDR3 器件供電電壓為 1.5V，而 DDR2器件供電電壓為 1.8V
2022-09-29 06:15:25
器件的功耗更低，能以更高的速度工作，有更高的性能（2倍的帶寬），并有更大的密度。與DDR2相比，DDR3器件的功耗降低了30％，主要是由于小的芯片尺寸和更低的電源電壓（DDR3 1.5V而DDR2
2019-08-09 07:42:01
你好 ！ 我想設(shè)計(jì)一個(gè)框架，我們想出的設(shè)計(jì)具有以下特點(diǎn)： 1：DDR3（MT47H64M16HR-3 ofmicron inc。） 2：USB 但我不知道如何設(shè)計(jì)DDR2原理圖，而且我還沒有找到關(guān)于
2019-09-06 07:55:42
本人菜鳥初學(xué)者一個(gè)，求大神幫忙設(shè)計(jì)一個(gè)ddr2，ddr3供電電源，查了很多資料，自己也嘗試著設(shè)計(jì)了一下，但是發(fā)現(xiàn)問題很多，只能求助各位了，能幫我設(shè)計(jì)的本人必有酬謝，200元話費(fèi)。。。。。 求會(huì)的大神直接聯(lián)系我qq447420097
2014-03-25 23:02:56
DDR,DDR2,DDR3,DDR4,LPDDR區(qū)別文所有權(quán)歸作者Aircity所有1什么是DDRDDR是Double Data Rate的縮寫，即“雙比特翻轉(zhuǎn)”。DDR是一種技術(shù)，中國(guó)大陸工程師
2021-09-14 09:04:30
for notebookDDR, DDR2, and DDR3 memory. It comprises a step-down controller, a source-sink LDO regulator, and a ref-erence buffer to g
2008-06-30 13:40:36
13 MAX17000脈寬調(diào)制(PWM)控制器可以為筆記本電腦中的DDR、DDR2、DDR3存儲(chǔ)器提供完整的電源方案。該器件集成了一路降壓控制器、一路可源出/吸收電流的LDO穩(wěn)壓器以及一路基準(zhǔn)緩沖器，能
2009-01-22 12:56:3428 for notebook DDR, DDR2, and DDR3 memory. It comprises a step-down controller, a source-sink LDO regulator, and a reference buffer to generate the requ
2009-03-02 14:59:0112 不只計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器系統(tǒng)一直需要更大、更快、功率更低、物理尺寸更小的存儲(chǔ)器，嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用也有類似的要求。本應(yīng)用指南介紹了邏輯分析儀在檢驗(yàn)DDR, DDR2 和DDR3 SDRAM 命令和
2010-08-06 08:29:4981 DDR3將是2010年最有前景市場(chǎng)
2009 年即將結(jié)束，DDR2 作為DRAM 市場(chǎng)之王的日子同樣所剩無幾。速度更快且功耗更低的DDR3 幾年前就已經(jīng)問世，iSuppli 公司認(rèn)為，它即將成為世
2009-12-15 10:28:141003 
什么是DDR2 SDRAM
DDR2的定義：
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì)）進(jìn)行開發(fā)的新生代內(nèi)存技
2009-12-17 11:17:59935 DDR2的定義：
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì)）進(jìn)行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)最大的不
2009-12-17 16:26:191134 DDR2傳輸標(biāo)準(zhǔn)
DDR2可以看作是DDR技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的一種升級(jí)和擴(kuò)展：DDR的核心頻率與時(shí)鐘頻率相等，但數(shù)據(jù)頻率為時(shí)鐘頻率的兩倍，也就是說在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)必須傳輸兩次
2009-12-25 14:12:57563 臺(tái)灣DRAM廠商大舉轉(zhuǎn)產(chǎn)DDR3
2010年P(guān)C主流內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)從DDR2向DDR3的轉(zhuǎn)換正在逐步成為現(xiàn)實(shí)。據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，由于下游廠商的DDR2訂單量近期出現(xiàn)急劇下滑，多家臺(tái)系DRAM芯片
2010-01-18 09:25:13795 DDR2乏人問津 DRAM廠搶轉(zhuǎn)產(chǎn)能
DDR2和DDR3 1月上旬合約價(jià)走勢(shì)迥異，DDR2合約價(jià)大跌，DDR3卻大漲，凸顯世代交替已提前來臨，將加速DDR2需求急速降溫，快速轉(zhuǎn)移到DDR3身上，
2010-01-18 16:04:441316 廠商采取搭售策略 挽回DDR2銷售頹勢(shì)
全球DRAM市場(chǎng)正加速進(jìn)行世代交替，DDR3芯片因缺貨使得價(jià)格持續(xù)上漲，DDR2價(jià)格卻嚴(yán)重下跌，且累積庫存越來越多，近期韓系DRAM大
2010-01-20 09:24:18912 DDR3成主流產(chǎn)品 海力士增NAND Flash產(chǎn)能
據(jù)彭博(Bloomberg)報(bào)導(dǎo)，海力士執(zhí)行長(zhǎng)金鐘甲(Jong-Kap Kim)表示，2010年第1季DDR3將取代DDR2成為存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的主流產(chǎn)品，同時(shí)，海力士
2010-01-20 09:25:34856 DDR2芯片價(jià)格有望在下半年超過DDR3
報(bào)道，威剛主席Simon Chen今天表示，隨著DRAM制造商把重點(diǎn)放在DDR3芯片生產(chǎn)上，DDR2芯片的出貨量將開始減少，其價(jià)格有望在今年下半
2010-02-05 09:56:181177 DDR2,DDR2是什么意思
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì)）進(jìn)行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，它與上一代DDR內(nèi)
2010-03-24 16:06:361644 金士頓：DDR2/DDR3價(jià)格可能會(huì)繼續(xù)上漲
據(jù)報(bào)道，存儲(chǔ)大廠金士頓亞太地區(qū)副總裁Scott Chen近日表示，雖然1Gb DDR2/DDR3的芯片價(jià)格已經(jīng)超過了3美元大關(guān)，
2010-04-09 09:11:05904 DDR3存儲(chǔ)器系統(tǒng)可以大大提升各種數(shù)據(jù)處理應(yīng)用的性能。然而，和過去幾代（DDR和DDR2）器件相比，DDR3存儲(chǔ)器器件有了一些新的要求。為了充分利用和發(fā)揮DDR3存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)，使用一
2010-07-16 10:46:052064 
MAX17000A脈寬調(diào)制(PWM)控制器為筆記本電腦的DDR、DDR2、DDR3存儲(chǔ)器提供完整的電源方案。該器件集成了一路降壓控制器、一路可
2010-11-25 09:26:24909 
從那時(shí)起，采用DDR2、甚至最新的DDR3 SDRAM的新設(shè)計(jì)讓DDR SDRAM技術(shù)黯然失色。DDR內(nèi)存主要以IC或模塊的形式出現(xiàn)。如今，DDR4雛形初現(xiàn)。但是在我們利用這些新技術(shù)前，設(shè)計(jì)人員必須了解如何
2011-07-11 11:17:146408 
本文章主要涉及到對(duì) DDR2 和DDR3 在設(shè)計(jì)印制線路板(PCB)時(shí)，考慮信號(hào)完整性和電源完整性的設(shè)計(jì)事項(xiàng)，這些是具有相當(dāng)大的挑戰(zhàn)性的。文章重點(diǎn)是討論在盡可能少的PCB 層數(shù)，特別是4 層板
2011-07-12 17:31:100 SDRAM, DDR, DDR2, DDR3 是RAM 技術(shù)發(fā)展的不同階段, 對(duì)于嵌入式系統(tǒng)來說, SDRAM 常用在低端, 對(duì)速率要求不高的場(chǎng)合, 而在DDR/DDR2/DDR3 中，目前基本上已經(jīng)以DDR2 為主導(dǎo)，相信不久DDR3 將全面取代
2012-01-16 14:53:010 ISS 的DDR2 的設(shè)計(jì)指導(dǎo)，雖是英文，但很有用。
2015-10-29 10:53:380 總結(jié)了DDR和DDR2，DDR3三者的區(qū)別，對(duì)于初學(xué)者有很大的幫助
2015-11-10 17:05:3736 針對(duì)DDR2-800和DDR3的PCB信號(hào)完整性設(shè)計(jì)
2016-02-23 11:37:230 Xilinx FPGA工程例子源碼：DDR2 Controller
2016-06-07 11:44:1424 針對(duì)DDR2-800和DDR3的PCB信號(hào)完整性設(shè)計(jì)，要認(rèn)證看
2016-12-16 21:23:410 DDR~DDR3的設(shè)計(jì)指導(dǎo)手冊(cè)
2017-11-02 17:02:110 DDR3是目前DDR的主流產(chǎn)品，DDR3的讀寫分離作為DDR最基本也是最常用的部分，本文主要闡述DDR3讀寫分離的方法。最開始的DDR, 芯片采用的是TSOP封裝，管腳露在芯片兩側(cè)的，測(cè)試起來相當(dāng)方便；但是，DDRII和III就不一樣了，
2017-11-06 13:44:109412 
DDR4提供比DDR3/ DDR2更低的供電電壓1.2V以及更高的帶寬，DDR4的傳輸速率目前可達(dá)2133～3200MT/s。DDR4 新增了4 個(gè)Bank Group 數(shù)據(jù)組的設(shè)計(jì)，各個(gè)Bank
2017-11-07 10:48:5155965 
雖然新一代電腦/智能手機(jī)用上了DDR4內(nèi)存，但以往的產(chǎn)品大多還是用的DDR3內(nèi)存，因此DDR3依舊是主流，DDR4今后將逐漸取代DDR3，成為新的主流，下面我們?cè)賮砜纯?b class="flag-6" style="color: red">DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別。相比上一代DDR3，新一代DDR4內(nèi)存主要有以下幾項(xiàng)核心改變：
2017-11-08 15:42:2332469 SDRAM）：DDR4提供比DDR3/ DDR2更低的供電電壓1.2V以及更高的帶寬，DDR4的傳輸速率目前可達(dá)2133～3200 MT/s。
2017-11-17 13:15:4928010 為了解決視頻圖形顯示系統(tǒng)中多個(gè)端口訪問DDR3的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)沖突，設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了基于FPGA的DDR3存儲(chǔ)管理系統(tǒng)。DDR3存儲(chǔ)器控制模塊使用MIG生成DDR3控制器，只需通過用戶接口信號(hào)就能完成DDR3
2017-11-18 18:51:257989 
本文章主要涉及到對(duì)DDR2和DDR3在設(shè)計(jì)印制線路板（PCB）時(shí)，考慮信號(hào)完整性和電源完整性的設(shè)計(jì)事項(xiàng)，這些是具有相當(dāng)大的挑戰(zhàn)性的。文章重點(diǎn)是討論在盡可能少的PCB層數(shù)，特別是4層板的情況下的相關(guān)技術(shù)，其中一些設(shè)計(jì)方法在以前已經(jīng)成熟的使用過。
2018-02-06 18:47:573382 
最近發(fā)現(xiàn)越來越多的客戶使用DDR3了，據(jù)描述，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DDR2使用的越來越少了，而且產(chǎn)量不多，所以現(xiàn)在價(jià)格不便宜，倒是DDR3隨著用戶量的增加，價(jià)格上已經(jīng)與DDR2相差無幾，所以DDR3不失為一個(gè)能讓
2018-04-24 16:08:2018 突發(fā)長(zhǎng)度，由于DDR3的預(yù)期為8bit,所以突發(fā)傳輸周期（BL，Burst Length）也固定位8，而對(duì)于DDR2和早期的DDR架構(gòu)的系統(tǒng)，BL=4也是常用的，DDR3為此增加了一個(gè)
2018-06-21 09:20:5416119 
我們通過Configuration,Package,Speed...等DDR3的命名可知道DDR3的容量，封裝，速度等級(jí)等信息。
2019-03-03 11:04:152626 
目前，比較普遍使用中的DDR2的速度已經(jīng)高達(dá)800 Mbps，甚至更高的速度，如1066 Mbps，而DDR3的速度已經(jīng)高達(dá)1600 Mbps。對(duì)于如此高的速度，從PCB的設(shè)計(jì)角度來講，要做到嚴(yán)格
2019-07-25 15:47:462502 
DDR3內(nèi)存與DDR2內(nèi)存相似包含控制器和存儲(chǔ)器2個(gè)部分，都采用源同步時(shí)序，即選通信號(hào)(時(shí)鐘)不是獨(dú)立的時(shí)鐘源發(fā)送，而是由驅(qū)動(dòng)芯片發(fā)送。它比DR2有更高的數(shù)據(jù)傳輸率，最高可達(dá)1866Mbps；DDR3還采用8位預(yù)取技術(shù)，明顯提高了存儲(chǔ)帶寬；其工作電壓為1.5V，保證相同頻率下功耗更低。
2019-06-25 15:49:232336 DDR3 SDRAM是DDR3的全稱，它針對(duì)Intel新型芯片的一代內(nèi)存技術(shù)（但目前主要用于顯卡內(nèi)存），頻率在800M以上。DDR3是在DDR2基礎(chǔ)上采用的新型設(shè)計(jì)，與DDR2 SDRAM相比具有功耗和發(fā)熱量較小、工作頻率更高、降低顯卡整體成本、通用性好的優(yōu)勢(shì)。
2019-10-29 08:00:000 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是DDR和DDR2與DDR3的設(shè)計(jì)資料總結(jié)包括了：一、DDR的布線分析與設(shè)計(jì)，二、DDR電路的信號(hào)完整性，三、DDR Layout Guide，四、DDR設(shè)計(jì)建議，六、DDR design checklist，七、DDR信號(hào)完整性
2020-05-29 08:00:000 用于 DDR 電源及終端的高效率、雙通道、±3A同步降壓型穩(wěn)壓器符合 DDR / DDR2 / DDR3 標(biāo)準(zhǔn)
2021-03-19 08:44:5013 15V、雙通道 3A 單片同步降壓型穩(wěn)壓器為 DDR1、DDR2 或 DDR3 存儲(chǔ)器供電
2021-03-20 15:29:106 用于 DDR 終端的高效率 ±6A 開關(guān)穩(wěn)壓器符合 DDR / DDR2 / DDR3 標(biāo)準(zhǔn)
2021-03-21 05:20:164 本文章主要涉及到對(duì)DDR2和DDR3在PCB設(shè)計(jì)時(shí)，考慮信號(hào)完整性和電源完整性的設(shè)計(jì)事項(xiàng)，這些是具有相當(dāng)大的挑戰(zhàn)性的。 文章重點(diǎn)是討論在盡可能少的PCB層數(shù)，特別是4層板的情況下的相關(guān)技術(shù)，其中
2021-03-25 14:26:015336 
EE-387：將DDR3/DDR2/LPDDR內(nèi)存連接到ADSP-SC5xx/ADSP-215xx處理器
2021-04-20 15:44:562 DDR,DDR2,DDR3,DDR4,LPDDR區(qū)別作者：AirCity 2019.12.17Aircity007@sina.com 本文所有權(quán)歸作者Aircity所有1 什么是DDRDDR
2021-11-10 09:51:03163 一、DDR3簡(jiǎn)介 ? ? ? ? DDR3全稱double-data-rate 3 synchronous dynamic RAM，即第三代雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。所謂同步，是指DDR3數(shù)據(jù)
2022-12-21 18:30:055150 LTC?3876 是一款完整的 DDR 電源解決方案，兼容 DDR1、DDR2、DDR3 和 DDR4 較低電壓標(biāo)準(zhǔn)。該 IC 包括 VDDQ和 VTT DC/DC 控制器和精密線性VTT 參考。差分輸出檢測(cè)放大器和精密內(nèi)部基準(zhǔn)相結(jié)合，提供精確的VDDQ供應(yīng)。
2023-01-17 10:29:273174 
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2023-07-24 09:50:473 本文開源一個(gè)FPGA項(xiàng)目：基于AXI總線的DDR3讀寫。之前的一篇文章介紹了DDR3簡(jiǎn)單用戶接口的讀寫方式：《DDR3讀寫測(cè)試》，如果在某些項(xiàng)目中，我們需要把DDR掛載到AXI總線上，那就要通過MIG IP核提供的AXI接口來讀寫DDR。
2023-09-01 16:20:377275 
本文介紹一個(gè)FPGA開源項(xiàng)目：DDR3讀寫。該工程基于MIG控制器IP核對(duì)FPGA DDR3實(shí)現(xiàn)讀寫操作。
2023-09-01 16:23:193353 
DDR3是2007年推出的，預(yù)計(jì)2022年DDR3的市場(chǎng)份額將降至8%或以下。但原理都是一樣的，DDR3的讀寫分離作為DDR最基本也是最常用的部分，本文主要闡述DDR3讀寫分離的方法。
2023-10-18 16:03:561889 
DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別？ 隨著計(jì)算機(jī)的日益發(fā)展，內(nèi)存也越來越重要。DDR3和DDR4是兩種用于計(jì)算機(jī)內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)。隨著DDR4內(nèi)存的逐漸普及，更多的人開始對(duì)兩者有了更多的關(guān)注。 DDR3
2023-10-30 09:22:0013836 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DDR2與DDR的區(qū)別.doc》資料免費(fèi)下載
2024-03-07 14:58:520 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR、DDR2和DDR3內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
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2024-03-13 11:24:340 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準(zhǔn)的TPS51716完整DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3和DDR4內(nèi)存電源解決方案數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 11:13:440 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR2、DDR3和DDR3L內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器TPS51216數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 13:58:120 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《適用于DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4且具有VTTREF緩沖基準(zhǔn)的TPS51206 2A峰值灌電流/拉電流DDR終端穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 13:53:031 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準(zhǔn)的完整DDR2、DDR3和DDR3L存儲(chǔ)器電源解決方案TPS51216-EP數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-26 11:19:210 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《全套DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-09 09:51:219 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整DDR，DDR2，DDR3 和LPDDR3 存儲(chǔ)器電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-09 09:49:320 通常在800MHz到2133MHz之間，最新的技術(shù)可以達(dá)到8400MHz，但并非普遍標(biāo)準(zhǔn)。其帶寬相比DDR2提高了近30%。 DDR4 ：速度通常在2133MHz到4266MHz之間，傳輸速率比DDR3
2024-11-29 15:08:2819707 TPS51216-EP 以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3 和 DDR3L 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它將同步降壓穩(wěn)壓控制器 （VDDQ） 與 2A 灌/拉跟蹤 LDO （VTT） 和緩
2025-04-26 11:12:30681 
TPS51916 器件以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它集成了同步降壓穩(wěn)壓控制器 （VDDQ），具有 2A 灌電流和 2A 源跟蹤 LDO （VTT） 和緩沖低噪聲基準(zhǔn) （VTTREF）。
2025-04-28 10:58:44658 
TPS51116為 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18、DDR3/SSTL-15、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它將同步降壓控制器與 3A 灌電流/拉
2025-04-29 16:38:021031 
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