德州儀器 (TI) 宣布推出業(yè)界最小型 1.8 A 有刷 DC 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，進(jìn)一步壯大其不斷發(fā)展的低電壓 DRV8x 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品陣營(yíng)。
2012-08-20 09:07:49
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日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款面向絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，其速度比同等光學(xué)柵極驅(qū)動(dòng)器快40%。
2012-10-11 14:04:332029 高性能模擬與混合信號(hào)IC領(lǐng)導(dǎo)廠商Silicon Labs （芯科實(shí)驗(yàn)室有限公司）日前宣布推出業(yè)界首款基于CMOS工藝的數(shù)字解決方案，可直接替換光電耦合隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器（簡(jiǎn)稱光電耦合驅(qū)動(dòng)器）。新型
2013-05-10 10:32:033004 近日，德州儀器 （TI） 推出了業(yè)內(nèi)速度最快的半橋柵極驅(qū)動(dòng)器。這款用于分立式功率MOSFET和絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 的柵極驅(qū)動(dòng)器的工作電壓可達(dá)到600V。
2015-10-16 16:32:113212 英飛凌提供500多種EiceDRIVER?柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案，用于驅(qū)動(dòng)MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 以及GaN HEMT。其中包括隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器、 電平轉(zhuǎn)換柵極驅(qū)動(dòng)器以及非隔離低邊驅(qū)動(dòng)器，從而滿足各種功率半導(dǎo)體技術(shù)和功率轉(zhuǎn)換拓?fù)涞脑O(shè)計(jì)要求。
2019-01-29 09:58:3230421 
2025 年 6 月 23 日，中國(guó) ——意法半導(dǎo)體推出新一代集成化柵極驅(qū)動(dòng)器STDRIVE102H和STDRIVE102BH，用于控制三相無(wú)刷電機(jī)，提高消費(fèi)電子和工業(yè)設(shè)備的性能、能效和經(jīng)濟(jì)性
2025-06-24 15:04:351931 保 護(hù)與電平移位；控制器－可根據(jù)主機(jī)的反饋與運(yùn)動(dòng)軌跡信息 生成正確的開(kāi)關(guān)模式，以控制電機(jī)的運(yùn)動(dòng)；柵極驅(qū)動(dòng)器－可生成用于準(zhǔn)確和高效地驅(qū) 動(dòng) MOSFET或 IGBT 所需的電壓和電流；功率級(jí)－IGBT或
2025-03-18 12:27:45
隔離門驅(qū)動(dòng)器在許多系統(tǒng)中的電力傳輸扮演著重要角色。對(duì)此，世強(qiáng)代理的高性能模擬與混合信號(hào)IC廠商Silicon Labs推出可支持高達(dá)5KV隔離額定電壓值的ISO driver隔離驅(qū)動(dòng)IC Si823x。有誰(shuí)知道這款業(yè)界最佳單芯片隔離驅(qū)動(dòng)器解決方案到底有多厲害嗎？
2019-08-02 06:37:15
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為
2021-07-09 07:00:00
負(fù)電壓柵極驅(qū)動(dòng)器中的負(fù)電壓處理是指承受輸入和輸出端負(fù)電壓的能力。這些不必要的電壓可能是由于開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換、泄漏或布局不良引起的。柵極驅(qū)動(dòng)器的負(fù)電壓承受能力對(duì)于穩(wěn)健可靠的解決方案至關(guān)重要。圖1顯示了TI柵極
2019-04-15 06:20:07
本文通過(guò)故意損壞IGBT/MOSFET功率開(kāi)關(guān)來(lái)研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
問(wèn)題是，即使RMS電流約為200mA，MOSFET芯片也會(huì)明顯升溫。要驅(qū)動(dòng)的電機(jī)是24V 90W BLDC電機(jī)，相電阻為0.15歐姆，相間電感為200uH。我選擇的MOSFET及其柵極驅(qū)動(dòng)器
2018-08-23 10:09:59
AN1315，用于三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)的L6386 MOSFET功率驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板。 L6386，用于三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)的MOSFET功率驅(qū)動(dòng)器。三相演示板是用于評(píng)估和設(shè)計(jì)高壓柵極驅(qū)動(dòng)器L6386的參考套件。用戶
2019-07-03 09:22:07
描述 PMP9455 參考設(shè)計(jì)為 800VA 至 3kVA iPure 正弦波低頻逆變器提供了高度集成的柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案。該設(shè)計(jì)具有獨(dú)特的高峰值電流驅(qū)動(dòng)能力，同時(shí)集成了具有外部可編程增益和濾波
2018-11-30 15:52:43
描述 PMP9455 參考設(shè)計(jì)為 800VA 至 3kVA iPure 正弦波低頻逆變器提供了高度集成的柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案。該設(shè)計(jì)具有獨(dú)特的高峰值電流驅(qū)動(dòng)能力，同時(shí)集成了具有外部可編程增益和濾波
2022-09-22 06:37:42
接近MOSFET）之間的外部電阻可用于控制柵極處看到的轉(zhuǎn)換速率，從而控制SA和SB輸出的di/dt和dv/dt。GHx高功率運(yùn)轉(zhuǎn)會(huì)打開(kāi)驅(qū)動(dòng)器的上半部分，向外部電機(jī)驅(qū)動(dòng)橋中高側(cè)MOSFET的柵極提供電流，并將
2020-09-29 16:51:51
就像每個(gè)MOSFET需要一個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)器來(lái)切換它，每個(gè)電機(jī)后面總是有一個(gè)驅(qū)動(dòng)力。根據(jù)復(fù)雜程度和系統(tǒng)成本、尺寸和性能要求，驅(qū)動(dòng)電機(jī)的方式多樣。最簡(jiǎn)單和離散的解決方案是由兩個(gè)晶體管組成的圖騰柱/推挽電路
2017-08-21 14:33:56
設(shè)計(jì)電動(dòng)工具系統(tǒng)設(shè)計(jì)的下一個(gè)考慮因素是驅(qū)動(dòng)器的魯棒性。它將如何執(zhí)行在惡劣的環(huán)境與大瞬變產(chǎn)生的高扭矩電機(jī)？當(dāng)驅(qū)動(dòng)器開(kāi)關(guān)用于控制峰值功率為30千瓦的電機(jī)的 mosfet 時(shí)，必然會(huì)產(chǎn)生大的正負(fù)瞬態(tài)脈沖。系統(tǒng)設(shè)計(jì)者
2022-04-14 14:43:07
的解決方案方案描述此 TIDA-00142 參考設(shè)計(jì)針對(duì)額定功率最高約 3kW 的三相無(wú)刷直流電機(jī)，實(shí)現(xiàn)一套完整的控制與驅(qū)動(dòng)解決方案。此設(shè)計(jì)包括用于旋轉(zhuǎn) BLDC 電機(jī)的模擬電路、數(shù)字處理器和軟件，無(wú)需
2019-10-17 15:12:26
的電機(jī)解決方案的通用解決方案。有關(guān)更多詳細(xì)信息，請(qǐng)參見(jiàn)TI柵極驅(qū)動(dòng)器頁(yè)。若您喜歡集成度更高的解決方案，那么系統(tǒng)級(jí)解決方案不僅提供柵極驅(qū)動(dòng)能力，而且還具有MOSFET、片上通信以及不同級(jí)別的保護(hù)和控制
2019-03-08 06:45:03
隔離電源轉(zhuǎn)換器詳解柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案選項(xiàng)最優(yōu)隔離柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案
2021-03-08 07:53:35
柵極驅(qū)動(dòng)器IRS260xD系列提供了一種靈活的解決方案，適用于梯形調(diào)制等各種PWM方案。新器件具備負(fù)電壓尖峰免疫性等完整保護(hù)功能，可應(yīng)用于緊湊、堅(jiān)固的電機(jī)控制設(shè)計(jì)?！? IRS2607D高側(cè)和低側(cè)
2008-11-13 20:40:15
概述：IRS26302DJBPF美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的一款高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器，它把功率MOSFET/IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器與三個(gè)高側(cè)及三個(gè)低側(cè)參考輸出通道集成在一起，在最高20V
2021-05-18 07:25:34
MOSFET晶體管必須在較高的柵極電壓下工作，考慮到后者必須具有快速的dV / dt才能實(shí)現(xiàn)快速的開(kāi)關(guān)時(shí)間。為了滿足下一代MOSFET的嚴(yán)格要求，RECOM推出了各種轉(zhuǎn)換器，專門為SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)器
2019-07-30 15:15:17
應(yīng)用中使用的功率IGBT和MOSFET。 輸出級(jí)的高工作電壓范圍提供了柵極控制設(shè)備所需的驅(qū)動(dòng)電壓。 該光電耦合器提供的電壓和電流使其非常適合直接驅(qū)動(dòng)額定功率高達(dá)800 V / 50 A的IGBT。對(duì)于
2019-10-30 15:23:17
）。微控制器用于設(shè)置 PWM 占空比并負(fù)責(zé)開(kāi)環(huán)控制。在低壓設(shè)計(jì)中，柵極驅(qū)動(dòng)器和 MOSFET 橋有時(shí)會(huì)集成在一個(gè)單元中。然而，對(duì)于高功率單元，為方便熱管理，柵極驅(qū)動(dòng)器和 MOSFET 橋會(huì)分開(kāi)布置，這樣可以針對(duì)
2019-08-13 07:00:00
，PHASE/EN●過(guò)溫關(guān)斷電路●短路保護(hù)●過(guò)流保護(hù)●欠壓鎖定保護(hù)AT8212E為攝像機(jī)、智能鎖、玩具和其它低電壓或者電池供電的運(yùn)動(dòng)控制類應(yīng)用提供了一個(gè)集成的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器解決方案。A...
2021-09-02 08:17:21
`描述此參考設(shè)計(jì)展示了適用于采用 C2000? Piccolo? 微控制器和 DRV8412 三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的旋轉(zhuǎn)三相有刷直流或單個(gè)步進(jìn)電機(jī)的電機(jī)控制解決方案。這一高度集成的穩(wěn)健電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)器
2015-04-29 13:41:05
描述TIDA-00195 參考設(shè)計(jì)包括一個(gè) 22kW 功率級(jí)以及 TI 全新的增強(qiáng)型隔離式 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器 ISO5852S（適用于各種應(yīng)用中的電機(jī)控制）。此設(shè)計(jì)可對(duì)三相逆變器（其中整合了額定
2018-12-27 11:41:40
解決方案相比，極小的功率級(jí)布局。該設(shè)計(jì)還包括兩個(gè)TI的DRV5013-Q1數(shù)字鎖存霍爾效應(yīng)傳感器，用于對(duì)電機(jī)位置進(jìn)行編碼。使用TI的一款固態(tài)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)電機(jī)控制系統(tǒng)將有助于減小PCB解決方案的尺寸
2019-08-22 04:45:11
、效率低下、解決方案尺寸較大，因而不適合高功率、高密度同步整流應(yīng)用。圖1. 脈沖變壓器、光耦合器和ADuM3220柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案光耦合器與脈沖變壓器相比，使用光耦合器作為柵極驅(qū)動(dòng)器來(lái)執(zhí)行同步整流
2018-10-15 09:46:28
還可以安裝Arduino UNO R3連接器。該擴(kuò)展板上使用的IC驅(qū)動(dòng)器是用于N溝道功率MOSFET的L6398單芯片半橋柵極驅(qū)動(dòng)器。 L6398柵極驅(qū)動(dòng)器和STL220N6F7功率MOSFET組合形成BLDC電機(jī)的高電流功率平臺(tái)，基于STM32 Nucleo板的數(shù)字部分提供6步或FOC算法控制解決方案
2020-05-20 08:53:36
電機(jī)是許多電器的主要組成部分之一，而控制電機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器則是電機(jī)的靈魂所在。本文將為您介紹由安森美半導(dǎo)體新推出電機(jī)驅(qū)動(dòng)器模組方案，并了解其如何搭配Arduino MICRO一起運(yùn)作，來(lái)簡(jiǎn)化電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)方案。
2019-07-18 08:45:44
： 步進(jìn)電機(jī)前置驅(qū)動(dòng)器：DRV8711EVM 評(píng)估板基于 DRV8711 步進(jìn)電機(jī)控制器，與 NexFET 器件搭配，可驅(qū)動(dòng)一個(gè)大電流雙極步進(jìn)電機(jī)或兩個(gè)有刷 DC 電機(jī)； 電機(jī)驅(qū)動(dòng)
2018-11-29 17:13:53
位功能，可用于各種開(kāi)關(guān)拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">控制碳化硅（SiC）或硅MOSFET和IGBT功率晶體管。STGAP2SCM配備一個(gè)有源米勒鉗位專用引腳，為設(shè)計(jì)人員防止半橋配置晶體管意外導(dǎo)通提供一個(gè)簡(jiǎn)便的解決方案。在
2018-08-06 14:37:25
根據(jù) MOSFET 特征精確調(diào)整柵極驅(qū)動(dòng)器并對(duì)性能進(jìn)行優(yōu)化。不過(guò)，這種方法也存在缺點(diǎn)，它需要高水平的電機(jī)設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)以及容納分立解決方案所需的空間。 模塊化電機(jī)控制解決方案提供了另一種選擇，市場(chǎng)上
2019-09-23 08:30:00
的 MOSFET（圖 2）。微控制器用于設(shè)置 PWM 占空比并負(fù)責(zé)開(kāi)環(huán)控制。在低壓設(shè)計(jì)中，柵極驅(qū)動(dòng)器和 MOSFET 橋有時(shí)會(huì)集成在一個(gè)單元中。然而，對(duì)于高功率單元，為方便熱管理，柵極驅(qū)動(dòng)器
2019-10-31 08:00:00
將減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場(chǎng)中的主要優(yōu)勢(shì)。新型功率開(kāi)關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動(dòng)器。本文將探討GaN和SiC開(kāi)關(guān)與IGBT/MOSFET的一些
2018-10-16 06:20:46
頻率將減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場(chǎng)中的主要優(yōu)勢(shì)。新型功率開(kāi)關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動(dòng)器。本文將探討GaN和SiC開(kāi)關(guān)與IGBT/MOSFET
2018-10-16 21:19:44
減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場(chǎng)中的主要優(yōu)勢(shì)。新型功率開(kāi)關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動(dòng)器。本文將探討GaN和SiC開(kāi)關(guān)與IGBT/MOSFET的一些
2018-10-24 09:47:32
芯片驅(qū)動(dòng)器從MTD6501開(kāi)始用于BLDC電機(jī)控制的MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器從MCP8024開(kāi)始Microchip屢獲殊榮的8位PIC?MCU是用于簡(jiǎn)單梯形感測(cè)或無(wú)傳感器控制的絕佳解決方案用于BLDC電機(jī)
2018-08-04 11:39:53
最近在逛PIC官網(wǎng)的時(shí)候，查找相關(guān)應(yīng)用手冊(cè)的時(shí)候挖到的一篇文章。根據(jù)電機(jī)控制應(yīng)用需求選擇合適的MOSFET 驅(qū)動(dòng)器.pdf (589.89 KB )
2019-05-30 22:17:43
柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案TI提供專為電動(dòng)座椅設(shè)計(jì)的多電機(jī)汽車柵極驅(qū)動(dòng)器。DRV8714-Q1和DRV8718-Q1的半橋柵極驅(qū)動(dòng)器分別具有四個(gè)通道和八個(gè)通道。它們集成了電荷泵、電流檢測(cè)放大器和可用于多個(gè)負(fù)載
2022-11-03 07:05:16
和 –4V 輸出電壓以及 1W(...)主要特色用于在半橋配置中驅(qū)動(dòng) SiC MOSFET 的緊湊型雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流驅(qū)動(dòng)能力，適用于驅(qū)動(dòng) SiC
2018-10-16 17:15:55
柵極驅(qū)動(dòng)器，能夠驅(qū)動(dòng) N 型功率 MOSFET 和 IGBT。 FD2606S 內(nèi)置 VCC 和 VB 欠壓（UVLO）保護(hù)功能，防止功率管在過(guò)低的電壓下工作。 FD2606S 邏輯輸入兼容 TTL 和 CMOS（低至 3.3V），方便與控制設(shè)備接口。該驅(qū)動(dòng)器輸出具有最小驅(qū)動(dòng)器跨導(dǎo)的高脈沖電流緩沖設(shè)計(jì)。
2021-09-14 07:29:33
全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子今日宣布，推出一款全新柵極驅(qū)動(dòng)IC——RAJ2930004AGM，用于驅(qū)動(dòng)電動(dòng)汽車（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率
2023-02-15 11:19:05
，與典型的繼電器解決方案相比，可創(chuàng)建非常小的功率級(jí)布局。該設(shè)計(jì)還包括兩個(gè)TI的DRV5013-Q1鎖存型霍爾傳感器，用于對(duì)電機(jī)位置進(jìn)行編碼?！ ∈褂?b class="flag-6" style="color: red">TI的固態(tài)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)電機(jī)控制系統(tǒng)將有助于減小PCB
2020-06-26 07:00:00
描述此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì)為驅(qū)動(dòng) UPS、交流逆變器和電動(dòng)汽車充電樁（電動(dòng)汽車充電站）應(yīng)用的功率級(jí)提供了藍(lán)圖。此設(shè)計(jì)基于 TI 的 UCC53xx
2018-09-30 09:23:41
IGBT/功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為
2018-10-25 10:22:56
Sanket Sapre摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)
2018-11-01 11:35:35
，可提供完全經(jīng)濟(jì)高效的柵極驅(qū)動(dòng)解決方案（圖1）。該器件具有2.5A軌到軌輸出，非常適合驅(qū)動(dòng)工業(yè)電源逆變器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的IGBT和功率MOSFET。最終結(jié)果是易于使用，緊湊且經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的IGBT柵極驅(qū)動(dòng)光電
2018-08-18 12:05:14
www.ti.com/gatedrivers開(kāi)始設(shè)計(jì)您的高效系統(tǒng)。 其他信息TI Designs參考設(shè)計(jì)庫(kù)中展示了高效率系統(tǒng)中的高速柵極驅(qū)動(dòng)器：“隔離GaN驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì)”。“用于電信的1 kW三路隔離DC
2019-03-08 06:45:10
Toshiba推出低功率柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器
Toshiba推出了一系列的超低功耗光耦合隔離器，設(shè)計(jì)用來(lái)驅(qū)動(dòng)需要輸出電流高達(dá)±6.0A的IGBT和功率MOSFET。新的驅(qū)動(dòng)器IC光耦合器TLP358系
2010-01-20 08:37:03933 TI推出具備板載功率MOSFET的全集成型雙路功率驅(qū)動(dòng)器
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款具備集成型功率 MOSFET、保護(hù)模塊以及監(jiān)控特性的數(shù)字雙路同步降壓功率驅(qū)動(dòng)器，
2010-02-23 09:26:571008 德州儀器(TI)宣布推出用于配合高密度電源轉(zhuǎn)換器中 MOSFET 與氮化鎵 (GaN) 功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 使用的低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器。
2012-02-11 09:59:083271 
10 月 1 日 – 凌力爾特公司 （Linear Technology Corporation） 推出高端、高頻率 N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器 LTC4440A-5，該器件能以高達(dá) 80V
2013-10-09 15:41:271392 
2014年10月22日，北京訊。日前，德州儀器 （TI） 宣布推出業(yè)界首款24V正弦無(wú)傳感器無(wú)刷 DC（BLDC) 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。
2014-10-22 11:33:422090 東京—東芝公司（TOKYO：6502）旗下半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司今天宣布，推出單通道高邊N溝道功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）柵極驅(qū)動(dòng)器“TPD7104F”。
2014-11-05 18:54:362106 恩智浦半導(dǎo)體于2017年3月9日宣布推出全球最小的單芯片SoC解決方案 ——MC9S08SUx微控制器（MCU）系列，該超高壓解決方案集成了18V至5V 低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）和MOSFET前置驅(qū)動(dòng)器，適合無(wú)人機(jī)、機(jī)器人、電動(dòng)工具、健康保健以及其他低端無(wú)刷直流電機(jī)控制 （BLDC）應(yīng)用。
2017-03-17 14:37:571439 的柵極驅(qū)動(dòng)要求等。與在這種設(shè)計(jì)中正式使用的雙極晶體管相比，IGBT在驅(qū)動(dòng)電路的尺寸和復(fù)雜度上都有相當(dāng)大的降低。最近在IGBT開(kāi)關(guān)速度的改進(jìn)取得了設(shè)備適用于電源的應(yīng)用，因此IGBT將與某些高電壓MOSFET以及應(yīng)用。許多設(shè)計(jì)者因此轉(zhuǎn)向MOSFET驅(qū)動(dòng)器以滿足其
2017-07-04 10:51:05
22 本文介紹了完整的TI電機(jī)驅(qū)動(dòng)解決方案和用于電機(jī)控制的微控制器。
2017-11-20 16:46:1438 致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下品佳推出基于英飛凌（Infineon）CIPOS?系列智能功率模塊的，應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)家用電器、電扇、水泵和通用型驅(qū)動(dòng)器等領(lǐng)域的電機(jī)馬達(dá)解決方案。
2018-04-23 16:15:002182 通過(guò)故意損壞IGBT/MOSFET功率開(kāi)關(guān)來(lái)研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能。
2019-04-16 17:07:396332 
各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID，在2019年歐洲功率電子及智能傳動(dòng)產(chǎn)品展覽會(huì)（PCIM 2019）上展示了最新的高溫柵極驅(qū)動(dòng)器、碳化硅（SiC）MOSFET器件和IGBT功率模塊
2019-05-16 09:10:564561 緊湊的18伏BLDC電機(jī)參考設(shè)計(jì)演示了DRV8323柵極驅(qū)動(dòng)器和CSD88584Q5DC電源模塊如何驅(qū)動(dòng)11 W/cm3的功率，使工程師能夠設(shè)計(jì)出尺寸更小、重量更輕的電動(dòng)工具、集成電機(jī)模塊和無(wú)人機(jī)等。
2019-08-21 14:22:022684 運(yùn)動(dòng)控制和節(jié)能系統(tǒng)傳感和功率解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)廠商Allegro MicroSystems（以下簡(jiǎn)稱Allegro）今天推出業(yè)界更強(qiáng)大的80V電機(jī)驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品組合，可理想用于先進(jìn)的48V汽車系統(tǒng)
2020-10-20 15:37:122650 本應(yīng)用筆記涵蓋了計(jì)算柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器 IC 的柵極驅(qū)動(dòng)器功率和熱耗散的主題。柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器用于驅(qū)動(dòng)、導(dǎo)通和關(guān)斷、功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)、MOSFET/IGBT。柵極驅(qū)動(dòng)功率計(jì)算可分為三部分；驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部電路
2021-06-14 03:51:005321 
摘要
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為
2021-01-28 08:13:3821 目前 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器的主要用途之一是進(jìn)行不同類型電機(jī)的驅(qū)動(dòng)控制。此應(yīng)用筆記對(duì)一些基本概念進(jìn)行討論以幫助用戶選擇適合應(yīng)用的 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器。
2021-05-10 11:28:4541 ADI隔離柵極驅(qū)動(dòng)器和WOLFSPEED SiC MOSFET
2021-05-27 13:55:0830 ROHM不僅提供電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC，還提供適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的非隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器，以及分立功率器件IGBT和功率MOSFET。 我們將先介紹羅姆非隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器，再介紹ROHM超級(jí)結(jié)MOSFET
2021-08-09 14:30:513307 MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器電路的基本原理
2021-11-29 16:29:1773 TRINAMIC運(yùn)動(dòng)控制有限公司宣布推出最新的電池驅(qū)動(dòng)解決方案電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC。帶有集成功率MOSFET和電荷泵的微型三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC非常適用于BLDC和PMSM電機(jī)，它們僅需一個(gè)鋰離子電池或雙節(jié)AA電池即可提供高達(dá)2A峰值和2V(1.8V)…11V DC的電壓。
2022-04-29 09:07:281191 設(shè)置 PWM 占空比并負(fù)責(zé)反饋或開(kāi)環(huán)控制。在低壓項(xiàng)目中，柵極驅(qū)動(dòng)器和 MOSFET 通常集成為一個(gè)單元。但是，對(duì)于大功率單元，兩個(gè)單元是分開(kāi)的，以便于熱管理并最大限度地減少電磁干擾。 發(fā)動(dòng)機(jī)控制系統(tǒng)中的柵極驅(qū)動(dòng)器主要設(shè)計(jì)用于提高外部功率
2022-08-01 18:20:001708 STMicroelectronics (ST) 的 STGAP2SiCSN 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器旨在調(diào)節(jié)碳化硅 (SiC) MOSFET。它采用窄體 SO-8 封裝，可節(jié)省空間并具有精確的PWM 控制
2022-08-03 09:47:012626 
工程師通常使用柵極驅(qū)動(dòng)器或“預(yù)驅(qū)動(dòng)器”IC 以及 N 溝道功率 MOSFET 來(lái)提供驅(qū)動(dòng)電機(jī)所需的高電流。重要的是要考慮與選擇驅(qū)動(dòng)器 IC、MOSFET 以及在某些情況下相關(guān)的無(wú)源元件相關(guān)的所有
2022-08-08 09:17:09690 
完整的發(fā)動(dòng)機(jī)控制系統(tǒng)包括電源、主機(jī)微控制器、柵極驅(qū)動(dòng)器和半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的 MOSFET。微控制器設(shè)置 PWM 占空比并負(fù)責(zé)反饋??或開(kāi)環(huán)控制。在低電壓項(xiàng)目中，柵極驅(qū)動(dòng)器和 MOSFET 通常集成到一個(gè)單元中。然而，對(duì)于大功率單元，兩個(gè)單元是分開(kāi)的，以方便熱管理和最小化電磁干擾。
2022-08-09 09:13:234793 
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制器件，用作電源電路和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)設(shè)備的電氣隔離控制端子。 MOSFET的其他端子是源極和漏極，對(duì)于IGBT，它們被稱為集電極
2023-01-30 17:17:122923 
柵極驅(qū)動(dòng)參考 1.PWM直接驅(qū)動(dòng)2.雙極Totem-Pole驅(qū)動(dòng)器3.MOSFET Totem-Pole驅(qū)動(dòng)器4.速度增強(qiáng)電路5.dv/dt保護(hù) 1.PWM直接驅(qū)動(dòng) 在電源應(yīng)用中，驅(qū)動(dòng)主開(kāi)關(guān)
2023-02-23 15:59:0024 功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其他系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。
2023-04-04 09:58:392352 
柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來(lái)自微控制器或其他來(lái)源的低電壓或低電流的緩沖電柵極驅(qū)動(dòng)器的原理及應(yīng)用分析用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
2023-05-17 10:14:5211549 
功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其他系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。
為了操作 MOSFET，通常須將一個(gè)電壓施加于柵極（相對(duì)于源極或發(fā)射極）。使用專用驅(qū)動(dòng)器向功率器件的柵極施加電壓并提供驅(qū)動(dòng)電流。
2023-05-17 10:21:392545 在電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中，柵極驅(qū)動(dòng)器或“預(yù)驅(qū)動(dòng)器” IC常與N溝道功率MOSFET一起使用，以提供驅(qū)動(dòng)電機(jī)所需的大電流。在選擇驅(qū)動(dòng)器IC、MOSFET以及某些情況下用到的相關(guān)無(wú)源元件時(shí)，有很多需要考量的設(shè)計(jì)因素。如果對(duì)這個(gè)過(guò)程了解不透徹，將導(dǎo)致實(shí)現(xiàn)方式的差強(qiáng)人意。
2023-08-02 18:18:342087 
BLDC電機(jī)控制解決方案 ，該方案由高度集成的三相智能柵極驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)，可直接驅(qū)動(dòng)三個(gè)N溝道MOSFET電橋，而內(nèi)部的降壓-升壓功能還可進(jìn)一步減少器件數(shù)量，從而提供系統(tǒng)電源。 系統(tǒng)框圖 此次給大家?guī)?lái)的方案由6個(gè)具有低導(dǎo)通電阻的
2023-10-12 18:15:011312 
意法半導(dǎo)體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
2024-02-27 09:05:361814 
意法半導(dǎo)體（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器，這些產(chǎn)品不僅在設(shè)計(jì)上追求穩(wěn)健性和可靠性，還致力于提供高度的系統(tǒng)集成性和靈活性，以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
2024-03-12 10:54:431512 Littelfuse宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器。這款創(chuàng)新的驅(qū)動(dòng)器專門設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)工業(yè)應(yīng)用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。
2024-05-23 11:26:301656 近日，Littelfuse公司發(fā)布了IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器，這款新型驅(qū)動(dòng)器在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注。
2024-05-23 11:34:211466 柵極驅(qū)動(dòng)器芯片的原理是什么 柵極驅(qū)動(dòng)器芯片是一種用于控制功率電子器件（如IGBT、MOSFET等）柵極電壓的集成電路。它在電力電子領(lǐng)域中具有重要應(yīng)用，如電機(jī)驅(qū)動(dòng)、開(kāi)關(guān)電源、太陽(yáng)能逆變器等。本文將詳細(xì)
2024-06-10 17:23:003611 ? 柵極驅(qū)動(dòng)器是低壓控制器和高功電路之間的緩沖電路，用于放大控制器的控制信號(hào)，從而實(shí)現(xiàn)功率器件更有效的導(dǎo)通和關(guān)斷。隨著各種智能電子設(shè)備的不斷普及和應(yīng)用，柵極驅(qū)動(dòng)器的市場(chǎng)需求也在不斷增加。據(jù)國(guó)際權(quán)威
2024-06-07 16:33:4918922 
的信號(hào)轉(zhuǎn)換成高電壓、高電流的脈沖來(lái)控制MOSFET或IGBT的柵極，從而提高這些器件的性能、可靠性和使用壽命。柵極驅(qū)動(dòng)器在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色，廣泛應(yīng)用于電機(jī)控制、逆變器、開(kāi)關(guān)電源等領(lǐng)域。
2024-07-19 17:15:2724587 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用TI智能柵極驅(qū)動(dòng)器輕松實(shí)現(xiàn)無(wú)刷直流(BLDC)電機(jī)的磁場(chǎng)定向控制(FOC).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-08-29 11:49:551 無(wú)刷直流電機(jī)的驅(qū)動(dòng)電路主要有三大部分：控制器、柵極驅(qū)動(dòng)器（即我們常說(shuō)的預(yù)驅(qū)），以及功率 MOSFET/IGBT。本文介紹了PAC智能電機(jī)控制帶預(yù)驅(qū)的應(yīng)用介紹
2024-10-25 15:11:211971 
高頻率開(kāi)關(guān)的MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器，可能會(huì)產(chǎn)生大量的耗散功率。因此，需要確認(rèn)驅(qū)動(dòng)器功率耗散和由此產(chǎn)生的結(jié)溫，確保器件在可接受的溫度范圍內(nèi)工作。高壓柵極驅(qū)動(dòng)集成電路（HVIC）是專為半橋開(kāi)關(guān)
2024-11-11 17:21:201609 
英飛凌科技股份公司近日推出了一款新型MOTIX? TLE9189柵極驅(qū)動(dòng)器IC，專為12V無(wú)刷直流（BLDC）電機(jī)的安全關(guān)鍵型應(yīng)用而設(shè)計(jì)。這款三相柵極驅(qū)動(dòng)器IC的推出，旨在滿足線控解決方案對(duì)電機(jī)控制IC日益增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求。
2024-12-02 11:03:461773 關(guān)鍵作用。本文介紹了一種用于碳化硅升壓轉(zhuǎn)換器的氮化鎵諧振柵極驅(qū)動(dòng)器。該方案不僅能實(shí)現(xiàn)高效率，還能在高開(kāi)關(guān)頻率下保持良好控制的開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換特性。諧振柵極驅(qū)動(dòng)器原理轉(zhuǎn)換器
2025-05-08 11:08:401155 
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