電橋電路柵驅(qū)動(dòng)器和MOSFET柵驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品介紹
2024-03-19 09:43:36
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電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《帶有集成功率二極管的白光發(fā)光二極管 (WLED) 驅(qū)動(dòng)器TPS61158數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 09:33:38
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《集成功率二極管和快速爆發(fā)模式的白光LED驅(qū)動(dòng)器TPS61166數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 09:23:010 榮湃半導(dǎo)體近日宣布推出其最新研發(fā)的Pai8265xx系列柵極驅(qū)動(dòng)器，該系列驅(qū)動(dòng)器基于電容隔離技術(shù)，集成了多種保護(hù)功能，專為驅(qū)動(dòng)SiC、IGBT和MOSFET等功率管而設(shè)計(jì)。這款產(chǎn)品的推出，標(biāo)志著榮湃半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新再次取得突破。
2024-03-12 11:11:52248 意法半導(dǎo)體（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器，這些產(chǎn)品不僅在設(shè)計(jì)上追求穩(wěn)健性和可靠性，還致力于提供高度的系統(tǒng)集成性和靈活性，以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
2024-03-12 10:54:43224 全球知名半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14102 近日，全球知名的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay宣布推出新型80V對(duì)稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號(hào)為SiZF4800LDT。這款新產(chǎn)品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（以下簡(jiǎn)稱“東芝”）近日宣布，其最新研發(fā)的DTMOSVI系列高速二極管型功率MOSFET已正式推出。該系列產(chǎn)品特別適用于數(shù)據(jù)中心和光伏功率調(diào)節(jié)器等關(guān)鍵應(yīng)用的開關(guān)電源，展現(xiàn)了東芝在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的深厚實(shí)力與持續(xù)創(chuàng)新。
2024-03-12 10:27:36255 Holtek新推出BS67F2432具備觸控按鍵、高精準(zhǔn)度HIRC與LCD驅(qū)動(dòng)器Flash MCU。
2024-03-08 10:35:07211 為了在空間受限的應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高效、實(shí)時(shí)的嵌入式電機(jī)控制系統(tǒng)，MicrochipTechnologyInc.（微芯科技公司）推出基于dsPIC數(shù)字信號(hào)控制器（DSC）的新型集成電機(jī)驅(qū)動(dòng)器系列。該系列器件
2024-03-08 08:22:30114 
意法半導(dǎo)體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
2024-02-27 09:05:36578 
作者：Bill Schweber 投稿人：DigiKey 北美編輯 所有的分立式開關(guān)功率器件都需要驅(qū)動(dòng)器，無論這些器件是分立式金屬氧化物硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET)、碳化硅 (SiC
2024-01-01 13:25:00401 
英飛凌推出業(yè)內(nèi)首款采用全新 OptiMOS 7 技術(shù)的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項(xiàng)技術(shù)經(jīng)過系統(tǒng)和應(yīng)用優(yōu)化，主要應(yīng)用于服務(wù)器和計(jì)算應(yīng)用中的低輸出電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49362 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《40V/1.2A集成功率管LED驅(qū)動(dòng)器SN3360中文手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-12-22 11:31:390 一體成型功率電感的感量受到哪些條件影響 編輯：谷景電子 一體成型功率電感作為一種特別重要的電感元件，它的感量是選型的一個(gè)重要考量原因。經(jīng)常會(huì)有咨詢關(guān)于電感感量方面的問題，今天我們就來簡(jiǎn)單討論一下
2023-12-18 20:04:23141 報(bào)告內(nèi)容包含：
效率和功率密度推動(dòng)變革
基本的 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器功能
驅(qū)動(dòng)器演進(jìn)以支持 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）
驅(qū)動(dòng)器進(jìn)化以支持 SiC（碳化硅）
2023-12-18 09:39:57156 
PI近日推出全新系列的即插即用型門極驅(qū)動(dòng)器，新驅(qū)動(dòng)器適配額定耐壓在1700V以內(nèi)的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模塊和硅IGBT模塊
2023-12-14 15:47:04361 深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI）今日推出全新系列的即插即用型門極驅(qū)動(dòng)器，新驅(qū)動(dòng)器適配額定耐壓在1700V以內(nèi)
2023-12-14 11:37:10287 圣邦微電子推出 SGM48541/2/3/4/5 系列，一款耐受 -10V 輸入電壓的單通道高速低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器。 該系列器件被廣泛應(yīng)用于 DC/DC 轉(zhuǎn)換器、太陽能和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的功率 MOSFET
2023-12-13 10:10:01271 功率器件驅(qū)動(dòng)器是電力電子系統(tǒng)的低壓信號(hào)控制電路和高壓主電路之間的接口，是功率器件應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)與難點(diǎn)之一。
2023-12-07 09:30:26216 
如何避免功率MOSFET發(fā)生寄生導(dǎo)通?
2023-12-06 18:22:24522 
，如功率二極管、功率晶體管、功率MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）等。它們主要在電源、變頻器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等功率電子領(lǐng)域中使用。 集成電路是將大量電子器件（如晶體管、電阻、電容等）集成在單個(gè)芯片上，形成一個(gè)完整的
2023-12-04 17:00:57682 功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12:36315 
問題1：在功率MOSFET管應(yīng)用中，主要考慮哪些參數(shù)？在負(fù)載開關(guān)的功率MOSFET管導(dǎo)通時(shí)間計(jì)算，通常取多少比較好？相應(yīng)的PCB設(shè)計(jì)，銅箔面積布設(shè)多大散熱會(huì)比較好？漏極、源極銅箔面積大小是否需要一樣？有公式可以計(jì)算嗎？
2023-12-03 09:30:40408 
方法，包括驅(qū)動(dòng)方案、應(yīng)用實(shí)例以及性能評(píng)估。 一、驅(qū)動(dòng)方案 基本連線方法 8通道功率驅(qū)動(dòng)芯片通常使用SPI、I2C或者串行總線接口與主控器件進(jìn)行通信，因此需要主控器件具備相應(yīng)接口。通過這些接口，主控器件可以向功率驅(qū)動(dòng)芯片發(fā)送
2023-12-01 14:38:35346 功率MOSFET零電壓軟開關(guān)ZVS的基礎(chǔ)認(rèn)識(shí)
2023-11-23 09:06:38407 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器 提供隔離功能的最大功率限制.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-22 16:48:150 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《5.76W高功率因數(shù)LED驅(qū)動(dòng)器.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-21 09:26:260 EVAL-6ED2742S01QM1評(píng)估套件包括一塊三相逆變功率板，內(nèi)含額定電壓為160V 的6ED2742S01Q(5x5 VQFN-32)三相柵極驅(qū)動(dòng)器，驅(qū)動(dòng)六個(gè)額定電壓為150V
2023-11-17 17:08:41534 
電路使用，也可由分立元件構(gòu)成。集成電路形式的 H 橋一般用于中小功率需求的應(yīng)用，或者是對(duì)電路面積有要求的場(chǎng)合。 分立元件形式的 H 橋通常用于大功率或者超大功率需求的應(yīng)用，主要由 MOSFET 或 IGBT 晶體管組成。 不過 MCU 的引腳是無法直接驅(qū)動(dòng) MOS 管等元
2023-11-16 16:28:48561 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《功率驅(qū)動(dòng)器件與MCU/DSC接口電路設(shè)計(jì)技巧.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-13 09:25:530 功率MOSFET選型的幾點(diǎn)經(jīng)驗(yàn)在此，根據(jù)學(xué)到的理論知識(shí)和實(shí)際經(jīng)驗(yàn)，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。由于相應(yīng)理論技術(shù)文章有很多介紹MOSFET參數(shù)和性能的，這里不作贅述，只對(duì)實(shí)際
2023-10-26 08:02:47373 
在此，根據(jù)學(xué)到的理論知識(shí)和實(shí)際經(jīng)驗(yàn)，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。
2023-10-25 10:43:16765 
和小功率MOSFET類似，功率MOSFET也有分為N溝道和P溝道兩大類;每個(gè)大類又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種。
2023-10-25 10:42:27493 
在電源與充電樁等高功率應(yīng)用中，通常需要專用驅(qū)動(dòng)器來驅(qū)動(dòng)最后一級(jí)的功率晶體管？ 電源與充電樁等高功率應(yīng)用通常需要專用驅(qū)動(dòng)器來驅(qū)動(dòng)最后一級(jí)的功率晶體管，主要是出于以下幾個(gè)方面的考慮。 首先，最后一級(jí)
2023-10-22 14:47:33409 汽車電子MOSFET發(fā)展的一個(gè)最終方向是提高感測(cè)、控制和保護(hù)功率開關(guān)的性能。功率器件正集成到智能化車載系統(tǒng)中?，F(xiàn)在在最低功率級(jí)別，MOSFET可以與功率器件上的感測(cè)元件一起使用。
2023-10-20 11:44:58148 
眾所周知，由于采用了絕緣柵，功率MOSFET器件只需很小的驅(qū)動(dòng)功率，且開關(guān)速度優(yōu)異?？梢哉f具有“理想開關(guān)”的特性。其主要缺點(diǎn)是開態(tài)電阻(RDS(on))和正溫度系數(shù)較高。本教程闡述了高壓N型溝道功率
2023-10-18 09:11:42621 
發(fā)現(xiàn)，像 Arduino 或樹莓派這樣的設(shè)備不能直接驅(qū)動(dòng)重負(fù)載。在這種情況下，我們需要一個(gè)“驅(qū)動(dòng)器”，也就是一個(gè)可以接受來自微控制器的控制信號(hào)，并且具有足夠功率來驅(qū)動(dòng)負(fù)載的電路。在許多情況下，MOSFET
2023-10-16 09:19:231185 
使用安森美半導(dǎo)體制造的CAT4106集成多通道LED驅(qū)動(dòng)器和高功率DC-DC轉(zhuǎn)換器，可以設(shè)計(jì)出非常簡(jiǎn)單且高效的LED驅(qū)動(dòng)器，適用于為總功率高達(dá)6瓦的背光應(yīng)用供電。
2023-10-15 10:03:41922 
1~~2W的隔離電源。
VPS8701B內(nèi)部集成兩個(gè)N溝道功率MOSFET和兩個(gè)P溝道功率MOSFET，并組成橋式連接方式。芯片內(nèi)部集成振蕩器提供一對(duì)高精度互補(bǔ)信號(hào)，能有效確保兩路功率MOSFET驅(qū)動(dòng)
2023-10-12 10:04:51
伺服驅(qū)動(dòng)器中可以集成多少種電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制電路？
2023-10-08 07:07:48
管輸入端(柵極)的驅(qū)動(dòng)電路要比雙極型晶體管的基極驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單得多。而且MOSFET管沒有存儲(chǔ)時(shí)間，就避免了復(fù)雜的 Baker 鉗位電路和比例基極驅(qū)動(dòng)電路。另外，雙極型晶體管β值在制造過程中可能相差達(dá)4
2023-09-28 06:33:09
MOSFET功率損耗的詳細(xì)計(jì)算
2023-09-28 06:09:39
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)器.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-25 11:27:500 如何避免功率MOSFET發(fā)生寄生導(dǎo)通?
2023-09-18 16:54:35590 
單通道STGAP2SiCSN柵極驅(qū)動(dòng)器旨在優(yōu)化SiC MOSFET的控制，采用節(jié)省空間的窄體SO-8封裝，通過精確的PWM控制提供強(qiáng)大穩(wěn)定的性能。隨著SiC技術(shù)廣泛應(yīng)用于提高功率轉(zhuǎn)換效率，STGAP2SiCSN簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)、節(jié)省了空間，并增強(qiáng)了節(jié)能型動(dòng)力系統(tǒng)、驅(qū)動(dòng)器和控制的穩(wěn)健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
英集芯IP2189全集成旅充協(xié)議是市場(chǎng)上性價(jià)比最高的協(xié)議芯片，采用SOP8封裝設(shè)計(jì)，全集成可任意搭配前級(jí)電源芯片即可，支持20WPD方案。英集芯IP2189具備自動(dòng)檢測(cè)設(shè)備的插入和拔出
2023-08-26 21:09:260 2ED020I06-FI是一款高電壓，高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器，具有聯(lián)鎖高側(cè)和低側(cè)參考輸出。浮動(dòng)高側(cè)驅(qū)動(dòng)器可以直接供電，也可以通過二極管和電容供電。除了每個(gè)驅(qū)動(dòng)器的邏輯輸入外
2023-08-24 18:21:45
功率MOSFET數(shù)據(jù)表參數(shù)
2023-08-24 09:13:06552 
隨著現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)小型化和高效率的要求不斷提高,對(duì)電源管理芯片的技術(shù)也提出了更高要求。針對(duì)此趨勢(shì),安森德半導(dǎo)體公司推出了新一代異步整流MOSFET—ASDM100R090NKQ。這款100V N溝道功率MOSFET憑借其卓越的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)性能參數(shù),將助您的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)更高功率密度和轉(zhuǎn)換效率。
2023-08-14 15:04:45367 
主要因素。德
州儀器 (TI) 的 DRV 器件非常適合此類系統(tǒng)，因?yàn)樗鼈兏叨?b class="flag-6" style="color: red">集成并配備完善的保護(hù)電路。本應(yīng)用報(bào)告旨在重點(diǎn)介紹
使用 DRV 器件進(jìn)行電機(jī)驅(qū)動(dòng)器布局時(shí)需要注意的主要因素，并提供相關(guān)的最佳實(shí)踐
2023-08-11 17:16:13
安捷倫81635A雙光功率傳感器
Agilent81635A雙光功率傳感器
特性說明：<±0.015 dB 偏振相關(guān)性
±3% 功率不確定度
高達(dá)62.5 μm 內(nèi)核大小的標(biāo)準(zhǔn) SM
2023-08-10 13:49:18
TI大功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用的系統(tǒng)設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
2023-08-08 15:48:090 在電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中，柵極驅(qū)動(dòng)器或“預(yù)驅(qū)動(dòng)器” IC常與N溝道功率MOSFET一起使用，以提供驅(qū)動(dòng)電機(jī)所需的大電流。在選擇驅(qū)動(dòng)器IC、MOSFET以及某些情況下用到的相關(guān)無源元件時(shí)，有很多需要考量的設(shè)計(jì)因素。如果對(duì)這個(gè)過程了解不透徹，將導(dǎo)致實(shí)現(xiàn)方式的差強(qiáng)人意。
2023-08-02 18:18:34807 
這是使用IC MD7120作為MOSFET驅(qū)動(dòng)器的D類功率音頻放大器的電路設(shè)計(jì)。 MD7120 用于驅(qū)動(dòng)在 H 橋開關(guān)兩側(cè)運(yùn)行的四個(gè) N 溝道 MOSFET 晶體管。它由控制器邏輯電路、電平轉(zhuǎn)換器
2023-07-28 16:20:50801 
森國(guó)科隆重推出IGBT分立器件新品，兼具功率MOSFET易于驅(qū)動(dòng)、控制簡(jiǎn)單、開關(guān)頻率高和功率雙極型晶體管(BJT)低飽和壓降、大電流運(yùn)輸能力及低損耗的優(yōu)點(diǎn)。
2023-07-26 17:34:13355 
通用MCU或DSP的IO電壓通常是5V3.3V，IO的電流輸出能力在20MA以下，不足以直接驅(qū)動(dòng)功率MOSFET。所以使用通用MCU或DSP來設(shè)計(jì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器時(shí)，通常需要搭配外部的MOSFET驅(qū)動(dòng)器
2023-07-25 10:13:59683 
介紹
在設(shè)計(jì)電源開關(guān)系統(tǒng)（例如電機(jī)驅(qū)動(dòng)器或電源）時(shí)，設(shè)計(jì)人員必須做出重要決定。什么電機(jī)或變壓器符合系統(tǒng)要求？什么是最好的MOSFET或IGBT來匹配該電機(jī)或變壓器？以及哪種柵極驅(qū)動(dòng)器 IC 最適合
2023-07-24 15:51:430 、更高效的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。 開 發(fā) 背 景 全球清潔能源市場(chǎng)要求汽車和工業(yè)領(lǐng)域的功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)師更高效地產(chǎn)生、儲(chǔ)存和使用能源，而寬帶隙碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）能夠在系統(tǒng)級(jí)提供明顯的效率優(yōu)勢(shì)，但往往也伴隨著一些巨大的集成挑戰(zhàn)。 傳統(tǒng)柵極驅(qū)動(dòng)器的實(shí)現(xiàn)需要隔離柵極驅(qū)動(dòng)器和
2023-07-13 16:05:02416 
MOSFET的漏伏安特性（輸出特性）：截止區(qū)（對(duì)應(yīng)GTR的截止區(qū)）;飽和區(qū)（對(duì)應(yīng)于GTR的放大區(qū)）;非飽和區(qū)（對(duì)應(yīng)于GTR的飽和區(qū)）。功率MOSFET在開關(guān)狀態(tài)下工作，即截止區(qū)域和不飽和區(qū)之間的轉(zhuǎn)換
2023-07-04 16:46:37975 
臺(tái)慶 | 科熱壓式一體成型功率電感
2023-06-30 16:27:40329 
該芯片是一款單通道低側(cè)GaN FET和邏輯電平MOSFET驅(qū)動(dòng)器，可應(yīng)用于LiDAR、飛行時(shí)間、面部識(shí)別和低側(cè)驅(qū)動(dòng)的功率轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。
2023-06-30 09:58:50263 ），漏極（ Drain ）和源極（ Source ）。功率 MOSFET 為電壓型控制器件，驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，驅(qū)動(dòng)的功率小，而且開關(guān)速度快，具有高的工作頻率。常用的 MOSFET 的結(jié)構(gòu)有：橫向?qū)щ婋p擴(kuò)散
2023-06-28 08:39:353665 
功率MOSFET最常用于開關(guān)型應(yīng)用中，發(fā)揮著開關(guān)的作用。
2023-06-27 17:41:20369 
納芯微全新推出120V半橋驅(qū)動(dòng)NSD1224系列產(chǎn)品，該系列產(chǎn)品具備3A/-4A的峰值驅(qū)動(dòng)電流能力，集成 高壓自舉二極管 ，提供使能、互鎖、欠壓保護(hù)不同版本，有SOP8、HSOP8、DFN10
2023-06-27 15:14:07
GaN功率半導(dǎo)體集成驅(qū)動(dòng)性能
2023-06-21 13:24:43
先進(jìn)的單片集成能力調(diào)節(jié)柵極驅(qū)動(dòng)最大限度地減少電感和振鈴邏輯和保護(hù)功能完全集成提高可靠性在GaN分立器件中是不可行的
2023-06-16 10:53:42
納維半導(dǎo)體?氮化鎵功率集成電路的性能影響?氮化鎵電源集成電路的可靠性影響?應(yīng)用示例：高密度手機(jī)充電器?應(yīng)用實(shí)例：高性能電機(jī)驅(qū)動(dòng)器?應(yīng)用示例；高功率開關(guān)電源?結(jié)論
2023-06-16 10:09:51
)模塊。由于閘極驅(qū)動(dòng)器的阻抗基本為零，因此集成后可實(shí)現(xiàn)關(guān)斷時(shí)的零損耗。此外，可以根據(jù)具體的應(yīng)用要求，定制和控制開啟性能。
2023-06-15 16:03:16
eMode硅基氮化鎵技術(shù)，創(chuàng)造了專有的AllGaN?工藝設(shè)計(jì)套件（PDK），以實(shí)現(xiàn)集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅(qū)動(dòng)器，邏輯和保護(hù)功能于單芯片中。該芯片被封裝到行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的、低寄生電感、低成本的 5×6mm 或
2023-06-15 14:17:56
本文介紹最新的驅(qū)動(dòng)器+ MOSFET (DrMOS)技術(shù)及其在穩(wěn)壓器模塊(VRM)應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)。單片DrMOS器件使電源系統(tǒng)能夠大幅提高功率密度、效率和熱性能，進(jìn)而增強(qiáng)最終應(yīng)用的整體性能。
2023-06-14 14:25:171548 
為保證出貨質(zhì)量，公司要求對(duì)目前公司的驅(qū)動(dòng)器需要上功率老化，但是公司的產(chǎn)品功率等級(jí)不一樣，沒有合適的負(fù)載和老化方式，請(qǐng)教大神們有沒有合適的老化方式。
2023-06-06 10:47:55
），漏極（Drain）和源極（Source）。功率MOSFET為電壓型控制器件，驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，驅(qū)動(dòng)的功率小，而且開關(guān)速度快，具有高的工作頻率。常用的MOSFET的結(jié)構(gòu)有：橫向?qū)щ婋p擴(kuò)散型場(chǎng)效應(yīng)晶體管LDMOS
2023-06-05 15:12:10671 
高速雙功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器 SOIC8
2023-06-01 09:23:05
分享功率MOSFET驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路方案大全，希望能幫助大家
2023-05-24 10:22:02
基于Siliconix應(yīng)用以及串聯(lián)插入運(yùn)算放大器驅(qū)動(dòng)器電壓供應(yīng)商的2個(gè)電阻的電壓變化。MosFET晶體管必須安裝在至少1K/W的散熱器上。
2023-05-23 16:50:331164 
功率放大器在壓電驅(qū)動(dòng)器中的作用是將低功率信號(hào)放大為足夠大的電力信號(hào)，以驅(qū)動(dòng)壓電陶瓷材料產(chǎn)生相應(yīng)的機(jī)械振動(dòng)。
2023-05-23 16:25:55483 
常規(guī)的雙極晶體管是電流驅(qū)動(dòng)器件，而MOSFET 是電壓驅(qū)動(dòng)器件。
2023-05-22 09:54:02518 
常規(guī)的雙極晶體管是電流驅(qū)動(dòng)器件，而MOSFET 是電壓驅(qū)動(dòng)器件。
2023-05-22 09:52:08747 
功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其他系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。
為了操作 MOSFET，通常須將一個(gè)電壓施加于柵極（相對(duì)于源極或發(fā)射極）。使用專用驅(qū)動(dòng)器向功率器件的柵極施加電壓并提供驅(qū)動(dòng)電流。
2023-05-17 10:21:391473 
矽力杰SA52270是一款用于車身控制模塊的15A全橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。高度集成的H橋驅(qū)動(dòng)模塊由內(nèi)含邏輯控制、門驅(qū)動(dòng)和功能保護(hù)的兩個(gè)半橋組成。通過PWM控制，集成上管電流采樣功能，具有全面的保護(hù)以及故障診斷功能。
2023-05-16 15:30:51603 
功率MOSFET怎樣關(guān)斷？能否用PWM實(shí)現(xiàn)？怎樣實(shí)現(xiàn)？
2023-05-08 16:16:27
概述LTK8833 是一種雙橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，具有兩個(gè) H 橋驅(qū)動(dòng)器，可以同時(shí)驅(qū)動(dòng)兩個(gè)直流有刷電機(jī)、一個(gè)雙極步進(jìn)電機(jī)、電磁閥或其他的電感負(fù)載。每個(gè) H 橋的輸出驅(qū)動(dòng)器模塊由配置為 H橋的 N 溝道功率
2023-05-08 14:18:440 推薦一款雙功率橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片，帶有精確的電流監(jiān)控，電流控制和電流限制徹底解決傳統(tǒng)功率橋芯片電流控制復(fù)雜的問題。提高控制感性線圈負(fù)載的電流精度。內(nèi)置低功耗MOSFET
2023-05-06 19:03:31
在本文中，我們將學(xué)習(xí)如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構(gòu)建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路，該電路可用于制造電機(jī)、逆變器和許多不同的功率轉(zhuǎn)換器的高效驅(qū)動(dòng)電路。
2023-04-29 09:35:005288 
TMI8723是一款專為H橋驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用而設(shè)計(jì)的柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路。它能夠驅(qū)動(dòng)由四個(gè)高達(dá)40V的N溝道功率MOSFET組成的H橋。TMI8723集成了一個(gè)可調(diào)節(jié)的電荷泵來產(chǎn)生柵極驅(qū)動(dòng)功率，峰值和源極電流可以是500mA和250mA。同時(shí)，TMI8723可以通過引腳VDS設(shè)置過電流點(diǎn)的值。
2023-04-20 15:00:311 您好，我正在嘗試使用 MC34GD3000 柵極驅(qū)動(dòng)器，但我們遇到了設(shè)備故障和損壞高側(cè) MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器的問題。首先，是否有任何關(guān)于正確設(shè)置柵極驅(qū)動(dòng)器輸出的應(yīng)用說明。我們看到的是在沒有任何
2023-04-19 06:36:06
每個(gè) H 橋的輸出驅(qū)動(dòng)器模塊由配置為 H 橋的 N 溝道功率 MOSFET 組成，用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)繞組。每個(gè) H 橋均具備調(diào)節(jié)或限制繞組電流的電路。
2023-04-07 12:26:21311 控制器的輸出信號(hào)為雙脈沖，能否控制單脈步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)兩相步進(jìn)電機(jī)？
2023-04-04 16:42:23
在電源及其負(fù)載之間放置開關(guān)和保險(xiǎn)絲可以控制和保護(hù)電源。對(duì)簡(jiǎn)單開關(guān)和保險(xiǎn)絲的改進(jìn)是集成電路，它在單個(gè)封裝中實(shí)現(xiàn)相同的功能，無需移動(dòng)部件，也無需維修。本文將展示MAX5976熱插拔電源方案中的內(nèi)部功率MOSFET和驅(qū)動(dòng)器電路如何提供開關(guān)控制和保護(hù)。所需的過流保護(hù)水平由單個(gè)接地外部電阻器設(shè)置。
2023-04-04 11:31:42699 
氮化鎵（GaN）是一種具有寬帶隙的半導(dǎo)體，其開關(guān)速度比硅元件快20倍，并且可以處理高達(dá)三倍的功率密度。如果在電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的PFC和轉(zhuǎn)換器級(jí)中使用GaN開關(guān)，則可以顯著降低功率損耗和系統(tǒng)尺寸 - 最終，轉(zhuǎn)換器甚至可以集成到電機(jī)中。
2023-04-04 10:19:151470 
功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其他系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。
2023-04-04 09:58:391000 的功率模塊系列產(chǎn)品。該電源模塊系列包括驅(qū)動(dòng)器模塊“SA310”（非常適用于高耐壓三相直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)）和半橋模塊“SA110”“SA111”（非常適用于眾多高電壓應(yīng)用）兩種產(chǎn)品。ROHM的1,200
2023-03-29 15:06:13
1.5A雙高速功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器
2023-03-28 18:24:29
驅(qū)動(dòng)器 - 全集成，控制和功率級(jí)，半橋，I2C，2.8V ~ 5.5V，12-QFN（3x3）
2023-03-28 15:16:09
和2024年，隨著AI大數(shù)據(jù)領(lǐng)域、以及超級(jí)計(jì)算機(jī)或者超級(jí)計(jì)算單元等應(yīng)用的迅猛發(fā)展，大電流和高功率密度模塊、以及高能量密度的Power Block模塊也將會(huì)迎來爆發(fā)式的需求增長(zhǎng)。MPS最新推出的雙路輸出系列
2023-03-24 15:42:26
3A雙高速功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器
2023-03-24 14:48:59
1.5A雙高速功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器
2023-03-24 14:48:59
6A高速功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器
2023-03-23 04:51:16
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