麥瑞半導(dǎo)體公司（Micrel Inc.）（納斯達(dá)克股票代碼：MCRL）今天推出了一款帶集成電荷泵的小型高邊MOSFET驅(qū)動(dòng)器MIC5019，該器件是為在高邊開(kāi)關(guān)應(yīng)用中開(kāi)關(guān)N溝道增強(qiáng)型MOSFET設(shè)計(jì)的。
2012-12-13 10:21:14
1896 壓，則會(huì)在氧化層下方形成空穴通道。增強(qiáng)模式 N 通道N 通道耗盡和增強(qiáng)類型的符號(hào)加工n溝道MOSFET的工作原理是假設(shè)大多數(shù)載流子是電子。電子在通道中的運(yùn)動(dòng)負(fù)責(zé)晶體管中的電流。柵極端子的形成需要使用p
2023-02-02 16:26:45
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過(guò)程中，選擇N管還是P管，要針對(duì)實(shí)際的應(yīng)用具體來(lái)選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
CMOS/TTL邏輯電壓。因此，邏輯/控制電路和高功率器件之間需要一個(gè)接口。這可以通過(guò)驅(qū)動(dòng)一個(gè)邏輯電平n溝道MOSFET，其進(jìn)而驅(qū)動(dòng)一個(gè)功率MOSFET來(lái)實(shí)現(xiàn)，如圖1a所示。圖1. 用反相邏輯驅(qū)動(dòng)功率
2021-07-09 07:00:00
柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案TI提供專為電動(dòng)座椅設(shè)計(jì)的多電機(jī)汽車(chē)柵極驅(qū)動(dòng)器。DRV8714-Q1和DRV8718-Q1的半橋柵極驅(qū)動(dòng)器分別具有四個(gè)通道和八個(gè)通道。它們集成了電荷泵、電流檢測(cè)放大器和可用于多個(gè)負(fù)載
2022-11-03 07:05:16
描述此參考設(shè)計(jì)是一種通過(guò)汽車(chē)認(rèn)證的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案，可在半橋配置中驅(qū)動(dòng)碳化硅 (SiC) MOSFET。此設(shè)計(jì)分別為雙通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器提供兩個(gè)推挽式偏置電源，其中每個(gè)電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
概述：IRS26302DJBPF美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的一款高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器，它把功率MOSFET/IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器與三個(gè)高側(cè)及三個(gè)低側(cè)參考輸出通道集成在一起，在最高20V
2021-05-18 07:25:34
LT1160的典型應(yīng)用 - 半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器。 LT 1160 / LT1162是經(jīng)濟(jì)高效的半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器
2019-05-14 09:23:01
本帖最后由 Sillumin驅(qū)動(dòng) 于 2021-11-23 14:05 編輯
NCP5106是一款高壓柵極驅(qū)動(dòng)IC，提供兩個(gè)輸出，用于直接驅(qū)動(dòng)2個(gè)N溝道功率MOSFET或IGBT，使用自舉技術(shù)
2021-11-23 13:57:47
MOSFET最常用作輸入電壓低于15VDC的降壓穩(wěn)壓器中的高側(cè)開(kāi)關(guān)。根據(jù)應(yīng)用的不同，N溝道MOSFET也可用作降壓穩(wěn)壓器高側(cè)開(kāi)關(guān)。這些應(yīng)用需要自舉電路或其它形式的高側(cè)驅(qū)動(dòng)器。圖1：具有電平移位器的高側(cè)驅(qū)動(dòng)
2018-03-03 13:58:23
在追求高密度布板與高效驅(qū)動(dòng)的功率電子設(shè)計(jì)中，一款性能卓越、封裝緊湊的柵極驅(qū)動(dòng)器至關(guān)重要。SLM27511AC-7G 正是為此而生，它是一款高性能單通道低邊柵極驅(qū)動(dòng)器，采用超小的 SOT23-6 封裝
2025-08-22 08:32:15
LT1336的典型應(yīng)用是具有成本效益的半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器。浮動(dòng)驅(qū)動(dòng)器可以驅(qū)動(dòng)頂部N溝道功率MOSFET工作在高達(dá)60V（絕對(duì)最大值）的高壓（HV）軌道上工作
2019-05-10 06:46:05
概述：MAX16834是電流模式高亮度LED (HB LED)驅(qū)動(dòng)器，可實(shí)現(xiàn)升壓、升/降壓、SEPIC及高邊降壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。除了驅(qū)動(dòng)由開(kāi)關(guān)控制器控制的n溝道功率MOSFET開(kāi)關(guān)，該器件還可驅(qū)動(dòng)n溝道
2021-05-17 06:49:06
您好，我正在嘗試使用 MC34GD3000 柵極驅(qū)動(dòng)器，但我們遇到了設(shè)備故障和損壞高側(cè) MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器的問(wèn)題。首先，是否有任何關(guān)于正確設(shè)置柵極驅(qū)動(dòng)器輸出的應(yīng)用說(shuō)明。我們看到的是在沒(méi)有任何
2023-04-19 06:36:06
溝道MOSFET也可用作降壓穩(wěn)壓器高側(cè)開(kāi)關(guān)。這些應(yīng)用需要自舉電路或其它形式的高側(cè)驅(qū)動(dòng)器。圖1：具有電平移位器的高側(cè)驅(qū)動(dòng)IC。圖2：用自舉電路對(duì)高側(cè)N溝道MOSFET進(jìn)行柵控。極性決定了MOSFET的圖形
2021-04-09 09:20:10
的無(wú)調(diào)節(jié)電源和3到5.5伏的邏輯電源。四個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)器能夠驅(qū)動(dòng)廣泛的N通道功率mosfet，并配置為兩個(gè)高端驅(qū)動(dòng)器和兩個(gè)低端驅(qū)動(dòng)器。A4940提供了所有必要的電路，以確保高壓側(cè)和低壓側(cè)外部mosfet的柵極
2020-09-29 16:51:51
超過(guò)標(biāo)準(zhǔn)CMOS/TTL邏輯電壓。因此，邏輯/控制電路和高功率器件之間需要一個(gè)接口。這可以通過(guò)驅(qū)動(dòng)一個(gè)邏輯電平n溝道MOSFET，其進(jìn)而驅(qū)動(dòng)一個(gè)功率MOSFET來(lái)實(shí)現(xiàn)，如圖1a所示。圖1. 用反相邏輯
2018-10-25 10:22:56
隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器時(shí)，轉(zhuǎn)換時(shí)間大大縮短；當(dāng)驅(qū)動(dòng)同一功率MOSFET時(shí)，該驅(qū)動(dòng)器相比微控制器I/O引腳能夠提供高得多的驅(qū)動(dòng)電流。很多情況下，由于數(shù)字電路可能會(huì)透支電流，直接用微控制器驅(qū)動(dòng)較大功率MOSFET
2018-11-01 11:35:35
單通道STGAP2SiCSN柵極驅(qū)動(dòng)器旨在優(yōu)化SiC MOSFET的控制，采用節(jié)省空間的窄體SO-8封裝，通過(guò)精確的PWM控制提供強(qiáng)大穩(wěn)定的性能。隨著SiC技術(shù)廣泛應(yīng)用于提高功率轉(zhuǎn)換效率，STGAP2SiCSN簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)、節(jié)省了空間，并增強(qiáng)了節(jié)能型動(dòng)力系統(tǒng)、驅(qū)動(dòng)器和控制的穩(wěn)健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
單通道MOSFET或IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路IR2117
IR2117是美國(guó)IR公司專為驅(qū)動(dòng)單個(gè)MOSFET或IGBT而設(shè)計(jì)的柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路。文中介紹了它的引腳排列、功能
2009-12-08 10:21:008772 
MAX15054 高邊MOSFET驅(qū)動(dòng)器，用于HB LED驅(qū)動(dòng)器和DC-DC應(yīng)用
概述
MAX15054是高邊、n溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)器，高壓應(yīng)用中可工作在較高的開(kāi)關(guān)頻率
2010-01-28 08:43:042216 
Maxim推出用于高壓系統(tǒng)的高邊MOSFET驅(qū)動(dòng)器MAX15054
Maxim不久前推出用于高壓系統(tǒng)的高邊MOSFET驅(qū)動(dòng)器MAX15054。該器件能夠?yàn)樾枰捎媒祲夯蛏祲和負(fù)浣Y(jié)構(gòu)、但不帶必需的高
2010-02-01 10:03:00909 日前，德州儀器 （TI） 宣布推出首批具有業(yè)界領(lǐng)先速度及驅(qū)動(dòng)電流性能的 4 A/8 A 與 4 A/4 A 單通道低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器，其可最大限度減少 MOSFET、IGBT 電源器件以及諸如氮化鎵 （GaN） 器件等
2012-04-23 16:48:001357 德州儀器 (TI) 宣布推出首批具有業(yè)界領(lǐng)先速度及驅(qū)動(dòng)電流性能的 4 A/8 A 與 4 A/4 A 單通道低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器
2012-04-24 09:56:414662 
10 月 1 日 – 凌力爾特公司 （Linear Technology Corporation） 推出高端、高頻率 N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器 LTC4440A-5，該器件能以高達(dá) 80V
2013-10-09 15:41:271392 
在電壓降壓（降壓調(diào)節(jié)器）應(yīng)用中獲得非常高的效率通常需要使用N溝道、低通電阻MOSFET開(kāi)關(guān)。在轉(zhuǎn)換器的高側(cè)驅(qū)動(dòng)這些增強(qiáng)模式設(shè)備的困難是，它們需要在輸入電源上方的柵極電壓來(lái)導(dǎo)通。這必然要求一個(gè)額外
2017-07-02 09:18:51
20 在電壓降壓（降壓調(diào)節(jié)器）應(yīng)用中獲得非常高的效率通常需要使用N溝道、低通電阻MOSFET開(kāi)關(guān)。在轉(zhuǎn)換器的高側(cè)驅(qū)動(dòng)這些增強(qiáng)模式設(shè)備的困難是，它們需要在輸入電源上方的柵極電壓來(lái)導(dǎo)通。這必然要求一個(gè)額外
2017-07-04 15:46:2016 ，簡(jiǎn)稱 ADI） 旗下凌力爾特公司 （Linear Technology Corporation） 推出高速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LTC7004，該器件用高達(dá) 60V 的電源電壓運(yùn)行
2017-09-11 09:36:585265 
新年伊始，Allegro祝各位朋友新的一年健康快樂(lè)，事業(yè)有成！今天Allegro這里介紹的是符合ISO-26262標(biāo)準(zhǔn)的全新N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器AMT49105，新產(chǎn)品能夠簡(jiǎn)化電機(jī)系統(tǒng)設(shè)計(jì)，并通過(guò)集成所需的功率模擬系統(tǒng)而減小PCB面積。
2019-01-10 14:29:514415 電源系統(tǒng)中的恒定電流源，固態(tài)繼電器，電信開(kāi)關(guān)和高壓直流線路等應(yīng)用需要N溝道耗盡型功率MOSFET，當(dāng)柵極至源極電壓為零時(shí)，該MOSFET用作常開(kāi)的開(kāi)關(guān)。本文將介紹IXYS最新的N溝道耗盡型功率
2021-05-27 12:18:589886 
6A N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器在 -55°C 至 125°C 的節(jié)溫范圍內(nèi)工作
2021-03-19 01:44:181 用于高效率降壓型或升壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的高速同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器具有強(qiáng)大的柵極驅(qū)動(dòng)
2021-03-19 07:15:032 LT1336：帶升壓穩(wěn)壓器的半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表
2021-05-19 16:12:341 LT1158：半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表
2021-05-20 18:32:194 LTC4441：N溝道MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表
2021-05-26 08:42:545 單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器SLMi350英文手冊(cè)免費(fèi)下載。
2021-06-19 16:31:1519 PrestoMOS。 采用了無(wú)閂鎖效應(yīng)SOI工藝的高可靠性 非隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器 ROHM的非隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器是使用了自舉方式的高邊/低邊柵極驅(qū)動(dòng)器。通過(guò)采用無(wú)閂鎖效應(yīng)SOI工藝，實(shí)現(xiàn)了高可靠性。產(chǎn)生閂鎖效應(yīng)時(shí)，會(huì)流過(guò)大電流，可能會(huì)導(dǎo)致IC或功率元器件損壞?？梢酝ㄟ^(guò)元件布局和制造工藝
2021-08-09 14:30:513305 意法半導(dǎo)體的 STGAP2SiCSN 是為控制碳化硅 MOSFET而優(yōu)化的單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，采用節(jié)省空間的窄體 SO-8 封裝，具有穩(wěn)健的性能和精確的 PWM 控制。 SiC 功率技術(shù)被廣泛用于提高
2021-10-22 10:06:393307 ?東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）為其TCK42xG系列MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器IC 的產(chǎn)品陣容增加面向可穿戴設(shè)備等移動(dòng)設(shè)備的五款新品。該系列的新產(chǎn)品配備了過(guò)壓鎖定功能，并根據(jù)輸入電壓控制外部MOSFET的柵極電壓。
2022-06-09 10:00:302567 
納芯微單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器兩款新品NSi66x1A和NSi6601M雙雙發(fā)布，均適用于驅(qū)動(dòng)SiC，IGBT和MOSFET等功率管，兼具車(chē)規(guī)（滿足AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)）和工規(guī)兩種等級(jí)，廣泛適用于新能源汽車(chē)、空調(diào)、電源、光伏等應(yīng)用場(chǎng)景。
2022-07-20 13:20:204096 
STMicroelectronics (ST) 的 STGAP2SiCSN 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器旨在調(diào)節(jié)碳化硅 (SiC) MOSFET。它采用窄體 SO-8 封裝，可節(jié)省空間并具有精確的PWM 控制
2022-08-03 09:47:012625 
設(shè)備驅(qū)動(dòng)程序 緊湊型單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器，在用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的DSO-8窄體封裝中具有14A的典型吸收和源峰值輸出電流。
2022-11-02 16:47:092326 FAN7085 高邊柵極驅(qū)動(dòng)器 - 內(nèi)部充電路徑設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
2022-11-15 19:59:1312 高側(cè)非隔離柵極驅(qū)動(dòng) 1.適用于P溝道的高側(cè)驅(qū)動(dòng)器2.適用于N溝道的高側(cè)直接驅(qū)動(dòng)器 1.適用于P溝道的高側(cè)驅(qū)動(dòng)器 高側(cè)非隔離柵極驅(qū)動(dòng)可按照所驅(qū)動(dòng)的器件類型或涉及的驅(qū)動(dòng)電路類型來(lái)分類。相應(yīng)地，無(wú)論是
2023-02-23 15:35:241 LTC7001 是一款快速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器，選用高達(dá) 135V 的輸入電壓作業(yè)。該器材包括一個(gè)擔(dān)任全面增強(qiáng)外部 N 溝道 MOSFET 開(kāi)關(guān)的內(nèi)部充電泵，因此使其可以無(wú)限期地堅(jiān)持導(dǎo)通。
2023-03-23 09:46:452120 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET——“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代[1]U-MOSX-H工藝，可用于工業(yè)設(shè)備開(kāi)關(guān)電源，涵蓋數(shù)據(jù)中心和通信基站等電源應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開(kāi)始支持批量出貨。
2023-03-31 10:05:322107 芯洲的SCT51240是一款寬供電電壓、單通道、高速、低測(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器，適用于功率MOSFET，IGBT和寬禁帶器件，例如氮化鎵功率器件等驅(qū)動(dòng)。 提供高達(dá)4A驅(qū)動(dòng)拉電流和灌電流，并實(shí)現(xiàn)軌到軌輸出
2023-05-05 09:00:14733 和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器方面的應(yīng)用擴(kuò)展，車(chē)用柵極驅(qū)動(dòng)器的需求日益增長(zhǎng)。矽力杰高低邊柵極驅(qū)動(dòng)器矽力杰SA52631是一款高壓高低邊半橋驅(qū)動(dòng)器，用于直接驅(qū)動(dòng)高邊和低邊通道。半橋通道可
2022-10-13 11:28:343927 
在電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中，柵極驅(qū)動(dòng)器或“預(yù)驅(qū)動(dòng)器” IC常與N溝道功率MOSFET一起使用，以提供驅(qū)動(dòng)電機(jī)所需的大電流。在選擇驅(qū)動(dòng)器IC、MOSFET以及某些情況下用到的相關(guān)無(wú)源元件時(shí)，有很多需要考量的設(shè)計(jì)因素。如果對(duì)這個(gè)過(guò)程了解不透徹，將導(dǎo)致實(shí)現(xiàn)方式的差強(qiáng)人意。
2023-08-02 18:18:342087 
新品6.5A，2300V單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板（配SiCMOSFET）EVAL-1ED3142MX12F-SIC采用半橋電路，用兩個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)IC1ED3142MU12F來(lái)驅(qū)動(dòng)IGBT
2023-07-31 17:55:561666 
本應(yīng)用筆記介紹了采用表面貼裝封裝的 n 通道雙 MOSFET 的低壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)。它描述了使用不同電壓應(yīng)用的設(shè)計(jì)，以及自適應(yīng) MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器，這是驅(qū)動(dòng)雙 n 溝道半橋的第三種方法。
2023-10-05 15:20:002928 
單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器支持米勒鉗位NSi6601M是單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，適用于驅(qū)動(dòng)IGBT，功率MOSFET和SiCMOSFET在許多應(yīng)用中。提供分立輸出用于分別控制上升和下降時(shí)間。它可以提供
2022-10-31 13:31:466 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《單通道柵極驅(qū)動(dòng)器ADuM4135應(yīng)用筆記.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-29 11:00:581 近日，全球知名的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay宣布推出新型80V對(duì)稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號(hào)為SiZF4800LDT。這款新產(chǎn)品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:021363 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《電隔離單通道柵極驅(qū)動(dòng)器UCC21732-Q1數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-21 10:48:460 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《電隔離單通道柵極驅(qū)動(dòng)器UCC21732數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-21 10:47:350 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《電隔離單通道柵極驅(qū)動(dòng)器UCC21750-Q1數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-22 10:38:520 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器UCC53x0數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-22 14:00:570 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《電隔離單通道柵極驅(qū)動(dòng)器UCC21738-Q1數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-27 10:52:420 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《電隔離單通道柵極驅(qū)動(dòng)器UCC21756-Q1數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-28 16:40:290 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《電隔離單通道柵極驅(qū)動(dòng)器UCC21710-Q1數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-29 13:47:370 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器UCC2751x數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-01 11:16:220 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《電隔離單通道柵極驅(qū)動(dòng)器UCC21755-Q1數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-01 11:15:230 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《電隔離單通道柵極驅(qū)動(dòng)器UCC21750數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-03 09:31:321 Littelfuse宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器。這款創(chuàng)新的驅(qū)動(dòng)器專門(mén)設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)工業(yè)應(yīng)用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。
2024-05-23 11:26:301651 通或關(guān)閉。中微愛(ài)芯推出了單通道低邊柵驅(qū)動(dòng)器AiP44175，該驅(qū)動(dòng)器專用于驅(qū)動(dòng)接參考地的MOSFET/IGBT，內(nèi)部集成了過(guò)流和欠壓保護(hù)功能，相比于帶有外部過(guò)流保護(hù)的解決方案，大大節(jié)省用戶成本和PCB布板面積。
2024-06-11 16:57:501758 
集成過(guò)流保護(hù)單通道低邊柵驅(qū)動(dòng)器——AiP44175
2024-07-09 09:43:001383 
應(yīng)用設(shè)計(jì)的高邊和低邊柵極驅(qū)動(dòng)集成電路，驅(qū)動(dòng)高壓、高速MOSFET 而設(shè)計(jì)。《高壓柵極驅(qū)動(dòng)器的功率耗散和散熱分析》白皮書(shū)從靜態(tài)功率損耗分析、動(dòng)態(tài)功率損耗分析、柵極驅(qū)動(dòng)損耗分析等方面進(jìn)行了全面介紹。
2024-11-11 17:21:201608 
Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出一系列高性能柵極驅(qū)動(dòng)器IC，可用于驅(qū)動(dòng)同步降壓或半橋配置中的高邊和低邊N溝道MOSFET。這些驅(qū)動(dòng)器包含車(chē)規(guī)級(jí)和工業(yè)級(jí)版本，性能上兼具高電流輸出和出色的動(dòng)態(tài)性能，可大幅提高應(yīng)用效率和魯棒性。
2024-11-20 17:23:411292 川土微電子CA-IS3211SCWG單通道超寬體光耦輸入型隔離柵極驅(qū)動(dòng)器新品發(fā)布！
2024-11-27 16:32:071997 
MS30517SA 是單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器器件，能夠有效地驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT 開(kāi)關(guān) 。提供FAE支持，歡迎咨詢了解。單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器
2024-12-20 17:44:511386 
川土微電子CMOS輸入、帶有源米勒鉗位(可選)單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器新品發(fā)布，該系列產(chǎn)品為驅(qū)動(dòng)SiC、IGBT和GaN功率管而優(yōu)化設(shè)計(jì)。
2025-01-10 18:08:421605 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PC1703單通道H橋柵極驅(qū)動(dòng)器中文手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-14 17:59:190 新品EiceDRIVER6.5A5.7kVRMS單通道柵極驅(qū)動(dòng)器1ED314xMC12HEiceDRIVER緊湊型單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器，具有6.5A峰值灌電流和6A峰值拉電流能力，采用8引腳LDSO
2025-03-27 17:03:50880 圣邦微電子推出 SGM42203Q，一款24V 汽車(chē)應(yīng)用帶模擬電流檢測(cè)的雙通道高邊驅(qū)動(dòng)器。該器件可應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)電阻性、電容性和電感性負(fù)載。
2025-07-18 09:08:211071 
Texas Instruments UCC44273單通道柵極驅(qū)動(dòng)器是一款高速低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器，可有效驅(qū)動(dòng)MOSFET和IGBT功率開(kāi)關(guān)。該驅(qū)動(dòng)器在12V~DD~ 下提供4A源和4A匯（對(duì)稱驅(qū)動(dòng)）峰值
2025-08-11 14:49:441823 
DRV8770器件提供兩個(gè)半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，每個(gè)驅(qū)動(dòng)器能夠驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。集成自舉二極管和外部電容器為高側(cè) MOSFET 產(chǎn)生正確的柵極驅(qū)動(dòng)電壓，而 GVDD 驅(qū)動(dòng)低側(cè) MOSFET 的柵極。柵極驅(qū)動(dòng)架構(gòu)支持高達(dá) 750mA 的柵極驅(qū)動(dòng)電流和 1.5A 的灌電流。
2025-10-14 11:42:20525 
DRV8705-Q1是一款高度集成的H橋柵極驅(qū)動(dòng)器，能夠驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。它使用用于高側(cè)的集成倍增器電荷泵和用于低側(cè)的線性穩(wěn)壓器產(chǎn)生適當(dāng)?shù)?b class="flag-6" style="color: red">柵極驅(qū)動(dòng)電壓。
該器件采用智能柵極
2025-10-14 14:27:06449 
該UCC23313是一款光兼容、單通道、隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，適用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET，具有4.5A源極和5.3A灌電流峰值輸出電流以及3.75kV~有效值~基本隔離等級(jí)。33
2025-10-15 15:22:57495 
在追求更高效率、更高功率密度的電力電子系統(tǒng)中，柵極驅(qū)動(dòng)器的性能至關(guān)重要。川土微電子全新推出 CA-IS3214 系列——一款基于先進(jìn)電容隔離技術(shù)的單通道柵極驅(qū)動(dòng)器。它集10A峰值驅(qū)動(dòng)能力、超強(qiáng)隔離
2025-11-21 17:42:061133 
在電力電子領(lǐng)域，柵極驅(qū)動(dòng)器扮演著至關(guān)重要的角色，它直接影響著功率開(kāi)關(guān)器件的性能和系統(tǒng)的穩(wěn)定性。今天，我們將深入探討安森美（onsemi）的NCP51152，一款具有出色性能和豐富功能的隔離單通道柵極驅(qū)動(dòng)器。
2025-11-27 10:52:53294 
在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中，選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)器對(duì)于實(shí)現(xiàn)高效、可靠的功率開(kāi)關(guān)控制至關(guān)重要。今天，我們將深入探討 onsemi 推出的 FAD3151MXA 和 FAD3171MXA 單通道浮動(dòng)汽車(chē)柵極驅(qū)動(dòng)器，看看它們?cè)趯?shí)際應(yīng)用中能為我們帶來(lái)哪些驚喜。
2025-11-27 15:53:18282 
在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，柵極驅(qū)動(dòng)器是驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET 和 SiC MOSFET 等功率開(kāi)關(guān)的關(guān)鍵組件。onsemi 的 NCV51752 單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器以其出色的性能和豐富的特性，成為眾多
2025-11-27 15:55:50281 
在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中，選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)器至關(guān)重要。今天，我們將深入探討 onsemi 推出的 NCP51752 隔離單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，它在驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET 和 SiC MOSFET 功率開(kāi)關(guān)方面表現(xiàn)出色，具備眾多令人矚目的特性。
2025-11-27 16:23:30343 
在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)領(lǐng)域，MOSFET 作為關(guān)鍵的功率開(kāi)關(guān)元件，其性能的優(yōu)劣直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。今天，我們將深入探討 onsemi 推出的 NVMFS5C604N 單通道 N 溝道 MOSFET，這款產(chǎn)品在眾多方面展現(xiàn)出了令人矚目的特性。
2025-11-28 15:32:08326 
作為一名電子工程師，在設(shè)計(jì)電路時(shí)，選擇合適的 MOSFET 至關(guān)重要。今天我們就來(lái)詳細(xì)探討 ON Semiconductor 推出的 NVMFS024N06C 單通道 N 溝道 MOSFET，看看它有哪些特性和優(yōu)勢(shì)。
2025-12-01 14:02:46262 
在電力電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，IGBT和MOSFET作為關(guān)鍵的功率開(kāi)關(guān)器件，其驅(qū)動(dòng)電路的性能直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率和可靠性。今天，我們就來(lái)深入探討一下安森美（onsemi）推出的NCx57080y和NCx57081y系列高電流單通道IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器。
2025-12-01 14:29:16469 
隨著汽車(chē)智能化、個(gè)性化趨勢(shì)加速，市場(chǎng)對(duì)高邊LED驅(qū)動(dòng)器的需求日益增長(zhǎng)——據(jù)統(tǒng)計(jì)，新能源汽車(chē)對(duì)高邊驅(qū)動(dòng)芯片的需求達(dá)到約75顆，遠(yuǎn)超傳統(tǒng)燃油車(chē)的35顆。為汽車(chē)照明系統(tǒng)提供更先進(jìn)、可靠的解決方案，極海正式發(fā)布GALT62120：12通道汽車(chē)高邊LED驅(qū)動(dòng)器。
2025-12-01 16:09:39264 在電子設(shè)備設(shè)計(jì)中，MOSFET作為關(guān)鍵的功率開(kāi)關(guān)元件，其性能直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。今天我們要深入探討的是安森美（onsemi）推出的NVMJS3D0N06C單通道N溝道MOSFET，看看它在實(shí)際應(yīng)用中能為我們帶來(lái)哪些優(yōu)勢(shì)。
2025-12-02 09:23:56514 
在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，功率 MOSFET 是至關(guān)重要的元件，它廣泛應(yīng)用于各類電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等電路中。今天，我們就來(lái)詳細(xì)剖析 onsemi 推出的 NVMFWS003N10MC 單通道 N 溝道功率 MOSFET，看看它有哪些獨(dú)特之處。
2025-12-02 11:43:20466 
正式發(fā)布GALT62120 12通道汽車(chē)高邊LED驅(qū)動(dòng)器。 極海GALT62120汽車(chē)高邊LED驅(qū)動(dòng)器，支持12通道精密高邊電流輸出，可提供像素級(jí)LED獨(dú)立控制；集成可編程12位PWM調(diào)光，實(shí)現(xiàn)線性和指數(shù)調(diào)光；支持LED開(kāi)路/短路檢測(cè)、過(guò)溫保護(hù)等功能，符合AEC-Q100 Grade1標(biāo)準(zhǔn)，可
2025-12-03 15:23:0058330 
在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中，柵極驅(qū)動(dòng)器起著至關(guān)重要的作用，它能夠有效地驅(qū)動(dòng)功率MOSFET和IGBT，確保設(shè)備的高效穩(wěn)定運(yùn)行。今天我們要探討的是安森美（onsemi）推出的NCP51105單通道低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器，它具備諸多出色的特性和功能，適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。
2025-12-04 09:58:48655 
在電子工程師的日常設(shè)計(jì)中，柵極驅(qū)動(dòng)器是驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET 和 SiC MOSFET 等功率開(kāi)關(guān)的關(guān)鍵組件。今天，我們就來(lái)深入探討 onsemi 推出的 NCV51561 隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器，看看它有哪些特性和優(yōu)勢(shì)，以及在實(shí)際應(yīng)用中需要注意的要點(diǎn)。
2025-12-05 15:33:08336 
在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，功率MOSFET是不可或缺的關(guān)鍵元件，它廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等眾多領(lǐng)域。今天就來(lái)詳細(xì)探討安森美（onsemi）推出的一款單通道N溝道功率MOSFET——NTMFS002N10MCL。
2025-12-08 14:53:47337 
在高功率應(yīng)用領(lǐng)域，工程師們一直在尋找能夠提升系統(tǒng)效率和可靠性的關(guān)鍵組件。onsemi 的 NCx57080y 和 NCx57081y 高電流單通道 IGBT/MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器就是這樣一款出色的產(chǎn)品。今天，我們就來(lái)深入剖析這款驅(qū)動(dòng)器的特點(diǎn)、應(yīng)用以及使用中的關(guān)鍵要點(diǎn)。
2025-12-09 10:07:391562 
EiceDRIVER? 1ED314xMU12F 1ED314xMC12H：高性能單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器的全面解析 在電力電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，柵極驅(qū)動(dòng)器是驅(qū)動(dòng)IGBT、MOSFET和SiC MOSFET等功率
2025-12-20 11:35:18658 MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器.pdf 產(chǎn)品概述 2ED2410-EM是一款單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，具備兩個(gè)獨(dú)立的柵極輸出，專為12V/24V汽車(chē)應(yīng)用量身打造。它不僅支持ISO 26262標(biāo)準(zhǔn)，為硬
2025-12-20 16:25:061081 EiceDRIVER? 1ED332xMC12N Enhanced（1ED - F3）：高性能單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器深度解析 在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中，選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)器至關(guān)重要，它直接影響
2025-12-21 16:30:15605
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