本內(nèi)容介紹了IGBT模塊的檢測(cè)方法,以兩單元為例:用模擬萬用表測(cè)量,判斷IGBT的方法
2011-12-21 10:30:26
9496 本文首先介紹了IGBT的概念與結(jié)構(gòu),其次對(duì)IGB模塊原理電路進(jìn)行了分析以及介紹了變頻器IGBT模塊常見故障處理,最后介紹了變頻器IGBT模塊檢測(cè)方法以及IGBT模塊的靜態(tài)測(cè)量。
2018-05-22 09:15:53
10550 在理解了上面的主要的運(yùn)放非理想?yún)?shù)后,再讀運(yùn)放的數(shù)據(jù)規(guī)格書應(yīng)該就不難了,下面我們以比較常見的LM321集成運(yùn)放為例,來過一遍如何解讀運(yùn)放數(shù)據(jù)規(guī)格書。
2023-02-02 14:00:38
4901 
? IGBT模塊內(nèi)部 雜散電感的定義 IGBT半橋逆變電路工作原理以及當(dāng)IGBT1開通關(guān)斷時(shí)的電壓電流波形如圖1所示,Lσ代表整個(gè)換流回路(條紋區(qū)域內(nèi))所有的雜散電感之和(電容器,母排,IGBT模塊
2023-08-18 09:08:18
5629 
由于IGBT模塊自身有一定的功耗,IGBT模塊本身會(huì)發(fā)熱。在一定外殼散熱條件下,功率器件存在一定的溫升(即殼溫與環(huán)境溫度的差異)。
2024-03-22 09:58:08
59503 
半導(dǎo)體系統(tǒng)。此類功率模塊的決定性要素是出色的可靠性、強(qiáng)健性和長使用壽命。 圖1 英飛凌1200V功率模塊震動(dòng)條件下的強(qiáng)健性和可靠性不僅是牽引應(yīng)用關(guān)注的焦點(diǎn),同時(shí)也越來越多地成為工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用關(guān)注
2018-12-07 10:23:42
IGBT非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域.IGBT模塊是由IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片)與FWD(續(xù)流二極管芯片)通過特定
2021-09-09 08:27:25
IGBT模塊是由哪些模塊組成的?IGBT模塊有哪些特點(diǎn)?IGBT模塊有哪些應(yīng)用呢?
2021-11-02 07:39:10
IGBT模塊的有關(guān)保護(hù)問題-IGBT模塊散熱器 對(duì)IGBT模塊散熱器的過流檢測(cè)保護(hù)分兩種情況: (1)、驅(qū)動(dòng)電路中無保護(hù)功能。這時(shí)在主電路中要設(shè)置過流檢測(cè)器件。對(duì)于小容量變頻器,一般是把電阻R直接
2012-06-19 11:26:00
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:01 編輯
1,IGBT單管:IGBT,封裝較模塊小,電流通常在100A以下,常見有TO247 等封裝,sg 本人常用。2,IGBT模塊
2012-07-09 12:00:13
各位大神好,想請(qǐng)教一個(gè)問題。我現(xiàn)在手上有一個(gè)IGBT模塊,型號(hào)是FF150RT12R4。我現(xiàn)在想找一個(gè)驅(qū)動(dòng)這個(gè)IGBT模塊的驅(qū)動(dòng)模塊,是驅(qū)動(dòng)模塊,不是驅(qū)動(dòng)芯片,我在網(wǎng)上查找到了EXB840,但是這個(gè)驅(qū)動(dòng)年份有些久遠(yuǎn),所以想問有沒有類似的新產(chǎn)品,求推薦型號(hào)。
2021-01-04 10:40:43
IGBT英飛凌的模塊,用著怎么樣啊,求指導(dǎo)。
2018-04-17 15:27:54
汽車功能安全標(biāo)準(zhǔn)于2011年作為ISO標(biāo)準(zhǔn)正式頒布,此后,汽車業(yè)界開始采納應(yīng)用該標(biāo)準(zhǔn)。雖然標(biāo)準(zhǔn)的采納是自愿的,但在這樣的背景和趨勢(shì)之下,無論是汽車廠商還是零部件供應(yīng)商,為了滿足ISO 26262
2019-07-22 18:10:27
STM32標(biāo)準(zhǔn)外設(shè)庫是什么?有什么優(yōu)勢(shì)?STM32F10xxx標(biāo)準(zhǔn)外設(shè)庫體系結(jié)構(gòu)由什么組成?功能是什么?
2021-09-27 06:56:59
本帖最后由 test753 于 2015-4-7 20:28 編輯
結(jié)果如何解讀?教下吧
2015-04-07 20:10:34
歡迎關(guān)注微信公眾號(hào)「EMC家園」ID:emcjiayuan,有更多干貨等著您!一、三大標(biāo)準(zhǔn)體系1ISO制定的RFID標(biāo)準(zhǔn)體系1995年國際標(biāo)準(zhǔn)化組織ISO/IEC聯(lián)合技術(shù)委員會(huì)JTCl設(shè)立了子委員會(huì)
2016-05-17 15:36:46
一文解讀HEVC視頻標(biāo)準(zhǔn)的環(huán)內(nèi)濾波,看完你就懂了
2021-06-03 06:08:38
`什么是IGBT?什么是IGBT模塊?什么是IGBT模塊散熱器?IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS
2012-06-19 11:36:58
的通態(tài)導(dǎo)通損耗,因而必須作出權(quán)衡取舍。IGBT技術(shù)的發(fā)展正在促成增加短路電流電平,但降低短路耐受時(shí)間這一趨勢(shì)。此外,技術(shù)的進(jìn)步導(dǎo)致使用芯片尺寸更小, 縮小了模塊尺寸,但降低了熱容量,以至耐受時(shí)間進(jìn)一步縮短
2019-10-06 07:00:00
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2021-03-01 15:10:19
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2021-11-01 18:13:51
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2021-01-09 18:20:52
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2021-03-22 18:19:34
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2021-08-06 19:20:24
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2021-10-25 21:49:20
在本文中,我們將解釋針對(duì)不同的應(yīng)用和工作條件仔細(xì)選擇IGBT變體如何提高整體系統(tǒng)效率。IGBT模塊中的損耗大致可分為兩類:傳導(dǎo)開關(guān)眾所周知,對(duì)于特定電壓下的任何給定過程,降低傳導(dǎo)損耗的努力將導(dǎo)致
2023-02-27 09:54:52
山東高價(jià)回收英飛凌IGBT模塊 FZ2400R12KE3山東地區(qū)上門回收FZ1500R33HL3模塊回收FZ1000R33HE3回收西門子IGBT回收西門子模塊回收三菱模塊回收三菱IGBT回收富士
2021-11-12 20:32:29
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2021-09-09 17:42:48
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2020-07-30 13:20:09
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2021-05-17 19:54:53
現(xiàn)急需FF1200R17IP5英飛凌原廠的IGBT模塊,有誰有渠道的幫幫忙!
2020-01-12 10:47:52
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2021-09-23 14:56:07
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2021-09-11 15:54:33
如何增加中間端子的雜散電感?電磁場(chǎng)對(duì)IGBT模塊并聯(lián)的影響是什么?
2021-06-15 08:26:38
各位大佬,請(qǐng)教一下 IGBT 模塊的絕緣耐壓如何測(cè)試?
2023-10-23 10:19:00
如何實(shí)現(xiàn)IGBT模塊的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)?在設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路時(shí),需要考慮哪些問題?IGBT下橋臂驅(qū)動(dòng)器件HCPL-316J的主要特征有哪些?上橋臂驅(qū)動(dòng)器HCPL-3120的主要特征有哪些?
2021-04-20 06:24:18
怎么解決IGBT模塊在并聯(lián)時(shí)的降額問題?
2021-04-08 06:21:04
誰有全球三大RFID標(biāo)準(zhǔn)體系比較的分析資料啊?可以分享一下嗎
2021-06-25 06:18:07
重慶專業(yè)收購IGBT模塊重慶高價(jià)回收IGBT模塊,高價(jià)收購IGBT模塊,深圳帝歐高價(jià)回收IGBT模塊,帝歐電子趙生***,QQ:764029970//1816233102,mail
2021-11-16 19:19:46
三菱igbt模塊資料
三菱電機(jī)第5代IGBT模塊和IPM模塊應(yīng)用手冊(cè)
Mitsubishi ElectricThe 5th Generation IGBT Modules & IPM ModulesApplication Note
2007-12-22 10:58:18
198 東芝igbt模塊資料
2007-12-22 11:04:10
63 富士IGBT模塊驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方法
2008-01-08 10:45:44
109 HiPakTM高壓SPT IGBT 模塊的SOA 新基準(zhǔn)
摘要院介紹了電壓額定值從2.5kV到6.5kV的新型高壓HiPakTM IGBT模塊系列遙新系列HiPakTM模塊采用了ABB最新研制的高壓SPT IGBT 和二
2009-11-11 10:38:53
6 IGBT模塊的使用要點(diǎn):IGBT為電壓控制器件,其導(dǎo)通壓降隨正驅(qū)動(dòng)電壓的升高而降低。
2010-03-14 18:51:58
71 TUV標(biāo)準(zhǔn)解讀:LED模塊電子控制裝置特殊要求
2010-12-21 16:38:39
35 東芝IGBT系列模塊
2007-12-22 11:10:15
1078 
西門子IGBT系列模塊
2007-12-22 11:10:53
792 
西門康IGBT系列模塊
2007-12-22 11:11:29
1270 
三菱IGBT系列模塊
2007-12-22 11:11:51
1262 
900A IGBT半橋模塊 SEMiXTM4
SEMiXTM IGBT系列采用溝道技術(shù),具有600V、1200V 和 1700V三種電壓等級(jí)
相對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)模塊30mm的高度,SEMiXTM4的高度才17mm,其長度為183mm,寬度為69m
2007-12-22 11:14:17
1242 
淺析物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)框架與標(biāo)準(zhǔn)體系
“目前,物聯(lián)網(wǎng)的概念和技術(shù)架構(gòu)缺乏統(tǒng)一的清晰描述,一些利益相關(guān)方爭(zhēng)相進(jìn)行基于自身利益的解讀,使得政府、產(chǎn)業(yè)和市場(chǎng)各方對(duì)
2010-03-29 09:42:10
1889 本內(nèi)容提供了富士電機(jī)IGBT模塊應(yīng)用手冊(cè) 1 元件的構(gòu)造與特性 2 富士電機(jī)電子設(shè)備技術(shù)的IGBT 3 通過控制門極阻斷過電流 4 限制過電流功能 5 模塊的構(gòu)造 6 IGBT模塊電路構(gòu)造
2011-04-15 16:25:31
267 AMI智能電能表標(biāo)準(zhǔn)體系 AMI智能電能表標(biāo)準(zhǔn)體系
2016-02-23 17:50:41
7 手機(jī)射頻技術(shù)和手機(jī)射頻模塊解讀
2017-01-12 21:57:34
67 作為應(yīng)用工程師,我遇到過系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員針對(duì)如何解讀產(chǎn)品說明書規(guī)范提出的大量問題。就在我認(rèn)為我已經(jīng)掌握如何確定規(guī)范以及它們?nèi)绾卧斐稍O(shè)計(jì)誤差時(shí),我總會(huì)從客戶的 TI E2E 論壇帖子、電話或電子郵件中獲得與我的理解不同的內(nèi)容。
2017-04-08 03:38:17
2466 
IGBT單管和IGBT模塊的控制電路是一樣的,它們的作用和工作原理基本一樣,IGBT模塊可以看成是多個(gè)IGBT單管集成的模塊。IGBT模塊封裝技術(shù)拓展了IGBT的運(yùn)用領(lǐng)域和功能。IGBT是集功率
2017-05-14 15:02:34
14471 
IGBT模塊是由IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片)與FWD(續(xù)流二極管芯片)通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品;封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備上;IGBT
2017-11-23 10:07:39
91111 
IGBT模塊的原理及測(cè)量判斷方法 GBT模塊的原理及測(cè)量判斷方法 本文以介紹由單只 IGBT 管子或雙管做成的逆變模塊及其有關(guān)測(cè)盈和判斷好壞的方法。場(chǎng)效應(yīng)管有開關(guān)速度快、電壓控制的優(yōu)點(diǎn),但也有導(dǎo)通壓
2018-05-18 13:12:00
16113 
英飛凌公司高級(jí)經(jīng)理陳子穎在高工電動(dòng)車·電動(dòng)物流車產(chǎn)業(yè)峰會(huì)上,發(fā)表了《電動(dòng)商用車IGBT模塊的關(guān)鍵技術(shù)及應(yīng)用要求》的精彩演講,詳細(xì)闡述了IGBT的標(biāo)準(zhǔn)體系、電動(dòng)商用車IGBT模塊應(yīng)用特點(diǎn)等內(nèi)容。
2018-07-29 09:33:07
6070 本文將闡述IGBT模塊手冊(cè)所規(guī)定的主要技術(shù)指標(biāo),包括電流參數(shù)、電壓參數(shù)、開關(guān)參數(shù)極管參數(shù)及熱學(xué)參數(shù),使大家正確的理解IGBT模塊規(guī)格書,為器件選型提供依據(jù)。本文所用參數(shù)數(shù)據(jù)以英飛凌IGBT模塊FF450R17ME3為例。
2020-09-10 08:00:00
36 IGBT模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)是評(píng)估IGBT模塊開關(guān)性能如開關(guān)頻率、開關(guān)損耗、死區(qū)時(shí)間、驅(qū)動(dòng)功率等的重要依據(jù),本文重點(diǎn)討論以下動(dòng)態(tài)參數(shù):模塊內(nèi)部柵極電阻、外部柵極電阻、外部柵極電容、IGBT寄生電容參數(shù)、柵極充電電荷、IGBT開關(guān)時(shí)間參數(shù),結(jié)合IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)可全面評(píng)估IGBT芯片的性能。
2020-11-17 08:00:00
27 車輛運(yùn)行時(shí),特別實(shí)在擁堵的路況時(shí)的頻繁啟停,此時(shí)控制器的IGBT模塊工作電流會(huì)相應(yīng)的頻繁升降,從而導(dǎo)致IGBT的結(jié)溫快速變化,對(duì)于IGBT模塊的壽命是個(gè)很大的考驗(yàn);
2021-02-01 13:58:03
5824 
igbt模塊散熱的過程依次為igbt在結(jié)上發(fā)生功率損耗;結(jié)上的溫度傳導(dǎo)到igbt模塊殼上;igbt模塊上的熱傳導(dǎo)散熱器上;散熱器上的熱傳導(dǎo)到空氣中。
2022-03-11 11:20:17
9346 
IGBT是電力電子裝置的CPU,在電力電子變流和控制中起著舉足輕重的作用。變頻器中,IGBT模塊更為重要。但是,IGBT模塊會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)爆炸的情況。
2022-02-16 10:24:21
17084 PPT主要介紹了大功率IGBT模塊應(yīng)用中的一些技術(shù),包括參數(shù)解讀、器件選型、驅(qū)動(dòng)技術(shù)、保護(hù)方法以及失效分析等。
2022-09-05 11:36:39
3155 富士電機(jī)的IGBT模塊應(yīng)用手冊(cè)
2022-10-28 11:17:21
16 IGBT模塊是一種半導(dǎo)體模塊,它是一種集成了可控硅和可控硅晶體管的模塊,它可以提供高效的電力控制。
2023-02-17 17:52:23
2159 IGBT模塊接口是一種用于連接IGBT模塊和其他電子設(shè)備的接口。
2023-02-17 18:21:21
1885 IGBT單管的封裝形式比較簡(jiǎn)單,只有一個(gè)IGBT晶體管,一個(gè)反向恢復(fù)二極管和一個(gè)可選的溫度傳感器,而IGBT模塊的封裝形式比較復(fù)雜
2023-02-19 16:39:50
14701 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)模塊是一種功率半導(dǎo)體器件,它是由多個(gè)IGBT芯片、反并聯(lián)二極管、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)電路等組成的集成模塊。IGBT模塊通常根據(jù)結(jié)構(gòu)、電壓、電流、功率等參數(shù)進(jìn)行分類。
2023-02-20 17:32:25
9115 IGBT功率模塊是指采用lC驅(qū)動(dòng),利用最新的封裝技術(shù)將IGBT與驅(qū)動(dòng)電路、控制電路和保護(hù)電路高度集成在一起的模塊。其類別從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM.
2023-02-22 15:02:55
7250 IGBT最常見的形式其實(shí)是模塊(Module),而不是單管。IGBT模塊是由IGBT與FWD(續(xù)流二極管芯片)通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品,具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)。
2023-02-22 15:08:14
5090 
IGBT模塊在電力電子變流領(lǐng)域應(yīng)用尤為廣泛,其吸收電容的選型計(jì)算成為熱點(diǎn)。由于IGBT模塊關(guān)斷時(shí)會(huì)產(chǎn)生較高的尖峰附加電壓,疊加在母線電壓上容易導(dǎo)致IGBT模塊燒毀(IGBT模塊開通時(shí)的尖峰附加電壓
2023-02-23 09:11:12
29 隨著IGBT的耗散功率和開關(guān)頻率不斷增大,以及工作環(huán)境嚴(yán)苛,使得IGBT模塊產(chǎn)生大量的熱量,由于模塊內(nèi)的熱量無法及時(shí)得到釋放,從而引起模塊內(nèi)部溫度升高。
2023-05-16 11:30:25
2555 
IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構(gòu)成,個(gè)芯片之間通過鋁導(dǎo)線實(shí)現(xiàn)電氣連接。標(biāo)準(zhǔn)的IGBT封裝中,單個(gè)IGBT還會(huì)并有續(xù)流二極管,接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠,用塑料殼封裝,IGBT單元堆疊結(jié)構(gòu)如圖1-1所示。
2023-05-30 08:59:52
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IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構(gòu)成,個(gè)芯片之間通過鋁導(dǎo)線實(shí)現(xiàn)電氣連接。標(biāo)準(zhǔn)的IGBT封裝中,單個(gè)IGBT還會(huì)并有續(xù)流二極管,接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠,用塑料殼封裝。
2023-06-02 09:09:29
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在使用數(shù)據(jù)表中的熱特性參數(shù)時(shí),如何做出設(shè)計(jì)決策經(jīng)常存在一定的誤區(qū)。本文將幫助您了解如何解讀數(shù)據(jù)表中的熱參數(shù):包括如何選擇 θ 與 ψ 及其計(jì)算,以及如何以實(shí)用的方式將其應(yīng)用于設(shè)計(jì)。之前我們討論過穩(wěn)態(tài)數(shù)據(jù),今天重點(diǎn)將放在瞬態(tài)數(shù)據(jù)上。
2023-07-07 09:38:07
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根據(jù)IGBT的產(chǎn)品分類來看,按照其封裝形式的不同,可分為IGBT分立器件、IPM模塊和IGBT模塊。
2023-07-22 16:09:30
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IGBT模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)是評(píng)估IGBT模塊開關(guān)性能如開關(guān)頻率、開關(guān)損耗、死區(qū)時(shí)間、驅(qū)動(dòng)功率等的重要依據(jù),本文重點(diǎn)討論以下動(dòng)態(tài)參數(shù):模塊內(nèi)部柵極電阻、外部柵極電阻、外部柵極電容、IGBT寄生電容參數(shù)、柵極充電電荷、IGBT開關(guān)時(shí)間參數(shù),結(jié)合IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)可全面評(píng)估IGBT芯片的性能。
2023-07-28 10:19:54
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IGBT功率模塊失效的主要原因是溫度過高導(dǎo)致的熱應(yīng)力,良好的熱管理對(duì)于IGBT功率模塊穩(wěn)定性和可靠性極為重要。新能源汽車電機(jī)控制器是典型的高功率密度部件,且功率密度隨著對(duì)新能源汽車性能需求的提高仍在
2023-08-23 09:33:23
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IGBT模塊的起源可以追溯到20世紀(jì)80年代,當(dāng)時(shí)日本的電子工程師們致力于克服傳統(tǒng)功率器件的局限性,尤其是普通雙極晶體管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)。IGBT模塊的出現(xiàn)正是為了綜合這兩者的優(yōu)點(diǎn),以滿足高
2023-09-12 16:53:53
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逆變器IGBT模塊的應(yīng)用分析(1)根據(jù)負(fù)載的工作電壓和額定電流,以及使用頻率,選擇合適規(guī)格的模塊。使用模塊前,請(qǐng)?jiān)敿?xì)閱讀模塊參數(shù)數(shù)據(jù)表,了解模塊的各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo);根據(jù)模塊的技術(shù)參數(shù)確定使用方案,計(jì)算
2023-09-20 17:49:52
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igbt模塊的作用和功能 igbt有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)嗎? IGBT模塊是一種封裝了多個(gè)IGBT晶體管、驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)電路的半導(dǎo)體器件。它的作用是將低電壓高電流的控制信號(hào)轉(zhuǎn)換成高電壓低電流的輸出信號(hào),而且
2023-10-19 17:01:22
4619 IGBT是新型功率半導(dǎo)體器件中的主流器件,已廣泛應(yīng)用于多個(gè)產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。IGBT模塊中所涉及的焊接材料大多精密復(fù)雜且易損壞,制造商在IGBT模塊焊接裝配過程中正面臨著重重挑戰(zhàn)。
2023-10-31 09:53:45
4843 igbt芯片、igbt單管、igbt模塊、igbt器件等這些的區(qū)別是什么? IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種高壓、高電流功率半導(dǎo)體器件,常被用于
2023-11-10 14:26:28
4751 IGBT和模塊的標(biāo)準(zhǔn)體系解讀
2023-12-14 11:38:45
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英飛凌IGBT模塊命名規(guī)則
2023-11-23 09:09:36
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英飛凌IGBT模塊封裝? 英飛凌是一家全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司,專注于電力管理、汽車和電動(dòng)汽車解決方案、智能家居和建筑自動(dòng)化、工業(yè)自動(dòng)化、醫(yī)療、安全和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。在電力管理領(lǐng)域,英飛凌的IGBT模塊
2023-12-07 16:45:21
2367 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)模塊是一種廣泛應(yīng)用于電力電子轉(zhuǎn)換器中的半導(dǎo)體器件,用于控制和調(diào)節(jié)電流。在維修或更換IGBT模塊時(shí),需要拆卸舊的模塊并安裝新的模塊。以下是拆卸IGBT模塊的步驟: 斷開電源
2024-01-10 17:54:57
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。IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域廣泛,包括變頻器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電力電子設(shè)備等。 IGBT模塊是指將多個(gè)IGBT芯片和驅(qū)動(dòng)電路封裝在一個(gè)模塊內(nèi),使得IGBT能夠方便地進(jìn)行安裝和維護(hù)。IGBT模塊通常由IGBT芯片、散熱器
2024-01-18 17:31:23
10041 IGBT模塊關(guān)斷截止時(shí),I(t)≈0,損耗的功率可忽略。為了便于分析,將IGBT損耗分為導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗。
2024-05-31 09:06:31
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上一期,《汽車芯片標(biāo)準(zhǔn)體系建設(shè)指南》技術(shù)解讀與功率芯片測(cè)量概覽中,我們給大家介紹了工信部印發(fā)的《汽車芯片標(biāo)準(zhǔn)體系建設(shè)指南》涉及到的重點(diǎn)芯片與測(cè)試領(lǐng)域解讀,本期繼續(xù)給大家做延展,我們解讀的是MIPI A-PHY與車載Serdes芯片技術(shù)與測(cè)試。
2024-07-24 10:14:56
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)模塊和IGBT驅(qū)動(dòng)是電力電子領(lǐng)域中非常重要的兩個(gè)組成部分。它們?cè)谠S多應(yīng)用中發(fā)揮著關(guān)鍵作用,如電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源轉(zhuǎn)換、太陽能
2024-07-25 09:15:07
2593 IGBT模塊是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體器件,具有高電壓、大電流、高頻率、高效率等特點(diǎn)。 IGBT模塊的基本概念 IGBT(Insulated Gate Bipolar
2024-08-07 17:06:46
8964 IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)芯片與IGBT模塊在電力電子領(lǐng)域中扮演著至關(guān)重要的角色,它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)、功能、應(yīng)用及性能等方面存在顯著的差異。以下是對(duì)兩者區(qū)別的詳細(xì)探討,旨在全面而深入地解析這一話題。
2024-08-08 09:37:36
4282 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SOT8052-1 IGBT模塊;托盤包裝;標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品導(dǎo)向.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-08 14:29:44
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SOT8053-1 IGBT模塊;托盤包裝;標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品導(dǎo)向.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-08 14:22:32
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