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IGBT/功率器件
電子發(fā)燒友網(wǎng)IGBT/功率器件欄目提供igbt器件,功率器件,功率半導體器件,功率開關(guān)器件,igbt功率模塊,igbt功率管,大功率igbt驅(qū)動,大功率igbt等IGBT/功率器件設(shè)計所需的所有最新行業(yè)新聞、產(chǎn)品信息及技術(shù)熱點方案及介紹。IGBT、SiC國產(chǎn)化率加速攀升 碳化硅行業(yè)迎來快速發(fā)展機遇期
分 8 寸和 12 寸廠看,2022 年第四季度 8 寸晶圓廠的主力臺積電、聯(lián)電、世界先進、力積 電和中芯國際的產(chǎn)能利用率預(yù)計分別下降到 97%/90%/73%/86%/90%,相較于第二季度下滑 3%/10%/25%/12%/6%。...
作為開關(guān)和放大器使用的晶體管
作為開關(guān)使用的晶體管 下面通過發(fā)射極接地時的開關(guān)工作來介紹起到開關(guān)作用的晶體管。 當晶體管的基極引腳被施加電壓(約0.7V以上)并流過微小電流時,晶體管會導通,電流會在集電極和發(fā)...
晶體管的功能以及工作原理
晶體管的功能 晶體管具有放大和開關(guān)電信號的功能。 比如在收音機中,會擴大(放大)空中傳輸過來的非常微弱的信號,并通過揚聲器播放出來。這就是晶體管的放大作用。 另外,晶體管還能...
新能源汽車對功率半導體需求帶動有多大?
導語:功率半導體的三大主角,IGBT、SiC和GaN,其中在光伏和風電兩大新能源行業(yè)中,IGBT的需求量最大。 ? 1月17日,工信部、能源局等六部門聯(lián)合發(fā)布《關(guān)于推動能源電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展的指導意見》...
什么是碳化硅(SiC)?
碳化硅(SiC)是第三代化合物半導體材料。半導體材料可用于制造芯片,這是半導體行業(yè)的基石。碳化硅是通過在電阻爐中高溫熔化石英砂,石油焦,鋸末等原材料而制造的。...
測量氮化鎵功率放大的狀態(tài)
最近,GaN一直是反射頻電子戰(zhàn)(CREW)應(yīng)用的首選技術(shù),提供了數(shù)以萬計的放大器供現(xiàn)場使用。該技術(shù)現(xiàn)在也部署在機載電子戰(zhàn)領(lǐng)域,正在開發(fā)的放大器能夠在射頻/微波范圍內(nèi)的多個倍頻程上提...
IGBT在大功率斬波中問題的應(yīng)用
斬波是電力電子控制中的一項變流技術(shù),其實質(zhì)是直流控制的脈寬調(diào)制,因其波形如同斬切般整齊、對稱,故名斬波。斬波在內(nèi)饋調(diào)速控制中占有極為重要的地位,它不僅關(guān)系到調(diào)速的技術(shù)性能...
IGBT的工作原理及基本特性
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)結(jié)合了GTR和MOSFET的優(yōu)點,具有良好的特性。IGBT也是三端器件,具有柵極G、集電極C和發(fā)射極E。...
引起IGBT失效的原因
IGBT失效場合:來自系統(tǒng)內(nèi)部,如電力系統(tǒng)分布的雜散電感、電機感應(yīng)電動勢、負載突變都會引起過電壓和過電流;來自系統(tǒng)外部,如電網(wǎng)波動、電力線感應(yīng)、浪涌等。歸根結(jié)底,IGBT失效主要是...
功率器件模塊封裝結(jié)構(gòu)演進趨勢
IGBT模塊是新一代的功率半導體電子元件模塊,誕生于20世紀80年代,并在90年代進行新一輪的改革升級,通過新技術(shù)的發(fā)展,現(xiàn)在的IGBT模塊已經(jīng)成為集通態(tài)壓降低、開關(guān)速度快、高電壓低損耗、...
IGBT管的功耗講解
通態(tài)損耗Ps。大體來講,通態(tài)損耗等于集電極電流和IGBT管飽和壓降的乘積即:Ps=Ic*Uces。...
2022-10-13 標簽:IGBT續(xù)流二極管開關(guān)損耗 3014
IGBT柵極驅(qū)動組件選擇
柵極驅(qū)動中最關(guān)鍵的時刻是IGBT的開啟和關(guān)閉。我們的目標是快速執(zhí)行此功能,在IGBT開啟時噪音和振鈴最小。不過,上升/下降時間過快可能會導致不必要的振鈴和不良EMI,而上升/下降時間過慢...
華太針推出高速 1200V FS IGBT與高、中、低速650V Super IGBT
IGBT是光伏逆變器核心功率器件,光伏逆變器是光伏發(fā)電的核心設(shè)備,其主要功能為將太陽電池組件產(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)化為交流電,并入電網(wǎng)或供負載使用。...
上海陸芯汽車級IGBT產(chǎn)品獲得AEC-Q101驗證報告
9月20日,廣州廣電計量檢測股份有限公司(簡稱:廣電計量)聯(lián)袂上海陸芯電子科技有限公司(簡稱:上海陸芯),于廣州順利舉行“廣電計量與上海陸芯合作交流會暨上海陸芯IGBT汽車級AEC-...
IGBT與SiC的性能對比
近幾年來,電動汽車、電化學儲能、以及光伏和風電等新能源市場的快速發(fā)展,市場對功率器件的需求量大增,特別是電動汽車的興起,讓IGBT常年處于供應(yīng)緊張狀態(tài),且未來幾年都沒有緩解的...
介紹一些大功率IGBT模塊應(yīng)用中的一些技術(shù)
PPT主要介紹了大功率IGBT模塊應(yīng)用中的一些技術(shù),包括參數(shù)解讀、器件選型、驅(qū)動技術(shù)、保護方法以及失效分析等。...
華潤微可提供全套功率器件解決方案 滿足細分應(yīng)用的需求
隨著國家“雙碳”目標政策(即“2030 碳達峰,2060 碳中和”)的出臺以及碳中和政策正在從全球共識向全球行動推進,新能源行業(yè)(如新能源汽車,光伏及儲能領(lǐng)域)迎來景氣度高漲。...
淺談FHP120N08B型號參數(shù)使用于功率開關(guān)中
在具體的應(yīng)用中,飛虹電子還可依據(jù)功率開關(guān)廠商的不同電源產(chǎn)品定制對應(yīng)的MOS管產(chǎn)品使用方案。...
2022-08-09 標簽:場效應(yīng)管MOS管半導體器件 1211
IGBT技術(shù)及應(yīng)用介紹
功率半導體是半導體行業(yè)的細分領(lǐng)域,雖不像集成電路一樣被大眾熟知,但其重要性不可忽視。IGBT是功率半導體的一種,作為電子電力裝置和系統(tǒng)中的“CPU”,高效節(jié)能減排的主力軍。...
深度解析IGBT功率半導體框架
IGBT行業(yè)需求增長: IGBT廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車、通信及消費電子領(lǐng)域,主要電壓應(yīng)用范圍在600V到1200V之間。由于經(jīng)濟的飛速發(fā)展,我國能源需求大幅上升,在節(jié)能減排政策的背景下,工業(yè)控制、...
MOSFET如何定義 MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)詳解
功率MOSFET為多單元集成結(jié)構(gòu),如IR的HEXFET采用六邊形單元;西門子Siemens的SIPMOSFET采用正方形單元;摩托羅拉公司Motorola的TMOS采用矩形單元按品字形排列。...
功率半導體廠商鍇威特科創(chuàng)板IPO獲受理!毛利率領(lǐng)先同行,募資5.3億升級SiC器件
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/劉靜)6月13日,鍇威特科創(chuàng)板IPO獲上交所受理,擬發(fā)行不超過1842萬股,募資5.30億元,保薦機構(gòu)是華泰聯(lián)合證券。 ? ? ? 鍇威特是一家以高性能功率半導體研發(fā)與銷售為...
艾默生獲22年度工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)公司稱號 Microchip與Mersen展開合作
全球領(lǐng)先的主板、顯卡和小型 PC 制造商華擎自豪地宣布推出采用 Intel ? B660 芯片組的 DeskMini B660 系列,以搭配最新的第12代Intel ? Core? 處理器。...
2022-03-29 標簽:microchip艾默生工業(yè)物聯(lián)網(wǎng) 4330
Digi-Key 21年新增500多家供應(yīng)商 華擎通過BIOS更新處理器
全球供應(yīng)品類極豐富、發(fā)貨極快速的現(xiàn)貨電子元器件分銷商 Digi-Key Electronics 日前宣布 2021 年大幅擴展了其產(chǎn)品組合,通過 Digi-Key 市場和 Digi-Key 代發(fā)兩個核心業(yè)務(wù)計劃新增了 500 多家供應(yīng)商。同...
800V高壓平臺受關(guān)注,PI推出集成SiC MOSFET的車規(guī)級反激式開關(guān)IC
PI看到了電動車的這個發(fā)展趨勢,因此在近期推出了全新的InnoSwitch3-AQ產(chǎn)品,該產(chǎn)品采用碳化硅(SiC)初級開關(guān)MOSFET的汽車級開關(guān)電源IC,將耐壓值提高到了1700V。...
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