這里以單個(gè)IGBT管為例（內(nèi)含阻尼二極管），IGBT管的好壞可用數(shù)字萬用表的“二極管”擋來測(cè)量PN結(jié)正向壓降進(jìn)行判斷。檢測(cè)前先將IGBT管三只引腳短路放電，使IGBT的CE腳在關(guān)閉狀態(tài)下，避免
2012-04-18 16:15:53
大家好，我是新手，想做一個(gè)PWM卸荷裝置，請(qǐng)問一下，這個(gè)IGBT管怎么接線？謝謝
2012-12-17 13:48:41
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:01 編輯
1，IGBT單管：IGBT，封裝較模塊小，電流通常在100A以下，常見有TO247 等封裝,sg 本人常用。2，IGBT模塊
2012-07-09 12:00:13
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:02 編輯
1，IGBT單管：IGBT，封裝較模塊小，電流通常在100A以下，常見有TO247 等封裝,sg 本人常用。2，IGBT模塊
2012-07-09 10:12:52
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:48 編輯
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管
2012-07-09 11:53:47
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:02 編輯
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管
2012-07-09 10:01:42
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:59 編輯
請(qǐng)哪位高手指點(diǎn)一下，如何測(cè)量IGBT單管的好壞，謝謝
2012-07-25 21:49:17
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------一、簡(jiǎn)述大家都知道，IGBT單管相當(dāng)?shù)拇嗳?，同樣電流容量?b class="flag-6" style="color: red">IGBT單管，比同樣電流容量的MOSFET脆弱多了，也就是說，在逆變H橋里頭，MOSFET上去沒有問題，但是IGBT.
2021-11-15 08:51:39
目錄 IGBT和MOS管的區(qū)別：IGBT和可控硅的區(qū)別：IGBT驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)：1、IGBT驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)2、IGBT驅(qū)動(dòng)器的選擇3、IGBT驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)IGBT和MOS管的區(qū)別： IIGBT
2021-09-09 08:05:31
IGBT的使用方法IGBT絕緣柵雙極型晶體管是一種典型的雙極MOS復(fù)合型功率器件。它結(jié)合功率MOSFET的工藝技術(shù)，將功率MOSFET和功率管GTR集成在同一個(gè)芯片中。該器件具有開關(guān)頻率高、輸入阻抗
2020-09-29 17:08:58
IGBT柵極的下拉電阻要靠近柵極放置，作用是給IGBT寄生電容Cge放電，那么這個(gè)電阻一般選擇多大？
IGBT的柵極加一個(gè)穩(wěn)壓二極管，是為了防止寄生電容Cgc在IGBT關(guān)斷的時(shí)候（集電極電壓耦合
2024-06-16 22:09:24
IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)：本文通過等效電路分析，通俗易懂的講解IGBT的工作原理和作用，并精簡(jiǎn)的指出了IGBT的特點(diǎn)。IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型
2021-11-16 07:16:01
什么是IGBT(絕緣柵雙極晶體管)？IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母縮寫，也被稱作絕緣柵雙極晶體管。IGBT被歸類為功率
2019-05-06 05:00:17
什么是IGBT(絕緣柵雙極晶體管)？IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母縮寫，也被稱作絕緣柵雙極晶體管。IGBT被歸類為功率
2019-03-27 06:20:04
請(qǐng)幫忙看下這個(gè)IGBT驅(qū)動(dòng)電路是否可行；如果可行，柵極電壓將會(huì)是多少，以及三極管Q1，Q2在IGBT導(dǎo)通時(shí)的工作狀態(tài)
2013-08-18 19:56:22
原標(biāo)題：圖文講解變頻器IGBT更換維修方法下面分享這臺(tái)安邦信G9/11KW變頻器維修案例故障原因：IGBT模塊壞 第一步：將模塊拆出來至于怎么拆,正常是用錫槍把管腳焊錫吸干凈,模塊可以完好無損拆出來
2021-09-03 07:08:24
ASEMI的IGBT管FGL40N120AN適用于什么場(chǎng)合？-Z
2021-05-25 14:02:00
晶體管，是由晶體三極管和MOS管組成的復(fù)合型半導(dǎo)體器件。IGBT作為新型電子半導(dǎo)體器件，具有輸入阻抗高，電壓控制功耗低，控制電路簡(jiǎn)單，耐高壓，承受電流大等特性，在各種電子電路中獲得極廣
2022-04-01 11:10:45
Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由晶體三極管和MOS管組成的復(fù)合型半導(dǎo)體器件。 IGBT作為新型電子半導(dǎo)體器件，具有輸入阻抗高，電壓控制功耗低，控制電路簡(jiǎn)單，耐高壓，承受電流大等特性，在各種電子電路
2020-07-19 07:33:42
本帖最后由 松山歸人 于 2022-2-10 16:57 編輯
大家下午好！今天給大家?guī)怼綧OSFET與IGBT基礎(chǔ)講解】，會(huì)持續(xù)更新，有問題可以留言一同交流討論。需要更多學(xué)習(xí)資料可點(diǎn)擊下方鏈接，添加客服領(lǐng)取http://zyunying.zhangfeidz.com?id=28
2022-02-10 16:54:31
)，絕緣柵雙極型晶體管，是由晶體三極管和MOS管組成的復(fù)合型半導(dǎo)體器件。IGBT作為新型電子半導(dǎo)體器件，具有輸入阻抗高，電壓控制功耗低，控制電路簡(jiǎn)單，耐高壓，承受電流大等特性，在各種電子電路中獲得極廣
2021-05-14 09:24:58
及應(yīng)用電路實(shí)例》結(jié)合國內(nèi)外IGBT的發(fā)展和最新應(yīng)用技術(shù)，以從事IGBT應(yīng)用電路設(shè)計(jì)人員為《IGBT驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路設(shè)計(jì)及應(yīng)用電路實(shí)例》的讀者對(duì)象，系統(tǒng)、全面地講解了ICBT應(yīng)用電路設(shè)計(jì)必備的基礎(chǔ)知識(shí)，并選取
2022-02-17 11:29:03
場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT是電壓驅(qū)動(dòng)器件。三極管特點(diǎn)是能夠?qū)㈦娏鞣糯螅瑘?chǎng)效應(yīng)管特點(diǎn)是噪聲小、功耗低、沒有二次擊穿現(xiàn)象等，IGBT特點(diǎn)是高耐壓、導(dǎo)通壓降低、開關(guān)速度快等；2）三者都可以作為電子開關(guān)用，三極管一般
2023-02-13 15:43:28
的電路符號(hào)至今并未統(tǒng)一，畫原理圖時(shí)一般是借用三極管、MOS管的符號(hào)，這時(shí)可以從原理圖上標(biāo)注的型號(hào)來判斷是IGBT還是MOS管。同時(shí)還要注意IGBT有沒有體二極管，圖上沒有標(biāo)出并不表示一定沒有，除非
2021-03-02 13:47:10
IGBT是由哪些部分組成的？絕緣柵雙極型晶體管IGBT有哪些特點(diǎn)？如何去使用絕緣柵雙極型晶體管IGBT呢？
2021-11-02 06:01:06
絕緣柵雙極晶體管（IGBT）有哪些應(yīng)用呢？如何去實(shí)現(xiàn)絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的電磁兼容設(shè)計(jì)呢？
2022-01-14 07:02:41
IGBT和MOS管的區(qū)別是什么？IGBT和可控硅的區(qū)別有哪些？如何實(shí)現(xiàn)IGBT驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)？
2021-11-02 08:30:41
`推薦課程：張飛軟硬開源：基于STM32的BLDC直流無刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)器（視頻+硬件）http://url.elecfans.com/u/73ad899cfd MOS管和IGBT管作為現(xiàn)代
2019-05-02 22:43:32
到底什么是 IGBT？ IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極 型晶體管，是由晶體三極管和 MOS 管組成的復(fù)合型半導(dǎo)體器 件。IGBT 作為
2021-02-24 10:33:18
共陰數(shù)碼管和共陽數(shù)碼管的功耗怎么分析啊，求大神解答
2014-04-24 22:26:49
`模電前輩們，求 IGBT 高頻電源 ADC采集電壓 濾掉開關(guān)管的尖峰 辦法`
2016-01-21 21:19:49
電磁爐常用IGBT管型號(hào)及主要參數(shù) 目前，用于電磁爐的IGBT管主要由：AIRCHILD(美國仙童)、INFINEON(德國英飛凌)、TOSHIBA(日本東芝)等幾家國外公司生產(chǎn)，各公司對(duì)IGBT管
2012-03-22 19:09:22
電磁爐怕IGBT燒管的維修經(jīng)驗(yàn)不要看它比電視機(jī)小，燒起IGBT來還真愁。在交流220V上，串接一個(gè)60-100W的燈泡，加鍋，接通電源：1. 若燈泡暗紅，開啟電磁爐電源，燈泡一亮一暗地閃爍，表明
2009-07-21 19:02:06
絕緣柵雙極晶體管IGBT又叫絕緣柵雙極型晶體管。一．絕緣柵雙極晶體管IGBT的工作原理： 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)分析略。本講義附加了相關(guān)資料，供感興趣
2009-05-12 20:44:23
MOS管與IGBT是不是都有這個(gè)GS米勒效應(yīng)？
2019-09-05 03:29:03
IGBT管的選用與檢測(cè)
IGBT管的說明
2008-03-06 19:14:14
1561 
絕緣柵雙極晶體管（IGBT)
基礎(chǔ)知識(shí)絕緣柵雙極晶體管（Insulated-gate Bipolar Transistor——IGBT）GTR和MOSFET復(fù)合，結(jié)合二者的優(yōu)點(diǎn)1986年投
2009-04-14 22:13:397311 
絕緣柵雙極晶體管IGBT又叫絕緣柵雙極型晶體管。
一．絕緣柵雙極晶
2009-05-12 20:42:001718 
IGBT管的好壞檢測(cè)方法
IGBT管的好壞可用指針萬用表的Rxlk擋來檢測(cè)，或用數(shù)字萬用表的“二極管”擋來測(cè)量PN結(jié)正向壓降進(jìn)行判斷。檢測(cè)前先將IGBT管
2009-07-02 18:39:439498 
IGBT晶體管基礎(chǔ)知識(shí)
在技術(shù)講解之前的?；卮鹣铝械闹匾獑栴}，將有助于為特定的應(yīng)用選擇適當(dāng)?shù)?b class="flag-6" style="color: red">IGBT。 非穿通（NPT）和穿通(
2009-11-06 16:57:133265 絕緣柵雙極晶體管(IGBT),IGBT是什么意思
IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)是MOS結(jié)構(gòu)雙極器件，屬于具有功率MOSFET的高速性能與雙極的低電阻性能的功率器件
2010-03-04 15:54:155131 絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是什么意思
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型功率管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型
2010-03-05 11:42:029634 講解IGBT的工作原理和作用
2017-02-28 22:26:47
34 IGBT （Insulated Gate Bipolar Transistor） IGBT是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式電力半導(dǎo)體器件， 兼有
2017-05-14 11:10:5339420 
MOS管和IGBT管作為現(xiàn)代電子設(shè)備使用頻率較高的新型電子器件，因此在電子電路中常常碰到也習(xí)以為常。可是MOS管和IGBT管由于外形及靜態(tài)參數(shù)相似的很，有時(shí)在選擇、判斷、使用容易出差池。MOS管和IGBT管可靠的識(shí)別方法為選擇、判斷、使用掃清障礙！
2019-02-24 10:25:0818582 在電子電路中，MOS 管和 IGBT 管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS 管和 IGBT 管在外形及特性參數(shù)也比較相似，那為什么有些電路用 MOS 管？而有些電路用 IGBT 管？
2020-03-20 15:36:5616239 
在電子電路中，MOS 管和 IGBT 管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS 管和 IGBT 管在外形及特性參數(shù)也比較相似，那為什么有些電路用 MOS 管？而有些電路用 IGBT 管？
2020-09-09 14:40:3813172 
來源：羅姆半導(dǎo)體社區(qū)? MOS管和IGBT管作為現(xiàn)代電子設(shè)備使用頻率較高的新型電子器件，因此在電子電路中常常碰到也習(xí)以為常?？墒荕OS管和IGBT管由于外形及靜態(tài)參數(shù)相似的很，有時(shí)在選擇、判斷
2022-11-29 18:10:255257 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《電動(dòng)汽車?yán)锏哪孀兤骱?b class="flag-6" style="color: red">IGBT到底是如何工作的PDF文件講解.pdf》資料免費(fèi)下載
2020-11-26 04:30:0032 先說個(gè)冷笑話，IGBT，不是LGBT，不是性少數(shù)群體的意思……好了，回到正題。 IGBT晶體管，英文全稱是「Insulated Gate Bipolar Transistor」，中文名叫「絕緣柵
2021-02-03 17:37:1515588 400單管IGBT手工焊機(jī)維修圖紙免費(fèi)下載。
2021-05-18 09:37:2224 IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)：本文通過等效電路分析，通俗易懂的講解IGBT的工作原理和作用，并精簡(jiǎn)的指出了IGBT的特點(diǎn)。IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型
2021-11-09 10:36:05111 MOS管中文名金屬氧化物半導(dǎo)體絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。其輸入阻抗高、開關(guān)速度快、熱穩(wěn)定性、電壓控制電流等特性。IGBT中文名絕緣柵雙極型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。是MOS管與晶體三極管的組合，MOS是作為輸入管，而晶體三極管作為輸出管。
2022-02-09 10:02:5831 在電子電路中，MOS 管和 IGBT 管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS 管和 IGBT 管在外形及特性參數(shù)也比較相似，那為什么有些電路用 MOS 管？而有些電路用 IGBT 管？
2022-02-09 11:04:537 MOS管和IGBT管作為現(xiàn)代電子設(shè)備使用頻率較高的新型電子器件，因此在電子電路中常常碰到也習(xí)以為常?？墒荕OS管和IGBT管由于外形及靜態(tài)參數(shù)相似的很，有時(shí)在選擇、判斷、使用容易出差池。MOS管和IGBT管可靠的識(shí)別方法為選擇、判斷、使用掃清障礙。
2022-02-21 16:56:433290 在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似。那為什么有些電路用MOS管，而有些電路用IGBT管?
2022-04-24 15:16:1512101 在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似。那為什么有些電路用MOS管，而有些電路用IGBT管？
2022-07-11 09:09:143678 在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常使用，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似，為什么有些電路中使用MOS管？而有些電路用IGBT管？
2023-01-30 15:00:353717 IGBT是大家常用的開關(guān)功率器件，本文基于英飛凌單管IGBT的數(shù)據(jù)手冊(cè)，對(duì)手冊(cè)中的一些關(guān)鍵參數(shù)和圖表進(jìn)行解釋說明，用戶可以了解各參數(shù)的背景信息，以便合理地使用IGBT。
2023-02-07 15:36:5912544 
IGBT是大家常用的開關(guān)功率器件，本文基于英飛凌單管IGBT的數(shù)據(jù)手冊(cè)，對(duì)手冊(cè)中的一些關(guān)鍵參數(shù)和圖表進(jìn)行解釋說明，用戶可以了解各參數(shù)的背景信息，以便合理地使用IGBT。
2023-02-07 15:39:2812546 
與大多數(shù)功率半導(dǎo)體相比，IGBT 通常需要更復(fù)雜的一組計(jì)算來確定芯片溫度。這是因?yàn)榇蠖鄶?shù) IGBT 都采用一體式封裝，同一封裝中同時(shí)包含 IGBT 和二極管芯片。為了知道每個(gè)芯片的溫度，有必要知道每個(gè)芯片的功耗、頻率、θ 和交互作用系數(shù)。還需要知道每個(gè)器件的 θ 及其交互作用的 psi 值。
2023-02-11 09:16:202637 IGBT即絕緣柵雙極型晶體管，是一種半導(dǎo)體器件。是由雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件， 兼有金氧半場(chǎng)效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。
2023-02-17 16:14:201325 IGBT是絕緣柵雙極型晶體管的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管，它融合了這兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，既具有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)
2023-02-17 16:40:232475 IGBT單管的封裝形式比較簡(jiǎn)單，只有一個(gè)IGBT晶體管，一個(gè)反向恢復(fù)二極管和一個(gè)可選的溫度傳感器，而IGBT模塊的封裝形式比較復(fù)雜
2023-02-19 16:39:5014701 IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，它是由BJT(雙極型晶體管)和MOSFET(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式電子電力器件，即具有MOSFET的輸入阻抗高、控制功率小、驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、開關(guān)速度
2023-02-22 15:00:120 在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似，那為什么有些電路用MOS管？而有些電路用IGBT管?下面我們就來了解一下
2023-02-22 13:59:501 關(guān)注、 星標(biāo)公眾 號(hào) ，不錯(cuò)過精彩內(nèi)容 來源：電子電路 在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似，那為什么有些電路用
2023-02-23 09:34:200 在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相
似。那為什么有些電路用MOS管，而有些電路用IGBT管？
下面我們就來了解一下，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！
2023-02-23 09:15:261 在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似，那為什么有些電路用MOS管？而有些電路用IGBT管？ 下面我們就來了解一下
2023-02-23 16:03:254 在電路設(shè)計(jì)中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似，那為什么有些電路用MOS管？而有些電路用IGBT管？ 下面我們就來了解一下
2023-02-23 15:50:052 MOS管和IGBT管有什么區(qū)別？不看就虧大了
在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相
似，那為什么有些電路用MOS管？而有些電路用IGBT管？
2023-02-24 10:34:456 在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相
似。那為什么有些電路用MOS管，而有些電路用IGBT管？
下面我們就來
2023-02-24 10:36:266 在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似。那為什么有些電路用MOS管，而有些電路用IGBT管？
2023-03-03 10:47:522196 
igbt和mos管的優(yōu)缺點(diǎn) 在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似，那為什么有些電路用MOS管？而有些電路用
2023-05-17 15:11:542484 在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似。那為什么有些電路用MOS管，而有些電路用IGBT管？下面我們就來了解一下
2022-07-21 17:53:517172 
igbt和mos管的區(qū)別 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）和MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect
2023-08-25 14:50:017166 igbt功率管怎么檢測(cè)好壞？ 簡(jiǎn)介： 隨著電力電子技術(shù)越來越先進(jìn)和高效，IGBT已成為工業(yè)應(yīng)用的熱門選擇。IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種三端半導(dǎo)體器件，支持高電壓和高電流應(yīng)用，同時(shí)提供快速開關(guān)
2023-08-25 15:03:353841 小、開關(guān)速度快、耐高壓等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于交流調(diào)制、交流變頻等電力電子設(shè)備中。在IGBT被廣泛應(yīng)用的同時(shí)，許多工程師也對(duì)其進(jìn)行了深入研究，一般認(rèn)為IGBT單管和雙管在性能上有所不同，接下來我們將詳細(xì)講解IGBT單管和雙管的區(qū)別。 1.定義： 單管IGBT指的是僅具有一個(gè)MOS管和一個(gè)BPT（雙極晶體管）的I
2023-08-25 15:11:226358 Infineon(英飛凌)作為一家全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案提供商，其IGBT管產(chǎn)品在市場(chǎng)上備受矚目。下面將介紹英飛凌IGBT管前10熱門型號(hào):一、英飛凌IGBT管前10熱門型號(hào)：1
2023-08-25 16:58:534679 
igbt反向并聯(lián)二極管作用 IGBT是一種強(qiáng)勁的功率半導(dǎo)體器件，被廣泛應(yīng)用于高電壓、高電流和高速開關(guān)的領(lǐng)域。與傳統(tǒng)的大功率晶體管相比，IGBT能夠提供更高的功率密度，同時(shí)也具有更高的效率和更低的導(dǎo)
2023-08-29 10:25:574682 igbt反向并聯(lián)二極管作用? IGBT反向并聯(lián)二極管，也稱為快速反向二極管，是一種非常重要的器件，它廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備和電氣系統(tǒng)中。以下將詳細(xì)介紹IGBT反向并聯(lián)二極管的作用、原理、特點(diǎn)
2023-08-29 10:32:2410877 選型IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是電子設(shè)備設(shè)計(jì)中的重要任務(wù)，因?yàn)檎_的IGBT選擇對(duì)于設(shè)備性能和可靠性至關(guān)重要。本文將介紹如何選擇適合您應(yīng)用的IGBT，并解釋IGBT的關(guān)鍵特性以及如何閱讀IGBT的數(shù)據(jù)表。
2023-09-13 15:47:563855 
igbt芯片、igbt單管、igbt模塊、igbt器件等這些的區(qū)別是什么？ IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種高壓、高電流功率半導(dǎo)體器件，常被用于
2023-11-10 14:26:284751 場(chǎng)效應(yīng)管與igbt管區(qū)別 怎樣區(qū)分場(chǎng)效應(yīng)管與IGBT管? 場(chǎng)效應(yīng)管（Field Effect Transistor，簡(jiǎn)稱FET）和絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar
2023-11-22 16:51:1412122 英飛凌IGBT單管命名規(guī)則
2023-11-23 09:09:352305 
igbt與mos管的區(qū)別? IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）和MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect
2023-12-07 17:19:383221 igbt和mos管怎么區(qū)分 IGBT和MOS管是兩種不同類型的半導(dǎo)體器件，用途廣泛，在各種電子設(shè)備中都會(huì)使用。雖然它們有一些相似之處，但也存在一些顯著的區(qū)別，下面將詳細(xì)介紹這兩種器件的特點(diǎn)和區(qū)別
2023-12-19 09:25:1615286 最近很多朋友和我聊到IGBT單管和模塊的區(qū)別，優(yōu)缺點(diǎn)對(duì)比等。本人從事電力電子產(chǎn)品研發(fā)十幾年有余，對(duì)單管和模塊都有一定的應(yīng)用，開發(fā)過的產(chǎn)品包括工頻塔式機(jī)UPS、500KW光伏逆變器、模塊化UPS、充電
2024-01-09 09:04:352781 IGBT驅(qū)動(dòng)電路工作原理： IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種特殊的雙極晶體管，結(jié)合了MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和普通雙極晶體管的優(yōu)點(diǎn)。它在高電壓和高電流應(yīng)用中具有低導(dǎo)通壓降和高
2024-01-23 13:44:514990 IGBT是通過在MOSFET的漏極上追加層而構(gòu)成的。 IGBT的理想等效電路如下圖所示，IGBT實(shí)際就是MOSFET和晶體管三極管的組合，MOSFET存在導(dǎo)通電阻高的缺點(diǎn)，但IGBT克服了這一缺點(diǎn)，在高壓時(shí)IGBT仍具有較低的導(dǎo)通電阻。
2024-03-13 11:46:212714 
在電力電子領(lǐng)域，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是兩種非常重要的功率半導(dǎo)體器件。它們各自具有獨(dú)特的工作原理、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和應(yīng)用場(chǎng)景。本文將對(duì)IGBT和MOS管進(jìn)行詳細(xì)的分析和比較，以便讀者能夠更深入地理解它們之間的區(qū)別。
2024-05-12 17:11:005914 。IGBT功耗主要由導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗構(gòu)成，需要合理的IGBT散熱裝置將產(chǎn)生的熱量散發(fā)出去，保證IGBT變流器設(shè)備的可靠運(yùn)行。
2024-07-19 11:21:001922 
MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和IGBT（Insulated Gate Bipolar
2024-07-26 18:07:198287 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體器件，具有高電壓、大電流、高頻率等特點(diǎn)。然而，在實(shí)際應(yīng)用過程中，IGBT功率管發(fā)熱是一個(gè)常見問題，嚴(yán)重影響了IGBT的可靠性
2024-08-07 15:40:325464 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管）是一種功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。IGBT功率管型號(hào)參數(shù)意義是了解IGBT性能和選擇合適
2024-08-08 09:11:335022 在電力電子技術(shù)的快速中，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）技術(shù)以其高效、可靠的性能，成為眾多領(lǐng)域的核心組件。從微小的IGBT芯片到復(fù)雜的IGBT器件，每一個(gè)組成部分都承載著推動(dòng)電力電子技術(shù)進(jìn)步的使命。下面，我們將逐一深入解析IGBT芯片、IGBT單管、IGBT模塊以及IGBT器件的特性和應(yīng)用。
2024-10-15 15:23:452471 常用電磁爐用IGBT管代換
2024-11-11 14:09:007 在電力電子的廣闊領(lǐng)域中，絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）作為核心器件，其性能優(yōu)劣直接關(guān)乎整個(gè)系統(tǒng)的運(yùn)行效率與穩(wěn)定性。而功耗問題，始終是IGBT應(yīng)用中不可忽視的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。今天，就讓我們一同深入探究IGBT功耗背后的奧秘。
2025-03-14 09:17:5232535 
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