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IGBT/功率器件
電子發(fā)燒友網(wǎng)IGBT/功率器件欄目提供igbt器件，功率器件，功率半導(dǎo)體器件，功率開關(guān)器件，igbt功率模塊，igbt功率管，大功率igbt驅(qū)動(dòng)，大功率igbt等IGBT/功率器件設(shè)計(jì)所需的所有最新行業(yè)新聞、產(chǎn)品信息及技術(shù)熱點(diǎn)方案及介紹。
如何讓運(yùn)算放大器輸出振蕩
這種現(xiàn)象是由于環(huán)路不穩(wěn)定，相位裕度不足導(dǎo)致的；我們可以按照TI文檔中的方法進(jìn)行相位裕度的仿真。TI的文檔如下，我們先仿真一下不并聯(lián)電容情況下的相位裕度。...
2024-03-11 標(biāo)簽：放大器運(yùn)算放大器方波并聯(lián)電容負(fù)載電容 2352
晶體管極性識(shí)別：實(shí)用技巧與方法
晶體管的極性區(qū)別可通過圖形、黑點(diǎn)等標(biāo)記來進(jìn)行。該種識(shí)別技巧要牢記掌握，常見晶極管電極引腳有橢圓形和直線形排列。...
深度解析半導(dǎo)體工藝與分類
1950年發(fā)明，早期模擬電路廣泛使用BIPOLAR工藝，BIPOALR工藝可以做到非常低的漏電，非常低的噪聲，但是BIPOLAR最大問題是實(shí)現(xiàn)數(shù)字電路比較困難，或者占用面積較大。...
2024-03-08 標(biāo)簽：集成電路CMOS三極管半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體制造 8026
車企降價(jià)20%要求引發(fā)行業(yè)震動(dòng)：SiC產(chǎn)業(yè)將面臨怎樣的影響？
電動(dòng)汽車最大的成本為動(dòng)力電池（占比約38%），電控占比約為6%。據(jù)英飛凌估算，電控成本中，功率半導(dǎo)體（IGBT/SiC等）約占40%，其次是DC-Link電容，成本占比約為16%。...
2024-03-08 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車新能源汽車車載電源薄膜電容薄膜電容器 486
碳化硅（SiC）功率器件核心優(yōu)勢及技術(shù)挑戰(zhàn)
SiC器件的核心優(yōu)勢在于其寬禁帶、高熱導(dǎo)率、以及高擊穿電壓。具體來說，SiC的禁帶寬度是硅的近3倍，這意味著在高溫下仍可保持良好的電性能；其熱導(dǎo)率是硅的3倍以上，有利于高功率應(yīng)用中...
所謂的電容是什么樣？
電容器能夠儲(chǔ)存電荷，并在需要時(shí)釋放電能。當(dāng)電容器通過電源充電時(shí)，電荷被積累在電容板之間，形成電場。...
如何判斷二極管的極性以及它的好壞
如果二極管沒有標(biāo)記或外形指示極性，可以使用萬用表的二極管測量功能來判斷，正向?qū)〞r(shí)為陽極，反向時(shí)阻值為無窮大。...
2024-03-07 標(biāo)簽：led二極管萬用表電極半導(dǎo)體材料 7514
全球功率半導(dǎo)體市場迅猛增長：消費(fèi)電子產(chǎn)品與新興技術(shù)共同驅(qū)動(dòng)
除了智能手機(jī)，通信設(shè)備、計(jì)算機(jī)、娛樂系統(tǒng)和家用電器等其他消費(fèi)電子產(chǎn)品也對(duì)功率半導(dǎo)體市場產(chǎn)生了深遠(yuǎn)影響。...
2024-03-07 標(biāo)簽：智能手機(jī)SiC氮化鎵功率半導(dǎo)體碳化硅 1484
電動(dòng)車窗開關(guān)中MOS管的應(yīng)用解析
MOS管以其卓越的開關(guān)特性而聞名，能夠在微秒級(jí)別內(nèi)迅速切換電流。這為電動(dòng)車窗的開關(guān)提供了高效的能耗管理，顯著減少了功率損耗，使得車輛在長時(shí)間使用中能夠更加節(jié)能環(huán)保。...
2024-03-07 標(biāo)簽：繼電器MOSFET場效應(yīng)管MOS管電動(dòng)車窗 1108
n溝道p溝道怎么區(qū)分增強(qiáng)型
P溝道的源極S接輸入，漏極D導(dǎo)通輸出，N溝道相反；簡單來說給箭頭方向相反的電流就是導(dǎo)通，方向相同就是截止。...
場效應(yīng)管怎么區(qū)分n溝道p溝道（MOS管導(dǎo)通條件）
按材料分可分為結(jié)型管和絕緣柵型管，絕緣柵型又分為耗盡型和增強(qiáng)型，一般主板上大多是絕緣柵型管簡稱MOS管，并且大多采用增強(qiáng)型的N溝道，其次是增強(qiáng)型的P溝道，結(jié)型管和耗盡型管幾乎不...
2024-03-06 標(biāo)簽：場效應(yīng)管MOS管開關(guān)器件寄生二極管 10005
場效應(yīng)管是如何導(dǎo)通的 場效應(yīng)管導(dǎo)通和截止的條件
在一般情況下，場效應(yīng)管（FET）的導(dǎo)通電阻越小越好，因?yàn)檩^小的導(dǎo)通電阻意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下，F(xiàn)ET可以提供更低的電阻，允許更大的電流通過。...
2024-03-06 標(biāo)簽：放大器開關(guān)電路MOSFET場效應(yīng)管導(dǎo)通電阻 14139
超導(dǎo)場效應(yīng)管的分類及其原理分析
超導(dǎo)場效應(yīng)管（Superconducting Field Effect Transistor，SFET）是一種新型的半導(dǎo)體器件，它結(jié)合了超導(dǎo)電性和晶體管的場效應(yīng)特性，提供了低噪聲、低功耗和高速等優(yōu)異特性。...
2024-03-06 標(biāo)簽：電阻場效應(yīng)管晶體管半導(dǎo)體器件磁通量 1218
功率半導(dǎo)體2035年市值將達(dá)77,757億日元，SiC等占45%
此次調(diào)查針對(duì)功率半導(dǎo)體18項(xiàng)、零部件材料20項(xiàng)、制造設(shè)備19項(xiàng)。調(diào)查期間為2023年10月至2024年2月。...
2024-03-06 標(biāo)簽：功率器件SiC功率半導(dǎo)體碳化硅 729
BUCK電路為何電感成為難點(diǎn)，而非簡單的MOS管與三元件組合？
什么是BUCK電路？BUCK電路就是降壓斬波電路,是基本的DC-DC電路，用于直流到直流的降壓變換；與之相對(duì)的是BOOST電路（BOOST電路...
如何從不同角度分析電容去耦原理
從儲(chǔ)能角度理解電容容易造成一種錯(cuò)覺，認(rèn)為電容越大越好。而且容易誤導(dǎo)大家認(rèn)為儲(chǔ)能作用發(fā)生在低頻段，不容易向高頻擴(kuò)展。實(shí)際上，從儲(chǔ)能角度理解，可以解釋任何電容的功能。...
2024-03-04 標(biāo)簽：電容電源系統(tǒng)寄生電感寄生電感電容電容去耦電源系統(tǒng) 711
五種主流的電平轉(zhuǎn)換方案盤點(diǎn)
使用專用的電平轉(zhuǎn)換芯片，只需給芯片兩側(cè)提供不同的電壓，電平轉(zhuǎn)換由芯片內(nèi)部完成，如74xHC系列和74xHCT系列芯片，可實(shí)現(xiàn)七路3.3V與5V電平相互轉(zhuǎn)換。...
2024-03-04 標(biāo)簽：三極管二極管單片機(jī)嵌入式系統(tǒng)電平轉(zhuǎn)換 4063
淺談SiC晶體材料的主流生長技術(shù)
在SiC晶體的擴(kuò)徑生長上比較困難，比如我們有了4英寸的晶體，想把晶體直徑擴(kuò)展到6英寸或者8英寸上，需要花費(fèi)的周期特別長。...
碳化硅（SiC）功率器件在新能源汽車中的深入應(yīng)用解析
采用多芯片并聯(lián)的SiC功率模塊，會(huì)產(chǎn)生較嚴(yán)重的電磁干擾和額外損耗，無法發(fā)揮SiC器件的優(yōu)良性能；SiC功率模塊雜散參數(shù)較大，可靠性不高。 （2）SiC功率高溫封裝技術(shù)發(fā)展滯后。...
三極管開關(guān)電路設(shè)計(jì)圖原理
TTL晶體管開關(guān)電路按驅(qū)動(dòng)能力分為小信號(hào)開關(guān)電路和功率開關(guān)電路；按晶體管連接方式分為發(fā)射極接地（PNP晶體管發(fā)射極接電源）和射級(jí)跟隨開關(guān)電路。...
2024-03-04 標(biāo)簽：三極管開關(guān)電路晶體管信號(hào)放大器NPN 5004
開關(guān)電源快恢復(fù)二極管損壞有什么現(xiàn)象
由于快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間短，能迅速截止導(dǎo)通狀態(tài)，減小了在開關(guān)周期內(nèi)的開關(guān)回路壓降，有助于降低功耗和提高系統(tǒng)性能。...
2024-02-29 標(biāo)簽：開關(guān)電源快恢復(fù)二極管開關(guān)電源快恢復(fù)二極管快恢復(fù)二極管輸出波形 3047
晶體管和集成電路是什么關(guān)系？
集成電路是通過一系列特定的平面制造工藝，將晶體管、二極管等有源器件和電阻、電容等無源器件，按照一定的電路互連關(guān)系，“集成”在一塊半導(dǎo)體單晶片上，并封裝在一個(gè)保護(hù)外殼內(nèi)，能...
2024-02-29 標(biāo)簽：集成電路二極管晶體管無源器件半導(dǎo)體器件 3626
碳化硅功率器件的基本原理、性能優(yōu)勢、應(yīng)用領(lǐng)域
碳化硅功率器件主要包括碳化硅二極管（SiC Diode）、碳化硅晶體管（SiC Transistor）等。這些器件通過利用碳化硅材料的優(yōu)良特性，可以在更高的溫度和電壓下工作，實(shí)現(xiàn)更高的功率密度和效率。...
2024-02-29 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅第三代半導(dǎo)體 2109
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