飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 經(jīng)擴(kuò)大了其 P 通道 PowerTrench? MOSFET 產(chǎn)品線 。
2012-08-10 09:58:12
913 恩智浦半導(dǎo)體近日推出54款符合汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)并采用LFPAK56封裝的全新MOSFET——是目前市場(chǎng)上最全的Power-SO8 MOSFET產(chǎn)品組合。恩智浦的LFPAK56 MOSFET具有業(yè)界領(lǐng)先的性能和可靠性,與DPAK相比還可節(jié)省超過55%的尺寸面積,從而能大幅降低總成本。
2013-03-08 12:41:54
2961 安世半導(dǎo)體推出采用LFPAK56封裝的0.57 m?產(chǎn)品,籍此擴(kuò)展市場(chǎng)領(lǐng)先的低RDS(on) MO,同時(shí)優(yōu)化了安全工作區(qū)、漏極電流和柵極電荷。
2020-02-26 08:17:00
1691 節(jié)省空間的LFPAK56D半橋產(chǎn)品可以幫助動(dòng)力系統(tǒng)、電機(jī)控制和DC/DC應(yīng)用減少60%的寄生電感并改善散熱性能
2021-02-23 10:03:32
1096 `恩智浦半導(dǎo)體在眾多半導(dǎo)體產(chǎn)品市場(chǎng)長(zhǎng)期位于領(lǐng)先的位置,恩智浦半導(dǎo)體具有非常豐富的通用MICR產(chǎn)品系列,從經(jīng)典的8位/16位,數(shù)字信號(hào)控制器(DSC),Arm7,Arm9到Arm Cortex-M
2018-06-20 17:26:44
半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體的功能分類集成電路的四大類
2021-02-24 07:52:52
半導(dǎo)體泵浦固體激光器的種類很多,可以是連續(xù)的、脈沖的、調(diào)Q的,以及加倍頻混頻等非線性轉(zhuǎn)換的。工作物質(zhì)的形狀有圓柱和板條狀的。
2020-03-10 09:03:12
和飛思卡爾各自的產(chǎn)品、目標(biāo)行業(yè)、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)以及競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手帶來哪些影響呢?我們目前還不能得到準(zhǔn)確答案,但是希望能從對(duì)兩家公司的十大對(duì)比中,讓你看出一些端倪?! ?.優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品 恩智浦 微控制器、射頻
2015-12-07 14:50:33
支持尾鏈中斷(Tail chaining)和后到(Late arriving)中斷?! ?009年,恩智浦半導(dǎo)體發(fā)布了LPC1100家族中的第一款產(chǎn)品,也是首款基于Cortex-M0內(nèi)核的微控制器
2010-11-29 15:04:02
本帖最后由 zhihuizhou 于 2011-10-28 14:54 編輯
恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V. 近日宣布,其PN544近距離無(wú)線通信 (NFC
2011-10-27 15:36:03
大家好,我是痞子衡,是正經(jīng)搞技術(shù)的痞子。今天痞子衡給大家介紹的是恩智浦i.MX RTxxx系列MCU的基本特性?! ?b class="flag-6" style="color: red">恩智浦半導(dǎo)體于2017年開始推出的i.MX RT系列重新定義了MCU,其第一款
2021-11-04 07:08:30
恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)近日為時(shí)尚、零售和電子市場(chǎng)推出了其最新的UHF解決方案?;诮Y(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、經(jīng)濟(jì)高效的單天線解決方案,UCODE G2iL和G2iL+不僅實(shí)現(xiàn)了行業(yè)領(lǐng)先
2019-08-01 08:28:10
導(dǎo)讀:日前,恩智浦半導(dǎo)體(以下簡(jiǎn)稱“NXP”)對(duì)外發(fā)布一款用于X電容的自動(dòng)放電IC--TEA1708.此器件擁有的自動(dòng)放電功能加上抵抗電壓浪涌的高度耐用性,輕易的滿足了新的電源規(guī)范要求,成為電源
2018-09-28 16:25:19
所在各類半導(dǎo)體功率器件中,未來增長(zhǎng)強(qiáng)勁的產(chǎn)品將是 MOSFET 與 IGBT 模塊。目前,全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)仍由歐美日企業(yè)主導(dǎo),其中英飛凌以 19%的市占率占據(jù)絕對(duì)領(lǐng)先地位。全球功率半導(dǎo)體前十名供應(yīng)商
2022-11-11 11:50:23
功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(功率MOSFET,常簡(jiǎn)寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC,常簡(jiǎn)寫為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
優(yōu)恩半導(dǎo)體32D系列徑向?qū)?lián)壓敏電阻通過提供比以往更高的浪涌額定值,為低直流電壓應(yīng)用提供了理想的電路保護(hù)解決方案。極限峰值浪涌電流額定值可達(dá)30ka (8/20 μs脈沖),以防止包括間接雷擊干擾
2023-06-14 10:52:47
Power SO-8LFPAK封裝60V和100V晶體管
恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)推出全新60 V和100 V晶體管,擴(kuò)充Trench 6 MOSFET產(chǎn)品線。新產(chǎn)品采用Power SO-8LFPAK封裝,支持60 V和100 V兩種工作
2010-02-09 09:27:39
2203 with state of the art Trench 6 silicon technology - Smaller : Power-SO8 form factor LFPAK - Faster : Best in class switching performance - Co
2011-03-30 15:50:33
0 恩智浦半導(dǎo)體業(yè)界首款Doherty架構(gòu)超寬帶射頻解決方案和雙通道Power-SO8 MOSFET方案,近日分別榮獲業(yè)界殊榮,摘得由環(huán)球資源(Global Sources)旗下《電子工程專輯》于今
2013-03-15 16:12:33
505 半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia宣布首次采用高魯棒性、高空間利用率的LFPAK56 (Power-SO8)封裝的P溝道MOSFET系列產(chǎn)品。
2020-05-09 11:07:26
3164 意法半導(dǎo)體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器在高壓電力變換和工業(yè)應(yīng)用中節(jié)省空間,簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)。
2022-02-15 14:23:26
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意法半導(dǎo)體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器在高壓電力變換和工業(yè)應(yīng)用中節(jié)省空間,簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)。
2022-02-17 10:06:14
1783 采用 TrenchMOS 技術(shù)的 LFPAK56D 中的 N 溝道 40 V、6.8 mOhm、標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN6R8-40HS
2023-02-07 20:31:40
0 采用 TrenchMOS 技術(shù)的 LFPAK56D 中的 N 溝道 100 V、31 mOhm、邏輯電平 MOSFET-PSMN033-100HL
2023-02-08 19:06:41
0 LFPAK56D 中的 N 溝道 60 V、12.5 mOhm、邏輯電平 MOSFET,使用針對(duì)重復(fù)雪崩增強(qiáng)的 TrenchMOS 技術(shù)-PSMN012-60HL
2023-02-08 19:06:51
0 采用 TrenchMOS 技術(shù)的 LFPAK56D 中的 N 溝道 60 V、12.5 mOhm、邏輯電平 MOSFET-PSMN013-60HL
2023-02-08 19:07:05
0 采用 TrenchMOS 技術(shù)的 LFPAK56D 中的 N 溝道 60 V、11.5 mOhm、邏輯電平 MOSFET-PSMN011-60HL
2023-02-08 19:07:25
0 采用 TrenchMOS 技術(shù)的 LFPAK56D 中的 N 溝道 40 V、7.2 mOhm、邏輯電平 MOSFET-PSMN6R1-40HL
2023-02-08 19:07:44
0 采用 TrenchMOS 技術(shù)的 LFPAK56D 中的 N 溝道 40 V、9.4 mOhm、邏輯電平 MOSFET-PSMN8R0-40HL
2023-02-08 19:08:00
0 采用 TrenchMOS 技術(shù)的 LFPAK56D 中的 N 溝道 60 V、14 mOhm、標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN014-60HS
2023-02-08 19:10:20
0 采用 TrenchMOS 技術(shù)的 LFPAK56D 中的 N 溝道 60 V、10 mOhm、標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN013-60HS
2023-02-08 19:10:33
0 采用 TrenchMOS 技術(shù)的 LFPAK56D 中的 N 溝道 60 V、9.3 mOhm、標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN9R3-60HS
2023-02-08 19:10:46
0 采用 TrenchMOS 技術(shù)的 LFPAK56D 中的 N 溝道 100 V、45 mOhm、邏輯電平 MOSFET-PSMN045-100HL
2023-02-08 19:11:02
0 采用 TrenchMOS 技術(shù)的 LFPAK56D 中的 N 溝道 100 V、29 mOhm、邏輯電平 MOSFET-PSMN029-100HL
2023-02-08 19:11:19
0 采用 TrenchMOS 技術(shù)的 LFPAK56D 中的 N 溝道 100 V、37.6 mOhm、標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN038-100HS
2023-02-08 19:11:30
0 采用 TrenchMOS 技術(shù)的 LFPAK56D 中的 N 溝道 100 V、27.5 mOhm、標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN028-100HS
2023-02-08 19:11:45
0 采用 TrenchMOS 技術(shù)的 LFPAK56D 中的 N 溝道 100 V、24.5 mOhm、標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN025-100HS
2023-02-08 19:11:59
0 采用 TrenchMOS 技術(shù)的 LFPAK56D 中的 N 溝道 40 V、8.5 mOhm、標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN8R5-40HS
2023-02-08 19:12:12
0 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56D 中的 N 溝道 40 V、13.6 mOhm、邏輯電平 MOSFET-PSMN014-40HLD
2023-02-08 19:12:26
0 雙 N 溝道 40 V、4.2 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET,采用 LFPAK56D(半橋配置)-BUK7V4R2-40H
2023-02-08 19:27:16
0 采用 LFPAK56 的 NextPower 80 V、4.5 mOhm N 溝道 MOSFET-PSMN4R5-80YSF
2023-02-14 19:20:10
0 雙 N 溝道 40 V、13 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET,采用 LFPAK56D(半橋配置)-PSMN013-40VLD
2023-02-15 19:52:55
0 雙 N 溝道 40 V、4.2 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET,采用 LFPAK56D(半橋配置)-PSMN4R2-40VSH
2023-02-15 19:53:06
0 LFPAK56D 中的雙 N 溝道 40 V、13 mOhm 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9K13-40H
2023-02-16 21:23:33
0 LFPAK56D(半橋配置)中的雙 N 溝道 40 V、13 mOhm 邏輯電平 MOSFET-BUK9V13-40H
2023-02-16 21:23:50
0 采用重復(fù)雪崩技術(shù)的 LFPAK56D 中的雙 N 溝道 60 V、35 mOhm 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9K35-60RA
2023-02-17 19:06:54
0 采用重復(fù)雪崩技術(shù)的 LFPAK56D 中的雙 N 溝道 60 V、55 mOhm 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9K52-60RA
2023-02-17 19:07:05
0 采用重復(fù)雪崩技術(shù)的 LFPAK56D 中的雙 N 溝道 40 V、29 mOhm 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9K25-40RA
2023-02-17 19:07:21
0 采用重復(fù)雪崩技術(shù)的 LFPAK56D 中的雙 N 溝道 60 V、12.5 mOhm 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9K13-60RA
2023-02-17 19:07:32
0 LFPAK56 中的 N 溝道 40 V、7.0 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7Y7R0-40H
2023-02-17 19:59:22
0 LFPAK56 中的 N 溝道 40 V、6.5 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y6R5-40H
2023-02-20 18:50:59
0 LFPAK56E 中的 N 溝道 40 V、0.9 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9J0R9-40H
2023-02-20 19:32:07
0 LFPAK56E 中的 N 溝道 40 V、1.4 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7J1R4-40H
2023-02-21 18:48:43
0 LFPAK56 中的 N 溝道 40 V、2.4 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y2R4-40H
2023-02-21 18:48:53
0 LFPAK56 中的 N 溝道 40 V、1.9 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y1R9-40H
2023-02-21 18:49:07
0 LFPAK56 中的 N 溝道 40 V、1.6 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y1R6-40H
2023-02-21 18:49:25
0 LFPAK56 中的 N 溝道 40 V、1.4 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7Y1R4-40H
2023-02-21 18:49:37
0 LFPAK56 中的 N 溝道 40 V、1.3 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y1R3-40H
2023-02-21 18:49:56
0 LFPAK56E 中的 N 溝道 40 V、1.0 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7J1R0-40H
2023-02-21 18:50:14
0 LFPAK56 中的 N 溝道 40 V、2.8 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y2R8-40H
2023-02-21 19:25:59
0 LFPAK56 中的 N 溝道 40 V、3.8 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y3R5-40E
2023-02-21 19:27:37
0 LFPAK56 中的 N 溝道 40 V、3.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7Y3R5-40H
2023-02-21 19:28:00
0 LFPAK56 中的 N 溝道 40 V、1.7 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7Y1R7-40H
2023-02-21 19:28:18
0 LFPAK56 中的 N 溝道 40 V、2.0 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7Y2R0-40H
2023-02-21 19:28:28
0 LFPAK56 中的 N 溝道 40 V、2.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7Y2R5-40H
2023-02-21 19:28:46
0 LFPAK56 中的 N 溝道 40 V、3.0 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7Y3R0-40H
2023-02-21 19:29:01
0 LFPAK56 中的 N 溝道 40 V、3.0 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y3R0-40E
2023-02-21 19:38:06
0 LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、153 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y153-100E
2023-02-21 19:38:26
0 LFPAK56 中的 N 溝道 80 V、15 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y14-80E
2023-02-21 19:38:42
0 LFPAK56 中的 N 溝道 60 V、7.2 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7Y7R2-60E
2023-02-21 19:41:16
0 LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、19 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7Y19-100E
2023-02-21 19:41:37
0 LFPAK56 中的 N 溝道 60 V、4.8 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y4R8-60E
2023-02-21 19:44:58
0 LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、22 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y22-100E
2023-02-21 19:45:12
0 LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、19 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y19-100E
2023-02-21 19:45:30
0 LFPAK56 中的 N 溝道 60 V、15 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y15-60E
2023-02-21 19:45:46
0 LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、15 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y15-100E
2023-02-21 19:46:02
0 LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、12 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y12-100E
2023-02-21 19:46:18
0 LFPAK56 中的 N 溝道 60 V、7.2 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y7R2-60E
2023-02-21 19:54:18
1 LFPAK56 中的 N 溝道 40 V、3.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7Y3R5-40E
2023-02-22 18:40:51
0 LFPAK56 中的 N 溝道 80 V、10 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN010-80YL
2023-02-22 18:50:38
0 LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、12 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN012-100YL
2023-02-22 18:50:48
0 LFPAK56 中的 N 溝道 60 V、13 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN013-60YL
2023-02-22 18:51:07
0 LFPAK56 中的 N 溝道 80 V、14 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN014-80YL
2023-02-22 18:51:22
0 LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、15 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN015-100YL
2023-02-22 18:51:32
0 LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、19 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN019-100YL
2023-02-22 18:51:50
0 LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、21 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN021-100YL
2023-02-22 18:52:06
0 LFPAK56 中的 N 溝道 80 V、25 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN025-80YL
2023-02-22 18:52:16
0 LFPAK56 中的 N 溝道 60 V、4.1 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN4R1-60YL
2023-02-22 18:53:30
0 LFPAK56 中的 N 溝道 60 V、5.2 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN5R2-60YL
2023-02-22 18:53:44
0 LFPAK56 中的 N 溝道 60 V、5.6 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN5R6-60YL
2023-02-22 18:55:07
0 LFPAK56 中的 N 溝道 80 V、8 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN8R0-80YL
2023-02-22 18:55:51
0 LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、37.5 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN038-100YL
2023-02-22 19:05:13
0 LFPAK56 中的 N 溝道 80 V、41 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN041-80YL
2023-02-23 18:39:26
0 LFPAK56 中的 N 溝道 60 V、7.5 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN7R5-60YL
2023-02-23 18:46:19
0 采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100 V、9 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN8R7-100YSF
2023-02-23 18:51:50
0 采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100 V、7 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN6R9-100YSF
2023-02-23 18:52:29
0 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布擴(kuò)充 NextPower 80/100 V MOSFET 產(chǎn)品組合的封裝系列。此前該產(chǎn)品組合僅提供 LFPAK56E 封裝
2023-06-21 10:34:32
565 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《NextPower 80 V,3.1 mOhm,160 A,N溝道MOSFET LFPAK56包裝產(chǎn)品數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-01-03 16:42:00
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《雙N溝道40 V,13 mOhm邏輯電平MOSFET LFPAK56D(半橋配置)產(chǎn)品數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-01-03 14:31:02
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評(píng)論