智浦已正式敲定重大業(yè)務(wù)調(diào)整：決定關(guān)閉其位于亞利桑那州錢(qián)德勒的ECHO Fab晶圓廠，并全面退出氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體5G PA（功率放大器）芯片的制造業(yè)務(wù)。 ? 這座于2020年9月才投產(chǎn)的晶圓廠，曾被恩智浦稱為“同類最先進(jìn)”的工廠。然而僅過(guò)了五年，它便計(jì)劃于2027年第一季度完成最
2025-12-16 09:27:37
6545 開(kāi)關(guān)/控制：用微小信號(hào)控制大功率電路的通斷（如晶體管開(kāi)關(guān)）。
信號(hào)產(chǎn)生：產(chǎn)生振蕩信號(hào)（如晶振配合有源電路）。
通常有方向性、有引腳極性（如集電極、發(fā)射極；源極、漏極；輸入、輸出）。
常見(jiàn)例子：
晶體管
2026-01-05 17:01:31
它究竟有何獨(dú)特之處。 文件下載： BFU520YX.pdf 產(chǎn)品概述 基本描述 BFU520Y是一款采用6引腳SOT363塑料封裝的雙NPN硅射頻晶體管。它屬于BFU5晶體管家族，適用于高達(dá)2 GHz的小信號(hào)到中功率應(yīng)用。這種封裝形式不僅便于安裝，而且在一定程度上保護(hù)了晶體管，使其在各種環(huán)境下
2025-12-30 17:35:13410 近日，恩智浦半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁兼中國(guó)事業(yè)部總經(jīng)理李曉鶴及團(tuán)隊(duì)到訪中國(guó)汽車(chē)技術(shù)研究中心（CATARC，以下簡(jiǎn)稱“中汽中心”），與中汽中心黨委委員、副總經(jīng)理李洧進(jìn)行了座談交流。
2025-12-28 09:43:56452 NXP Semiconductors[恩智浦] 廠商介紹：恩智浦半導(dǎo)體，前身為飛利浦半導(dǎo)體，由荷蘭企業(yè)飛利浦在1953年創(chuàng)立，公司總部位于荷蘭埃因霍溫。2006年8月31日，該公司
2025-12-21 12:13:26
威兆半導(dǎo)體推出的VS2301BC是一款面向-20V低壓場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用SOT23小封裝，適配小型化低壓電源的負(fù)載開(kāi)關(guān)、電源通路控制等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P溝道
2025-12-18 17:37:55147 
聚焦晶體管微型化、功率傳輸效率、新興材料應(yīng)用等行業(yè)關(guān)鍵痛點(diǎn)，涵蓋 MIM 電容器創(chuàng)新、GaN 芯片 let 技術(shù)、2D FET 優(yōu)化及 CMOS 縮放演進(jìn)等多個(gè)前沿方向，為人工智能（AI）和高性能計(jì)算（HPC）領(lǐng)域的技術(shù)升級(jí)提供了關(guān)鍵支撐。 ? 隨著半導(dǎo)體工藝節(jié)點(diǎn)持續(xù)演進(jìn)，晶體管尺寸不斷縮減，如
2025-12-16 09:33:251791 日前，第二十二屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體博覽會(huì)（IC China 2025）在北京順利舉辦。恩智浦半導(dǎo)體副總裁袁文博受邀出席了同期舉辦的第七屆全球IC企業(yè)家大會(huì)，并圍繞全球半導(dǎo)體發(fā)展趨勢(shì)、邊緣AI機(jī)遇及恩智浦的中國(guó)戰(zhàn)略發(fā)表主題演講。
2025-12-04 10:44:111893 選型手冊(cè)：VS1401ATHN溝道增強(qiáng)型功率MOSFET晶體管威兆半導(dǎo)體推出的VS1401ATH是一款面向100V中壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-220AB直插封裝，憑借
2025-11-28 12:14:04237 
在電子工程領(lǐng)域，功率半導(dǎo)體器件的性能對(duì)電路設(shè)計(jì)和系統(tǒng)性能有著至關(guān)重要的影響。今天，我們來(lái)詳細(xì)探討一下安森美（onsemi）的UF3N120007K4S碳化硅（SiC）結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET），看看它在實(shí)際應(yīng)用中能為我們帶來(lái)哪些優(yōu)勢(shì)。
2025-11-26 15:47:04273 
在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中，通用晶體管是極為常見(jiàn)且關(guān)鍵的元件。今天，我們就來(lái)深入了解一下onsemi的BC846BPDW1、BC847BPDW1、BC848CPDW1系列雙通用晶體管。
2025-11-26 14:34:50382 
安森美BCP53M PNP中等功率晶體管是一款80 V、1 A器件，設(shè)計(jì)用于通用放大器應(yīng)用。該晶體管采用可濕性側(cè)翼DFN2020-3封裝，可實(shí)現(xiàn)最佳自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)（AOI），具有出色的熱性
2025-11-26 14:12:12435 
安森美NST856MTWFT PNP晶體管設(shè)計(jì)用于通用放大器應(yīng)用。這些晶體管采用緊湊型DFN1010-3封裝，帶可濕性側(cè)翼，適用于汽車(chē)行業(yè)。NST856MTWFT晶體管 無(wú)鉛、無(wú)鹵/無(wú)BFR,符合
2025-11-26 13:45:33426 
安森美 (onsemi) MJD31C雙極晶體管為NPN設(shè)備，專為通用放大器和低速開(kāi)關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。此系列互補(bǔ)功率晶體管采用環(huán)氧樹(shù)脂，符合UL 94 V-0（0.125英寸）標(biāo)準(zhǔn)；其引腳經(jīng)成型處理
2025-11-25 11:38:42505 150°C。NSVT5551M BJT無(wú)鉛、無(wú)鹵素、無(wú)BFR，符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)。這款晶體管通常用于許多不同的應(yīng)用。
2025-11-25 10:50:45363 
電壓選擇晶體管應(yīng)用電路第二期
以前發(fā)表過(guò)關(guān)于電壓選擇晶體管的結(jié)構(gòu)和原理的文章，這一期我將介紹一下電壓選擇晶體管的用法。如圖所示：
當(dāng)輸入電壓Vin等于電壓選擇晶體管QS的柵極控制電壓時(shí)，三極管Q
2025-11-17 07:42:37
日前，恩智浦半導(dǎo)體宣布已完成對(duì)Aviva Links和Kinara的收購(gòu)，進(jìn)一步推進(jìn)智能邊緣的汽車(chē)連接和人工智能創(chuàng)新。
2025-11-04 09:36:50888 列GaN氮化鎵晶體管現(xiàn)新增底部散熱型ThinPAK8x8和DPAK封裝版本，專為各種工業(yè)與消費(fèi)類應(yīng)用中的最優(yōu)散熱性能而設(shè)計(jì)。產(chǎn)品型號(hào)：■IGD70R500D2■IGD7
2025-11-03 18:18:052813 
在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，DFN（雙邊扁平無(wú)引腳）封裝因其小尺寸、高導(dǎo)熱性和優(yōu)良的電性能被廣泛應(yīng)用，而高效精準(zhǔn)的劃片機(jī)正是確保DFN封裝質(zhì)量的關(guān)鍵。在集成電路電子元件向精密微型與高度集成方向發(fā)展中，晶圓厚度
2025-10-30 17:01:15545 
晶體管是一種以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的電子元件，具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓和信號(hào)調(diào)制等多種功能?。其核心是通過(guò)控制輸入電流或電壓來(lái)調(diào)節(jié)輸出電流，實(shí)現(xiàn)信號(hào)放大或電路開(kāi)關(guān)功能?。 基本定義 晶體管泛指
2025-10-24 12:20:23349 
設(shè)計(jì)低噪音<0.5%功率從10mW到10W典型應(yīng)用：激光干涉測(cè)量 拉曼光譜 全息術(shù) 非線性光學(xué) 激光顯微鏡MONOPOWER半導(dǎo)體泵浦連續(xù)激光器&nb
2025-10-23 14:11:50
恩智浦半導(dǎo)體宣布，深圳市億境虛擬現(xiàn)實(shí)技術(shù)有限公司（簡(jiǎn)稱“億境虛擬”）在其新一代 AI 眼鏡解決方案SW3021中采用恩智浦i.MX RT685跨界MCU，實(shí)現(xiàn)了極致低功耗與強(qiáng)大音頻處理能力的平衡。
2025-10-16 09:03:384142 ）**
在芯片制造的前端，對(duì)晶圓上的芯片進(jìn)行初步測(cè)試是至關(guān)重要的。半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備能夠在晶圓切割之前，通過(guò)微小的探針接觸芯片的焊盤(pán)，對(duì)芯片的基本電學(xué)參數(shù)進(jìn)行測(cè)試。例如，測(cè)試芯片內(nèi)晶體管的開(kāi)啟電壓、飽和電流等
2025-10-10 10:35:17
本文將深入探討兩種備受矚目的功率晶體管——英飛凌的 CoolGaN（氮化鎵高電子遷移率晶體管）和 OptiMOS 6（硅基場(chǎng)效應(yīng)晶體管），在極端短路條件下的表現(xiàn)。通過(guò)一系列嚴(yán)謹(jǐn)?shù)臏y(cè)試，我們將揭示
2025-10-07 11:55:002980 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()0.45-6.0 GHz 低噪聲晶體管相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有0.45-6.0 GHz 低噪聲晶體管的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，0.45-6.0
2025-09-18 18:33:55
多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)
為滿足多進(jìn)制邏輯運(yùn)算的需要，設(shè)計(jì)了一款多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管。控制二進(jìn)制電路通斷需要二進(jìn)制邏輯門(mén)電路，實(shí)際上是對(duì)電壓的一種選擇，而傳統(tǒng)二進(jìn)制邏輯門(mén)電路通常比較復(fù)雜
2025-09-15 15:31:09
為我們重點(diǎn)介紹了AI芯片在封裝、工藝、材料等領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新。
一、摩爾定律
摩爾定律是計(jì)算機(jī)科學(xué)和電子工程領(lǐng)域的一條經(jīng)驗(yàn)規(guī)律，指出集成電路上可容納的晶體管數(shù)量每18-24個(gè)月會(huì)增加一倍，同時(shí)芯片大小也
2025-09-15 14:50:58
選型手冊(cè)：MRFE6VP61K25 系列 RF 功率 LDMOS 晶體管
2025-08-27 17:51:246127 
科技有限公司深耕電子元器件領(lǐng)域多年，對(duì) S8050 晶體管有著深入的研究與豐富的應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)，下面將為您帶來(lái) S8050 晶體管全系列封裝與功能的詳細(xì)解讀。 一、S8050 晶體管基礎(chǔ)認(rèn)知 S8050 屬于 NPN 型硅晶體管，這意味著其內(nèi)部結(jié)構(gòu)是由兩層 N 型半導(dǎo)體中
2025-08-06 16:27:321173 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體（簡(jiǎn)稱ST）宣布，擬收購(gòu)恩智浦半導(dǎo)體（簡(jiǎn)稱NXP）的MEMS傳感器業(yè)務(wù)，繼續(xù)鞏固其全球傳感器龍頭地位。擬收購(gòu)的恩智浦業(yè)務(wù)專注于汽車(chē)安全產(chǎn)品以及
2025-07-30 16:01:32798 上周五，全球MEMS產(chǎn)業(yè)發(fā)生一項(xiàng)重大交易時(shí)間，即意法半導(dǎo)體并購(gòu)恩智浦半導(dǎo)體的MEMS傳感器業(yè)務(wù)，相關(guān)信息參看突發(fā)，68億元現(xiàn)金并購(gòu)，全球第二大MEMS傳感器廠商誕生！ 我們認(rèn)為合并后的意法半導(dǎo)體ST
2025-07-28 18:24:2865068 
? ? 當(dāng)?shù)貢r(shí)間7月24日（北京時(shí)間7月25日凌晨），歐洲半導(dǎo)體巨頭意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，ST）發(fā)布新聞稿稱，已與恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors
2025-07-25 13:10:261580 
NMOS 管，即 N 型金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件。其核心結(jié)構(gòu)由源極（S）、漏極（D）、柵極（G）及 N 型溝道組成。當(dāng)柵極電壓高于閾值時(shí)，溝道導(dǎo)通，電子
2025-07-23 17:27:58
? 半導(dǎo)體分立器件主要包括： ? 二極管 ?（如整流二極管、肖特基二極管） ? 三極管 ?（雙極型晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管） ? 晶閘管 ?（可控硅） ? 功率器件 ?（IGBT、MOSFET）? 2. ? 核心測(cè)試參數(shù) ? ? 電氣特性 ?：正向/反向電壓、漏電流、導(dǎo)
2025-07-22 17:46:32825 
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布擴(kuò)展其雙極性晶體管(BJT)產(chǎn)品組合，推出12款采用銅夾片封裝(CFP15B)的MJD式樣的雙極性晶體管。這款名為MJPE系列
2025-07-18 14:19:472331 在電子世界的晶體管家族中，NMOS（N 型金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）與 PMOS（P 型金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）如同一對(duì)默契的 “電子開(kāi)關(guān)”，掌控著電路中電流的流動(dòng)
2025-07-14 17:05:2223273 
目錄
第1章?半導(dǎo)體中的電子和空穴第2章?電子和空穴的運(yùn)動(dòng)與復(fù)合
第3章?器件制造技術(shù)
第4章?PN結(jié)和金屬半導(dǎo)體結(jié)
第5章?MOS電容
第6章?MOSFET晶體管
第7章?IC中的MOSFET
2025-07-12 16:18:42
本書(shū)較全面地講述了現(xiàn)有各類重要功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)、基本原理、設(shè)計(jì)原則和應(yīng)用特性，有機(jī)地將功率器件的設(shè)計(jì)、器件中的物理過(guò)程和器件的應(yīng)用特性聯(lián)系起來(lái)。
書(shū)中內(nèi)容由淺入深，從半導(dǎo)體的性質(zhì)、基本的半導(dǎo)體
2025-07-11 14:49:36
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()密封高速晶體管雙通道光耦合器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有密封高速晶體管雙通道光耦合器的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，密封高速晶體管雙通道光耦合器真值表，密封高速晶體管雙通道光耦合器管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-07-08 18:33:02
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2025-07-08 18:29:59
晶體管參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)是用于評(píng)估半導(dǎo)體分立器件電氣性能的專業(yè)儀器設(shè)備，其核心功能是對(duì)晶體管的靜態(tài)/動(dòng)態(tài)參數(shù)進(jìn)行精密測(cè)量與特性分析。以下是系統(tǒng)的關(guān)鍵要素解析： 一、系統(tǒng)核心功能 ?靜態(tài)參數(shù)測(cè)試
2025-07-08 14:49:56559 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()密封表面貼裝光電晶體管光耦合器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有密封表面貼裝光電晶體管光耦合器的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，密封表面貼裝光電晶體管光耦合器真值表，密封表面貼裝光電晶體管光耦合器管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-07-04 18:31:18
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2025-07-04 18:30:49
恩智浦半導(dǎo)體宣布，零跑全新的LEAP 3.5中央集成電子電氣架構(gòu)中采用恩智浦S32K388，助力其實(shí)現(xiàn)中央域控集成進(jìn)一步升級(jí)。同時(shí)，隨著基于該架構(gòu)的零跑B系列首款全球化車(chē)型B10的發(fā)布，也實(shí)現(xiàn)了恩
2025-07-04 16:11:122898 恩智浦半導(dǎo)體宣布，與吉利汽車(chē)研究院成立聯(lián)合創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)室，深化雙方合作，聚焦智能化汽車(chē)技術(shù)，攜手創(chuàng)新，助力吉利汽車(chē)智能化戰(zhàn)略加速落地。 吉利汽車(chē)研究院常務(wù)副院長(zhǎng)任向飛，恩智浦半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁兼高級(jí)模擬
2025-07-04 16:07:222395 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()耐輻射、光電晶體管光耦合器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有耐輻射、光電晶體管光耦合器的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，耐輻射、光電晶體管光耦合器真值表，耐輻射、光電晶體管光耦合器管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
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2025-07-03 18:30:00
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2025-07-02 18:35:21
新品TOLL和DFN封裝CoolGaN650VG5第五代氮化鎵功率晶體管第五代CoolGaN650VG5氮化鎵功率晶體管可在高頻工況下顯著提升能效，符合業(yè)界最高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，助力打造兼具超高效率與卓越
2025-06-26 17:07:332034 晶體管光耦（PhotoTransistorCoupler）是一種將發(fā)光器件和光敏器件組合在一起的半導(dǎo)體器件，用于實(shí)現(xiàn)電路之間的電氣隔離，同時(shí)傳遞信號(hào)或功率。晶體管光耦的工作原理基于光電效應(yīng)和半導(dǎo)體
2025-06-20 15:15:49730 
先進(jìn)的晶體管架構(gòu)，是納米片晶體管（Nanosheet FET）的延伸和發(fā)展，主要用于實(shí)現(xiàn)更小的晶體管尺寸和更高的集成密度，以滿足未來(lái)半導(dǎo)體工藝中對(duì)微縮的需求。叉片晶體管的核心特點(diǎn)是其分叉式的柵極結(jié)構(gòu)
2025-06-20 10:40:07
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)2SC5200音頻配對(duì)功率管PNP型晶體管，原裝現(xiàn)貨
2SC5200是一款PNP型晶體管，2SA1943的補(bǔ)充型。
擊穿電壓：250V (集射極電壓 Vceo) min
2025-06-05 10:24:29
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)2SA1943 大功率功放管PNP型高壓晶體管，原裝現(xiàn)貨
2SA1943是一款PNP型高壓晶體管，專為低頻或音頻放大，直流轉(zhuǎn)直流轉(zhuǎn)換器，其他高功率電路，其電壓-集電極
2025-06-05 10:18:15
推動(dòng)一個(gè)公平、開(kāi)放、富有韌性的全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)。 作為歐洲半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)（ESIA）代表團(tuán)主席，恩智浦半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁、中國(guó)事業(yè)部總經(jīng)理李曉鶴出席了此次會(huì)議，并在論壇開(kāi)幕式上致辭，強(qiáng)調(diào)了在人工智能、數(shù)字化等技術(shù)持續(xù)加速半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)深度
2025-06-04 14:48:561501 自半導(dǎo)體晶體管問(wèn)世以來(lái)，集成電路技術(shù)便在摩爾定律的指引下迅猛發(fā)展。摩爾定律預(yù)言，單位面積上的晶體管數(shù)量每?jī)赡攴环?，而這一進(jìn)步在過(guò)去幾十年里得到了充分驗(yàn)證。
2025-06-03 18:24:131494 
導(dǎo)語(yǔ)薄膜晶體管（TFT）作為平板顯示技術(shù)的核心驅(qū)動(dòng)元件，通過(guò)材料創(chuàng)新與工藝優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)了從傳統(tǒng)非晶硅向氧化物半導(dǎo)體、柔性電子的技術(shù)跨越。本文將聚焦于薄膜晶體管制造技術(shù)與前沿發(fā)展。
2025-05-27 09:51:412510 
英飛凌推出CoolGaN G5中壓晶體管，它是全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用氮化鎵（GaN）功率晶體管。該產(chǎn)品系列通過(guò)減少不必要的死區(qū)損耗提高功率系統(tǒng)的性能，進(jìn)一步提升整體系統(tǒng)效率。此外，該集成解決方案還簡(jiǎn)化了功率級(jí)設(shè)計(jì)，降低了用料成本。
2025-05-21 10:00:44804 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()耐輻射、光電晶體管表面貼裝光耦合器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有耐輻射、光電晶體管表面貼裝光耦合器的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，耐輻射、光電晶體管表面貼裝光耦合器真值表，耐輻射、光電晶體管表面貼裝光耦合器管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-05-19 18:33:42
2010年，愛(ài)爾蘭 Tyndall 國(guó)家研究所的J.P.Colinge 等人成功研制了三柵無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，器件結(jié)構(gòu)如圖1.15所示。從此，半導(dǎo)體界興起了一股研究無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的熱潮，每年的國(guó)際
2025-05-19 16:08:13777 
線以連接到 MCU。
我們想知道是否可以以某種方式利用 VBUS_CTRL 引腳來(lái)控制 NMOS 晶體管（作為開(kāi)關(guān)）或模擬比較器，從而產(chǎn)生切換 MUX 所需的邏輯信號(hào)。
您認(rèn)為這種方法有什么潛在的缺點(diǎn)嗎？ 您還有其他建議嗎？
2025-05-19 06:14:57
場(chǎng)效應(yīng)晶體管（TFET）沿溝道方向有一個(gè) PN結(jié)，金屬-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MESFET）或高電子遷移率晶體管（HEMT）垂直于溝道方向含有一個(gè)柵電極肖特基勢(shì)壘結(jié)。
2025-05-16 17:32:071122 
晶體管（Transistor）是一種?半導(dǎo)體器件?，用于?放大電信號(hào)?、?控制電流?或作為?電子開(kāi)關(guān)?。它是現(xiàn)代電子技術(shù)的核心元件，幾乎所有電子設(shè)備（從手機(jī)到超級(jí)計(jì)算機(jī)）都依賴晶體管實(shí)現(xiàn)功能。以下
2025-05-16 10:02:183876 LM195/LM395 是具有完全過(guò)載保護(hù)的快速單片電源集成電路。這些器件充當(dāng)高增益功率晶體管，芯片上包括電流限制、功率限制和熱過(guò)載保護(hù)，使其幾乎不可能因任何類型的過(guò)載而損壞。在標(biāo)準(zhǔn) TO-3 晶體管功率封裝中，LM195 將提供超過(guò) 1.0A 的負(fù)載電流，并可在 500 ns 內(nèi)切換 40V。
2025-05-15 10:41:11781 
LP395 是一款具有完全過(guò)載保護(hù)的快速單片晶體管。這非常 片上包括高增益晶體管、電流限制、功率限制和熱 過(guò)載保護(hù)，使其幾乎難以因任何類型的過(guò)載而銷毀。適用于 該器件采用環(huán)氧樹(shù)脂 TO-92 晶體管封裝，額定電流為 100 mA。
2025-05-15 10:36:29602 
晶體管的性能得到了顯著提升，開(kāi)啟了更高效率和更快動(dòng)態(tài)響應(yīng)的可能性。寬帶隙
晶體管在現(xiàn)代電力系統(tǒng)
中扮演著關(guān)鍵角色，包括開(kāi)關(guān)電源(SMPS)、逆變器和電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器，因?yàn)?/div>
2025-04-23 11:36:00780 
SC2020晶體管參數(shù)測(cè)試儀/?半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)-日本JUNO測(cè)試儀DTS-1000國(guó)產(chǎn)平替 ?專為半導(dǎo)體分立器件測(cè)試而研發(fā)的新一代高速高精度測(cè)試機(jī)。? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ??
2025-04-16 17:27:20
0 IGBT模塊是一種重要的功率半導(dǎo)體器件，具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、容量大、損耗低等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于各種高功率電子設(shè)備中。絕緣柵極雙極晶體管（IGBT）功率模塊將MOSFET的高效和快速開(kāi)關(guān)能力與雙極晶體管
2025-04-16 08:06:431298 
多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)
為滿足多進(jìn)制邏輯運(yùn)算的需要，設(shè)計(jì)了一款多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管。控制二進(jìn)制電路通斷需要二進(jìn)制邏輯門(mén)電路，實(shí)際上是對(duì)電壓的一種選擇，而傳統(tǒng)二進(jìn)制邏輯門(mén)電路通常比較復(fù)雜
2025-04-15 10:24:55
晶體管，F(xiàn)ET和IC，F(xiàn)ET放大電路的工作原理，源極接地放大電路的設(shè)計(jì)，源極跟隨器電路設(shè)計(jì)，F(xiàn)ET低頻功率放大器的設(shè)計(jì)與制作，柵極接地放大電路的設(shè)計(jì)，電流反饋型OP放大器的設(shè)計(jì)與制作，進(jìn)晶體管
2025-04-14 17:24:55
晶體管和FET的工作原理，觀察放大電路的波形，放大電路的設(shè)計(jì)，放大電路的性能，共發(fā)射極應(yīng)用，觀察射極跟隨器的波形，增強(qiáng)輸出電路的設(shè)計(jì)，射極跟隨器的性能和應(yīng)用電路，小型功率放大器的設(shè)計(jì)和制作
2025-04-14 16:07:46
MOS管，即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，在開(kāi)關(guān)電源中扮演著至關(guān)重要的角色。
2025-04-12 10:46:40821 ，深入探討了“如何促進(jìn)傳統(tǒng)電器向智能家電轉(zhuǎn)變”這一重要課題，并展示了基于恩智浦豐富的產(chǎn)品組合，面向智能家電應(yīng)用而打造的數(shù)十款創(chuàng)新解決方案。 ? ? ? 活動(dòng)中展示的智能家電解決方案，基于恩智浦的MPU / MCU、無(wú)線連接、電源管
2025-03-28 11:46:456699 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MJE13005D高壓快速開(kāi)關(guān)NPN功率晶體管英文手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-21 16:52:420 新的晶體管技術(shù)。加州大學(xué)圣巴巴拉分校的研究人員在這一領(lǐng)域邁出了重要一步，他們利用二維（2D）半導(dǎo)體技術(shù)，成功研發(fā)出新型三維（3D）晶體管，為半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展開(kāi)啟了新的篇
2025-03-20 15:30:451073 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《TC1201低噪聲和中功率GaAs場(chǎng)效應(yīng)晶體管規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-17 17:15:420 柵極（Gate）是晶體管的核心控制結(jié)構(gòu)，位于源極（Source）和漏極（Drain）之間。其功能類似于“開(kāi)關(guān)”，通過(guò)施加電壓控制源漏極之間的電流通斷。例如，在MOS管中，柵極電壓的變化會(huì)在半導(dǎo)體表面形成導(dǎo)電溝道，從而調(diào)節(jié)電流的導(dǎo)通與截止。
2025-03-12 17:33:202746 
本書(shū)主要介紹了晶體管，F(xiàn)ET和Ic，F(xiàn)ET放大電路的工作原理，源極接地放大電路的設(shè)計(jì)，源極跟隨電路的設(shè)計(jì)，F(xiàn)ET低頻功率放大器的設(shè)計(jì)和制作，柵極接地放大電路的設(shè)計(jì)，電流反饋行型op放大器的設(shè)計(jì)與制作
2025-03-07 13:55:19
本書(shū)主要介紹了晶體管和FET的工作原理，放大電路的工作，增強(qiáng)輸出的電路，小型功率放大器的設(shè)計(jì)與制作，功率放大器的設(shè)計(jì)與制作，拓寬頻率特性，視頻選擇器的設(shè)計(jì)和制作，渥爾曼電路的設(shè)計(jì)，負(fù)反饋放大電路的設(shè)計(jì)，直流穩(wěn)定電源的設(shè)計(jì)與制作，差動(dòng)放大電路的設(shè)計(jì)，op放大器電路的設(shè)計(jì)與制作等
2025-03-07 13:46:06
這本書(shū)介紹了晶體管的基本特性，單管電路的設(shè)計(jì)與制作， 雙管電路的設(shè)計(jì)與制作，3~5管電路的設(shè)計(jì)與制作，6管以上電路的設(shè)計(jì)與制作。書(shū)中具體內(nèi)容有：直流工作解析，交流工作解析，接地形式，單管反相放大器，雙管反相放大器，厄利效應(yīng)，雙管射極跟隨器等內(nèi)容。
2025-02-26 19:55:46
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《BCP69系列PNP中等功率晶體管規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-19 15:37:450 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《BCP69-Q系列 PNP中等功率晶體管規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-19 15:34:550 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《BC807DS PNP/PNP通用雙晶體管規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-19 08:31:440 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《BCP69;BC869;BC69PA PNP中等功率晶體管規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-18 15:36:190 恩智浦半導(dǎo)體公司近日宣布，已正式簽署最終協(xié)議，將收購(gòu)高性能、低功耗且可編程離散神經(jīng)處理單元（NPU）供應(yīng)商Kinara。此次收購(gòu)將顯著增強(qiáng)恩智浦在邊緣人工智能（AI）領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力。
2025-02-18 14:29:221246 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《BC56xPAS-Q系列NPN中等功率晶體管規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-14 16:21:230 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MJD31CA NPN高功率雙極晶體管規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-14 16:19:460 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《BC846S-Q NPN通用雙晶體管規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
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2025-02-13 14:44:190 一、集成電路的引腳識(shí)別 集成電路是在同一塊半導(dǎo)體材料上，利用各種不同的加工方法同時(shí)制作出許多極其微小的電阻、電容及晶體管等電路元器件，并將它們相互連接起來(lái)，使之具有特定功能的電路。半導(dǎo)體集成電路
2025-02-11 14:21:221901 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《BC817W-Q系列NPN通用晶體管規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-09 16:24:130 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《BC807W-Q系列PNP通用晶體管規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-09 15:44:270 在現(xiàn)代電子技術(shù)中，二極管和晶體管是兩種不可或缺的半導(dǎo)體器件。它們?cè)陔娐吩O(shè)計(jì)中有著廣泛的應(yīng)用，從簡(jiǎn)單的信號(hào)處理到復(fù)雜的集成電路。 二極管 二極管是一種兩端器件，其主要功能是允許電流單向流動(dòng)。它由一個(gè)P
2025-02-07 09:50:371618 隨著半導(dǎo)體技術(shù)不斷逼近物理極限，傳統(tǒng)的平面晶體管（Planar FET）、鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FinFET）從平面晶體管到FinFET的演變，乃至全環(huán)繞柵或圍柵（GAA
2025-01-24 10:03:514437 
菲爾德（Julius Edgar Lilienfeld）的一項(xiàng)專利中就已顯現(xiàn)。 盡管利利恩菲爾德從未制造出實(shí)物原型，但他在推動(dòng)半導(dǎo)體技術(shù)未來(lái)突破方面發(fā)揮了決定性作用。他1925年申請(qǐng)的專利被廣泛認(rèn)為是世界上第一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（幾乎所有電子設(shè)備的關(guān)鍵組件）的理論概念
2025-01-23 09:42:111476 
意法半導(dǎo)體推出了標(biāo)準(zhǔn)閾值電壓(VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管，新系列產(chǎn)品兼?zhèn)鋸?qiáng)化版溝槽柵技術(shù)的優(yōu)勢(shì)和出色的抗噪能力，適用于非邏輯電平控制的應(yīng)用場(chǎng)景。
2025-01-16 13:28:271022 半導(dǎo)體封裝測(cè)試領(lǐng)域的知名品牌蔚華科技(TWSE: 3055)與經(jīng)銷合作伙伴恩艾(由艾默生與NI聯(lián)合運(yùn)營(yíng))近日宣布了一項(xiàng)重大合作計(jì)劃。雙方將攜手在亞太地區(qū)建立首座功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)可靠度驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)室，旨在
2025-01-14 14:34:11932 微電子學(xué)的基礎(chǔ)，可以被認(rèn)為是大多數(shù)現(xiàn)代處理器的“原始單元”。如今，微電子行業(yè)經(jīng)歷了大規(guī)模創(chuàng)新，但半導(dǎo)體制造商每年仍會(huì)生產(chǎn)數(shù)十億個(gè)NPN和PNP雙極性晶體管，安裝在各種類型的電氣和電子設(shè)備中。
2025-01-10 16:01:501488 恩智浦半導(dǎo)體(NXP)近日宣布，將以6.25億美元現(xiàn)金收購(gòu)?qiáng)W地利知名的汽車(chē)軟件開(kāi)發(fā)商TTTech Auto。這一戰(zhàn)略收購(gòu)將進(jìn)一步鞏固恩智浦在汽車(chē)電子領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。 據(jù)恩智浦在一份聲明中透露，交易
2025-01-09 14:53:45979 已全部加載完成
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