FLASH擦寫壽命流程

由于硬件成本原因，在許多嵌入式處理器中并沒有集成EEPROM 模塊，通常我們可以采用在片內(nèi)FLASH存儲器中保存非易失性數(shù)據(jù)的應(yīng)用方式來達到使用要求。對一些普通的應(yīng)用場合，這種使用方式可以滿足要求。本應(yīng)用筆記介紹了使用代碼區(qū)域Flash 來模擬EEPROM，通過一定的軟件處理算法，可以增加數(shù)據(jù)存儲周期的一種方法。本文給出了實現(xiàn)上述功能的軟件流程。
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1.1?寫方法
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外置EEPROM和采用Flash 模擬EEPROM的最大不同之處在于寫的方法。
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EEPROM：對EEPROM 的寫操作不需要額外的操作，只需要提供電源供給;但是一旦啟動寫操作流程后，寫操作不能夠被打斷。所以需要外接電容器等措施來保證在芯片掉電時能夠維持供電，保證完成數(shù)據(jù)操作。
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Flash 模擬EEPROM：當(dāng)芯片上電后，寫操作可以被電源掉電和芯片復(fù)位打斷。和EEPROM 相比，需要應(yīng)用設(shè)計者增加相關(guān)的處理來應(yīng)對可能存在的異常。
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1.2?擦寫時間
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EEPROM和采用Flash 模擬EEPROM在擦除時間上存在很大的差異。
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與Flash 不同，EEPROM 在進行寫操作之前不要擦除操作。由于Flash 需要幾個毫秒時間進行擦除操作，所以如果在進行擦除操作的過程中出現(xiàn)電源掉電的情況，需要軟件做相關(guān)的保護處理。為了設(shè)計一個健壯的Flash 存儲器的管理軟件，需要深入的了解和掌握Flash 存儲器的擦除過程特性。
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1.3?寫訪問時間
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由于EEPROM 和Flash 的工作特性不同，所以寫訪問時間也不相同。Flash 具有更短的寫訪問時間，所以更適用于對存儲速度有要求的場合。

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插拔壽命與 MCX連接器大小的反比例函數(shù)解析?

深耕連接器領(lǐng)域近二十年，德索精密工業(yè)構(gòu)建起覆蓋全流程的技術(shù)體系。20000㎡現(xiàn)代化工廠、30 條智能生產(chǎn)線，搭配 48 小時快速打樣與定制化服務(wù)，從通信基站到航天設(shè)備，德索以 “打破反比例定律” 的硬核實力，持續(xù)為各行業(yè)提供高性能、長壽命的 MCX 插頭解決方案，重新定義小型化連接器的品質(zhì)高度。?

2025-06-12 08:51:58

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電解電容的壽命如何評估?加速老化測試方法

電解電容的壽命評估通?；谄涫C理和工作環(huán)境條件。加速老化測試方法則是為了在短時間內(nèi)評估電容的壽命特性而采用的一種技術(shù)手段。以下是對電解電容壽命評估及加速老化測試方法的詳細分析：一、電解電容壽命

2025-06-11 16:21:18

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FS2601手寫擦寫板集成IC中文手冊

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《FS2601手寫擦寫板集成IC中文手冊.pdf》資料免費下載

2025-05-30 15:35:50

影響電機使用壽命的關(guān)鍵因素

PARKER派克電機作為工業(yè)自動化領(lǐng)域的核心驅(qū)動設(shè)備，其壽命直接影響生產(chǎn)效率和運維成本。結(jié)合其產(chǎn)品特性及行業(yè)應(yīng)用場景，以下因素對電機壽命具有顯著影響，需針對性優(yōu)化。

2025-05-27 13:53:47

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FLASH的工作原理與應(yīng)用

14FLASHFLASH的工作原理與應(yīng)用OWEIS1什么是FLASH?Flash閃存是一種非易失性半導(dǎo)體存儲器，它結(jié)合了ROM（只讀存儲器）和RAM（隨機訪問存儲器）的優(yōu)點，具有電子可擦除和可編程

2025-05-27 13:10:41

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如何通過SFL為設(shè)備添加Flash編程支持

SEGGER Flash Loader（SFL）是J-Link設(shè)備支持套件（DSK）的一部分，通過SFL，用戶可以為自己的新設(shè)備添加Flash編程支持。

2025-05-19 16:35:47

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Odyssey奧德賽電池使用壽命延長技巧詳解

Odyssey奧德賽電池以其高性能和可靠性著稱，廣泛應(yīng)用于汽車啟動、電動車輛、應(yīng)急電源和各種高要求的工業(yè)設(shè)備中。然而，許多用戶在實際使用中常遇到電池壽命不達預(yù)期的情況。為此，深入了解并掌握延長

2025-05-19 15:26:16

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簡單認識阿倫尼烏斯壽命模型

Arrhenius，阿倫尼烏斯，提出了一個表征芯片使用壽命的計算模型，即阿倫尼烏斯壽命模型。透過驗證晶體管在特定偏置電壓和溫度下的工作時長(HTOL)，來折算出芯片的使用壽命。通過在汽車行業(yè)的統(tǒng)計觀察，阿倫尼烏斯壽命模型得到半導(dǎo)體行業(yè)的普遍認可。

2025-05-19 09:34:06

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平均故障間隔時間和預(yù)期壽命的區(qū)別

在評估設(shè)備使用壽命和維護成本時，故障分析和預(yù)期壽命計算至關(guān)重要。用于此類評估的兩個等級--平均故障間隔時間（MTBF）和預(yù)期壽命--有時會被混淆，因此讓我們來探討一下兩者在含義上的區(qū)別。

2025-05-16 17:36:34

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Flash訪問模塊FDS用法及常見問題—nRF5 SDK模塊系列一

FDS，全稱Flash Data Storage，用來訪問芯片內(nèi)部 Flash的。當(dāng)你需要把數(shù)據(jù)存儲在Flash中，或者讀取Flash中的用戶數(shù)據(jù)，或者更新或者刪除Flash中的數(shù)據(jù)，那么FDS

2025-05-12 15:59:29

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長壽命高光效工礦燈

使用壽命長達10萬小時，電源采用寬電壓處理，能實現(xiàn)恒流輸出，具有短路、過壓保護功能，大大延長了燈具的使用壽命;鋁反光罩采用光學(xué)壁，在不損光效的前提下，有效避免眩光、光斑

2025-05-12 11:49:43

光纖的壽命有多少年

光纖的壽命通常在20至30年之間，具體年限受材料、制造工藝、安裝環(huán)境及維護條件等因素影響。以下為具體分析： 20年：這是行業(yè)普遍接受的設(shè)計壽命標(biāo)準(zhǔn)，普通光纜通常以此為基準(zhǔn)。海底光纜因環(huán)境要求更高

2025-05-07 10:12:25

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MCU片上Flash

保留能力，支持多次擦寫操作，是MCU程序存儲的核心介質(zhì)。主要類型? NOR Flash?：支持隨機訪問，可直接運行代碼，適用于實時性要求高的場景。 NAND Flash?：需通過RAM加載代碼，集成度高但訪問速度較慢，常見于復(fù)雜SoC系統(tǒng)。分區(qū)架構(gòu)?：部分MCU將Flash劃分

2025-05-06 14:26:55

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直插、旋鈕自動壽命測試機：解決多類型矩形連接器壽命測試難題

為了精準(zhǔn)把控產(chǎn)品性能，確保每一款直插、旋鈕類產(chǎn)品在實際使用中都能經(jīng)受住長時間、高頻次操作的考驗，騰方中科自主研發(fā)的直插、旋鈕自動壽命測試機，經(jīng)過多次的調(diào)試與校準(zhǔn)，正式交付質(zhì)量部門進行測試工作。設(shè)備

2025-04-30 18:39:55

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DP主站轉(zhuǎn)485操作流程

?DP主站轉(zhuǎn)485操作流程

2025-04-27 09:11:33

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搖桿壽命測試儀

產(chǎn)品特點本設(shè)備具有設(shè)計獨特、操作簡單、性能穩(wěn)定可靠、噪音低、運動機構(gòu)免維護、外形美觀等特點主要功能本設(shè)備適用于搖桿類產(chǎn)品的搖桿壽命測試，模擬人手實際使用的場景，通過調(diào)節(jié)機構(gòu)的偏心距，適配與多種尺寸

2025-04-24 15:08:08

折疊屏手機壽命試驗機

測試對象：手機/平板測試/電腦測試/轉(zhuǎn)軸鉸鏈測試產(chǎn)品應(yīng)用：本產(chǎn)品適用于折疊屏手機翻合壽命測試，在常溫環(huán)境下測試。產(chǎn)品特點 1、伺服電機驅(qū)動

2025-04-23 15:02:05

基于小凌派RK2206開發(fā)板：OpenHarmony如何使用IoT接口控制FLASH外設(shè)

1、實驗簡介本實驗將演示如何在小凌派-RK2206開發(fā)板上使用IOT庫的FLASH接口，進行FLASH編程開發(fā)。例程將創(chuàng)建一個任務(wù)，實現(xiàn)FLASH讀寫操作。例程源代碼：https

2025-04-22 14:49:05

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兆易創(chuàng)新推出GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash

中國北京（2025 年4 月15 日） —— 業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新 GigaDevice （股票代碼 603986）宣布推出GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash

2025-04-22 10:23:20

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兆易創(chuàng)新推出GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash

今日，兆易創(chuàng)新宣布推出GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash，該系列以其突破性的讀取速度和創(chuàng)新的壞塊管理（BBM）功能，可有效解決傳統(tǒng)SPI NAND Flash響應(yīng)速度慢、易受壞塊

2025-04-16 13:50:01

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Allegro Skill封裝功能之創(chuàng)建橢圓形flash介紹

盤。此外，由于部分焊盤為橢圓形設(shè)計，因此對應(yīng)的Flash焊盤也需制作成橢圓形。借助Fanyskill工具，可以大幅簡化橢圓形Flash焊盤的制作流程，顯著提高效率并降低出錯率。

2025-04-15 16:17:12

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如何使用雙Flash固化FPGA

前言文檔內(nèi)容適配技術(shù)問題說明：1.MES2L676-100HP開發(fā)板如何固化到兩顆flash；2.MES2L676-100HP開發(fā)板如何加快上電后flash加載速度（SPIX8模式）01簡介

2025-04-14 09:52:29

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調(diào)試時Memory窗口中Flash內(nèi)容不更新的原因和解決辦法

調(diào)試時在代碼中對Flash進行寫操作時（比如Bootloader對Code Flash進行升級操作，Application對Data Flash進行寫操作），Memory窗口中Flash內(nèi)容不更新。

2025-04-01 09:18:53

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拯救NAND/eMMC：延長閃存壽命

的原因有物理損壞如雷擊損壞，也有可能因為頻繁擦寫操作引起壽命到期損壞。下面就應(yīng)用軟件方面的可能性進行探討，尋求延長NAND/eMMC使用壽命的方法。閃存的壽命和計算

2025-03-25 11:44:24

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CAN報文流程解析

CAN報文流程解析，直流充電樁上的CAN通訊解析過程

2025-03-24 14:03:31

7路達林頓驅(qū)動的16KB Flash ROM的AD型MCU AiP8F3201

7路達林頓驅(qū)動的16KB Flash ROM的AD型MCU AiP8F3201

2025-03-24 10:09:26

821

滾柱導(dǎo)軌的使用壽命有多久？

滾柱導(dǎo)軌具體壽命也會受到多種因素的影響，包括使用環(huán)境、維護保養(yǎng)情況等。

2025-03-21 17:44:03

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存儲技術(shù)探秘 NAND Flash vs NOR Flash：藏在芯片里的"門道之爭"

門電路玄機 NOR Flash：Intel 1988 年革命性突破，終結(jié) EPROM/EEPROM 壟斷時代 NAND Flash：東芝 1989 年發(fā)布，開創(chuàng) "低成本比特" 存儲新紀元共性特征

2025-03-18 12:06:50

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多流技術(shù)：不同壽命數(shù)據(jù)存在SSD的不同塊

根據(jù)數(shù)據(jù)的壽命將數(shù)據(jù)存放在SSD的不同塊內(nèi)可以顯著提高SSD的GC效率、減少WAF、提高SSD的壽命和性能。

2025-03-17 14:52:12

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電動汽車電池壽命檢測方法簡介

電動汽車電池壽命是衡量二次電池性能的一個重要參數(shù)。在一定的充放電制度下，電池容量降至某一規(guī)定值之前，電池所能承受的循環(huán)次數(shù)，稱為二次電池的循環(huán)壽命。各種蓄電池的使用壽命是有差異的，通常的Cd-Ni

2025-03-10 10:13:11

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寫FLASH失敗的原因？

__attribute__((section(\".ROM_D0\")))static const uint64_t Key_Flash[1

2025-03-10 07:13:42

[上手體驗]雷龍SD NAND:比TF卡更小更耐用

，是焊接在PCB板上、針對工業(yè)級應(yīng)用的產(chǎn)品。我手上的這款樣品型號是CSNP32GCR01-BOW，用的是MLC顆粒，擦寫壽命在一千到三千次。它還集成提供標(biāo)準(zhǔn)的SDIO接口，從官方給出的參考原理圖

2025-03-08 14:28:11

嵌入式系統(tǒng)存儲的軟件優(yōu)化策略

、QLC。嵌入式常用類型低存儲容量一般為SLC和MLC，高存儲容量一般是TLC。 SLC (Single-Level Cell) 速度快，壽命長，價格貴，理論擦寫次數(shù)在10萬次左右。 MLC

2025-02-28 14:17:24

電解電容的壽命計算與溫度的關(guān)系

電解電容的壽命與其內(nèi)部溫度密切相關(guān)，這種關(guān)系可以通過特定的壽命計算公式來描述。以下是對電解電容壽命計算與溫度關(guān)系的詳細分析：一、壽命計算公式電解電容的壽命計算通常基于阿列紐斯方程

2025-02-26 14:13:51

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為什么企業(yè)MES系統(tǒng)使用壽命不長，常需要替換？

在當(dāng)今競爭激烈的制造業(yè)環(huán)境中，制造執(zhí)行系統(tǒng)（MES）已成為企業(yè)提升生產(chǎn)效率、優(yōu)化管理流程的關(guān)鍵工具。然而，一個不容忽視的行業(yè)痛點是，眾多企業(yè)的 MES 系統(tǒng)更新?lián)Q代頻繁，使用壽命遠低于預(yù)期，這

2025-02-24 11:29:25

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谷歌 Gemini 2.0 Flash 系列 AI 模型上新

谷歌旗下 AI 大模型 Gemini 系列全面上新，正式版 Gemini 2.0 Flash、Gemini 2.0 Flash-Lite 以及新一代旗艦大模型 Gemini 2.0 Pro 實驗

2025-02-07 15:07:09

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NX CAD軟件：數(shù)字化工作流程解決方案(CAD工作流程)

NXCAD——數(shù)字化工作流程解決方案(CAD工作流程)使用西門子領(lǐng)先的產(chǎn)品設(shè)計軟件NXCAD加速執(zhí)行基于工作流程的解決方案。我們在了解行業(yè)需求方面累積了多年的經(jīng)驗，并據(jù)此針對各個行業(yè)的具體需求提供

2025-02-06 18:15:02

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低功耗設(shè)計！手寫板擦寫專用芯片納祥科技NX701G，小型封裝省外圍

納祥科技NX701G是一款通用的手寫板擦寫自動控制芯片，它采用3V紐扣電池或者兩節(jié)或者三節(jié)普通千電池供電，自帶升壓電路，并每次自動產(chǎn)生1個極性相反的高壓擦寫脈沖，以達到一次性對手寫板進行擦寫的目的。

2025-02-05 17:22:56

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影響電解電容壽命的因素有哪些

引言電解電容廣泛應(yīng)用在電力電子的不同領(lǐng)域，主要是用于平滑、儲存能量或者交流電壓整流后的濾波，另外還用于非精密的時序延時等。在開關(guān)電源的MTBF預(yù)計時，模型分析結(jié)果表明電解電容是影響開關(guān)電源壽命

2025-01-28 15:47:00

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NAND Flash廠商2025年重啟減產(chǎn)策略

根據(jù)知名研調(diào)機構(gòu)集邦（TrendForce）最新發(fā)布的研究報告，NAND Flash產(chǎn)業(yè)預(yù)計在2025年將持續(xù)面臨需求疲弱與供給過剩的雙重嚴峻挑戰(zhàn)。這一趨勢迫使NAND Flash的主要供應(yīng)商們采取積極措施以應(yīng)對市場變化。

2025-01-24 14:20:52

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