在計算機(jī)和電子設(shè)備中,存儲器扮演著數(shù)據(jù)臨時存放與快速交換的關(guān)鍵角色。其中,DDR SDRAM(雙數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)已成為現(xiàn)代內(nèi)存的主流技術(shù)之一。它不僅在速度上顯著超越前代產(chǎn)品,更憑借其高效傳輸機(jī)制,廣泛應(yīng)用于電腦、服務(wù)器、移動設(shè)備及各類嵌入式系統(tǒng)中。
2025-12-08 15:20:44
293 靜態(tài)電容與動態(tài)電容
C0與C1 的區(qū)別是什么呢?
2025-11-21 15:38:24
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TPS650061RUKR進(jìn)行電源設(shè)計。電源輸出1.2v,1.8v,3.3v均正常。
由于板子未掛載SDRAM或DDR,將程序的下載地址改為L2RAM(0x11800000)位置也沒辦法正確load,并通過JTAG調(diào)試
2025-11-19 19:53:00
DRAM利用電容存儲數(shù)據(jù),由于電容存在漏電現(xiàn)象,必須通過周期性刷新來維持?jǐn)?shù)據(jù)。此外,DRAM采用行列地址復(fù)用設(shè)計,提高了存儲密度,但增加了控制復(fù)雜性。它廣泛用于大容量、低成本存儲場景,如計算機(jī)內(nèi)存。
2025-11-18 11:49:00
477 SSH與Xshell在網(wǎng)絡(luò)安全與遠(yuǎn)程管理領(lǐng)域緊密關(guān)聯(lián)但分工不同,以下是具體介紹:
一、本質(zhì)區(qū)別
SSH:是一種基于加密技術(shù)的網(wǎng)絡(luò)安全協(xié)議。其核心目標(biāo)是解決傳統(tǒng)明文協(xié)議的安全缺陷。SSH協(xié)議本身不提
2025-11-07 06:40:43
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DDR3 SDRAM參考設(shè)計手冊.pdf》資料免費下載
2025-11-05 17:04:01
4 在有些情況下,我們想要把代碼放到SDRAM運行。下面介紹在APM32的MCU中,如何把代碼重定位到SDRAM運行。對于不同APM32系列的MCU,方法都是一樣的。
2025-11-04 09:14:18
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工業(yè)級UPS和商用UPS的本質(zhì)區(qū)別在于它們的設(shè)計哲學(xué)和目標(biāo)應(yīng)用場景。我們可以將商用UPS理解為“常規(guī)部隊”,負(fù)責(zé)在清潔、安全的環(huán)境中保護(hù)關(guān)鍵設(shè)備;而工業(yè)級UPS則是“特種部隊”,專為攻克極端惡劣環(huán)境
2025-11-03 09:52:27
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SD-WAN和傳統(tǒng)專線的問題,所以本篇內(nèi)容從六個方面為大家詳細(xì)介紹SD-WAN和傳統(tǒng)專線兩者之間的區(qū)別。 一、SD-WAN和傳統(tǒng)專線的定義 SD-WAN是基于軟件定義的廣域網(wǎng)解決方案,核心通過集中控制整合寬帶、5G、專線等多鏈路并動態(tài)調(diào)度。它就像一位智能
2025-10-27 16:40:40
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DDR控制協(xié)議
DDR3讀寫控制器主要用于生成片外存儲器DDR3 SDRAM進(jìn)行讀寫操作所需要的時序,繼而實現(xiàn)對片外存儲器的讀寫訪問。由攝像頭采集得到的圖像數(shù)據(jù)通常數(shù)據(jù)量較大,使用片內(nèi)存儲資源
2025-10-21 14:30:16
DDR3讀寫控制器主要用于生成片外存儲器DDR3 SDRAM進(jìn)行讀寫操作所需要的時序,繼而實現(xiàn)對片外存儲器的讀寫訪問。由攝像頭采集得到的圖像數(shù)據(jù)通常數(shù)據(jù)量較大,使用片內(nèi)存儲資源難以實現(xiàn)大量圖像數(shù)據(jù)
2025-10-21 10:40:28
DDR3讀寫控制器主要用于生成片外存儲器DDR3 SDRAM進(jìn)行讀寫操作所需要的時序,繼而實現(xiàn)對片外存儲器的讀寫訪問。由攝像頭采集得到的圖像數(shù)據(jù)通常數(shù)據(jù)量較大,使用片內(nèi)存儲資源難以實現(xiàn)大量圖像數(shù)據(jù)
2025-10-21 08:43:39
1.靜態(tài)鏈接靜態(tài)鏈接通過靜態(tài)庫進(jìn)行鏈接,生成的目標(biāo)程序中包含運行需要的所有庫,可以直接運行,不過就是文件比較大。靜態(tài)庫是匯編產(chǎn)生的.o文件的集合,一般以.a文件形式出現(xiàn)。gcc在使用靜態(tài)鏈接的時候
2025-10-17 09:07:30
舵機(jī)與伺服電機(jī)都屬于 可精確控制的驅(qū)動裝置 ,但二者在定義范圍、結(jié)構(gòu)組成、控制方式和應(yīng)用場景上存在顯著差異,并非完全等同(舵機(jī)是伺服電機(jī)的 “特殊子集”)。以下從核心維度展開對比,幫助清晰區(qū)分: 一
2025-10-13 10:21:07
1165 keil+Env怎么把很大的數(shù)組定義到SDRAM中?
RTT自帶的SDRAM程序運行正常,能夠申請里面的空間。
但是沒有辦法把很大的數(shù)組——ltdc_lcd_framebuf[1280][800]
定義到SDRAM中,一運行就出錯,請問各位大佬怎么解決???
2025-10-11 16:10:01
GD32F103C8T6
硬件SPI連接移位寄存器74HC595級聯(lián),動態(tài)掃描顯示五位數(shù)碼管
是否需要電平轉(zhuǎn)換芯片TXB0104
數(shù)碼管選擇共陰極和共陽極區(qū)別是什么
若使用TXB0104,TXB0104的OE腳在代碼書寫時是否需要軟件控制高低電平變化
2025-10-07 20:36:11
、防護(hù)措施五個維度展開對比,明確二者差異: 一、核心定義:時間尺度是根本分界 暫態(tài)與瞬態(tài)的本質(zhì)區(qū)別在于 過電壓的持續(xù)時間 (從電壓偏離
2025-09-25 16:32:27
1407 RT-Thread Nano 移植后動態(tài)創(chuàng)建線程創(chuàng)建不了,靜態(tài)可以.直接燒錄DEMO也一樣,將RT_USING_HEAP開起來,使用動態(tài)創(chuàng)建就創(chuàng)建不起來,RT_USING_HEAP關(guān)掉后,靜態(tài)創(chuàng)建可以。想用動態(tài)創(chuàng)建應(yīng)該怎么做
2025-09-19 06:28:47
多達(dá) 36 個 SDRAM 負(fù)載。
除芯片選擇柵極使能 (CSGEN)、控制 (C) 和復(fù)位 (RESET) 輸入外,所有輸入均SSTL_18。 它們是 LVCMOS。所有輸出都是邊沿控制電路,針對未端接的DIMM負(fù)載進(jìn)行了優(yōu)化,符合SSTL_18規(guī)格,但漏極開路誤差(QERR)輸出除外。
2025-09-18 18:10:54
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來驅(qū)動多達(dá) 36 個堆疊的 SDRAM 負(fù)載。
除芯片選擇柵極使能 (CSGEN)、控制 (C) 和復(fù)位 (RESET) 輸入外,所有輸入均SSTL_18。 它們是 LVCMOS。所有輸出都是
2025-09-18 17:02:13
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這款 25 位 1:1 或 14 位 1:2 可配置寄存器緩沖器設(shè)計用于 1.7V 至 1.9V VCC 工作。在 1:1引腳配置,每個DIMM只需要一個器件即可驅(qū)動9個SDRAM負(fù)載。在 1:2 引腳排列中 配置中,每個 DIMM 需要兩個設(shè)備來驅(qū)動 18 個 SDRAM 負(fù)載。
2025-09-18 16:52:01
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裸機(jī)以及RTT初始化是可以正常讀寫的,但在線程中,用了rt_thread_mdelay,SDRAM內(nèi)的數(shù)據(jù)會被清理,數(shù)據(jù)丟失,也無法讀寫了,調(diào)試發(fā)現(xiàn)是rt_schedule導(dǎo)致的,請問這個該問題如何解決?
2025-09-18 07:53:44
這款 25 位 1:1 或 14 位 1:2 可配置寄存器緩沖器設(shè)計用于 1.425V 至 1.9V VCC 工作。在 1:1 引腳配置中,每個 DIMM 只需要一個器件即可驅(qū)動 9 個 SDRAM 負(fù)載。在 1:2 引腳配置中,每個 DIMM 需要兩個器件來驅(qū)動 18 個 SDRAM 負(fù)載。
2025-09-17 14:19:28
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掛載sramfs文件系統(tǒng)到外掛sdram ,掛載時返回錯誤碼為-1。求大神指點。謝謝各位大佬。
2025-09-16 06:41:18
負(fù)載。在 1:2 引腳配置中,每個 DIMM 需要兩個器件來驅(qū)動 18 個 SDRAM 負(fù)載。
所有輸入均SSTL_18,但復(fù)位 (RESET) 和控制 (Cn) 輸入除外,它們是 LVCMOS。所有輸出均為邊沿控制電路,針對未端接的DIMM負(fù)載進(jìn)行了優(yōu)化,并符合SSTL_18規(guī)格。
2025-09-12 09:31:36
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有沒有大佬,可以說一下為什么靜態(tài)線程可以正常使用,動態(tài)線程怎么也使用不了。 具體需要什么配置才能使用動態(tài)線程創(chuàng)建。謝謝!
2025-09-11 06:01:56
是否可以對 EBI 進(jìn)行 DMA?我有從 USB 到 SDRAM 的 DMA 工作,但是當(dāng)我將 DMA 目標(biāo)地址更改為 EBI(60000000 美元)時,我沒有收到任何外部總線活動。如果我將 DMA 到 SDRAM 中的臨時緩沖區(qū),然后將 CPU 復(fù)制到 EBI,它會按預(yù)期工作。
2025-08-29 07:05:06
前兩天有一個客戶問我,電機(jī)的極數(shù)是什么意思,不同極數(shù)的區(qū)別是什么,雖然我是做無刷驅(qū)動方案的,但是這方面我也可以給大家科普一下。首先,電機(jī)的極數(shù)指的是電機(jī)中磁極或繞組的數(shù)目。常見的電機(jī)極數(shù)有2極、4極
2025-08-22 18:07:13
8783 
有沒有大佬,可以說一下為什么靜態(tài)線程可以正常使用,動態(tài)線程怎么也使用不了。 具體需要什么配置才能使用動態(tài)線程創(chuàng)建。謝謝!
2025-08-22 06:19:10
兩個總線能不能同時使用,用了華邦的SDRAM發(fā)現(xiàn)SDRAM數(shù)據(jù)高概率讀寫錯誤,但是用ISSI的沒問題。如果不對外部SRAM讀寫就正常。
2025-08-12 06:56:57
主要的功率半導(dǎo)體器件特性分為靜態(tài)特性、動態(tài)特性、開關(guān)特性。這些測試中最基本的測試就是靜態(tài)參數(shù)測試。靜態(tài)參數(shù)主要是指本身固有的,與其工作條件無關(guān)的相關(guān)參數(shù)。主要包括:柵極開啟電壓、柵極擊穿電壓、源極漏
2025-08-05 16:06:15
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串行通信和并行通信是數(shù)據(jù)傳輸?shù)膬煞N基本方式,它們在數(shù)據(jù)傳輸方式、線路設(shè)計、傳輸效率、應(yīng)用場景等方面存在顯著差異。以下是兩者的詳細(xì)對比: 一、數(shù)據(jù)傳輸方式 串行通信 : 逐位傳輸 :數(shù)據(jù)按位順序
2025-07-22 10:55:33
2221 最近看到最新的芯片里面用到的DMA模塊寫的是GPDMA,好像通道多了不少,這只是最直觀的,還有哪些區(qū)別?看著還必須到GPDMA模塊去配置,不能在其他模塊直接配置了
2025-07-22 07:19:01
一般我們開發(fā)MCU自帶的SRAM,對一般應(yīng)用來說,已經(jīng)夠用了,但是對于內(nèi)存需求較高的場合,比如跑GUI或者算法等,自帶的內(nèi)存會就不夠用,這個時候就要外擴(kuò)SRAM或SDRAM。
2025-07-15 09:33:09
1781 
設(shè)計的效率與穩(wěn)定性。本文將詳細(xì)分析MOSFET與IGBT的選擇對比,特別是在中低壓功率系統(tǒng)中的權(quán)衡。一、MOSFET與IGBT的基本原理MOSFET工作原理:MO
2025-07-07 10:23:19
2439 
能不能詳細(xì)列出89829/和89829sipthistwothers的區(qū)別?謝謝謝謝。
2025-07-07 06:21:49
電容器和電阻器是電子電路中兩種基礎(chǔ)且重要的元件,它們在功能、工作原理和應(yīng)用場景上有顯著區(qū)別。以下是詳細(xì)對比: 一、電容器(Capacitor) 1. 定義與結(jié)構(gòu) 電容器是一種能夠存儲電荷的元件,由
2025-07-03 09:47:01
3372 對于卡片只有一種,但是API12中分為靜態(tài)和動態(tài)兩種類型的卡片
靜態(tài)卡片就是類似于一張“圖片”,只是對信息的展示,沒有交互功能(可以做頁面入口),動態(tài)卡片除了展示以外,還可以進(jìn)行一些交互
??
四
2025-06-29 22:47:05
1、同步電路和異步電路的區(qū)別是什么?
同步電路:存儲電路中所有觸發(fā)器的時鐘輸入端都接同一個時鐘脈沖源,因而所有觸發(fā)器的狀態(tài)的變化都與所加的時鐘脈沖信號同步。
異步電路:電路沒有統(tǒng)一的時鐘,有些觸發(fā)器
2025-06-27 15:05:18
圖像采集卡和視頻采集卡的核心區(qū)別在于它們的設(shè)計目標(biāo)、處理對象和典型應(yīng)用場景。盡管名稱相似,且有時功能會有重疊(尤其是高端設(shè)備),但它們側(cè)重點不同:以下是主要區(qū)別:1.處理對象與目標(biāo)圖像采集卡:主要目
2025-06-27 14:42:10
762 
PS C:\Users\Administrator> wsl --set-default-version 2
>>
有關(guān)與 WSL 2 的主要區(qū)別的信息,請訪問 https://aka.ms/wsl2
2025-06-27 10:25:45
1829 的本質(zhì)協(xié)議是一致的,但其配置方式、路由來源和使用場景存在明顯區(qū)別。一、靜態(tài) BGP 與 動態(tài) BGP 的區(qū)別概覽[td]項目靜態(tài) BGP動態(tài) BGP
鄰居配置方式必須手動指定對端 IP 和 AS 號
2025-06-24 06:57:59
光纜OFNP與OFNR的區(qū)別主要體現(xiàn)在防火性能、應(yīng)用場景、材料特性等方面,以下是詳細(xì)對比: 防火性能 OFNP:是等級最高的光纜防火標(biāo)識。在光纜上使用風(fēng)扇強(qiáng)制吹向火焰時,電纜將在火焰蔓延5米以內(nèi)自行
2025-06-23 09:57:29
883 并非一成不變時,動態(tài)路徑規(guī)劃能力就顯得至關(guān)重要。本文將深入探討幾種主流的動態(tài)路徑規(guī)劃算法(如A、Dijkstra、RRT等),并解析它們如何在AGV行業(yè)中大顯身手。 為何需要動態(tài)路徑規(guī)劃? 1.簡介 傳統(tǒng)的靜態(tài)路徑規(guī)劃假設(shè)環(huán)境是完全已知的
2025-06-17 15:54:40
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和 JFET 的高效結(jié)構(gòu),可實現(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻和更佳的熱性能,非常適合需要多個器件并聯(lián)以高效管理大電流負(fù)載的應(yīng)用場景。第一部分介紹了SiC Combo JFET 技術(shù)概覽、產(chǎn)品介紹等(點擊文字可看)。本文將繼續(xù)講解靜態(tài)特性、動態(tài)特性、功率循環(huán)等。
2025-06-16 16:40:05
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RT-Thread Nano移植后動態(tài)創(chuàng)建線程創(chuàng)建不了,靜態(tài)可以.直接燒錄DEMO也一樣,將RT_USING_HEAP開起來,使用動態(tài)創(chuàng)建就創(chuàng)建不起來,RT_USING_HEAP關(guān)掉后,靜態(tài)創(chuàng)建可以。想用動態(tài)創(chuàng)建應(yīng)該怎么做
2025-06-11 06:36:05
ADC電路主要存在靜態(tài)仿真和動態(tài)仿真兩類仿真,針對兩種不同的仿真,我們存在不同的輸入信號和不同的數(shù)據(jù)采樣,因此靜態(tài)仿真和動態(tài)仿真是完全不同的兩個概念,所以設(shè)置的參數(shù)不同。
2025-06-05 10:19:54
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本文分三部分,詳細(xì)的描述了電感的定義、磁珠的定義以及對比了磁珠與電感的區(qū)別,通過舉例方式詳細(xì)說明了磁珠的應(yīng)用場合和使用方法
2025-05-29 15:50:40
當(dāng)你為樹莓派設(shè)置靜態(tài)IP地址時,實際上是為它分配了一個固定地址,該地址不會改變,而動態(tài)IP地址則會在設(shè)備每次連接到網(wǎng)絡(luò)時發(fā)生變化。在樹莓派上設(shè)置靜態(tài)IP地址有諸多好處:穩(wěn)定訪問使用靜態(tài)IP地址后,你
2025-05-25 08:32:07
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VGA和DP是兩種常見的顯示接口,它們在設(shè)計、性能和應(yīng)用方面有顯著區(qū)別。
2025-05-14 16:36:47
2627 IGBT(?Insulated Gate Bipolar Transistor?,絕緣柵雙極型晶體管)是一種復(fù)合型功率半導(dǎo)體器件,由?雙極型三極管(BJT)?和?金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)?結(jié)合而成。其核心價值在于兼具M(jìn)OSFET的高輸入阻抗(驅(qū)動功率?。┡cBJT的低導(dǎo)通壓降特性,實現(xiàn)了電能高效轉(zhuǎn)換與精準(zhǔn)控制。 ?核心特性? ?結(jié)構(gòu)特性? 采用?PNPN垂直疊層結(jié)構(gòu)?,包含發(fā)射區(qū)(P+)、集電區(qū)(N-)、漂移區(qū)(N+)和柵極區(qū)(P)。 電流流動方向垂直于晶片表面,有助于提
2025-05-14 14:45:54
2652 在遠(yuǎn)程訪問、企業(yè)組網(wǎng)等場景中,內(nèi)網(wǎng)穿透和公網(wǎng)IP是兩種常見的解決方案,但它們的原理、成本和使用方式截然不同。 以下圖片是兩者的關(guān)鍵對比: 1. 本質(zhì)區(qū)別 2. 工作原理對比 (1)公網(wǎng)IP方案
2025-05-14 14:18:11
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在網(wǎng)絡(luò)安全、數(shù)據(jù)采集、跨境電商等數(shù)字技術(shù)領(lǐng)域,IP資源的選擇直接影響業(yè)務(wù)運行效果。本文針對技術(shù)開發(fā)者與行業(yè)用戶關(guān)注的動態(tài)住宅IP特性,對比傳統(tǒng)數(shù)據(jù)中心IP的差異表現(xiàn),解析其在真實業(yè)務(wù)場景中的技術(shù)優(yōu)勢與應(yīng)用價值。
2025-04-24 15:34:27
517 單端信號與差分信號的主要區(qū)別在于信號傳輸方式、抗干擾能力、適用場景等方面。
?單端信號?:適用于短距離、低速、低成本的傳輸場景,如音頻、視頻信號傳輸?。
?差分信號?:適用于長距離、高速、高精度的傳輸場景,如高速數(shù)據(jù)總線、長距離通信等,特別是在電磁環(huán)境復(fù)雜的場合表現(xiàn)更佳?。
2025-04-15 16:23:55
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The issue was i need to run data from external SDRAM memory instead of using internal RAM(DTCM). I
2025-04-14 12:21:59
Hi,大家好,我最近要設(shè)計hpm6e80 ivm1帶sdram的電路,我參考了官方的評估板,發(fā)現(xiàn)hpm6e80 sdram引腳編號與外掛SDRAM芯片沒有對應(yīng)上(DQ引腳沒有對應(yīng)上),PPI子模
2025-04-12 18:37:09
DDR3 SDRAM(Double-Data-Rate ThreeSynchronous Dynamic Random Access Memory)是DDR SDRAM的第三代產(chǎn)品,相較于DDR2,DDR3有更高的運行性能與更低的電壓。
2025-04-10 09:42:53
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我目前正在探索NXP_MBDToolbox_LAX。lax_codegen 生成的代碼基于靜態(tài)分配。我想管理大型向量,如何使用 LAX_CODEGEN 啟用動態(tài)內(nèi)存分配?
2025-04-10 08:09:23
使用的sdram型號是IS42S16160 32mb的是正常的但是更改到IS4216400 8mb的sdram后不能使用,請問1052支持嗎?需要修改哪些配置,請大神講解一下
2025-04-08 19:40:06
的電池供電應(yīng)用。降壓穩(wěn)壓器將高輕載效率擴(kuò)展至低至 20μA,進(jìn)一步延長了電池壽命。降壓穩(wěn)壓器中的動態(tài)電壓控制(DVC)可促進(jìn)系統(tǒng)電源模式的優(yōu)化,從而進(jìn)一步提高系統(tǒng)效率和電池壽命。 *附件:DA9233高效、超低靜態(tài)電流降壓穩(wěn)壓器和超低靜態(tài)電流 LDO數(shù)據(jù)手冊.pdf 低靜態(tài)電流
2025-04-08 18:07:24
673 
BLDC無刷電機(jī)和DD電機(jī)都是在電機(jī)領(lǐng)域中常見的技術(shù),它們在提高電機(jī)效率、降低功耗和噪音方面都有優(yōu)勢。但是兩者還是有著很大的區(qū)別,下面就讓我們來詳細(xì)了解它們的區(qū)別。
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2025-04-08 16:49:33
RT1176 與 DDR SDRAM 兼容嗎?
2025-04-04 06:09:26
藍(lán)牙5.4與藍(lán)牙6.0的核心區(qū)別及技術(shù)特性對比
2025-04-02 15:55:52
63281 
信號線和光纖線是兩種完全不同的傳輸介質(zhì),它們在傳輸原理、結(jié)構(gòu)特性、性能表現(xiàn)及應(yīng)用場景上均有顯著差異。以下從五個核心維度為您詳細(xì)對比: 1、傳輸原理: 信號線:通過電信號傳輸信息,可以傳輸模擬信號和數(shù)
2025-03-25 10:09:38
1385 我想知道 HSE 子系統(tǒng) HSE_H、HSE_M 和 HSE_B 之間有什么區(qū)別?
區(qū)別是它們在哪個板上運行,還是也存在功能差異?
2025-03-20 07:37:57
Signal Tap Logic Analyzer是Intel Quartus Prime設(shè)計軟件中自帶的新一代系統(tǒng)級調(diào)試工具,它可以在FPGA設(shè)計中采集和顯示實時的信號行為。當(dāng)設(shè)計在FPGA上全速運行時,無需額外的I/O引腳即可檢查正常器件操作期間內(nèi)部信號的行為。
2025-03-19 17:29:02
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邊沿檢測經(jīng)常用于按鍵輸入檢測電路中,按鍵按下時輸入信號 key 變?yōu)榈碗娖?,按鍵抬起變?yōu)楦唠娖?。?dāng)輸入的信號為理想的高低電平時(不考慮毛刺和抖動),邊沿檢測就發(fā)揮了很重要的作用。
2025-03-19 11:47:15
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STM32H750XBH6TR主芯片,當(dāng)SDRAM頻率設(shè)置為100MHz的時候,F(xiàn)MC_SDCLK和FMC_SDNWE延遲不符合標(biāo)準(zhǔn),延遲偏大,造成100MHz SDRAM異常,這個延遲有辦法調(diào)整
2025-03-14 15:15:19
SDRAM和NAND都使能了,都能正常工作,但是讀取Nand數(shù)據(jù)然后存放到SDRAM中,發(fā)現(xiàn)SDRAM中的數(shù)據(jù)是錯誤的。但是將數(shù)據(jù)存到內(nèi)部的IRAM中數(shù)據(jù)是正確的。請問NAND跟SDRAM不能同時訪問么?該問題同時存在于STM32F767跟STM32H743中。請幫忙解答,謝謝!
2025-03-11 08:13:19
GPIO的控制等等。只有熟悉了這一個個的模塊,才能讓系統(tǒng)正常的轉(zhuǎn)起來。 研究SDRAM也是一樣,首先看看電源系統(tǒng)部分。 ? ? ? ? ? ?? DDR的電源 ? 主電源VDD和VDDQ,主電源的要求是VDDQ=VDD,VDDQ是給IO buffer供電的電源,VDD是給但是一般
2025-03-04 14:44:46
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前言 SDRAM控制器里面包含5個主要的模塊,分別是PLL模塊,異步FIFO 寫模塊,異步FIFO讀模塊,SDRAM接口控制模塊,SDRAM指令執(zhí)行模塊。 其中異步FIFO模塊解讀
2025-03-04 10:49:01
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的性能區(qū)別是什么呢?接下來德索精密工業(yè)工程師為大家科普一下SMA,3.5mm,2.92mm 連接器的性能區(qū)別是什么。
2025-03-01 09:12:52
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DLP 4500NIR he DLP 4500的區(qū)別是不是只是光學(xué)窗口的鍍膜不一樣?其它型號的DMD是不是只要更換成就近紅外波段的光學(xué)窗口就能能用于近紅外波段?更換光學(xué)窗口麻煩嗎,有沒有做這方面的廠家?
2025-02-27 06:18:07
為了加深讀者對 FPGA 端控制架構(gòu)的印象,在數(shù)據(jù)讀取的控制部分,首先我們可以將SDRAM 想作是一個自來水廠,清水得先送至用戶樓上的水塔中存放,在家里轉(zhuǎn)開水龍頭要用水時,才能及時供應(yīng),相同
2025-02-26 15:27:09
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SiC SBD具有高耐壓、快恢復(fù)速度、低損耗和低漏電流等優(yōu)點,可降低電力電子系統(tǒng)的損耗并顯著提高效率。適合高頻電源、新能源發(fā)電及新能源汽車等多種應(yīng)用,本文介紹SiC SBD的靜態(tài)特性和動態(tài)特性。
2025-02-26 15:07:38
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command.v文件對應(yīng)圖中SDRAM指令執(zhí)行模塊,它會從SDRAM接口控制模塊接收指令,然后產(chǎn)生控制信號直接輸出到SDRAM器件來完成所接收指令的動作。
2025-02-25 10:32:12
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請問DLP2000和DLP2010區(qū)別是什么?用途有何不同?
DLP2000EVM板能否驅(qū)動DLP2010的DLP芯片?
2025-02-25 08:11:23
焊盤(Pad)和過孔(Via)在電子制造和PCB(印刷電路板)設(shè)計中扮演著不同的角色,它們之間的主要區(qū)別體現(xiàn)在定義、原理、作用以及設(shè)計細(xì)節(jié)上。以下是對這兩者的詳細(xì)比較:
2025-02-21 09:04:42
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我們都知道,Display模式一般用于投影顯示,Light Control 模式用來做3D打印或3D掃描。但是為什么會有這兩種模式的區(qū)分?Display模式用于3D打印或3D掃描可行嗎?在DMD微鏡的控制上的本質(zhì)區(qū)別是什么?
謝謝!
2025-02-20 07:38:40
特點DDR3L SDRAM(1.35V)是DDR3(1.5V)SDRAM。請參閱DDR3(1.5 V)SDRAM磨合時(模具版本:E)數(shù)據(jù)表規(guī)格1.5V兼容模式。特征?VDD=VDDQ=1.35V
2025-02-19 16:19:23
;MTA9ASF1G72AZ-3G2R1是一款高性能的DDR3 SDRAM內(nèi)存模塊,專為滿足現(xiàn)代計算需求而設(shè)計。該產(chǎn)品以其高帶寬和低功耗的特性,廣泛應(yīng)用于個人電腦、服務(wù)器和嵌入式系統(tǒng)中,成為市場上備
2025-02-10 20:10:39
三相負(fù)載箱與單相負(fù)載箱在電力系統(tǒng)中扮演著不同的角色,它們各自具有獨特的優(yōu)勢和適用場景。以下是對這兩種負(fù)載箱的區(qū)別與優(yōu)勢對比:
區(qū)別
工作原理:
三相負(fù)載箱:基于三相電源的供電原理,由三個單相電源組成
2025-02-08 13:00:55
初學(xué)者要了解SDRAM需要先了解存儲器分類。按照存儲器的存儲功能劃分,可將其分為RAM 和 ROM 兩大類。
2025-02-08 11:24:51
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按鍵KEY1觸發(fā)寫,將計數(shù)器產(chǎn)生的0到255的數(shù)據(jù)寫到FIFO寫模塊里面,繼而寫到SDRAM 器件里面。
2025-02-07 09:33:41
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半導(dǎo)體激光器和光纖激光器是現(xiàn)代激光技術(shù)中的兩種重要類型,它們在結(jié)構(gòu)、工作原理、性能及應(yīng)用領(lǐng)域等方面有著顯著的區(qū)別。本文將從增益介質(zhì)、發(fā)光機(jī)理、散熱性能、輸出特性及應(yīng)用領(lǐng)域等多個方面,對這兩種激光器進(jìn)行詳細(xì)的對比分析。
2025-02-03 14:18:00
2576 在保障各類設(shè)施安全穩(wěn)定運行的過程中,抗震與防震是兩個重要概念,它們相輔相成,卻又有著明顯區(qū)別。尤其在如半導(dǎo)體制造潔凈車間這類對環(huán)境穩(wěn)定性要求極高的場景下,深入理解兩者差異至關(guān)重要。
2025-01-23 14:41:53
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在現(xiàn)代工業(yè)自動化和過程控制中,傳感器和變送器是兩種不可或缺的組件。它們在監(jiān)測和控制各種工業(yè)參數(shù)方面發(fā)揮著重要作用。盡管它們在某些應(yīng)用中可以互換使用,但它們在設(shè)計、功能和應(yīng)用上存在明顯的區(qū)別。 1.
2025-01-15 09:52:43
2424 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-178:ADSP-TS101S TigerSHARC片上SDRAM控制器.pdf》資料免費下載
2025-01-14 15:00:14
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請教:ads1258 IRTCR和IRTCT的區(qū)別在哪?手冊里沒看明白,TCR和TCRG4的區(qū)別應(yīng)該是有鉛和無鉛。多謝
2025-01-10 10:23:08
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-326: Blackfin處理器與SDRAM技術(shù).pdf》資料免費下載
2025-01-07 14:38:14
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-286:SDRAM存儲器與SHARC處理器的接口.pdf》資料免費下載
2025-01-06 15:47:01
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-127:ADSP-21065L片內(nèi)SDRAM控制器.pdf》資料免費下載
2025-01-06 15:45:00
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