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量子霍爾效應(yīng)(QHE)的界面耦合誘導(dǎo)與雙柵調(diào)控:石墨烯-CrOCl異質(zhì)結(jié)的機制研究

蘇州埃利測量儀器有限公司 ? 2025-09-29 13:46 ? 次閱讀
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量子霍爾效應(yīng)(QHE)作為凝聚態(tài)物理中的經(jīng)典現(xiàn)象,其拓撲保護的邊緣態(tài)在精密測量和量子計算中具有重要價值。近年來,石墨烯因其獨特的狄拉克錐能帶結(jié)構(gòu)成為研究QHE的理想平臺。然而,界面耦合對QHE的調(diào)控機制仍存在諸多未解之謎。本研究通過構(gòu)建石墨烯與反鐵磁絕緣體CrOCl的異質(zhì)結(jié),并基于ECOPIA霍爾效應(yīng)測試儀HMS-3000高精度電學(xué)表征系統(tǒng),首次觀測到一種全新的量子霍爾相。9c0701e8-9cf7-11f0-8ce9-92fbcf53809c.png

石墨烯-CrOCl異質(zhì)結(jié)的獨特性質(zhì)

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圖1 CrOCl支撐石墨烯的表征

研究采用干法轉(zhuǎn)移技術(shù)制備了h-BN/石墨烯/CrOCl異質(zhì)結(jié)構(gòu)(圖1c-d)。電學(xué)表征發(fā)現(xiàn),與傳統(tǒng)h-BN封裝石墨烯相比(圖1a藍色曲線),CrOCl接觸導(dǎo)致石墨烯的狄拉克峰完全消失(紅色曲線),表明界面耦合顯著改變了電子結(jié)構(gòu)。雙柵極掃描進一步揭示了三種不同的摻雜區(qū)域(圖1e):空穴摻雜、電子摻雜以及強界面耦合(SIC)相。9c0701e8-9cf7-11f0-8ce9-92fbcf53809c.png

新型量子霍爾相的發(fā)現(xiàn)

/Xfilm


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圖2 量子霍爾(QH)區(qū)間的柵極可調(diào)SIC效應(yīng)

通過系統(tǒng)的低溫強磁場輸運測量,研究揭示了石墨烯-CrOCl異質(zhì)結(jié)中兩種截然不同的量子霍爾相。在14 T磁場和3 K條件下,空穴摻雜側(cè)(n???= -3.8×1012 cm?2)表現(xiàn)出典型的傳統(tǒng)QHE特征(圖2a):清晰的朗道能級扇形分布,橫向電阻R??呈現(xiàn)ν=-2,-6,-10等完整的量子化平臺序列,且有效位移場D???對朗道能級影響微弱,完美符合單層石墨烯狄拉克費米子的預(yù)期行為。而在電子摻雜側(cè)(n??? = +1.8×1012 cm?2),量子霍爾行為展現(xiàn)出革命性的變化(圖2c)。朗道能級分布從扇形突變?yōu)榧壜?lián)狀,ν=±2平臺占據(jù)主導(dǎo)地位,其量子化區(qū)域可擴展至D???變化超過2V/nm的寬范圍。特別值得注意的是,在D???=0.35 V/nm時(圖2e-f),電子側(cè)的ν=-2平臺持續(xù)占據(jù)整個摻雜范圍,與空穴側(cè)完整的朗道能級分裂形成鮮明對比。9c0701e8-9cf7-11f0-8ce9-92fbcf53809c.png

界面電荷轉(zhuǎn)移效應(yīng)

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圖3 石墨烯-CrOCl異質(zhì)結(jié)中SIC-QHE相的特征

深入研究SIC-QHE相的微觀特性(圖3)發(fā)現(xiàn),在重新標定的δD(=D-D???????)參數(shù)空間中,ν=±2量子化平臺可延伸至B≈100 mT的超低磁場(圖3a-b)。當δD=-0.08 V/nm時(圖3c),R??=±0.5h/e2的量子化精度高達99%以上,R??在平臺處接近零值,且正反磁場掃描完全重合,排除了量子反?;魻栃?yīng)的可能性。溫度依賴性研究(圖3c插圖)更顯示出該體系的卓越穩(wěn)定性。在δD=-0.15 V/nm條件下,器件S40的量子化特征可保持至80 K,僅需350 mT的臨界磁場,這一溫度遠高于CrOCl的尼爾溫度(13 K),確證了其非磁性的物理起源。通過分析B=-1T時的R??峰位(圖3d紅點),發(fā)現(xiàn)δD與√N呈現(xiàn)完美的線性關(guān)系(圖3e),符合δD=α√B|N|(α=0.513)的拋物線擬合(圖3f)。這一關(guān)鍵結(jié)果表明,位移場可直接調(diào)控朗道能級的化學(xué)勢,而界面耦合誘導(dǎo)的能隙增大效應(yīng)使得低磁場下的量子化成為可能。9c0701e8-9cf7-11f0-8ce9-92fbcf53809c.png

狄拉克錐能帶調(diào)控

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圖4 D???-n???空間的QH相圖及相變過程

D???-n???空間的實驗(圖4a)與理論(圖4b)相圖高度吻合。分析表明:

  • 石墨烯費米能級與CrOCl界面帶對齊時(圖4e),會形成長程電荷序
  • 這種電荷序產(chǎn)生的庫侖勢顯著增強了石墨烯的費米速度(提升3-5倍)
  • 狄拉克點處打開能隙(圖4f)

這種能帶重構(gòu)使得在極低磁場下就能產(chǎn)生足夠大的回旋能隙,從而解釋了SIC-QHE相的特殊穩(wěn)定性。9c0701e8-9cf7-11f0-8ce9-92fbcf53809c.png

二維材料量子器件新方向

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圖5 不同體系中實現(xiàn)量子化霍爾電導(dǎo)所需的磁場與溫度條件

如圖5所示,本研究實現(xiàn)的SIC-QHE相在性能參數(shù)上具有顯著優(yōu)勢:

  • 低磁場需求:量子化霍爾電導(dǎo)在<0.1 T下即可實現(xiàn),遠低于黑磷(>1 T)和InSe等材料。
  • 高溫穩(wěn)定性:在液氮溫度(80 K)下仍保持量子化,優(yōu)于多數(shù)已知的量子反?;魻栿w系。

這項工作首次證明,通過精準的界面工程設(shè)計,可以在溫和條件下實現(xiàn)穩(wěn)定的量子霍爾效應(yīng)。這為開發(fā)實用化的量子器件提供了新思路。9d9f2490-9cf7-11f0-8ce9-92fbcf53809c.png

ECOPIA霍爾效應(yīng)測試儀 HMS-3000

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ECOPIA霍爾效應(yīng)測試儀HMS-3000是一款專業(yè)用于半導(dǎo)體材料電學(xué)特性分析的高精度儀器。該儀器可精準測量載流子濃度、遷移率、電阻率及霍爾系數(shù)等關(guān)鍵參數(shù),這些參數(shù)是表征半導(dǎo)體材料電學(xué)性能的核心指標。

高精度恒流源(1nA~20mA),適應(yīng)不同材料的測試需求

六級電流精細分級,最大限度降低誤差,確保測量準確性

低噪聲測量技術(shù):范德堡法則轉(zhuǎn)換+非接觸式設(shè)計,有效抑制儀器噪聲,提升信號純凈度

本研究依托ECOPIA霍爾效應(yīng)測試儀HMS-3000的精準測量能力,不僅深化了對界面耦合效應(yīng)的理解,更為量子材料的能帶工程開辟了新途徑。未來研究計劃將這一界面調(diào)控策略拓展至其他二維磁性異質(zhì)結(jié)體系,探索更多衍生拓撲態(tài),并評估其在量子電阻標準中的應(yīng)用潛力。原文出處:《Quantum Hall phase in graphene engineered by interfacial charge coupling》*特別聲明:本公眾號所發(fā)布的原創(chuàng)及轉(zhuǎn)載文章,僅用于學(xué)術(shù)分享和傳遞行業(yè)相關(guān)信息。未經(jīng)授權(quán),不得抄襲、篡改、引用、轉(zhuǎn)載等侵犯本公眾號相關(guān)權(quán)益的行為。內(nèi)容僅供參考,如涉及版權(quán)問題,敬請聯(lián)系,我們將在第一時間核實并處理。

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