FM25V10 1-Mbit 串行 F-RAM 芯片的特性與應(yīng)用解析 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,找到一款性能卓越、功能豐富且穩(wěn)定可靠的非易失性存儲(chǔ)器至關(guān)重要。今天,我們就來(lái)深入探討 Cypress 公司推出
2026-01-04 17:25:09
367 FM25L04B:高性能4-Kbit串行F-RAM的卓越之選 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,非易失性存儲(chǔ)器的選擇至關(guān)重要,它直接影響著系統(tǒng)的性能、可靠性和使用壽命。今天,我們來(lái)深入了解一款備受關(guān)注的產(chǎn)品
2025-12-31 16:05:18
86 片上 FLASH 閃存由兩部分物理區(qū)域組成:主 FLASH 存儲(chǔ)器和啟動(dòng)程序存儲(chǔ)器。
1、主 FLASH 存儲(chǔ)器,共 64KB,地址空間為 0x0000 0000 - 0x0000 FFFF。該區(qū)
2025-12-23 08:28:04
CW32系列微控制器適用于哪些應(yīng)用領(lǐng)域?
2025-12-16 07:20:23
在存儲(chǔ)技術(shù)快速迭代的今天,MRAM芯片(磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)以其獨(dú)特的性能,逐漸成為業(yè)界關(guān)注焦點(diǎn)。它不同于傳統(tǒng)的閃存或DRAM,利用磁性而非電荷來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù),兼具高速、耐用與非易失性特點(diǎn)。
2025-12-15 14:39:04
242 如何利用CW32L083系列微控制器的內(nèi)部Flash存儲(chǔ)器進(jìn)行程序升級(jí)和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)?
2025-12-15 07:39:51
FM24CL04B:4-Kbit串行F-RAM的卓越性能與應(yīng)用解析 在電子工程領(lǐng)域,非易失性存儲(chǔ)器的選擇對(duì)于系統(tǒng)的性能和可靠性至關(guān)重要。今天,我們將深入探討FM24CL04B這款4 - Kbit
2025-12-10 17:15:02
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在計(jì)算機(jī)和電子設(shè)備中,存儲(chǔ)器扮演著數(shù)據(jù)臨時(shí)存放與快速交換的關(guān)鍵角色。其中,DDR SDRAM(雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)已成為現(xiàn)代內(nèi)存的主流技術(shù)之一。它不僅在速度上顯著超越前代產(chǎn)品,更憑借其高效傳輸機(jī)制,廣泛應(yīng)用于電腦、服務(wù)器、移動(dòng)設(shè)備及各類嵌入式系統(tǒng)中。
2025-12-08 15:20:44
293 概述CW32L052內(nèi)部集成了64KB嵌入式FLASH供用戶使用,可用來(lái)存儲(chǔ)應(yīng)用程序和用戶數(shù)據(jù)。
芯片支持對(duì) FLASH 存儲(chǔ)器的讀、擦除和寫(xiě)操作,支持擦寫(xiě)保護(hù)和讀保護(hù)。
芯片內(nèi)置 FLASH 編程
2025-12-05 08:22:19
CW32的22 字節(jié) OTP 存儲(chǔ)器一般都怎么使用?
2025-12-02 06:39:44
在嵌入式系統(tǒng)與智能設(shè)備中,小容量、可重復(fù)擦寫(xiě)的非易失性存儲(chǔ)器始終扮演著關(guān)鍵角色。芯伯樂(lè)24Cxx系列串行EEPROM憑借其標(biāo)準(zhǔn)化的接口、穩(wěn)定的性能與極低的功耗,成為存儲(chǔ)配置參數(shù)、用戶設(shè)置、運(yùn)行日志等
2025-11-28 18:32:58
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:Lora技術(shù)在工業(yè)控制領(lǐng)域也有著廣泛的應(yīng)用。通過(guò)Lora技術(shù),可以實(shí)現(xiàn)設(shè)備之間的遠(yuǎn)程監(jiān)控和控制,提高工業(yè)生產(chǎn)的效率和安全性。
3. 環(huán)境監(jiān)測(cè):Lora技術(shù)的低功耗和長(zhǎng)距離傳輸特性使其在環(huán)境監(jiān)測(cè)領(lǐng)域得到
2025-11-26 08:10:56
在各類存儲(chǔ)設(shè)備中,SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)因其高速、低功耗和高可靠性,被廣泛應(yīng)用于高性能計(jì)算、通信和嵌入式系統(tǒng)中。其中,雙口SRAM靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器憑借其獨(dú)特的雙端口設(shè)計(jì),在高帶寬和多任務(wù)場(chǎng)景中表現(xiàn)尤為出色,成為提升系統(tǒng)效率的重要組件。
2025-11-25 14:28:44
272 在存儲(chǔ)技術(shù)快速演進(jìn)的今天,一種名為STT-MRAM(自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)的新型非易失存儲(chǔ)器,正逐步走入產(chǎn)業(yè)視野。它不僅繼承了MRAM的高速讀寫(xiě)能力與非易失特性,更通過(guò)“自旋電流”技術(shù)實(shí)現(xiàn)了信息寫(xiě)入方式的突破,被視為第二代MRAM技術(shù)的代表。
2025-11-20 14:04:35
244 在嵌入式存儲(chǔ)應(yīng)用中,串口MRAM芯片憑借其非易失性、高速度及高耐用性受到廣泛關(guān)注。作為磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器技術(shù)的代表,Everspin磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器在工業(yè)控制、數(shù)據(jù)中心和汽車電子等領(lǐng)域表現(xiàn)優(yōu)異。
2025-11-19 11:51:41
146 、看門狗、I/O接口、串口通信、A/D轉(zhuǎn)換器、D/A轉(zhuǎn)換器以及FLASH存儲(chǔ)器等多種功能模塊。典型的代表型號(hào)有8051、8096以及C8051F等。
單片機(jī)本質(zhì)上是一個(gè)微型計(jì)算機(jī)系統(tǒng),它巧妙地將CPU
2025-11-17 08:11:22
電子和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備提供了理想的存儲(chǔ)解決方案。這款256Kb容量、SPI接口的非易失性存儲(chǔ)器,正在重新定義嵌入式存儲(chǔ)的性能標(biāo)準(zhǔn)。
2025-11-13 11:23:46
210 片上FLASH 閃存由兩部分物理區(qū)域組成:主FLASH 存儲(chǔ)器和啟動(dòng)程序存儲(chǔ)器。
●● 主 FLASH 存儲(chǔ)器,共 64KB,地址空間為 0x0000 0000 - 0x0000 FFFF。該區(qū)
2025-11-12 07:34:35
PSRAM(偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)是一種兼具SRAM接口協(xié)議與DRAM內(nèi)核架構(gòu)的特殊存儲(chǔ)器。它既保留了SRAM無(wú)需復(fù)雜刷新控制的易用特性,又繼承了DRAM的高密度低成本優(yōu)勢(shì)。這種獨(dú)特的設(shè)計(jì)使PSRAM在嵌入式系統(tǒng)和移動(dòng)設(shè)備領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。
2025-11-11 11:39:04
497 在要求高性能與高可靠性的電子系統(tǒng)中,存儲(chǔ)器的選擇往往成為設(shè)計(jì)成敗的關(guān)鍵。Netsol推出的高速異步SRAM系列,憑借其出色的性能表現(xiàn)與獨(dú)有的錯(cuò)誤校正(ECC)能力,為工業(yè)控制、通信設(shè)備及高精度計(jì)算等應(yīng)用提供了值得信賴的存儲(chǔ)解決方案。
2025-11-05 16:21:39
284 英尚微電子所代理的Everspin xSPI串行接口MRAM存儲(chǔ)芯片,基于最新的JEDEC xSPI標(biāo)準(zhǔn)與獨(dú)有的STT-MRAM技術(shù)構(gòu)建,這款串行接口MRAM存儲(chǔ)芯片可全面替代傳統(tǒng)SRAM
2025-11-05 15:31:48
285 在當(dāng)今對(duì)數(shù)據(jù)持久性與系統(tǒng)可靠性要求極高的企業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施和數(shù)據(jù)中心中,Everspin推出的自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM(STT-MRAM)存儲(chǔ)器——EMD4E001G-1Gb,憑借其卓越的性能與獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢(shì),成為眾多高性能存儲(chǔ)解決方案中的亮點(diǎn)。
2025-11-05 14:34:28
280 在需要高速數(shù)據(jù)寫(xiě)入與極致可靠性的工業(yè)與數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中,Everspin推出的8位位并行接口MRAM樹(shù)立了性能與耐用性的新標(biāo)桿。這款Everspin存儲(chǔ)器MRAM與SRAM引腳兼容的存儲(chǔ)器,以高達(dá)35
2025-10-24 16:36:03
532 MRAM是一種利用電子的自旋磁性來(lái)存儲(chǔ)信息的非易失性存儲(chǔ)器。它完美結(jié)合了SRAM的高速讀寫(xiě)特性與閃存(Flash)的非易失性,能夠在斷電后永久保存數(shù)據(jù),同時(shí)具備無(wú)限次擦寫(xiě)、無(wú)磨損的卓越耐用性。MRAM將磁性材料集成于硅電路中,在單一芯片上實(shí)現(xiàn)了高速、可靠與長(zhǎng)壽命的統(tǒng)一,是存儲(chǔ)技術(shù)的一次重大飛躍。
2025-10-24 15:48:44
411 作為磁阻存儲(chǔ)器領(lǐng)域的重要分支,SOT-MRAM因其獨(dú)特的寫(xiě)入機(jī)制與結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),正成為高性能MRAM研發(fā)的熱點(diǎn)方向。該技術(shù)利用具有強(qiáng)自旋軌道耦合效應(yīng)的材料層,通過(guò)自旋軌道力矩驅(qū)動(dòng)磁性隧道結(jié)中納米磁體的確定性翻轉(zhuǎn),從而實(shí)現(xiàn)高效、可控的數(shù)據(jù)寫(xiě)入與擦除操作。
2025-10-24 14:46:24
338 QSPI PSRAM是一種集成了QSPI接口與PSRAM存儲(chǔ)功能的高效芯片。QSPI(四線串行外設(shè)接口)是一種高速串行通信接口,用于連接外部設(shè)備;而PSRAM(偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)則結(jié)合了快速隨機(jī)訪問(wèn)與動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)的特性。
2025-10-23 15:40:17
379 PSRAM之所以被稱為"偽靜態(tài)"存儲(chǔ)器,主要是因?yàn)槠洳捎妙怱RAM的接口協(xié)議:只需要提供地址和讀寫(xiě)命令就可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存取,無(wú)需像傳統(tǒng)DRAM一樣需要內(nèi)存控制器定期刷新數(shù)據(jù)單元。
2025-10-23 14:29:00
296 一次性可編程(OTP)非易失性存儲(chǔ)器問(wèn)世已久。與其他非易失性存儲(chǔ)技術(shù)相比,OTP的占用面積更小,且無(wú)需額外的制造工序,因此成為存儲(chǔ)啟動(dòng)代碼、加密密鑰等內(nèi)容的熱門選擇。盡管聽(tīng)起來(lái)簡(jiǎn)單,但隨著人工智能(AI)的大規(guī)模部署和對(duì)更先進(jìn)技術(shù)的需求日益增長(zhǎng),平衡OTP的各項(xiàng)需求變得極具挑戰(zhàn)性。
2025-10-21 10:38:11
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nRF54LM20A 以高存儲(chǔ)版本拓展了 nRF54L 系列產(chǎn)品線,其搭載 2MB 非易失性存儲(chǔ)器(NVM)與 512KB 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM);同時(shí),該芯片保留了系列一致的微控制器(MCU)核心
2025-09-29 01:20:31
Texas Instruments TPS53689降壓多相控制器符合VR14 SVID標(biāo)準(zhǔn),具有兩個(gè)通道、內(nèi)置非易失性存儲(chǔ)器 (NVM) 和PMBus?接口。該器件完全兼容TI NexFET?電源級(jí)。
2025-09-26 10:27:05
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NAND Flash是什么?NAND Flash(閃存)是一種非易失性存儲(chǔ)器技術(shù),主要用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。與傳統(tǒng)的DRAM或SRAM不同,NAND Flash在斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它通過(guò)電荷的存儲(chǔ)與釋放來(lái)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)。
2025-09-08 09:51:20
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一次只能啟用一個(gè)驅(qū)動(dòng)器。
LED 驅(qū)動(dòng)器輸出電流設(shè)置可以存儲(chǔ)到集成的非易失性存儲(chǔ)器中,允許獨(dú)立運(yùn)行,無(wú)需 I^2^C 接口。非易失性存儲(chǔ)器是可重寫(xiě)的,因此可以根據(jù)需要更改當(dāng)前設(shè)置。
2025-09-01 11:31:57
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Keysight MSOS204A是德MSOS204A存儲(chǔ)器示波器2GHz keysight是德MSOS204A存儲(chǔ)器示波器, S 系列示波器配備 2 GHz 存儲(chǔ)器、15 英寸 XGA
2025-08-12 15:48:29
隨著全球二氧化碳減排的推進(jìn),可再生能源,尤其是太陽(yáng)能發(fā)電的重要性日益凸顯。光伏逆變器又稱功率調(diào)節(jié)器可將太陽(yáng)能板產(chǎn)生的電壓轉(zhuǎn)換成正確的電流及電壓波形并入電網(wǎng)。由于需要連接到電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施,因此對(duì)可靠性、易維護(hù)性和使用壽命有所要求,F(xiàn)eRAM(鐵電體存儲(chǔ)器)的優(yōu)異特性得以發(fā)揮。
2025-08-08 14:41:06
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HBM(High Bandwidth Memory)即高帶寬存儲(chǔ)器,是一種基于 3D 堆疊技術(shù)的高性能 DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。其核心設(shè)計(jì)是通過(guò)硅通孔(TSV)和微凸塊(Microbump
2025-07-18 14:30:12
2949 芯片燒錄(也稱為編程或燒寫(xiě))的本質(zhì)是將編譯后的 機(jī)器碼程序 和 配置信息 通過(guò)特定協(xié)議寫(xiě)入芯片內(nèi)部的 非易失性存儲(chǔ)器 (通常是Flash或OTP存儲(chǔ)器)的過(guò)程。其核心原理涉及 硬件接口 、 通信協(xié)議
2025-06-24 11:16:51
7436 )、SRAM (靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。
非易失性存儲(chǔ)器:斷電后數(shù)據(jù)能長(zhǎng)期保存。
特點(diǎn):速度相對(duì)慢(但也有高速類型),用作數(shù)據(jù)的“永久或半永久倉(cāng)庫(kù)”。
代表:NAND Flash (閃存)、NOR
2025-06-24 09:09:39
FLASH程序存儲(chǔ)器、4KB RAM,集成LCD、RTC、溫度傳感器、ADC以及UART、I2C、SPI、7816等通用外設(shè)接口,適用于各類電池供電類低功耗產(chǎn)品。
應(yīng)用領(lǐng)域:
智能電表/水表/熱表/燃?xì)獗?智能家居:新風(fēng)機(jī)、凈水器、門鎖等
ETC
電子價(jià)簽及標(biāo)簽
物聯(lián)網(wǎng)通訊模塊
2025-06-12 18:03:47
CSS6404LS-LI通過(guò) >500MB/s帶寬、105℃高溫運(yùn)行及μA級(jí)休眠功耗三重突破,成為高清語(yǔ)音設(shè)備的理想存儲(chǔ)器
2025-06-04 15:45:23
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單片機(jī)實(shí)例項(xiàng)目:AT24C02EEPROM存儲(chǔ)器,推薦下載!
2025-06-03 20:50:02
? ? ? ?MCU的存儲(chǔ)器層次結(jié)構(gòu)通過(guò)整合不同性能與功能的存儲(chǔ)單元,優(yōu)化系統(tǒng)效率并滿足多樣化場(chǎng)景需求。其核心架構(gòu)可分為以下層次: 一、寄存器層(最高速) 定位?:集成于CPU內(nèi)核中,直接參與運(yùn)算
2025-05-09 10:21:09
618 在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器測(cè)試中,測(cè)試圖形(Test Pattern)是檢測(cè)故障、驗(yàn)證可靠性的核心工具。根據(jù)測(cè)試序列長(zhǎng)度與存儲(chǔ)單元數(shù)N的關(guān)系,測(cè)試圖形可分為N型、N2型和N3/?型三大類。
2025-05-07 09:33:37
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CYPD3177-24LQXQT 是否實(shí)現(xiàn)內(nèi)部存儲(chǔ)器?(例如 內(nèi)存)?
BCR 數(shù)據(jù)表中似乎沒(méi)有提及這一點(diǎn)。
2025-05-07 07:23:10
STM32N6 使用SDMMC1-eMMC作為外部存儲(chǔ)器(保存FSBL和app),因?yàn)閑MMC不支持內(nèi)存映射,那么使用STM32CubeProgrammer下載bin文件時(shí)地址選擇哪里?還有
2025-04-28 08:02:23
UV-EPROM的結(jié)構(gòu)與使用方法,閃速存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)與使用方法,EEPROM的結(jié)構(gòu)與使用方法, SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法, 特殊的SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法 ,DRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法,
2025-04-16 16:04:56
3.3 存儲(chǔ)器映射 前文所述,寄存器與RAM、FLASH一樣都是芯片內(nèi)部的一種存儲(chǔ)設(shè)備。那么,當(dāng)我們需要訪問(wèn)它們的時(shí)候,我們需要知道它們的存儲(chǔ)地址。 3.3.1 存儲(chǔ)器映射表 如下圖所示為RA6M5
2025-04-16 15:52:09
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非易失性存儲(chǔ)器(NVM)芯片廣泛應(yīng)用于各種設(shè)備中,從智能手機(jī)、個(gè)人電腦到服務(wù)器和工業(yè)控制系統(tǒng),都是不可或缺的關(guān)鍵組件,它們不僅提高了數(shù)據(jù)的安全性和可靠性,還極大地增強(qiáng)了系統(tǒng)的整體性能。此外,為了滿足
2025-04-10 14:02:24
1333 單片機(jī)與存儲(chǔ)器的關(guān)系像什么?單片機(jī)里的存儲(chǔ)都是一樣的嗎?為什么有的單片機(jī)既有EEPROM又有Flash?
2025-04-10 10:06:01
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人工智能與高性能計(jì)算(HPC)正以空前的速度發(fā)展,將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)和NAND閃存等傳統(tǒng)存儲(chǔ)技術(shù)發(fā)揮到極致。為了滿足人工智能時(shí)代日益增長(zhǎng)的需求,業(yè)界正在探索超越傳統(tǒng)存儲(chǔ)技術(shù)的新興存儲(chǔ)技術(shù)。
2025-04-03 09:40:41
1709 用于控制等領(lǐng)域,因此成為微控制器。代表的有51系列,STM32,多種RAM芯片等。接下來(lái)將從幾個(gè)方面來(lái)詳細(xì)介紹MCU1,存儲(chǔ)器1.1 概念存儲(chǔ)系統(tǒng)是計(jì)算裝置中用于存放數(shù)據(jù)和程序的記憶性子系統(tǒng),用以滿足
2025-03-26 11:12:24
AD7581 是一款微處理器兼容的 8 位、8 通道、存儲(chǔ)器緩沖數(shù)據(jù)采集系統(tǒng),采用單芯片 CMOS 芯片。它由一個(gè) 8 位逐次逼近型 A/D 轉(zhuǎn)換器、一個(gè) 8 通道多路復(fù)用器、8×8 雙端口 RAM
2025-03-17 10:39:29
人工智能視覺(jué)識(shí)別技術(shù)的應(yīng)用領(lǐng)域及場(chǎng)景
2025-03-14 11:41:54
2578 優(yōu)化的架構(gòu)設(shè)計(jì)和成熟的制程技術(shù),具備內(nèi)置的硬擦除器、錯(cuò)誤檢測(cè)和校正機(jī)制,為用戶提供了可靠的開(kāi)發(fā)環(huán)境。用戶可利用最新的Radiant工具,直接實(shí)現(xiàn)MRAM的編程接口,支持多種存儲(chǔ)容量和數(shù)據(jù)速率。利用這些FPGA器件,用戶可以受益于低功耗FPGA架構(gòu)和快速安全的位流配置/重新配置。 ? 為
2025-03-08 00:10:00
1803 本書(shū)主要介紹了UV-EPROM的結(jié)構(gòu)和使用方法,閃速存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)和使用方法,EEPROM的結(jié)構(gòu)和使用方法, SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法,特殊的SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法,DRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法,
2025-03-07 10:52:47
3 月 6 日消息,綜合韓聯(lián)社、ZDNet Korea、MK 等多家韓媒報(bào)道,SK 海力士今日在內(nèi)部宣布將關(guān)閉其 CIS(CMOS 圖像傳感器)部門, 該團(tuán)隊(duì)的員工將轉(zhuǎn)崗至 AI 存儲(chǔ)器領(lǐng)域 。SK
2025-03-06 18:26:16
1078 鐵電存儲(chǔ)器SF24C64對(duì)標(biāo)FM24C64性能、應(yīng)用和成本分析
2025-03-03 10:25:45
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DS2502為1K位只添加存儲(chǔ)器,用于識(shí)別并存儲(chǔ)產(chǎn)品的相關(guān)信息。產(chǎn)品批號(hào)或特殊的產(chǎn)品信息可以通過(guò)最少的接口訪問(wèn)—例如,微控制器的一個(gè)端口引腳。DS2502具有一個(gè)工廠光刻注冊(cè)碼,其中包括:48位唯一
2025-02-28 10:15:15
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DS2505為16k位只添加存儲(chǔ)器,可以識(shí)別和存儲(chǔ)與產(chǎn)品相關(guān)的信息。這個(gè)標(biāo)簽或特殊產(chǎn)品的信息可以通過(guò)最少的接口訪問(wèn),例如微控制器的一個(gè)端口引腳。DS2505有一個(gè)工廠刻度的注冊(cè)碼,其中包括:48位
2025-02-27 16:31:15
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DS28E80是一款用戶可編程的非易失性存儲(chǔ)器芯片。與浮柵存儲(chǔ)單元相比,DS28E80采用了抗伽馬輻射的存儲(chǔ)單元技術(shù)。DS28E80有248字節(jié)的用戶內(nèi)存,這些內(nèi)存以8字節(jié)為單位進(jìn)行組織。單個(gè)塊可以
2025-02-26 11:43:10
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DS1992/DS1993內(nèi)存iButtons(以下簡(jiǎn)稱DS199x)是堅(jiān)固的讀/寫(xiě)數(shù)據(jù)載體,充當(dāng)本地化數(shù)據(jù)庫(kù),易于用最少的硬件訪間。非易失性存儲(chǔ)器和可選的計(jì)時(shí)功能為存儲(chǔ)和檢索與iButton所連接
2025-02-26 10:39:06
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DS1992/DS1993內(nèi)存iButtons(以下簡(jiǎn)稱DS199x)是堅(jiān)固的讀/寫(xiě)數(shù)據(jù)載體,充當(dāng)本地化數(shù)據(jù)庫(kù),易于用最少的硬件訪間。非易失性存儲(chǔ)器和可選的計(jì)時(shí)功能為存儲(chǔ)和檢索與iButton所連接
2025-02-26 10:32:24
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DS1996 Memory iButton是一種堅(jiān)固的讀/寫(xiě)數(shù)據(jù)載體,可作為本地化的數(shù)據(jù)庫(kù),使用最少的硬件即可輕松訪問(wèn)。非易失性存儲(chǔ)器為存儲(chǔ)和檢索與iButton所連接的對(duì)象相關(guān)的重要信息提供了一種
2025-02-26 10:17:41
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鐵電存儲(chǔ)器SF24C64對(duì)標(biāo)MB85RC64性能、應(yīng)用深度分析
2025-02-25 09:40:59
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角度、位置和速度的傳感器,其應(yīng)用領(lǐng)域通常非常廣泛。在工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域,編碼器被廣泛應(yīng)用于各種生產(chǎn)線和機(jī)械設(shè)備中,通過(guò)測(cè)量電機(jī)的旋轉(zhuǎn)角度和速度,為控制系統(tǒng)提供精確的反饋信息,實(shí)現(xiàn)高精度的定位和同步運(yùn)動(dòng),提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量?12。 在機(jī)器人
2025-02-20 13:49:00
595 旋轉(zhuǎn)編碼器選用國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器(?SF24C512)的5個(gè)理由
2025-02-20 09:42:03
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? 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)是現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中不可或缺的核心組件,廣泛應(yīng)用于個(gè)人計(jì)算機(jī)、服務(wù)器、移動(dòng)設(shè)備及高性能計(jì)算領(lǐng)域。本文將探討DRAM的基本工作原理、存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)及制造工藝演進(jìn),并分析
2025-02-14 10:24:40
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MTFC64GAZAQHD-AAT是一款高性能的eMMC存儲(chǔ)器,由MICRON制造,專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)大容量存儲(chǔ)的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備卓越的存儲(chǔ)性能和能效,適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。目前可提供數(shù)量為
2025-02-14 07:46:05
MTFC32GASAQHD-AAT是一款高性能的eMMC存儲(chǔ)器,由MICRON制造,專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)大容量存儲(chǔ)的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備出色的存儲(chǔ)性能和能效,適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。目前可提供數(shù)量為
2025-02-14 07:45:22
MTFC128GBCAQTC-AAT是一款高性能的eMMC存儲(chǔ)器,由MICRON制造,專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)大容量存儲(chǔ)的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備卓越的存儲(chǔ)性能和能效,適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。目前可提供數(shù)量
2025-02-14 07:44:29
MTFC128GAVATTC-AAT是一款高性能的eMMC存儲(chǔ)器,由MICRON制造,專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)大容量存儲(chǔ)的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備卓越的存儲(chǔ)性能和能效,適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。目前可提供數(shù)量
2025-02-14 07:43:46
MTFC128GASAQJP-AAT是一款高性能的eMMC存儲(chǔ)器,由MICRON制造,專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)大容量存儲(chǔ)的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備出色的存儲(chǔ)性能和能效,適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。目前可提供數(shù)量
2025-02-14 07:42:49
? 非易失性存儲(chǔ)器是一種應(yīng)用于計(jì)算機(jī)及智能手機(jī)等設(shè)備中的存儲(chǔ)裝置(存儲(chǔ)器),其特點(diǎn)是在沒(méi)有外部電源的情況下仍能保存數(shù)據(jù)信息。本文將介紹非易失性存儲(chǔ)器的類型、特點(diǎn)及用途。 什么是非易失性存儲(chǔ)器
2025-02-13 12:42:14
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舜銘存儲(chǔ)鐵電存儲(chǔ)器SF25C20:替換FM25V20A/MB85RS2MT
2025-02-13 10:29:09
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數(shù)顯千分表的數(shù)據(jù)如何用存儲(chǔ)器進(jìn)行接收
2025-02-11 06:01:54
初學(xué)者要了解SDRAM需要先了解存儲(chǔ)器分類。按照存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)功能劃分,可將其分為RAM 和 ROM 兩大類。
2025-02-08 11:24:51
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一、光纖傳感器應(yīng)用領(lǐng)域 光纖傳感器憑借其靈敏度高、精確度高、適應(yīng)性強(qiáng)、體積小巧和智能化的特點(diǎn),在多個(gè)領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。以下是光纖傳感器的主要應(yīng)用領(lǐng)域: 工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域 光纖傳感器在工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域
2025-01-31 10:16:00
2346 在數(shù)字存儲(chǔ)技術(shù)的快速發(fā)展中,閃速存儲(chǔ)器(Flash Memory)以其獨(dú)特的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,成為了連接隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)與只讀存儲(chǔ)器(ROM)之間的重要橋梁。本文將深入探討閃速存儲(chǔ)器的技術(shù)特性、分類及其在現(xiàn)代電子設(shè)備中的應(yīng)用。
2025-01-29 16:53:00
1683 本文旨在深入探討閃速存儲(chǔ)器的歸屬問(wèn)題,即它是否屬于RAM或ROM,同時(shí)詳細(xì)闡述閃速存儲(chǔ)器的功能與作用。
2025-01-29 15:21:00
1590 閃速存儲(chǔ)器之所以得名“閃速”,主要源于其擦除操作的高效性。傳統(tǒng)的EPROM(可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器)和EEPROM(電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器)在擦除數(shù)據(jù)時(shí),往往需要較長(zhǎng)的時(shí)間,且操作相對(duì)繁瑣。而閃速
2025-01-29 15:14:00
1378 日常生活和工作中扮演著不可或缺的角色。本文旨在深入探討閃速存儲(chǔ)器的技術(shù)原理、類型以及與U盤(pán)的關(guān)系,同時(shí)分析其廣泛應(yīng)用領(lǐng)域。
2025-01-29 15:12:00
1449 本文旨在深入探討相位測(cè)量?jī)x的信號(hào)類型,并詳細(xì)介紹其應(yīng)用領(lǐng)域。
2025-01-29 15:08:00
1389 高速緩沖存儲(chǔ)器(Cache)是內(nèi)存的一種特殊形式,但它與通常所說(shuō)的主存儲(chǔ)器(RAM)有所不同。在計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)體系中,Cache位于CPU和主存儲(chǔ)器之間,用于存儲(chǔ)CPU近期訪問(wèn)過(guò)的數(shù)據(jù)或指令,以加快數(shù)據(jù)的訪問(wèn)速度。
2025-01-29 11:48:00
3395 舜銘存儲(chǔ)鐵電存儲(chǔ)器SF25C20能否替換賽普拉斯FM25V20A
2025-01-23 09:03:29
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EEPROM(電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器)是一種非易失性存儲(chǔ)器芯片,應(yīng)用廣泛,即使斷電也不會(huì)丟失數(shù)據(jù),并且支持通過(guò)電子信號(hào)進(jìn)行重新編程。通常,EEPROM用于存儲(chǔ)對(duì)設(shè)備運(yùn)行至關(guān)重要的信息,包括可能不時(shí)更新的信息,例如固件、系統(tǒng)本身的配置數(shù)據(jù)或用戶配置和偏好。
2025-01-22 10:02:00
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。 2. 電動(dòng)汽車 電動(dòng)汽車(EV)是電機(jī)控制器的一個(gè)重要應(yīng)用領(lǐng)域。電機(jī)控制器負(fù)責(zé)控制電動(dòng)汽車的電機(jī),以實(shí)現(xiàn)最佳的駕駛性能和能源效率。隨著電動(dòng)汽車市場(chǎng)的快速增長(zhǎng),電機(jī)控制器的需求也在不斷上升。 3. 可再生能源 在可再生能源領(lǐng)域,電
2025-01-22 09:24:00
2020 不可或缺的得力助手。 聚英雨雪傳感器的工作原理主要基于物質(zhì)與傳感器表面之間的接觸關(guān)系。當(dāng)雨雪落在傳感器表面時(shí),物質(zhì)會(huì)改變傳感器表面的電容或電阻值,從而產(chǎn)生相應(yīng)的電信號(hào)輸出。 應(yīng)用領(lǐng)域 氣象監(jiān)測(cè) 實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)雨雪情況
2025-01-20 17:36:28
588 近日,據(jù)韓媒最新報(bào)道,全球NAND Flash存儲(chǔ)器市場(chǎng)正面臨供過(guò)于求的嚴(yán)峻挑戰(zhàn),導(dǎo)致價(jià)格連續(xù)四個(gè)月呈現(xiàn)下滑趨勢(shì)。為應(yīng)對(duì)這一不利局面,各大存儲(chǔ)器廠商紛紛采取減產(chǎn)措施,旨在平衡市場(chǎng)供求關(guān)系,進(jìn)而穩(wěn)定
2025-01-20 14:43:55
1095 ? 在科技日新月異的今天,微型化已成為許多領(lǐng)域追求的重要方向。微型壓力傳感器作為這一趨勢(shì)下的杰出代表,以其微小的體積、高度的精確性和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,成為了現(xiàn)代科技和工業(yè)領(lǐng)域中不可或缺的一部分。本文將
2025-01-17 16:17:03
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舜銘存儲(chǔ)鐵電存儲(chǔ)器SF25C20替換FM25V20A參數(shù)分析及應(yīng)用
2025-01-16 10:17:06
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電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AN-881: 通過(guò)LIN—協(xié)議4進(jìn)行Flash/EE存儲(chǔ)器編程.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-14 16:12:44
0 舜銘存儲(chǔ)鐵電存儲(chǔ)器SF25C20替換MB85RS2MT性能及應(yīng)用優(yōu)勢(shì)有哪些?
2025-01-10 09:12:15
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多線示波器是一種電子測(cè)量?jī)x器,其原理和應(yīng)用領(lǐng)域可以歸納如下:一、原理多線示波器在普通示波器原理的基礎(chǔ)上,采用了雙線(或多線)示波法。這種方法使得示波器能夠同時(shí)顯示多個(gè)波形。其基本原理是,示波器利用
2025-01-07 15:34:09
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-271: 高速緩沖存儲(chǔ)器在Blackfin處理器中的應(yīng)用.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-07 14:18:17
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-302:ADSP-BF53x Blackfin處理器與NAND FLASH存儲(chǔ)器的接口.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-07 14:03:23
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2025-01-06 16:12:11
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2025-01-06 15:47:01
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2025-01-05 10:09:19
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2025-01-05 09:21:41
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評(píng)論