探索AFBR - S4N44P164M 4×4 NUV - MT硅光電倍增管陣列的卓越性能 在如今的電子工程領(lǐng)域，對(duì)于高精度、高靈敏度的光子檢測(cè)設(shè)備的需求日益增長(zhǎng)。博通（Broadcom）的AFBR
2025-12-30 16:10:09
102 光電倍增管.pdf 產(chǎn)品概述 AFBR - S4N66P014M是一款單通道硅光電倍增管，主要用于單光子的超靈敏精密測(cè)量。它基于NUV - MT技術(shù)，與NUV - HD技術(shù)相比，在提高光探測(cè)效率（PDE）的同
2025-12-30 15:45:0691 概述 AFBR - S4N22P014M采用了NUV - MT技術(shù)，與NUV - HD技術(shù)相比，它在提高光檢測(cè)效率（PDE）的同時(shí)，降低了暗計(jì)數(shù)率和串?dāng)_。其SPAD間距為40μm，并且可
2025-12-30 15:30:0686 DS40MB200：高速信號(hào)處理的理想之選 在高速數(shù)據(jù)通信領(lǐng)域，信號(hào)的完整性和傳輸距離一直是工程師們關(guān)注的重點(diǎn)。今天，我們就來詳細(xì)探討一下德州儀器（TI）的DS40MB200這款器件，它在解決高速
2025-12-29 11:15:03106 探索TP65H070G4RS 650V SuperGaN? GaN FET：高效能與可靠性的完美結(jié)合 引言 在當(dāng)今電子技術(shù)飛速發(fā)展的時(shí)代，功率半導(dǎo)體器件的性能和可靠性對(duì)于各種電子設(shè)備的運(yùn)行
2025-12-29 10:05:2292 深度解析DS25MB200：2.5 Gbps雙路CML復(fù)用器/緩沖器的卓越性能與應(yīng)用 在高速數(shù)據(jù)傳輸領(lǐng)域，信號(hào)的穩(wěn)定與準(zhǔn)確傳輸至關(guān)重要。TI的DS25MB200作為一款雙路2.5 Gbps 2:1
2025-12-27 17:20:06962 2.5 Gbps 2:1/1:2 CML Mux/Buffer，憑借其出色的信號(hào)調(diào)理能力和豐富的特性，在背板驅(qū)動(dòng)、電纜驅(qū)動(dòng)以及冗余和信號(hào)調(diào)理等應(yīng)用中展現(xiàn)出強(qiáng)大的優(yōu)勢(shì)。本文將深入剖析DS25MB100的特點(diǎn)
2025-12-27 14:10:15410 探索DS25CP104A/DS25CP114 3.125 Gbps 4x4 LVDS交叉點(diǎn)開關(guān)的奧秘 在高速信號(hào)路由和切換的領(lǐng)域里，DS25CP104A和DS25CP114這兩款由德州儀器推出
2025-12-24 17:45:06471 的DF4-19MR20W3M1HF_B11 EasyPACK?模塊，就是這樣一款集多種優(yōu)勢(shì)于一身的產(chǎn)品，它在太陽(yáng)能等應(yīng)用中展現(xiàn)出了卓越的性能。 文件下載： Infineon Technologies
2025-12-20 15:40:20726 全球企業(yè)和政府正積極尋求解決方案，應(yīng)對(duì)數(shù)據(jù)中心能耗迅速增長(zhǎng)問題，開發(fā)下一代“綠色”數(shù)據(jù)中心——既具備高性能，又兼具高能效的設(shè)施。全球科技巨頭富士通在先進(jìn)處理器開發(fā)領(lǐng)域已領(lǐng)先 60 年，致力于開發(fā)更節(jié)能、更可持續(xù)的數(shù)據(jù)中心。
2025-12-17 10:26:53424 探索DS560MB410：低功耗56Gbps PAM4 4通道線性轉(zhuǎn)接驅(qū)動(dòng)器的卓越性能 在高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)臅r(shí)代，電子工程師們不斷尋求能夠滿足高性能、低功耗需求的解決方案。今天，我們將深入探討德州儀器
2025-12-16 11:50:06297 在存儲(chǔ)技術(shù)快速迭代的今天，MRAM芯片（磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）以其獨(dú)特的性能，逐漸成為業(yè)界關(guān)注焦點(diǎn)。它不同于傳統(tǒng)的閃存或DRAM，利用磁性而非電荷來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，兼具高速、耐用與非易失性特點(diǎn)。
2025-12-15 14:39:04242 Engineering) 》。其中，富士通在該指南的《Gartner 生成式AI工程新興市場(chǎng)象限報(bào)告 (Gartner Emerging Market Quadrant for Generative AI
2025-12-02 11:50:51637 
寬溫自適應(yīng)超級(jí)電容（-40℃~85℃穩(wěn)定工作）是極端環(huán)境下的理想儲(chǔ)能選擇，其技術(shù)突破與工業(yè)應(yīng)用價(jià)值顯著，具體分析如下 ： 一、技術(shù)突破：物理儲(chǔ)能機(jī)制賦予寬溫適應(yīng)性 雙電層儲(chǔ)能原理 超級(jí)電容通過
2025-12-01 10:03:38452 Cypress賽普拉斯512Kbit FRAM憑借微秒級(jí)寫入、10^14次擦寫壽命及151年數(shù)據(jù)保留，為車載黑匣子EDR提供高可靠數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。其-40℃~105℃車規(guī)級(jí)工作范圍確保碰撞數(shù)據(jù)完整記錄，滿足汽車安全法規(guī)嚴(yán)苛要求。
2025-12-01 09:47:00246 
Gb 33K；
MX30LF1G28AD-TI128M NAND 46K；
MT40A512M8RH-083E IT:B DDR4 25K；
ESD8104MUTAG ON 240K
2025-11-27 15:58:19
羅森伯格發(fā)布新一代高壓連接器HVR25，在匹配4㎜2銅線時(shí)可實(shí)現(xiàn)40A@85℃的持續(xù)載流。該產(chǎn)品采用緊湊設(shè)計(jì)，在同類產(chǎn)品中體積具備明顯優(yōu)勢(shì)，且擁有良好的性價(jià)比。
2025-11-25 10:22:002854 MR-16LED燈專用LED降壓型恒流驅(qū)動(dòng)器H5441B方案調(diào)光高輝度65536級(jí)
H5441B 為一款平均電流型 LED 恒流驅(qū)動(dòng)芯片，適配非隔離式 LED 驅(qū)動(dòng)場(chǎng)景，輸入電壓適用范圍為
2025-11-25 09:11:03
在嵌入式存儲(chǔ)應(yīng)用中，串口MRAM芯片憑借其非易失性、高速度及高耐用性受到廣泛關(guān)注。作為磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器技術(shù)的代表，Everspin磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器在工業(yè)控制、數(shù)據(jù)中心和汽車電子等領(lǐng)域表現(xiàn)優(yōu)異。
2025-11-19 11:51:41146 富士通16Kbit FRAM憑借微秒級(jí)寫入速度與10萬(wàn)億次擦寫壽命，為圖傳模塊提供高可靠性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。其SPI接口與工業(yè)級(jí)溫度范圍（-40℃~85℃）完美適配無(wú)人機(jī)、安防監(jiān)控等場(chǎng)景的實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)記錄需求。
2025-11-18 09:48:00317 
DR-25-1-0-SP-RS 是 TE Connectivity 的一款DR-25系列黑色單壁熱縮管，型號(hào)中的“RS”后綴表示該物料通過 RS Components 渠道銷售。包裝方式為30 m卷
2025-11-18 09:29:47
在需要高速數(shù)據(jù)讀寫與高可靠性的現(xiàn)代電子系統(tǒng)中，傳統(tǒng)存儲(chǔ)技術(shù)往往面臨寫入速度慢、耐久性有限等挑戰(zhàn)。Everspin公司推出的MR25H256系列MRAM芯片，以其獨(dú)特的磁阻存儲(chǔ)技術(shù)，為工業(yè)控制、汽車
2025-11-13 11:23:46210 CW32L010F8P600的優(yōu)勢(shì)包括：
超大Flash存儲(chǔ)容量：擁有64K超大Flash存儲(chǔ)容量，數(shù)據(jù)可保持25年@-40℃至+85℃，還支持多種保護(hù)功能。它能確保高訪問速度，滿足實(shí)時(shí)性要求高
2025-11-13 07:07:48
英尚微電子所代理的Everspin xSPI串行接口MRAM存儲(chǔ)芯片，基于最新的JEDEC xSPI標(biāo)準(zhǔn)與獨(dú)有的STT-MRAM技術(shù)構(gòu)建，這款串行接口MRAM存儲(chǔ)芯片可全面替代傳統(tǒng)SRAM
2025-11-05 15:31:48285 在當(dāng)今對(duì)數(shù)據(jù)持久性與系統(tǒng)可靠性要求極高的企業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施和數(shù)據(jù)中心中，Everspin推出的自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM（STT-MRAM）存儲(chǔ)器——EMD4E001G-1Gb，憑借其卓越的性能與獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，成為眾多高性能存儲(chǔ)解決方案中的亮點(diǎn)。
2025-11-05 14:34:28280 TE Connectivity (TE) 的FP40 Ultra 4x4 MiMo天線 具有面向未來的功能，可應(yīng)對(duì)從4G和5G頻率推出，直至7125MHz頻率。這些天線提供多達(dá)14端口的多端
2025-11-05 13:49:19544 
富士通本周四發(fā)布了2025財(cái)年上半年財(cái)報(bào)。根據(jù)財(cái)報(bào)顯示，2025財(cái)年上半年整體營(yíng)收為1.5665兆日元 ，調(diào)整后營(yíng)業(yè)利潤(rùn)達(dá)到1,213億日元，較去年同期大幅增長(zhǎng)83.6%，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率為7.7%，較去年同期增長(zhǎng)3.4個(gè)百分點(diǎn)。
2025-11-04 16:30:44921 H5412B 是一款多功能平均電流型 LED 恒流驅(qū)動(dòng)器，其外圍電路設(shè)計(jì)較為簡(jiǎn)單，適用于電壓范圍在 5-85V 的非隔離式恒流 LED 驅(qū)動(dòng)場(chǎng)景。
該芯片采用平均電流模式控制，輸出電流精度為
2025-10-28 14:31:25
在需要高速數(shù)據(jù)寫入與極致可靠性的工業(yè)與數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中，Everspin推出的8位位并行接口MRAM樹立了性能與耐用性的新標(biāo)桿。這款Everspin存儲(chǔ)器MRAM與SRAM引腳兼容的存儲(chǔ)器，以高達(dá)35
2025-10-24 16:36:03532 MRAM是一種利用電子的自旋磁性來存儲(chǔ)信息的非易失性存儲(chǔ)器。它完美結(jié)合了SRAM的高速讀寫特性與閃存（Flash）的非易失性，能夠在斷電后永久保存數(shù)據(jù)，同時(shí)具備無(wú)限次擦寫、無(wú)磨損的卓越耐用性。MRAM將磁性材料集成于硅電路中，在單一芯片上實(shí)現(xiàn)了高速、可靠與長(zhǎng)壽命的統(tǒng)一，是存儲(chǔ)技術(shù)的一次重大飛躍。
2025-10-24 15:48:44411 作為磁阻存儲(chǔ)器領(lǐng)域的重要分支，SOT-MRAM因其獨(dú)特的寫入機(jī)制與結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，正成為高性能MRAM研發(fā)的熱點(diǎn)方向。該技術(shù)利用具有強(qiáng)自旋軌道耦合效應(yīng)的材料層，通過自旋軌道力矩驅(qū)動(dòng)磁性隧道結(jié)中納米磁體的確定性翻轉(zhuǎn)，從而實(shí)現(xiàn)高效、可控的數(shù)據(jù)寫入與擦除操作。
2025-10-24 14:46:24338 MX25L25645GM2I-08G是旺宏電子推出的256Mb大容量SPI NOR Flash存儲(chǔ)芯片，工作電壓2.7V–3.6V，支持最高133MHz時(shí)鐘頻率與芯片內(nèi)執(zhí)行(XIP)，具有工業(yè)級(jí)溫度
2025-10-24 09:55:00426 
富士通近日宣布，將與英偉達(dá)(NVIDIA)擴(kuò)大戰(zhàn)略合作，共同打造集成AI Agent的全棧式AI基礎(chǔ)設(shè)施。此舉旨在利用AI能力增強(qiáng)企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，同時(shí)確保企業(yè)在AI應(yīng)用上的自主性與靈活性。
2025-10-23 17:49:37748 RAYSON RS70BT7G4S16G工業(yè)級(jí)128GB eMMC，-20~85℃寬溫，400MB/s高速，斷電保護(hù)，適用車載、電網(wǎng)、工控，高可靠低功耗。
2025-10-21 09:22:00369 
有強(qiáng)大的熱插拔功能。 該收發(fā)器采用標(biāo)準(zhǔn)SO-8封裝，工作溫度范圍為-40°C至+125°C (ST4E1216) 和-40°C至+85°C (ST4E1240)。
2025-10-21 09:14:31409 
### NP40N10VDF-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介NP40N10VDF-VB 是一款高性能的單極 N 型 MOSFET，采用 TO252 封裝，設(shè)計(jì)用于高壓和高電流應(yīng)用。憑借其低導(dǎo)通電阻和高漏源電壓能力
2025-10-14 15:10:19
富士通MB85RC04VPNF-G-JNERE1 4Kbit工業(yè)級(jí)FRAM，150ns極速寫入、1萬(wàn)億次擦寫、-40℃~+85℃寬溫，I2C接口低功耗，SOP-8小封裝，為PLC、電表、編碼器等邊緣節(jié)點(diǎn)提供高可靠非易失存儲(chǔ)。
2025-10-10 09:45:00307 富士通256Kbit FRAM MB85RS256BPNF-G-JNERE1為L(zhǎng)ED顯示系統(tǒng)提供高速、高耐久性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方案，支持納秒級(jí)寫入與10^12次擦寫，解決傳統(tǒng)存儲(chǔ)器延遲高、壽命短問題，適用于智能交通、戶外廣告等嚴(yán)苛環(huán)境，顯著提升系統(tǒng)響應(yīng)與可靠性。
2025-09-11 09:45:00480 
/ LTE（頻段1、3、4、7、8、12、13、20、25、26、28、30、38、34/39、40、41）真值表，用于雙模四頻GSM/EDGE – WCDMA / HSDPA / HSUPA / HSPA
2025-09-10 18:30:35
Cypress 64Kbit FRAM以納秒寫入、萬(wàn)億次擦寫、微瓦功耗，破解手持檢測(cè)器數(shù)據(jù)丟幀、壽命及續(xù)航痛點(diǎn)，覆蓋-40℃~85℃，50G抗震，直接替代EEPROM，30天續(xù)航，零掉電丟數(shù)。
2025-08-28 09:45:00434 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《st25dx-mb原理圖資料.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-08-25 15:43:19
0 富士通于7月30日發(fā)布了2025財(cái)年第一季度財(cái)報(bào)。根據(jù)財(cái)報(bào)顯示，2025財(cái)年第一季度整體營(yíng)收為7,498億日元，調(diào)整后營(yíng)業(yè)利潤(rùn)351億日元，較上一年度同期增長(zhǎng)111.9%，利潤(rùn)率提升至4.7%（+2.5%）。
2025-08-07 15:01:091364 兆易創(chuàng)新GD25Q64ESIG NOR FLASH憑借64Mb容量、8Mbx8架構(gòu)及2.7V 3.6V寬電壓支持，其SOP 8封裝適配緊湊設(shè)計(jì)，高速SPI接口（133MHz）確?？焖贁?shù)據(jù)讀取，滿足
2025-08-07 09:45:00837 
賽普拉斯2 Mbit FRAM FM25V20A-DG以40 MHz SPI總線、1012次擦寫壽命和100 krad(Si)抗輻射能力，取代呼吸機(jī)中EEPROM與SRAM加電池的傳統(tǒng)方案，為智能生命支持系統(tǒng)提供原子級(jí)可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)基石。
2025-07-24 11:25:44520 
，頻率穩(wěn)定度達(dá)±25ppm，適用于-40~85℃寬溫度環(huán)境，具備高穩(wěn)定性、低抖動(dòng)、小體積等優(yōu)勢(shì)，是高速數(shù)字系統(tǒng)理想的時(shí)鐘源選擇。產(chǎn)品參數(shù)參數(shù)規(guī)格頻率156MHz輸出類
2025-07-10 15:11:11
極米 RS20 Plus 搭載 MT9681 旗艦投影芯片，該芯片采用 12nm 制程，規(guī)格進(jìn)一步提升的 CPU、GPU 與 NPU 助力性能實(shí)現(xiàn)大幅躍升，讓流暢體驗(yàn)時(shí)刻在線；在 AI 超分辨率
2025-07-07 18:14:382308 Texas Instruments THVD9491-SEP航天增強(qiáng)型 ±40V RS-422/RS-485收發(fā)器是一款 ±40V故障保護(hù)全雙工RS-422/RS-485收發(fā)器，數(shù)據(jù)和使能邏輯信號(hào)
2025-07-06 17:48:31737 
Texas Instruments F29H85X-SOM-EVM MCU評(píng)估板用于TI C2000? MCU系列中的F29H85x和F29P58x器件。該模塊化系統(tǒng)設(shè)計(jì)非常適合用于初始評(píng)估和原型
2025-07-04 11:17:01688 
富士通株式會(huì)社發(fā)布了《Technology and Service Vision 2025(富士通技術(shù)與服務(wù)愿景2025)》，對(duì)商業(yè)與社會(huì)的未來愿景進(jìn)行了總結(jié)與展望。借助人機(jī)智能協(xié)作驅(qū)動(dòng)的跨行業(yè)
2025-06-28 10:15:081235 （RTU）設(shè)備中。常見頻點(diǎn)如24 MHz / 50 MHz，用于Modbus、CAN、PLC系統(tǒng)。在高溫環(huán)境（-40~85°C）下仍保持±25ppm以內(nèi)穩(wěn)定性，適配TI Sitara、STM32H7等工業(yè)級(jí)
2025-06-24 17:11:20
兩臺(tái)主機(jī)同時(shí)讀取同一RS485設(shè)備的可行方案及關(guān)鍵實(shí)施要點(diǎn)，ZP-1301-MR/ZP-1303-MR多主機(jī)模塊基于工業(yè)通信實(shí)踐整理如下：
?萬(wàn)能型透?jìng)靼?（ZP-1301-MT）：支持3個(gè)主機(jī)及任意協(xié)議，無(wú)緩存限制；
2025-06-23 10:17:111730 
新品用于CoolSiCMOSFETFF6MR20W2M1H_B70的雙脈沖測(cè)試評(píng)估板評(píng)估板是用于評(píng)估采用1ED3890MC12M柵極驅(qū)動(dòng)器
2025-06-12 17:33:231061 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MT7615 802.11ac Wi-Fi4x4 雙頻單芯片資料.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-06-08 10:06:364 MAX14853/MAX14855隔離RS-485/RS-422收發(fā)器為器件的電纜側(cè)(RS-485/RS-422驅(qū)動(dòng)器/接收器側(cè))和UART側(cè)之間提供2750V~RMS~ (60s)電隔離。當(dāng)端口
2025-06-04 10:34:581045 
使用擴(kuò)展指令調(diào)用NICE協(xié)處理器完成預(yù)定操作，給出的優(yōu)勢(shì)通常為代替CPU處理數(shù)據(jù)，但其實(shí)使用片上總線掛一個(gè)外設(shè)，然后驅(qū)動(dòng)外設(shè)完成操作也可以實(shí)現(xiàn)相同的功能，所以想問一下協(xié)處理器相比于外設(shè)實(shí)現(xiàn)還有沒有其它方面的優(yōu)勢(shì)
2025-05-29 08:21:02
使用擴(kuò)展指令調(diào)用NICE協(xié)處理器完成預(yù)定操作，給出的優(yōu)勢(shì)通常為代替CPU處理數(shù)據(jù)，但其實(shí)使用片上總線掛一個(gè)外設(shè)，然后驅(qū)動(dòng)外設(shè)完成操作也可以實(shí)現(xiàn)相同的功能，所以想問一下協(xié)處理器相比于外設(shè)實(shí)現(xiàn)還有沒有其它方面的優(yōu)勢(shì)
2025-05-28 08:31:12
本案例是使用開疆智能Profient轉(zhuǎn)RS485網(wǎng)關(guān)連接西門子1200PLC與富士變頻器配置的案例。 用于將PLC發(fā)出來的控制命令轉(zhuǎn)換成RS485總線發(fā)送到變頻器。配置過程如下。 配置過程： 首先
2025-05-22 15:06:05526 
銘芯微電子-國(guó)產(chǎn)RS485通信接口IC芯片的技術(shù)優(yōu)勢(shì)：1. IEC?靜電保護(hù)16kV、2. 超大輸出電壓擺幅?VOD、3.?熱插拔功能、4.?低功耗關(guān)斷、5.輸入阻抗、6.超高速傳輸
2025-05-16 13:33:461148 
適用于差異化半導(dǎo)體基礎(chǔ)測(cè)試應(yīng)用的干簧繼電器，采用單一表面貼裝封裝，相比SANYU現(xiàn)有的表面貼裝產(chǎn)品線節(jié)省了25%的組裝空間。MT系列表面貼裝采用轉(zhuǎn)換觸點(diǎn)形式，提供了卓越的性能、可靠性和信譽(yù)。
2025-05-09 13:39:201 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()Sky5? NR MB/HB LNA 前端模塊（B3、B39、B2/25、B34、B1、B66、B40、B30、B41 和 B7）相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有Sky5? NR
2025-05-07 18:35:53
TPS4H82H85-Q1 器件是完全受保護(hù)的雙通道智能高側(cè)開關(guān)，帶有兩個(gè)集成的 85mΩ NMOS 功率 FET，適用于 24V 和 48V 汽車電源系統(tǒng)。保護(hù)和診斷功能包括精確的電流感應(yīng)、可選的電流限制水平、OFF 狀態(tài)開路負(fù)載和電池短路檢測(cè)以及熱關(guān)斷。
2025-05-06 10:35:332311 
多軸控制器可使用國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器SF25C20（MB85RS2MT）
2025-05-06 09:47:26585 
富士通 2024財(cái)年財(cái)報(bào) 富士通于4月24日發(fā)布了2024年度財(cái)報(bào)。根據(jù)財(cái)報(bào)顯示，調(diào)整后的2024財(cái)年整體營(yíng)收為35,501億日元，較上一年度增長(zhǎng)2.1%；營(yíng)業(yè)利潤(rùn)3,072億日元，較上一年度增長(zhǎng)
2025-04-25 19:31:161233 集成8核Arm Cortex-A55 CPU、GPU、NPU、MCU 支持最高4K@25fps編碼，可實(shí)現(xiàn)多路攝像頭輸入 集成MCU可獨(dú)立運(yùn)行實(shí)時(shí)系統(tǒng)進(jìn)行運(yùn)動(dòng)控制 支持
2025-04-24 14:58:263233 
與 FCO-3C-HP 系列高精度晶體振蕩器，具備±10ppm頻率穩(wěn)定度（@-40℃~85℃）、RMS抖動(dòng)小于0.5ps的出色性能，適用于各類對(duì)時(shí)鐘精準(zhǔn)度和長(zhǎng)期穩(wěn)定性有嚴(yán)格要求的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
產(chǎn)品特點(diǎn)
頻率范圍廣
2025-04-23 11:20:33
抖動(dòng)要求，包括抖動(dòng)傳遞、抖動(dòng)產(chǎn)生和抖動(dòng)容差。所有規(guī)格均相對(duì)于?40°C至+85°C環(huán)境溫度而言，除非另有說明。
2025-04-15 10:26:561245 
Leadway電源模塊和TI（德州儀器）、Murata（村田）相比有哪些優(yōu)勢(shì)？Leadway電源模塊提供高性能、高可靠性的國(guó)產(chǎn)電源解決方案，以其高效率、寬輸入電壓范圍和緊湊封裝為特點(diǎn)。擅長(zhǎng)替代TI
2025-04-14 10:17:47
替換MB85RS128和FM25V01，舜銘存儲(chǔ)鐵電存儲(chǔ)器SF25C128電壓檢測(cè)儀應(yīng)用方案
2025-04-14 09:46:36719 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()Sky5? LB/LMB/MB/HB 和 4x4 MIMO 分集接收模塊相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有Sky5? LB/LMB/MB/HB 和 4x4 MIMO 分集接收模塊
2025-04-11 15:21:46
SD-WAN技術(shù)相比傳統(tǒng)網(wǎng)絡(luò)具有多方面的顯著優(yōu)勢(shì)，以下是詳細(xì)對(duì)比： 1、成本方面 傳統(tǒng)網(wǎng)絡(luò)：依賴昂貴的專線（如MPLS）和高端硬件設(shè)備，建設(shè)和維護(hù)成本高。擴(kuò)展網(wǎng)絡(luò)時(shí)，需要增加更多硬件設(shè)備和專線，成本
2025-04-01 09:47:35985 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供AIPULNION(AIPULNION)FA25-220S26V5H2D4相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有FA25-220S26V5H2D4的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文
2025-03-24 18:42:34
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供AIPULNION(AIPULNION)BK25-600D24H1N4相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有BK25-600D24H1N4的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，BK25-600D24H1N4真值表，BK25-600D24H1N4管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-03-24 18:41:59
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供AIPULNION(AIPULNION)BK25-600S24H1N4相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有BK25-600S24H1N4的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，BK25-600S24H1N4真值表，BK25-600S24H1N4管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-03-24 18:41:33
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供AIPULNION(AIPULNION)BK25-500S24H1N4相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有BK25-500S24H1N4的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，BK25-500S24H1N4真值表，BK25-500S24H1N4管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-03-24 18:40:57
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供AIPULNION(AIPULNION)BK15-600S24H1N4相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有BK15-600S24H1N4的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，BK15-600S24H1N4真值表，BK15-600S24H1N4管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-03-20 18:54:50
兼容FM25V20A/MB85RS2MT，國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器SF25C20助聽器應(yīng)用方案
2025-03-20 09:55:16675 
TLV4H290-SEP 和 TLV4H390-SEP 均為四通道比較器，可提供低輸入失調(diào)電壓和出色的速度功率比組合，且傳播延遲為 100ns。工作電壓范圍為 1.65V 至 5.5V，每個(gè)通道的靜態(tài)電源電流為 25μA。
2025-03-19 10:02:14876 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供AIPULNION(AIPULNION)FA40-220S24W2N4相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有FA40-220S24W2N4的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，F(xiàn)A40-220S24W2N4真值表，F(xiàn)A40-220S24W2N4管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-03-18 18:58:37
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供AIPULNION(AIPULNION)FA40-220S15W2D4相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有FA40-220S15W2D4的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，F(xiàn)A40-220S15W2D4真值表，F(xiàn)A40-220S15W2D4管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-03-18 18:57:39
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供AIPULNION(AIPULNION)FA40-220S24H3N4相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有FA40-220S24H3N4的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，F(xiàn)A40-220S24H3N4真值表，F(xiàn)A40-220S24H3N4管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-03-18 18:56:17
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供AIPULNION(AIPULNION)DA40-1000S37G2D4相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有DA40-1000S37G2D4的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，DA40-1000S37G2D4真值表，DA40-1000S37G2D4管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-03-18 18:55:26
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供AIPULNION(AIPULNION)FA10-220H051515E2D4相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有FA10-220H051515E2D4的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文
2025-03-18 18:52:22
with 64 KB of tightly coupled RAM
Memory
?2 MB non-volatile MRAM (2 independent banks)
?912 KB Global
2025-03-13 09:36:52
富士通采用 AMD Zynq RFSoC 數(shù)字前端（ DFE ）器件來提供具有成本效益、高容量和高能效的無(wú)線電，以滿足不同市場(chǎng)需求。
2025-03-12 17:12:141256 TLV4H290-SEP 和 TLV4H390-SEP 均為四通道比較器，可提供低輸入失調(diào)電壓和出色的速度功率比組合，且傳播延遲為 100ns。工作電壓范圍為 1.65V 至 5.5V，每個(gè)通道的靜態(tài)電源電流為 25μA。
2025-03-06 17:43:371039 
性鐵電存儲(chǔ)器SF24C64/FM24C64/MB85RC64性能及應(yīng)用介紹
2025-03-06 10:06:581473 
富士通與SNP合作，采用BLUEFIELD?方法，五個(gè)月內(nèi)成功合并兩家德國(guó)子公司SAP系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)快速遷移、高效合作、極短停機(jī)時(shí)間和業(yè)務(wù)連續(xù)性，增強(qiáng)了數(shù)字化轉(zhuǎn)型競(jìng)爭(zhēng)力。
2025-03-05 17:00:57753 鐵電存儲(chǔ)器SF24C64對(duì)標(biāo)MB85RC64性能、應(yīng)用深度分析
2025-02-25 09:40:591103 
MT25QL512ABB8E12-0SIT是一款高性能的串行閃存存儲(chǔ)器，由MICRON制造，專為滿足各種電子設(shè)備的存儲(chǔ)需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備出色的存儲(chǔ)密度和快速的讀寫速度，適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。目前
2025-02-14 07:31:33
MT25QU512ABB1EW9-0SIT是一款高性能的串行閃存存儲(chǔ)器，由MICRON制造，專為滿足各種電子設(shè)備的存儲(chǔ)需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備出色的存儲(chǔ)密度和快速的讀寫速度，適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。目前
2025-02-14 07:29:12
舜銘存儲(chǔ)鐵電存儲(chǔ)器SF25C20：替換FM25V20A/MB85RS2MT
2025-02-13 10:29:091167 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《74HC85;74HCT85 4位幅度比較器規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-09 11:55:570 鐵電存儲(chǔ)器SF24C512替換MB85RS512/FM25V512優(yōu)勢(shì)顯著
2025-02-07 09:29:33907 
富士通近日發(fā)布了2024財(cái)年第三季度財(cái)報(bào)。根據(jù)財(cái)報(bào)顯示，2024財(cái)年前三季度整體營(yíng)收為2.6214兆日元，調(diào)整后營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為1,576億日元，創(chuàng)歷史新高。營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率為6.0%，較去年同期增長(zhǎng)1.5個(gè)百分點(diǎn)。
2025-02-06 09:17:081348 BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28
施耐德M241與MR20-MT-1616的組態(tài)過程
2025-01-14 12:00:381312 
一、系統(tǒng)概述 MR30分布式IO是一個(gè)高度靈活的可擴(kuò)展分布式 I/O 系統(tǒng)，MR30-FBC-MT用于通過 Modbus TCP 總線將過程信號(hào)連接到上一級(jí)控制器。 具有以下特點(diǎn)： 結(jié)構(gòu)緊湊
2025-01-13 14:32:231121 
舜銘存儲(chǔ)鐵電存儲(chǔ)器SF25C20替換MB85RS2MT性能及應(yīng)用優(yōu)勢(shì)有哪些？
2025-01-10 09:12:15901 
國(guó)產(chǎn)舜銘存儲(chǔ)SF25C20對(duì)標(biāo)MB85RS2MT性能、優(yōu)勢(shì)全面解析
2025-01-06 10:20:57918
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