英尚代理的恒爍半導(dǎo)體NOR FLASH存儲(chǔ)器，具備通用SPI接口，覆蓋廣泛的工作電壓與容量選項(xiàng)，為各類嵌入式系統(tǒng)提供可靠的非易失性存儲(chǔ)支持。該系列包括適用于1.8V低電壓環(huán)境的ZB25LD
2026-01-05 16:11:01
36 eMMC全稱為 embedded Multi Media Card，主要用于非易失性存儲(chǔ)，它彌補(bǔ)了 FPGA 芯片自身存儲(chǔ)能力的不足，為 FPGA 提供一個(gè)高集成度、大容量、低成本、且易于使用的“硬盤”或“固態(tài)硬盤”解決方案。
2025-12-23 14:19:283975 
全球存儲(chǔ)器缺貨、價(jià)格飆漲的風(fēng)口下，力積電的銅鑼新廠成了國際大廠爭搶的核心資源 —— 繼晟碟之后，美光也正在與力積電洽談合作，希望借助這座已建成、仍有 4-5 萬片月產(chǎn)能余量的工廠快速落地存儲(chǔ)器產(chǎn)能，雙方已敲定三種合作方向，只待力積電最終確認(rèn)。
2025-12-22 11:43:221294 
全球企業(yè)和政府正積極尋求解決方案，應(yīng)對(duì)數(shù)據(jù)中心能耗迅速增長問題，開發(fā)下一代“綠色”數(shù)據(jù)中心——既具備高性能，又兼具高能效的設(shè)施。全球科技巨頭富士通在先進(jìn)處理器開發(fā)領(lǐng)域已領(lǐng)先 60 年，致力于開發(fā)更節(jié)能、更可持續(xù)的數(shù)據(jù)中心。
2025-12-17 10:26:53424 在存儲(chǔ)技術(shù)快速迭代的今天，MRAM芯片（磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）以其獨(dú)特的性能，逐漸成為業(yè)界關(guān)注焦點(diǎn)。它不同于傳統(tǒng)的閃存或DRAM，利用磁性而非電荷來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，兼具高速、耐用與非易失性特點(diǎn)。
2025-12-15 14:39:04242 如何利用CW32L083系列微控制器的內(nèi)部Flash存儲(chǔ)器進(jìn)行程序升級(jí)和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)？
2025-12-15 07:39:51
某存儲(chǔ)設(shè)備中一共有40塊磁盤組建存儲(chǔ)池，其中4塊磁盤作為全局熱備盤使用。存儲(chǔ)池內(nèi)劃分出若干空間映射到服務(wù)器使用。
服務(wù)器存儲(chǔ)設(shè)備在沒有斷電、進(jìn)水、異常操作、供電不穩(wěn)定等外部因素的情況下突然崩潰。管理員重啟服務(wù)器后無法進(jìn)入操作系統(tǒng)，數(shù)據(jù)丟失。
2025-12-11 14:16:57149 
鐵電工藝的4 - Kbit非易失性存儲(chǔ)器。鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（F - RAM）具有非易失性，讀寫操作類似于RAM，能提供長達(dá)151年的數(shù)據(jù)保留時(shí)
2025-12-10 17:15:021628 
在計(jì)算機(jī)和電子設(shè)備中，存儲(chǔ)器扮演著數(shù)據(jù)臨時(shí)存放與快速交換的關(guān)鍵角色。其中，DDR SDRAM（雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）已成為現(xiàn)代內(nèi)存的主流技術(shù)之一。它不僅在速度上顯著超越前代產(chǎn)品，更憑借其高效傳輸機(jī)制，廣泛應(yīng)用于電腦、服務(wù)器、移動(dòng)設(shè)備及各類嵌入式系統(tǒng)中。
2025-12-08 15:20:44293 在電子設(shè)備設(shè)計(jì)中，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)是一個(gè)關(guān)鍵環(huán)節(jié)，EEPROM（電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器）因其非易失性和可重復(fù)編程的特性，成為了眾多應(yīng)用的理想選擇。今天，我們就來深入探討 ON Semiconductor
2025-12-05 15:12:42444 
概述CW32L052內(nèi)部集成了64KB嵌入式FLASH供用戶使用，可用來存儲(chǔ)應(yīng)用程序和用戶數(shù)據(jù)。
芯片支持對(duì) FLASH 存儲(chǔ)器的讀、擦除和寫操作，支持擦寫保護(hù)和讀保護(hù)。
芯片內(nèi)置 FLASH 編程
2025-12-05 08:22:19
Engineering) 》中獲評(píng)為“新興領(lǐng)導(dǎo)者”。富士通也成為自2025年3月以來，唯一連續(xù)獲評(píng)“新興領(lǐng)導(dǎo)者”的日本企業(yè)。
2025-12-02 11:50:51637 
Cypress賽普拉斯512Kbit FRAM憑借微秒級(jí)寫入、10^14次擦寫壽命及151年數(shù)據(jù)保留，為車載黑匣子EDR提供高可靠數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。其-40℃~105℃車規(guī)級(jí)工作范圍確保碰撞數(shù)據(jù)完整記錄，滿足汽車安全法規(guī)嚴(yán)苛要求。
2025-12-01 09:47:00246 
在各類存儲(chǔ)設(shè)備中，SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）因其高速、低功耗和高可靠性，被廣泛應(yīng)用于高性能計(jì)算、通信和嵌入式系統(tǒng)中。其中，雙口SRAM靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器憑借其獨(dú)特的雙端口設(shè)計(jì)，在高帶寬和多任務(wù)場景中表現(xiàn)尤為出色，成為提升系統(tǒng)效率的重要組件。
2025-11-25 14:28:44275 在存儲(chǔ)技術(shù)快速演進(jìn)的今天，一種名為STT-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）的新型非易失存儲(chǔ)器，正逐步走入產(chǎn)業(yè)視野。它不僅繼承了MRAM的高速讀寫能力與非易失特性，更通過“自旋電流”技術(shù)實(shí)現(xiàn)了信息寫入方式的突破，被視為第二代MRAM技術(shù)的代表。
2025-11-20 14:04:35248 在嵌入式存儲(chǔ)應(yīng)用中，串口MRAM芯片憑借其非易失性、高速度及高耐用性受到廣泛關(guān)注。作為磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器技術(shù)的代表，Everspin磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器在工業(yè)控制、數(shù)據(jù)中心和汽車電子等領(lǐng)域表現(xiàn)優(yōu)異。
2025-11-19 11:51:41146 Ω。
TPL0102配備非易失性存儲(chǔ)器（EEPROM），可用于存儲(chǔ)擦刷 位置。這很有好處，因?yàn)橛晁⑽恢眉词乖?b class="flag-6" style="color: red">斷電時(shí)也會(huì)被存儲(chǔ)，且 開機(jī)后會(huì)自動(dòng)恢復(fù)?？梢栽L問TPL0102的內(nèi)部寄存器 使用 I^2^C接口。
2025-11-19 11:33:38623 
富士通16Kbit FRAM憑借微秒級(jí)寫入速度與10萬億次擦寫壽命，為圖傳模塊提供高可靠性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。其SPI接口與工業(yè)級(jí)溫度范圍（-40℃~85℃）完美適配無人機(jī)、安防監(jiān)控等場景的實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)記錄需求。
2025-11-18 09:48:00317 
，都屬于集成電路里的核心成員。要是按“斷電后數(shù)據(jù)能不能留在器件里”來分，存儲(chǔ)芯片能分成易失性和非易失性兩種。易失性存儲(chǔ)芯片就像電腦的內(nèi)存（像SRAM、DRAM這類
2025-11-17 16:35:402722 
EEPROM是一項(xiàng)成熟的非易失性存儲(chǔ)（NVM）技術(shù)，其特性對(duì)當(dāng)今尖端應(yīng)用的發(fā)展具有非常重要的意義。意法半導(dǎo)體（ST）是全球EEPROM芯片知名廠商和存儲(chǔ)器產(chǎn)品和工藝創(chuàng)新名企之一，其連接安全產(chǎn)品部綜合
2025-11-17 09:30:101633 域主要用于存放應(yīng)用程序代碼和用戶數(shù)據(jù)，用戶可編程。
●● 啟動(dòng)程序存儲(chǔ)器，共 2.5KB，地址空間為 0x0010 0000 - 0x0010 09FF。該區(qū)域主要用于存儲(chǔ) BootLoader 啟動(dòng)程序
2025-11-12 07:34:35
服務(wù)器存儲(chǔ)數(shù)據(jù)恢復(fù)環(huán)境：
一臺(tái)服務(wù)器上部署esxi虛擬化平臺(tái)。上層采用通過FreeNAS構(gòu)建的iSCSI方式FCSAN功能，F(xiàn)reeNAS層采用UFS2文件系統(tǒng)。
esxi虛擬化系統(tǒng)有3臺(tái)虛擬機(jī)
2025-11-11 14:11:52166 在當(dāng)今對(duì)數(shù)據(jù)持久性與系統(tǒng)可靠性要求極高的企業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施和數(shù)據(jù)中心中，Everspin推出的自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM（STT-MRAM）存儲(chǔ)器——EMD4E001G-1Gb，憑借其卓越的性能與獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢，成為眾多高性能存儲(chǔ)解決方案中的亮點(diǎn)。
2025-11-05 14:34:28280 富士通本周四發(fā)布了2025財(cái)年上半年財(cái)報(bào)。根據(jù)財(cái)報(bào)顯示，2025財(cái)年上半年整體營收為1.5665兆日元 ，調(diào)整后營業(yè)利潤達(dá)到1,213億日元，較去年同期大幅增長83.6%，營業(yè)利潤率為7.7%，較去年同期增長3.4個(gè)百分點(diǎn)。
2025-11-04 16:30:44921 輸入 ifmap 點(diǎn)復(fù)用了 R*R 次（same 方式）。
現(xiàn)有的數(shù)據(jù)復(fù)用方式如下所示，把某一種數(shù)據(jù)固定在某個(gè)層次的存儲(chǔ)器中，直到完成所有計(jì)算。
l 權(quán)重固定 Weight
2025-10-31 07:14:52
在需要高速數(shù)據(jù)寫入與極致可靠性的工業(yè)與數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中，Everspin推出的8位位并行接口MRAM樹立了性能與耐用性的新標(biāo)桿。這款Everspin存儲(chǔ)器MRAM與SRAM引腳兼容的存儲(chǔ)器，以高達(dá)35
2025-10-24 16:36:03532 MRAM是一種利用電子的自旋磁性來存儲(chǔ)信息的非易失性存儲(chǔ)器。它完美結(jié)合了SRAM的高速讀寫特性與閃存（Flash）的非易失性，能夠在斷電后永久保存數(shù)據(jù)，同時(shí)具備無限次擦寫、無磨損的卓越耐用性。MRAM將磁性材料集成于硅電路中，在單一芯片上實(shí)現(xiàn)了高速、可靠與長壽命的統(tǒng)一，是存儲(chǔ)技術(shù)的一次重大飛躍。
2025-10-24 15:48:44411 富士通近日宣布，將與英偉達(dá)(NVIDIA)擴(kuò)大戰(zhàn)略合作，共同打造集成AI Agent的全棧式AI基礎(chǔ)設(shè)施。此舉旨在利用AI能力增強(qiáng)企業(yè)競爭優(yōu)勢，同時(shí)確保企業(yè)在AI應(yīng)用上的自主性與靈活性。
2025-10-23 17:49:37748 一次性可編程（OTP）非易失性存儲(chǔ)器問世已久。與其他非易失性存儲(chǔ)技術(shù)相比，OTP的占用面積更小，且無需額外的制造工序，因此成為存儲(chǔ)啟動(dòng)代碼、加密密鑰等內(nèi)容的熱門選擇。盡管聽起來簡單，但隨著人工智能（AI）的大規(guī)模部署和對(duì)更先進(jìn)技術(shù)的需求日益增長，平衡OTP的各項(xiàng)需求變得極具挑戰(zhàn)性。
2025-10-21 10:38:111440 
富士通MB85RC04VPNF-G-JNERE1 4Kbit工業(yè)級(jí)FRAM，150ns極速寫入、1萬億次擦寫、-40℃~+85℃寬溫，I2C接口低功耗，SOP-8小封裝，為PLC、電表、編碼器等邊緣節(jié)點(diǎn)提供高可靠非易失存儲(chǔ)。
2025-10-10 09:45:00307 富士通256Kbit FRAM MB85RS256BPNF-G-JNERE1為LED顯示系統(tǒng)提供高速、高耐久性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方案，支持納秒級(jí)寫入與10^12次擦寫，解決傳統(tǒng)存儲(chǔ)器延遲高、壽命短問題，適用于智能交通、戶外廣告等嚴(yán)苛環(huán)境，顯著提升系統(tǒng)響應(yīng)與可靠性。
2025-09-11 09:45:00481 
和極低的延遲，還需具備高存儲(chǔ)密度和小型化設(shè)計(jì)。此外，智慧的斷電保護(hù)機(jī)制也至關(guān)重要，以確保緊急情況下數(shù)據(jù)的完整性。因此，在選擇電容器時(shí)，高容量密度、高可靠性、小型化
2025-09-01 10:03:45470 
在數(shù)字化時(shí)代，企業(yè)數(shù)據(jù)已成為最寶貴的資產(chǎn)。NAS存儲(chǔ)系統(tǒng)作為企業(yè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的核心設(shè)備，一旦遭遇意外斷電，輕則導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失，重則造成設(shè)備損壞，給企業(yè)帶來難以估量的損失。作為專業(yè)UPS電源廠家，優(yōu)比施
2025-08-25 10:13:50819 
我迫切需要知道如何在沒有 NuLink 編程器的情況下執(zhí)行 SWD 解鎖序列。
2025-08-18 07:04:34
NAND閃存芯片是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代電子設(shè)備中。以下是其核心功能、特點(diǎn)和應(yīng)用場景的詳細(xì)分析： 1. 核心功能 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)：以電信號(hào)形式長期保存數(shù)據(jù)，斷電后數(shù)據(jù)不丟失。 快速讀寫：支持
2025-08-11 10:43:441645 隨著全球二氧化碳減排的推進(jìn)，可再生能源，尤其是太陽能發(fā)電的重要性日益凸顯。光伏逆變器又稱功率調(diào)節(jié)器可將太陽能板產(chǎn)生的電壓轉(zhuǎn)換成正確的電流及電壓波形并入電網(wǎng)。由于需要連接到電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施，因此對(duì)可靠性、易維護(hù)性和使用壽命有所要求，F(xiàn)eRAM(鐵電體存儲(chǔ)器)的優(yōu)異特性得以發(fā)揮。
2025-08-08 14:41:061506 
在工業(yè)生產(chǎn)、物流倉儲(chǔ)等場景中，條碼掃描往往伴隨著物體的動(dòng)態(tài)移動(dòng)。此時(shí)，不少人會(huì)產(chǎn)生疑問：固定式條碼掃描器能否在條碼移動(dòng)的情況下完成掃描？答案是肯定的，但這一過程受到多種技術(shù)因素的制約。固定式條碼
2025-08-04 15:18:59452 
HBM（High Bandwidth Memory）即高帶寬存儲(chǔ)器，是一種基于 3D 堆疊技術(shù)的高性能 DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）。其核心設(shè)計(jì)是通過硅通孔（TSV）和微凸塊（Microbump
2025-07-18 14:30:122949 ”。閃存則是一種非易失性（ Non-Volatile ）內(nèi)存，在沒有電流供應(yīng)的條件下也能夠長久地保持數(shù)據(jù)，其存儲(chǔ)特性相當(dāng)于硬盤，這項(xiàng)特性正是閃存得以成為各類便攜型數(shù)字設(shè)備的存儲(chǔ)介質(zhì)的基礎(chǔ)。
各類 DDR
2025-07-03 14:33:09
、可靠性、可擴(kuò)展性和管理性等方面的嚴(yán)格要求。相較于消費(fèi)級(jí)SSD，eSSD具有更高的讀寫速度，更低的延遲，更大的存儲(chǔ)容量以及更高的可靠性，并且具有斷電保護(hù)功能。 為實(shí)現(xiàn)其斷電保護(hù)功能，eSSD通常會(huì)配備大容量的電容。在正常供電時(shí)，電容會(huì)充電儲(chǔ)能。當(dāng)檢測到斷電瞬間，電容釋放
2025-07-02 13:43:581435 
。 ? 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器按照斷電后數(shù)據(jù)是否繼續(xù)保存，可分為易失性(Volatile)存儲(chǔ)和非易失性(Non-Volatile)存儲(chǔ)。利基型DRAM屬于易失性存儲(chǔ)，NOR?Flash、SLC?NAND?Flash屬于非
2025-06-29 06:43:001768 
富士通株式會(huì)社發(fā)布了《Technology and Service Vision 2025(富士通技術(shù)與服務(wù)愿景2025)》，對(duì)商業(yè)與社會(huì)的未來愿景進(jìn)行了總結(jié)與展望。借助人機(jī)智能協(xié)作驅(qū)動(dòng)的跨行業(yè)
2025-06-28 10:15:081235 ，是信息時(shí)代的基石。
2. 核心分類：斷電后數(shù)據(jù)還在嗎？
這是最根本的分類依據(jù)：
易失性存儲(chǔ)器：斷電后數(shù)據(jù)立刻消失。
特點(diǎn)：速度快，通常用作系統(tǒng)運(yùn)行的“工作臺(tái)”。
代表：DRAM (動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
2025-06-24 09:09:39
與可靠性驗(yàn)證，標(biāo)志著該產(chǎn)品正式具備大規(guī)模商用條件。該IP不僅滿足了客戶對(duì)SPD存儲(chǔ)方案的嚴(yán)苛要求，也再次印證了珠海創(chuàng)飛芯科技有限公司在非易失性存儲(chǔ)IP領(lǐng)域的研發(fā)深度與工程交付能力。
2025-06-12 17:42:071062 的性能，即使在斷電的情況下也能保持數(shù)據(jù)不丟失。Flash存儲(chǔ)器的讀取速度非?？?，適合用于頻繁讀取數(shù)據(jù)的應(yīng)用場景。它的工作原理是通過控制電子在半導(dǎo)體材料中的移動(dòng)來存儲(chǔ)
2025-05-27 13:10:411722 
DS4520是9位非易失(NV) I/O擴(kuò)展器，具有通過I2C兼容的串行接口控制的64字節(jié)NV用戶存貯器。與用來控制數(shù)字邏輯節(jié)點(diǎn)的硬件跳線和機(jī)械開關(guān)相比，DS4520為用戶提供了數(shù)字可編程的替代方案
2025-05-26 15:41:31457 
DS4510是CPU監(jiān)控電路，具有內(nèi)部集成的64字節(jié)EEPROM存儲(chǔ)器和四個(gè)可編程的非易失性(NV) I/O引腳。它配備了工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)I2C接口，使用快速模式(400kbps)或標(biāo)準(zhǔn)模式(100kbps
2025-05-26 10:13:41748 
DS4550是9位，非易失(NV) I/O擴(kuò)展器，具有I2C兼容串行接口或IEEE? 1149.1 JTAG端口控制的64字節(jié)NV用戶存儲(chǔ)器。DS4550采用數(shù)字編程替代硬件跳線和機(jī)械開關(guān)，實(shí)現(xiàn)對(duì)數(shù)
2025-05-26 09:50:50683 
(SHA-256)的加密、雙向、質(zhì)詢-響應(yīng)安全認(rèn)證功能以及小型信息摘要加密功能。3Kb用戶可編程EEPROM陣列為應(yīng)用數(shù)據(jù)提供非易失存儲(chǔ)，附加的保護(hù)存儲(chǔ)器用于存儲(chǔ)SHA-256操作的一組讀保護(hù)密鑰以及用戶存儲(chǔ)器
2025-05-14 11:28:35866 
DS3911是一款4通道、10位Σ-Δ輸出、非易失(NV)控制器，內(nèi)置溫度傳感器和相應(yīng)的模/數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)。集成溫度傳感器提供分辨率為2°C的NV查找表(LUT)索引，溫度范圍為-40°C至
2025-05-12 09:41:29713 
與指令執(zhí)行，速度最快（納秒級(jí)），但容量極?。ㄍǔ镵B級(jí)）。 功能?： 存儲(chǔ)臨時(shí)操作數(shù)、地址指針及狀態(tài)標(biāo)志。 支持低延遲的數(shù)據(jù)處理，確保實(shí)時(shí)控制類任務(wù)的高效執(zhí)行。 二、片上SRAM層（高速易失存儲(chǔ)） 定位?：CPU主內(nèi)存，用于存儲(chǔ)運(yùn)行時(shí)變量、
2025-05-09 10:21:09618 、工業(yè)控制等領(lǐng)域。兆易創(chuàng)新存儲(chǔ)器事業(yè)部市場總監(jiān)薛霆在接受電子發(fā)燒友網(wǎng)記者采訪時(shí)表示，隨著AI硬件爆發(fā)和新能源汽車智能化加速，高可靠性、高性能存儲(chǔ)芯片的需求正迎來新一輪增長。今年的SPI NOR Flash市場前景看好。 ? 兆易創(chuàng)新存儲(chǔ)器事業(yè)部市場總監(jiān)薛霆 AI 終端與服
2025-04-23 11:12:543405 
3.3 存儲(chǔ)器映射 前文所述，寄存器與RAM、FLASH一樣都是芯片內(nèi)部的一種存儲(chǔ)設(shè)備。那么，當(dāng)我們需要訪問它們的時(shí)候，我們需要知道它們的存儲(chǔ)地址。 3.3.1 存儲(chǔ)器映射表 如下圖所示為RA6M5
2025-04-16 15:52:091376 
視頻推薦設(shè)備面對(duì)外部供電意外斷電時(shí)，容易導(dǎo)致存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)丟失甚至系統(tǒng)損壞，而eUPS0505嵌入式微型斷電續(xù)航模塊應(yīng)用簡便體積小巧，能夠在斷電后為設(shè)備提供穩(wěn)定的續(xù)航和快速的斷電通知，為嵌入式系統(tǒng)
2025-04-15 11:38:19546 
非易失性存儲(chǔ)器（NVM）芯片廣泛應(yīng)用于各種設(shè)備中，從智能手機(jī)、個(gè)人電腦到服務(wù)器和工業(yè)控制系統(tǒng)，都是不可或缺的關(guān)鍵組件，它們不僅提高了數(shù)據(jù)的安全性和可靠性，還極大地增強(qiáng)了系統(tǒng)的整體性能。此外，為了滿足
2025-04-10 14:02:241333 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，RRAM（阻變存儲(chǔ)器）存儲(chǔ)是一種新興的非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，它基于材料的電阻變化來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。其存儲(chǔ)單元通常由兩個(gè)電極和中間的阻變材料組成。當(dāng)在電極上施加一定的電壓脈沖時(shí)，阻變材料
2025-04-10 00:07:002089 芯片燒錄領(lǐng)導(dǎo)者昂科技術(shù)近期宣布了其燒錄軟件的最新迭代，并公布了一系列新增兼容芯片型號(hào)。在此次更新中，恒爍半導(dǎo)體（Zbit）推出的非易失性閃存ZB25VQ16CS已被昂科燒錄程序芯片燒錄設(shè)備
2025-04-09 15:22:11735 
存儲(chǔ)器（RAM）是易失性的。? 位容量
p 存儲(chǔ)能力；
p 不同地址線、數(shù)據(jù)線寬度的存儲(chǔ)器，位容量可能相同。? 速度、功耗、價(jià)格等
1.4，嵌入式存儲(chǔ)器類
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2025-03-26 11:12:24
非易失存儲(chǔ)：斷電后數(shù)據(jù)不丟失 可重復(fù)編程：支持擦寫操作（需先擦除后寫入） 二進(jìn)制操作：擦除后全為 1，寫操作將 1 變?yōu)?0 核心差異 一、物理結(jié)構(gòu)對(duì)比 NOR 特性 獨(dú)立存儲(chǔ)單元并聯(lián)架構(gòu) 支持隨機(jī)
2025-03-18 12:06:501167 AD7581 是一款微處理器兼容的 8 位、8 通道、存儲(chǔ)器緩沖數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)，采用單芯片 CMOS 芯片。它由一個(gè) 8 位逐次逼近型 A/D 轉(zhuǎn)換器、一個(gè) 8 通道多路復(fù)用器、8×8 雙端口 RAM
2025-03-17 10:39:29
富士通采用 AMD Zynq RFSoC 數(shù)字前端（ DFE ）器件來提供具有成本效益、高容量和高能效的無線電，以滿足不同市場需求。
2025-03-12 17:12:141256 NAND閃存是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，廣泛用于固態(tài)硬盤、USB閃存盤和手機(jī)存儲(chǔ)中，具有高速讀寫和耐用性強(qiáng)的特點(diǎn)。
2025-03-12 10:21:145319 
無感直流BLDC，大占空比情況下失步問題
2025-03-11 08:00:38
比特的用戶閃存模塊（UFM）用于非易失性存儲(chǔ)多電壓核心使能，可將外部電源電壓設(shè)為 3.3V、2.5V 或 1.8V多電壓 I/O 接口，支持 3.3V、2.5V、1
2025-03-07 15:19:03
富士通與SNP合作，采用BLUEFIELD?方法，五個(gè)月內(nèi)成功合并兩家德國子公司SAP系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)快速遷移、高效合作、極短停機(jī)時(shí)間和業(yè)務(wù)連續(xù)性，增強(qiáng)了數(shù)字化轉(zhuǎn)型競爭力。
2025-03-05 17:00:57753 MXD1210非易失性RAM控制器是一款超低功耗CMOS電路，可將標(biāo)準(zhǔn)（易失性）CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲(chǔ)器。它還會(huì)持續(xù)監(jiān)控電源，以在RAM的電源處于邊際（超出容限）條件時(shí)提供RAM寫保護(hù)。當(dāng)電源開始出現(xiàn)故障時(shí)，RAM受到寫保護(hù)，并且器件切換到電池備用模式。
2025-02-28 10:48:16917 
信息。對(duì)于少于31天的月份，該月的最后一天會(huì)自動(dòng)調(diào)整，包括閏年更正。該計(jì)時(shí)器以兩種格式之一運(yùn)行：24小時(shí)模式或帶AM/PM指示器的12小時(shí)模式。非易失性控制器提供了將CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲(chǔ)器所需的所有支持電路。DS1315可以與RAM或ROM進(jìn)行接口，而不會(huì)在存儲(chǔ)器中留下空隙。
2025-02-28 10:23:08769 
帶鋰電池監(jiān)控器的DS1321靈活非易失性控制器是一款CMOS電路，解決了將CMOS SRAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲(chǔ)器的應(yīng)用問題。監(jiān)控輸入功率是否發(fā)生超出容差的情況。當(dāng)檢測到這種情況時(shí)，芯片使能輸出會(huì)被
2025-02-28 10:00:43985 
帶電池監(jiān)控器的DS1314非易失性控制器是一個(gè)CMOS電路，解決了將CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲(chǔ)器的應(yīng)用問題。監(jiān)控輸入功率是否發(fā)生超出容差的情況。當(dāng)檢測到這種情況時(shí)，芯片使能會(huì)被禁止以實(shí)現(xiàn)
2025-02-28 09:53:17806 
帶電池監(jiān)控器的DS1312非易失性控制器是一個(gè)CMOS電路，解決了將CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲(chǔ)器的應(yīng)用問題。監(jiān)控輸入功率是否發(fā)生超出容差的情況。當(dāng)檢測到這種情況時(shí)，芯片使能會(huì)被禁止以實(shí)現(xiàn)
2025-02-28 09:48:45744 
DS1557是一款全功能、符合-2000年標(biāo)準(zhǔn)(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)，具有RTC警報(bào)、看門狗定時(shí)器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控器和512k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對(duì)DS1557內(nèi)所有
2025-02-27 17:11:32932 
DS1554是一款全功能、符合2000年標(biāo)準(zhǔn)(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)，具有RTC警報(bào)、看門狗定時(shí)器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控器和32k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對(duì)DS1554內(nèi)所有
2025-02-27 16:54:351041 
DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過如圖1所示的單字節(jié)寬度的接口對(duì)DS1747內(nèi)部的所有寄存器進(jìn)行訪問。RTC
2025-02-27 15:51:09872 
DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍
2025-02-27 09:19:54819 
DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否
2025-02-27 09:09:09949 
信號(hào)調(diào)理功能可以用于測量熱電偶、RTD 和熱敏電阻、直流/交流電壓和電流；電阻；頻率和周期非易失性存儲(chǔ)器可存儲(chǔ) 5 萬個(gè)讀數(shù)，并在斷電時(shí)保留數(shù)據(jù)每個(gè)通道都有上下限報(bào)
2025-02-25 10:59:49
M95320-DRMN3TP/K是一款高性能的串行EEPROM，采用SPI接口，具有32Kbit的存儲(chǔ)容量。該器件專為需要非易失性存儲(chǔ)的應(yīng)用設(shè)計(jì)，能夠在斷電后保持數(shù)據(jù)
2025-02-18 21:57:03
未來發(fā)展趨勢。 DRAM 介紹 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（Dynamic Random Access Memory，縮寫為 DRAM）是一種易失性存儲(chǔ)設(shè)備。這意味著，一旦停止供電，它所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。DRAM 的工作原理依賴于電容器來保存電荷，以此記錄數(shù)據(jù)。然而，電容器中的電荷會(huì)
2025-02-14 10:24:401444 
MTFC64GAZAQHD-AAT是一款高性能的eMMC存儲(chǔ)器，由MICRON制造，專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)大容量存儲(chǔ)的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備卓越的存儲(chǔ)性能和能效，適用于多種應(yīng)用場景。目前可提供數(shù)量為
2025-02-14 07:46:05
MTFC32GASAQHD-AAT是一款高性能的eMMC存儲(chǔ)器，由MICRON制造，專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)大容量存儲(chǔ)的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備出色的存儲(chǔ)性能和能效，適用于多種應(yīng)用場景。目前可提供數(shù)量為
2025-02-14 07:45:22
MTFC128GBCAQTC-AAT是一款高性能的eMMC存儲(chǔ)器，由MICRON制造，專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)大容量存儲(chǔ)的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備卓越的存儲(chǔ)性能和能效，適用于多種應(yīng)用場景。目前可提供數(shù)量
2025-02-14 07:44:29
MTFC128GAVATTC-AAT是一款高性能的eMMC存儲(chǔ)器，由MICRON制造，專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)大容量存儲(chǔ)的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備卓越的存儲(chǔ)性能和能效，適用于多種應(yīng)用場景。目前可提供數(shù)量
2025-02-14 07:43:46
? ? 非易失性存儲(chǔ)器是一種應(yīng)用于計(jì)算機(jī)及智能手機(jī)等設(shè)備中的存儲(chǔ)裝置（存儲(chǔ)器），在沒有外部電源提供的情況下仍能保存數(shù)據(jù)信息。 現(xiàn)今的計(jì)算機(jī)中央處理器（CPU：Central Processing Unit）中，直接、高速處理的數(shù)據(jù)通常保存在易失性存儲(chǔ)器中（
2025-02-13 12:42:142470 
數(shù)顯千分表的數(shù)據(jù)如何用存儲(chǔ)器進(jìn)行接收
2025-02-11 06:01:54
初學(xué)者要了解SDRAM需要先了解存儲(chǔ)器分類。按照存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)功能劃分，可將其分為RAM 和 ROM 兩大類。
2025-02-08 11:24:513961 
在數(shù)字存儲(chǔ)技術(shù)的快速發(fā)展中，閃速存儲(chǔ)器（Flash Memory）以其獨(dú)特的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，成為了連接隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）與只讀存儲(chǔ)器（ROM）之間的重要橋梁。本文將深入探討閃速存儲(chǔ)器的技術(shù)特性、分類及其在現(xiàn)代電子設(shè)備中的應(yīng)用。
2025-01-29 16:53:001683 本文旨在深入探討閃速存儲(chǔ)器的歸屬問題，即它是否屬于RAM或ROM，同時(shí)詳細(xì)闡述閃速存儲(chǔ)器的功能與作用。
2025-01-29 15:21:001590 閃速存儲(chǔ)器之所以得名“閃速”，主要源于其擦除操作的高效性。傳統(tǒng)的EPROM（可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器）和EEPROM（電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器）在擦除數(shù)據(jù)時(shí)，往往需要較長的時(shí)間，且操作相對(duì)繁瑣。而閃速
2025-01-29 15:14:001378 在信息技術(shù)飛速發(fā)展的今天，閃速存儲(chǔ)器（Flash Memory）以其高速度、大容量和非易失性的特性，成為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域的重要成員。而U盤，作為閃速存儲(chǔ)器的一種常見應(yīng)用形式，更是憑借其便攜性和易用性，在
2025-01-29 15:12:001452 高速緩沖存儲(chǔ)器（Cache）是內(nèi)存的一種特殊形式，但它與通常所說的主存儲(chǔ)器（RAM）有所不同。在計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)體系中，Cache位于CPU和主存儲(chǔ)器之間，用于存儲(chǔ)CPU近期訪問過的數(shù)據(jù)或指令，以加快數(shù)據(jù)的訪問速度。
2025-01-29 11:48:003395 隨著AI技術(shù)的快速發(fā)展，特別是大規(guī)模語言模型（如ChatGPT和Sora）的出現(xiàn)，對(duì)數(shù)據(jù)處理能力和存儲(chǔ)技術(shù)提出了全新的需求。傳統(tǒng)存儲(chǔ)器架構(gòu)在能效比和計(jì)算效率上的限制，逐漸成為瓶頸。如何實(shí)現(xiàn)更高
2025-01-23 17:30:312078 
在此次更新中，恒爍半導(dǎo)體（Zbit）推出的非易失性閃存ZB25VQ32DS已被昂科的程序燒錄專業(yè)芯片燒錄設(shè)備AP8000所支持。昂科技術(shù)自主研發(fā)的AP8000萬用燒錄器，支持包括一拖一及一拖八配置
2025-01-17 09:30:20872 
特點(diǎn)16-Kbit 鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (F-RAM)為 2 K × 8 ? 高耐久性 100 萬億次（1014）讀/寫 ? 151 年數(shù)據(jù)保留期（請(qǐng)參閱數(shù)據(jù)保留期
2025-01-16 14:14:37
ldc上電后，即數(shù)字和模擬端都供電后，只連接spi的四根線到mcu，而其他腳都懸空，這種情況下能否讀寫ldc1000的寄存器。
為什么我在這種情況下都寫不進(jìn)數(shù)據(jù)，讀數(shù)據(jù)也每次不一樣，哪怕是讀只讀的寄存器（device id寄存器）每次讀出的數(shù)據(jù)都不一樣。
2025-01-13 08:21:37
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-132：使用VisualDSP將C代碼和數(shù)據(jù)模塊放入SHARC存儲(chǔ)器中.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-07 13:55:19
0
DAC7568掉電情況下寄存器里的值能保持多久，越精確越好，比如說幾秒或者幾分鐘，謝謝
2025-01-07 08:29:09
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