電子工程師必備：探秘FM25L16B 16-Kbit串行F-RAM 在電子工程師的日常設(shè)計工作中，選擇一款合適的非易失性存儲器至關(guān)重要。今天我們就來詳細了解一款性能卓越的產(chǎn)品——FM25
2026-01-05 16:25:25
29 英尚代理的恒爍半導(dǎo)體NOR FLASH存儲器，具備通用SPI接口，覆蓋廣泛的工作電壓與容量選項，為各類嵌入式系統(tǒng)提供可靠的非易失性存儲支持。該系列包括適用于1.8V低電壓環(huán)境的ZB25
2026-01-05 16:11:0138 FM25V10 1-Mbit 串行 F-RAM 芯片的特性與應(yīng)用解析 在電子設(shè)計領(lǐng)域，找到一款性能卓越、功能豐富且穩(wěn)定可靠的非易失性存儲器至關(guān)重要。今天，我們就來深入探討 Cypress 公司推出
2026-01-04 17:25:09367 ——FM24V05，它是一款512 - Kbit（64 K × 8）的串行（I2C）F - RAM（鐵電隨機存取存儲器），具備諸多優(yōu)秀特性，非常適合需要頻繁或快速寫入的非易失性存儲器應(yīng)用場景。 文件下載
2025-12-31 16:40:23730 FM25L04B：高性能4-Kbit串行F-RAM的卓越之選 在電子設(shè)計領(lǐng)域，非易失性存儲器的選擇至關(guān)重要，它直接影響著系統(tǒng)的性能、可靠性和使用壽命。今天，我們來深入了解一款備受關(guān)注的產(chǎn)品
2025-12-31 16:05:1888 G021 RISC-V MCU快速原型設(shè)計板.pdf 一、開發(fā)板概述 FPB - R9A02G021 專為 R9A02G021 微控制器設(shè)計，可幫助用戶無縫評估該微控制器的特性，并利用 e2 studio IDE 開
2025-12-29 09:50:1775 Renesas R9A02G021：32位RISC-V MCU的全方位解析 作為一名電子工程師，在日常的硬件設(shè)計開發(fā)中，選擇合適的微控制器（MCU）至關(guān)重要。今天，我們就來深入探討一下Renesas
2025-12-29 09:50:1387 FM24V02A：高性能串行F - RAM的卓越之選 在電子設(shè)計領(lǐng)域，非易失性存儲器的選擇至關(guān)重要，它直接影響著系統(tǒng)的性能、可靠性和使用壽命。今天，我們就來深入探討一款高性能的串行F - RAM
2025-12-28 15:25:09404 探索Atmel AT27C256R：高性能OTP EPROM的卓越之選 在電子工程師的設(shè)計工具箱中，尋找一款可靠、高效且性能卓越的存儲器至關(guān)重要。Atmel AT27C256R作為一款低功耗、高性能
2025-12-25 17:10:19315 探索FM25L16B：高性能16-Kbit串行F-RAM的魅力 在電子設(shè)計領(lǐng)域，尋找一款高性能、可靠且耐用的非易失性存儲器是許多工程師的追求。今天，我將帶大家深入了解一款令人矚目的產(chǎn)品
2025-12-23 15:55:09139 博維邏輯Async NVRAM MC90NP256K33T44SCH-A以256Kbit容量和45ns讀寫速度提升交換機數(shù)據(jù)存儲可靠性。其異步接口無需時鐘同步，支持20年數(shù)據(jù)保存與10^12次擦寫壽命，-40℃~85℃工業(yè)級溫度范圍保障極端環(huán)境下配置信息不丟失。
2025-12-23 10:34:00159 
SEMPER? Nano S25FS256T 內(nèi)存模塊快速上手與特性解析 在電子工程師們的日常工作中，選擇一款合適的內(nèi)存模塊至關(guān)重要。今天就來和大家分享一下英飛凌（Infineon）推出
2025-12-20 15:50:051025 CW32F030 的 FLASH 存儲器支持擦寫 PC 頁保護功能。
當(dāng)用戶程序運行 FLASH 時，如果當(dāng)前程序指針 PC 正好位于待擦寫的 FLASH 地址頁范圍內(nèi)，則該擦寫操作失敗，同時
2025-12-11 07:38:50
FM24CL04B：4-Kbit串行F-RAM的卓越性能與應(yīng)用解析 在電子工程領(lǐng)域，非易失性存儲器的選擇對于系統(tǒng)的性能和可靠性至關(guān)重要。今天，我們將深入探討FM24CL04B這款4 - Kbit
2025-12-10 17:15:021628 
所需的高壓 BOOST 電路，無須額外提供編程電壓。
FLASH存儲器組織總?cè)萘?4KB，分頁管理
每頁 512 字節(jié)
共 128 頁
FLASH存儲器保護FLASH 存儲器具有擦寫保護和讀保護功能
2025-12-05 08:22:19
在嵌入式系統(tǒng)與智能設(shè)備中，小容量、可重復(fù)擦寫的非易失性存儲器始終扮演著關(guān)鍵角色。芯伯樂24Cxx系列串行EEPROM憑借其標(biāo)準(zhǔn)化的接口、穩(wěn)定的性能與極低的功耗，成為存儲配置參數(shù)、用戶設(shè)置、運行日志等
2025-11-28 18:32:58317 
在電子設(shè)計領(lǐng)域，EEPROM（電可擦可編程只讀存儲器）是一種至關(guān)重要的組件，廣泛應(yīng)用于各種需要數(shù)據(jù)存儲和讀取的設(shè)備中。今天，我們將深入探討ON Semiconductor的CAT34C02，這是一款
2025-11-27 11:18:26263 
在電子設(shè)計領(lǐng)域，EEPROM（電可擦可編程只讀存儲器）是一種常用的存儲設(shè)備，它允許用戶在不使用特殊工具的情況下對數(shù)據(jù)進行擦除和重新編程。今天，我們將深入探討ON Semiconductor
2025-11-27 11:11:31325 
在各類存儲設(shè)備中，SRAM（靜態(tài)隨機存儲器）因其高速、低功耗和高可靠性，被廣泛應(yīng)用于高性能計算、通信和嵌入式系統(tǒng)中。其中，雙口SRAM靜態(tài)隨機存儲器憑借其獨特的雙端口設(shè)計，在高帶寬和多任務(wù)場景中表現(xiàn)尤為出色，成為提升系統(tǒng)效率的重要組件。
2025-11-25 14:28:44275 安森美 (onsemi) N24C256X 256Kb^I2C^CMOS串行電子擦除可編程只讀存儲器采用低功耗CMOS技術(shù)，內(nèi)部組織為32.768字，每字8位。此電子擦除可編程只讀存儲器支持標(biāo)準(zhǔn)
2025-11-22 17:31:201624 
型號：FZH120
廠商：深圳市方中禾科技有限公司（Premier Chip Limited）FZH120是一種存儲器交換LED顯示控制的驅(qū)動芯片，可以選擇多重的ROW/COM模式（32ROW
2025-11-20 11:40:44
Ω。
TPL0102配備非易失性存儲器（EEPROM），可用于存儲擦刷 位置。這很有好處，因為雨刷位置即使在斷電時也會被存儲，且 開機后會自動恢復(fù)?？梢栽L問TPL0102的內(nèi)部寄存器 使用 I^2^C接口。
2025-11-19 11:33:38623 
電子和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備提供了理想的存儲解決方案。這款256Kb容量、SPI接口的非易失性存儲器，正在重新定義嵌入式存儲的性能標(biāo)準(zhǔn)。
2025-11-13 11:23:46210 片上FLASH 閃存由兩部分物理區(qū)域組成：主FLASH 存儲器和啟動程序存儲器。
●● 主 FLASH 存儲器，共 64KB，地址空間為 0x0000 0000 - 0x0000 FFFF。該區(qū)
2025-11-12 07:34:35
在需要高速數(shù)據(jù)寫入與極致可靠性的工業(yè)與數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中，Everspin推出的8位位并行接口MRAM樹立了性能與耐用性的新標(biāo)桿。這款Everspin存儲器MRAM與SRAM引腳兼容的存儲器，以高達35
2025-10-24 16:36:03532 MRAM是一種利用電子的自旋磁性來存儲信息的非易失性存儲器。它完美結(jié)合了SRAM的高速讀寫特性與閃存（Flash）的非易失性，能夠在斷電后永久保存數(shù)據(jù)，同時具備無限次擦寫、無磨損的卓越耐用性。MRAM將磁性材料集成于硅電路中，在單一芯片上實現(xiàn)了高速、可靠與長壽命的統(tǒng)一，是存儲技術(shù)的一次重大飛躍。
2025-10-24 15:48:44414 QSPI PSRAM是一種集成了QSPI接口與PSRAM存儲功能的高效芯片。QSPI（四線串行外設(shè)接口）是一種高速串行通信接口，用于連接外部設(shè)備；而PSRAM（偽靜態(tài)隨機存儲器）則結(jié)合了快速隨機訪問與動態(tài)存儲的特性。
2025-10-23 15:40:17379 一次性可編程（OTP）非易失性存儲器問世已久。與其他非易失性存儲技術(shù)相比，OTP的占用面積更小，且無需額外的制造工序，因此成為存儲啟動代碼、加密密鑰等內(nèi)容的熱門選擇。盡管聽起來簡單，但隨著人工智能（AI）的大規(guī)模部署和對更先進技術(shù)的需求日益增長，平衡OTP的各項需求變得極具挑戰(zhàn)性。
2025-10-21 10:38:111440 
STMicroelectronics M24M02E-U 2Mbit I^2^C兼容電子擦除可編程只讀存儲器內(nèi)部組織為256K x 8位。其工作電源電壓為1.6V至5.5V、時鐘頻率最高可達1MHz
2025-10-15 14:37:12600 
Microchip Technology 23AA02M和23LCV02M 2Mb SPI/SDI/SQI SRAM是可以通過串行外設(shè)接口 (SPI) 兼容總線訪問的隨機存取存儲器器件。該SRAM
2025-10-09 11:12:55561 ）。 Microchip Technology 25CS640 EEPROM優(yōu)化用于需要可靠、穩(wěn)健的非易失性存儲器的消費及工業(yè)應(yīng)用。 25CS640可在寬電壓范圍（1.7V至5.5V）內(nèi)工作
2025-09-30 14:57:09641 
nRF54LM20A 以高存儲版本拓展了 nRF54L 系列產(chǎn)品線，其搭載 2MB 非易失性存儲器（NVM）與 512KB 隨機存取存儲器（RAM）；同時，該芯片保留了系列一致的微控制器（MCU）核心功能
2025-09-29 01:20:31
直流-直流轉(zhuǎn)換器優(yōu)化實現(xiàn)了高效率和緊湊的解決方案尺寸。TPS62A02A型號可在電流負載范圍內(nèi)以強制PWM模式 (FPWM) 工作。TI TPS62A02EVM-197和TPS62A02
2025-09-12 15:23:30749 
富士通256Kbit FRAM MB85RS256BPNF-G-JNERE1為LED顯示系統(tǒng)提供高速、高耐久性數(shù)據(jù)存儲方案，支持納秒級寫入與10^12次擦寫，解決傳統(tǒng)存儲器延遲高、壽命短問題，適用于智能交通、戶外廣告等嚴(yán)苛環(huán)境，顯著提升系統(tǒng)響應(yīng)與可靠性。
2025-09-11 09:45:00481 
KEYSIGHT是德MSOX4154A數(shù)字存儲示波器MSOX4154A數(shù)字存儲示波器 主要特性與技術(shù)指標(biāo)體驗超凡速度：?100 萬個波形/秒的更新速率?完美的 MegaZoom
2025-09-08 10:07:11
KEYSIGHT是德DSOX4154A數(shù)字存儲示波器 DSOX4154A數(shù)字存儲示波器 主要特性與技術(shù)指標(biāo)體驗超凡速度：?100 萬個波形/秒的更新速率?完美的 MegaZoom
2025-09-08 10:05:38
KEYSIGHT是德科技DSOX4104A數(shù)字存儲示波器 DSOX4104A數(shù)字存儲示波器 主要特性與技術(shù)指標(biāo)體驗超凡速度：?100 萬個波形/秒的更新速率?完美
2025-08-29 11:05:14
KEYSIGHT是德科技MSOX4034A數(shù)字存儲示波器MSOX4034A數(shù)字存儲示波器 主要特性與技術(shù)指標(biāo)體驗超凡速度：?100 萬個波形/秒的更新速率?完美的 MegaZoom
2025-08-29 11:03:24
KEYSIGHT是德MSOX4104A數(shù)字存儲示波器 MSOX4104A數(shù)字存儲示波器 主要特性與技術(shù)指標(biāo)體驗超凡速度：?100 萬個波形/秒的更新速率?完美的 MegaZoom
2025-08-28 11:24:29
Keysight MSOS204A是德MSOS204A存儲器示波器2GHz keysight是德MSOS204A存儲器示波器， S 系列示波器配備 2 GHz 存儲器、15 英寸 XGA
2025-08-12 15:48:29
P24C256H是I2C兼容的串行EEPROM（電可擦除可編程存儲器）設(shè)備。它包含一個256Kbits （32Kbytes）的內(nèi)存陣列，每頁64bytes。
2025-08-08 17:05:231815 
隨著全球二氧化碳減排的推進，可再生能源，尤其是太陽能發(fā)電的重要性日益凸顯。光伏逆變器又稱功率調(diào)節(jié)器可將太陽能板產(chǎn)生的電壓轉(zhuǎn)換成正確的電流及電壓波形并入電網(wǎng)。由于需要連接到電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施，因此對可靠性、易維護性和使用壽命有所要求，F(xiàn)eRAM(鐵電體存儲器)的優(yōu)異特性得以發(fā)揮。
2025-08-08 14:41:061506 
Texas Instruments SN74LVC02A/SN74LVC02A-Q1四通道雙輸入或非門的輸入可由3.3V或5V器件驅(qū)動。這一功能使得這款設(shè)備能夠作為轉(zhuǎn)換器在3.3V/5V混合系統(tǒng)環(huán)境
2025-08-01 11:50:501024 
Texas Instruments TPS62A02NxEVM-084評估模塊 (EVM) 便于對TPS62A02N或TPS62A02NA進行評估，是一款2A同步降壓DC-DC轉(zhuǎn)換器，采用1.6mm
2025-07-23 16:12:29523 
HBM（High Bandwidth Memory）即高帶寬存儲器，是一種基于 3D 堆疊技術(shù)的高性能 DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）。其核心設(shè)計是通過硅通孔（TSV）和微凸塊（Microbump
2025-07-18 14:30:122949 :另外,PMS15A/PMS150C還提供一種16 位的硬件計數(shù)器、一個8位的硬件PWM生成器和一個通用型比較器?；?b class="flag-6" style="color: red">特性存儲器：- PMS150C 具有 1KW OTP 程序存儲器和 64 字節(jié)數(shù)
2025-06-23 09:00:55
電壓傳感器產(chǎn)品型號：VN2A 25 P04本傳感器的原邊與副邊之間是絕緣的，用于測量直流電壓。特性? 基于霍爾原理的閉環(huán)（補償）電流傳感器? 原材料符合UL 94-V0? 單電源供電 +24V
2025-06-17 16:44:04
0 FM33A0xx系列
簡介：
FM33A0xx系列芯片是ARM Cortex-M0內(nèi)核的32位低功耗MCU芯片，最大可支持512KB FLASH程序存儲器和 64KB RAM，集成LCD驅(qū)動、帶溫補
2025-06-12 18:03:47
CSS6404LS-LI通過 >500MB/s帶寬、105℃高溫運行及μA級休眠功耗三重突破，成為高清語音設(shè)備的理想存儲器
2025-06-04 15:45:23566 
單片機實例項目：AT24C02EEPROM存儲器，推薦下載！
2025-06-03 20:50:02
Microchip AT27LV256A-90JU 參數(shù)特性 EDA模型與數(shù)據(jù)手冊下載
2025-05-30 14:54:35881 
TPS544E27 器件是高度集成的降壓轉(zhuǎn)換器，具有 D-CAP+ 控制拓撲，可實現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)。所有可編程參數(shù)均可通過 PMBus 接口進行配置，并作為新的默認值存儲在非易失性存儲器 （NVM） 中，以最大限度地減少外部元件數(shù)量。這些特性使該器件非常適合空間受限的應(yīng)用。
2025-05-29 17:54:03609 
BL24C02A
BL24C04A
BL24C08A
BL24C16A
BL24C256A
BL24C32AA0
BL24C512A
BL25CM1A
BL25CM2A
2025-05-28 18:28:59
BL24C02A 8-lead SOP/TSSOP/UDFN and SOT23-5
BL24C04ADIP8 SOP8 TSSOP8 UDFN8 TSOT23-5 SOT23-5
2025-05-23 10:21:00
近期，芯片燒錄領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者昂科技術(shù)推出其燒錄軟件的重大版本更新。在新版本發(fā)布之際，公司同步宣布新增多款兼容芯片型號，其中包括旺宏電子開發(fā)的MX25U51245G串行NOR閃存存儲器。該芯片已成功完成
2025-05-20 16:27:37619 
(SHA-256)的質(zhì)詢-響應(yīng)安全認證功能和512位用戶可編程EPROM。附加存儲器為SHA-256操作儲存密鑰。每款器件帶有唯一的64位ROM注冊碼(ROM ID)，由工廠刻入芯片。DS28E15所
2025-05-14 13:59:53902 
(SHA-256)的質(zhì)詢-響應(yīng)安全認證功能和4Kb用戶可編程EPROM。附加安全存儲器保存SHA-256操作密鑰。每款器件帶有唯一的64位ROM注冊碼(ROM ID)，由工廠刻入芯片。DS28E25所
2025-05-14 13:57:05725 
(SHA-256)的加密、雙向、質(zhì)詢-響應(yīng)安全認證功能以及小型信息摘要加密功能。3Kb用戶可編程EEPROM陣列為應(yīng)用數(shù)據(jù)提供非易失存儲，附加的保護存儲器用于存儲SHA-256操作的一組讀保護密鑰以及用戶存儲器
2025-05-14 11:28:35867 
? ? ? ?MCU的存儲器層次結(jié)構(gòu)通過整合不同性能與功能的存儲單元，優(yōu)化系統(tǒng)效率并滿足多樣化場景需求。其核心架構(gòu)可分為以下層次： 一、寄存器層（最高速） 定位?：集成于CPU內(nèi)核中，直接參與運算
2025-05-09 10:21:09618 多軸控制器可使用國產(chǎn)鐵電存儲器SF25C20（MB85RS2MT）
2025-05-06 09:47:26585 
UV-EPROM的結(jié)構(gòu)與使用方法，閃速存儲器的結(jié)構(gòu)與使用方法，EEPROM的結(jié)構(gòu)與使用方法， SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法， 特殊的SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法 ，DRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法，
2025-04-16 16:04:56
替換MB85RS128和FM25V01，舜銘存儲鐵電存儲器SF25C128電壓檢測儀應(yīng)用方案
2025-04-14 09:46:36719 
非易失性存儲器（NVM）芯片廣泛應(yīng)用于各種設(shè)備中，從智能手機、個人電腦到服務(wù)器和工業(yè)控制系統(tǒng)，都是不可或缺的關(guān)鍵組件，它們不僅提高了數(shù)據(jù)的安全性和可靠性，還極大地增強了系統(tǒng)的整體性能。此外，為了滿足
2025-04-10 14:02:241333 便攜式醫(yī)療鐵電存儲器SF25C20(FM25V20A)的替換方案
2025-04-07 09:46:03626 
EEPROM (Electrically Erasable Programmable read only memory)是指帶電可擦可編程只讀存儲器。是一種掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲芯片。EEPROM
2025-03-29 17:26:511537 
替換FM25V20A醫(yī)療物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備可使用鐵電存儲器SF25C20
2025-03-28 10:31:41717 
兼容FM25V20A/MB85RS2MT，國產(chǎn)鐵電存儲器SF25C20助聽器應(yīng)用方案
2025-03-20 09:55:16676 
特性64 千比特鐵電隨機存取存儲器（F - RAM），邏輯上組織為 8K×8高達 100 萬億次（\(10^{14}\)）讀 / 寫耐久性151 年的數(shù)據(jù)保存期限（詳見 “數(shù)據(jù)保存期限和耐久性表
2025-03-19 11:35:49
鐵電存儲器SF25C20/SF25C512在人工智能邊緣計算中應(yīng)用
2025-03-13 09:46:30774 
字節(jié)與 S25FL032A 器件向后兼容編程頁編程（最多 256 字節(jié)），典型時間為 1.5 毫秒按頁進行編程操作通過 9V 的 W#/ACC 引腳實現(xiàn)加速編程模式
2025-03-07 13:58:21
本書主要介紹了UV-EPROM的結(jié)構(gòu)和使用方法，閃速存儲器的結(jié)構(gòu)和使用方法，EEPROM的結(jié)構(gòu)和使用方法， SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法，特殊的SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法，DRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法，
2025-03-07 10:52:47
：8.5 英寸 WVGA 顯示屏? 高達 1,000,000 個波形/秒的最快更新速率? 最深的存儲器：4 Mpts（可選，2Mpts 交叉標(biāo)配）
2025-03-07 10:40:12683 性鐵電存儲器SF24C64/FM24C64/MB85RC64性能及應(yīng)用介紹
2025-03-06 10:06:581473 
鐵電存儲器SF24C64對標(biāo)FM24C64性能、應(yīng)用和成本分析
2025-03-03 10:25:451304 AT24C64是一款串行電可擦除編程只讀存儲器 (EEPROM)，存儲容量為8192字節(jié)，分為256頁，每頁32字節(jié)。 具有低功耗CMOS技術(shù)，自定時編程周期，支持SOP-8和DIP-8封裝。 適用于智能儀器儀表、筆記本電腦、計算機、家用電器、汽車電子、通信設(shè)備和工業(yè)控制
2025-02-28 15:48:093 TPS7A02 是一款超小型、超低靜態(tài)電流低壓差線性穩(wěn)壓器 （LDO），可提供 200 mA 電流，具有出色的瞬態(tài)性能。
TPS7A02，具有超低的 I~Q~的 25 nA，專為極低靜態(tài)電流
2025-02-28 10:43:181304 DS1992/DS1993內(nèi)存iButtons（以下簡稱DS199x）是堅固的讀/寫數(shù)據(jù)載體，充當(dāng)本地化數(shù)據(jù)庫，易于用最少的硬件訪間。非易失性存儲器和可選的計時功能為存儲和檢索與iButton所連接
2025-02-26 10:39:06821 
DS1992/DS1993內(nèi)存iButtons（以下簡稱DS199x)是堅固的讀/寫數(shù)據(jù)載體，充當(dāng)本地化數(shù)據(jù)庫，易于用最少的硬件訪間。非易失性存儲器和可選的計時功能為存儲和檢索與iButton所連接
2025-02-26 10:32:24881 
存儲容量：8KB（8K x 8）
程序存儲器類型：閃存
EEPROM 容量：640 x 8
RAM 大?。?K x 8
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)：2.95V ~ 5.5V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器：A/D
2025-02-20 17:53:42
AD5272/AD5274 分別是單通道1024/256位數(shù)字變阻器，集業(yè)界領(lǐng)先的可變電阻性能與非易失性存儲器(NVM)于一體，采用緊湊型封裝。這些器件的端到端電阻容差誤差小于1%，并提供50次
2025-02-18 16:40:32
MTFC32GASAQHD-AAT是一款高性能的eMMC存儲器，由MICRON制造，專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對大容量存儲的需求而設(shè)計。該產(chǎn)品具備出色的存儲性能和能效，適用于多種應(yīng)用場景。目前可提供數(shù)量為
2025-02-14 07:45:22
特點FM24C16D提供16384位串行電可擦除可編程只讀存儲器（EEPROM），組織為2048個8字每個位，具有128位UID和16字節(jié)安全性部門。該設(shè)備經(jīng)過優(yōu)化，可用于多種場合工業(yè)和商業(yè)應(yīng)用低
2025-02-13 14:49:06
? 非易失性存儲器是一種應(yīng)用于計算機及智能手機等設(shè)備中的存儲裝置（存儲器），其特點是在沒有外部電源的情況下仍能保存數(shù)據(jù)信息。本文將介紹非易失性存儲器的類型、特點及用途。 什么是非易失性存儲器
2025-02-13 12:42:142470 
舜銘存儲鐵電存儲器SF25C20：替換FM25V20A/MB85RS2MT
2025-02-13 10:29:091169 特點FM24C256E提供262144位串行電可擦除可編程只讀存儲器（EEPROM），由32768個8字組成每個位，具有128位UID和64字節(jié)安全性部門，大大提高了可靠性內(nèi)部ECC邏輯。該設(shè)備
2025-02-11 14:34:13
數(shù)顯千分表的數(shù)據(jù)如何用存儲器進行接收
2025-02-11 06:01:54
MX25U12832FMI02 產(chǎn)品概述MX25U12832FMI02 是由 Macronix 生產(chǎn)的一款高性能 NOR Flash 存儲器，專為需要大容量存儲和快速讀取的應(yīng)用而設(shè)計。該
2025-02-09 10:21:26
初學(xué)者要了解SDRAM需要先了解存儲器分類。按照存儲器的存儲功能劃分，可將其分為RAM 和 ROM 兩大類。
2025-02-08 11:24:513961 
鐵電存儲器SF24C512替換MB85RS512/FM25V512優(yōu)勢顯著
2025-02-07 09:29:33907 
在數(shù)字存儲技術(shù)的快速發(fā)展中，閃速存儲器（Flash Memory）以其獨特的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，成為了連接隨機存取存儲器（RAM）與只讀存儲器（ROM）之間的重要橋梁。本文將深入探討閃速存儲器的技術(shù)特性、分類及其在現(xiàn)代電子設(shè)備中的應(yīng)用。
2025-01-29 16:53:001683 本文旨在深入探討閃速存儲器的歸屬問題，即它是否屬于RAM或ROM，同時詳細闡述閃速存儲器的功能與作用。
2025-01-29 15:21:001590 閃速存儲器之所以得名“閃速”，主要源于其擦除操作的高效性。傳統(tǒng)的EPROM（可擦除可編程只讀存儲器）和EEPROM（電可擦除可編程只讀存儲器）在擦除數(shù)據(jù)時，往往需要較長的時間，且操作相對繁瑣。而閃速
2025-01-29 15:14:001378 在信息技術(shù)飛速發(fā)展的今天，閃速存儲器（Flash Memory）以其高速度、大容量和非易失性的特性，成為數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域的重要成員。而U盤，作為閃速存儲器的一種常見應(yīng)用形式，更是憑借其便攜性和易用性，在
2025-01-29 15:12:001452 高速緩沖存儲器（Cache）是內(nèi)存的一種特殊形式，但它與通常所說的主存儲器（RAM）有所不同。在計算機存儲體系中，Cache位于CPU和主存儲器之間，用于存儲CPU近期訪問過的數(shù)據(jù)或指令，以加快數(shù)據(jù)的訪問速度。
2025-01-29 11:48:003395 舜銘存儲鐵電存儲器SF25C20能否替換賽普拉斯FM25V20A
2025-01-23 09:03:29953 EEPROM（電可擦除可編程只讀存儲器）是一種非易失性存儲器芯片，應(yīng)用廣泛，即使斷電也不會丟失數(shù)據(jù)，并且支持通過電子信號進行重新編程。通常，EEPROM用于存儲對設(shè)備運行至關(guān)重要的信息，包括可能不時更新的信息，例如固件、系統(tǒng)本身的配置數(shù)據(jù)或用戶配置和偏好。
2025-01-22 10:02:00959 
特點16-Kbit 鐵電隨機存取存儲器 (F-RAM)為 2 K × 8 ? 高耐久性 100 萬億次（1014）讀/寫 ? 151 年數(shù)據(jù)保留期（請參閱數(shù)據(jù)保留期
2025-01-16 14:14:37
舜銘存儲鐵電存儲器SF25C20替換FM25V20A參數(shù)分析及應(yīng)用
2025-01-16 10:17:061232 
舜銘存儲鐵電存儲器SF25C20替換MB85RS2MT性能及應(yīng)用優(yōu)勢有哪些？
2025-01-10 09:12:15902 
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