手機9 Pro等。大內(nèi)存適合大模型數(shù)據(jù)處理、重度多任務(wù)處理、大型游戲或專業(yè)創(chuàng)作等場景。而存儲方面，此前最高容量為1TB，而前不久蘋果iPhone 17發(fā)布，將存儲容量推向2TB。 ? 蘋果 iPhone
2025-10-09 04:09:00
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/ZB25LQ系列、3.0V標準的ZB25VQ/ZB25D系列，以及支持1.8V/3.3V寬電壓工作的ZB25WD/ZB25WQ系列，容量范圍從1Mbit至256Mbit，可滿足不同應(yīng)用場景的存儲需求。
2026-01-05 16:11:0138 隨著AI、物聯(lián)網(wǎng)等技術(shù)普及，智能終端對存儲容量與響應(yīng)速度提出更高要求。AirMICROSD_1000直插擴容模塊通過創(chuàng)新接口設(shè)計，實現(xiàn)快速部署與容量躍升，有效打破存儲邊界，為各類智能設(shè)備注入持續(xù)擴展
2025-12-30 15:50:0748 
德州儀器TB5D1M與TB5D2H：高性能四通道差分PECL驅(qū)動器解析 在電子設(shè)計領(lǐng)域，高性能的差分驅(qū)動器對于數(shù)字數(shù)據(jù)和時鐘信號的傳輸至關(guān)重要。德州儀器（TI）的TB5D1M和TB5D2H四通道差分
2025-12-30 10:05:06100 探索TB5D1M與TB5D2H：高性能四通道差分驅(qū)動器的卓越之選 在電子設(shè)計領(lǐng)域，選擇合適的驅(qū)動器對于確保信號的高效傳輸和系統(tǒng)的穩(wěn)定運行至關(guān)重要。今天，我們將深入探討德州儀器（TI）的兩款四通道差分
2025-12-30 10:05:0298 德州儀器TB5R1/TB5R2：四通道差分PECL接收器的技術(shù)剖析 在當(dāng)今高速、穩(wěn)定的數(shù)據(jù)傳輸需求下，尋找合適的差分接收器至關(guān)重要。今天，我要和大家分享的是德州儀器（TI）推出的 TB5R1
2025-12-30 09:35:1592 兩款四路差分PECL接收器，剖析它們的特性、應(yīng)用場景以及關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)，為電子工程師們在設(shè)計中提供有價值的參考。 文件下載： tb3r2.pdf 產(chǎn)品概述 TB3R1和TB3R2是TI推出的用于差分線路的接收器，它們具有一系列出色的特性，能夠滿足多種高速數(shù)據(jù)傳輸應(yīng)用的需求。這兩款
2025-12-30 09:35:0968 接收器，它們在數(shù)據(jù)傳輸和信號處理方面展現(xiàn)出了卓越的性能。 文件下載： tb3r1.pdf 產(chǎn)品概述 TB3R1和TB3R2是德州儀器（Texas Instruments）推出的四通道差分PECL接收器，適用于高速數(shù)據(jù)傳輸和信號處理應(yīng)用。它們能夠?qū)⒉罘州斎脒壿嬰娖睫D(zhuǎn)換為TTL輸出邏輯電平，為數(shù)字數(shù)據(jù)或時鐘在
2025-12-30 09:30:09102 深度剖析TB5T1雙差分PECL驅(qū)動器/接收器 在電子工程領(lǐng)域，數(shù)據(jù)的高效、穩(wěn)定傳輸至關(guān)重要。TB5T1作為一款雙差分PECL驅(qū)動器/接收器，能在平衡傳輸線上實現(xiàn)數(shù)字數(shù)據(jù)的可靠收發(fā)，應(yīng)用廣泛。下面我
2025-12-30 09:25:1280 作者：LauraPeters文章來源：SEMICONDUCTORENGINEERING每一代3DNAND閃存的存儲容量都比上一代增加約30%，目前的芯片尺寸僅相當(dāng)于指甲蓋大小，卻能存儲高達2TB
2025-12-24 10:28:36679 
增加。而其中接近80%屬于幾乎不被頻繁訪問卻需要長期保存的“冷數(shù)據(jù)”。作為存儲這些數(shù)據(jù)的核心載體，數(shù)據(jù)中心在存儲方案選擇上，正面臨成本控制、效率提升與長期安全等多方面的挑戰(zhàn)。 ? 面對這一增長趨勢，傳統(tǒng)存儲技術(shù)顯得力不從心。為解決
2025-12-18 08:18:004523 AirMICROSD_1000直插小板以快速擴容為核心目標，通過直插方式接入設(shè)備接口，無需復(fù)雜配置。搭配MICROSD卡即可快速突破設(shè)備原有的存儲容量限制，整個擴容過程簡潔高效，能快速解決空間不足
2025-12-16 14:17:16148 北京2025年12月12日 /美通社/ -- 亞馬遜云科技在2025 re:Invent全球大會上推出了云存儲服務(wù)Amazon S3的一系列重磅更新，包括Amazon S3 Vectors正式可用并
2025-12-13 16:43:46392 針對電能質(zhì)量在線監(jiān)測裝置暫態(tài)事件臺賬存儲容量有限的問題，數(shù)據(jù)管理的核心邏輯是 “分級優(yōu)先 + 全生命周期管控” ：通過 “價值分級、存儲優(yōu)化、自動備份、智能清理、合規(guī)歸檔” 五步實現(xiàn)，確保關(guān)鍵數(shù)據(jù)不
2025-12-11 10:53:34379 
電能質(zhì)量在線監(jiān)測裝置的采集頻率調(diào)整，核心影響是 “數(shù)據(jù)量與存儲資源的動態(tài)平衡” ：采集頻率越高，單位時間產(chǎn)生的數(shù)據(jù)量越大，對存儲容量、存儲周期、硬件損耗的壓力越顯著；反之則數(shù)據(jù)量減少，存儲壓力降
2025-12-11 10:41:48462 
電能質(zhì)量在線監(jiān)測裝置的暫態(tài)事件記錄容量分為 事件臺賬容量 （僅記錄事件關(guān)鍵參數(shù)）和 波形記錄容量 （完整記錄事件波形數(shù)據(jù)）兩類，容量大小與設(shè)備等級、存儲配置密切相關(guān)，且普遍支持外部存儲擴展。 一
2025-12-10 17:50:291165 01CW24xx系列串行EEPROM具有低引腳數(shù)、高可靠性、多種存儲容量
02用于靈活的參數(shù)管理和小代碼存儲，滿足穩(wěn)定的數(shù)據(jù)保存、低功耗和空間受限的需要
03采用華虹95nm 最先進工藝，晶圓
2025-11-28 06:43:14
形態(tài)與品類——行業(yè)首款A(yù)IStorageCore。該創(chuàng)新產(chǎn)品已率先通過公司旗下國際高端消費類存儲品牌Lexar雷克沙發(fā)布，以高達4TB的存儲容量、高傳輸效能及熱插
2025-11-27 09:04:241633 
電能質(zhì)量監(jiān)測裝置容量擴展與精度關(guān)系分析 結(jié)論： 電能質(zhì)量在線監(jiān)測裝置的暫態(tài)記錄容量擴展 本身不會影響測量精度 ，因為測量精度由硬件采樣系統(tǒng)和算法決定，與存儲容量無直接關(guān)聯(lián)。但不當(dāng)?shù)臄U展方式或配置可能
2025-11-26 16:52:541224 
方式 1. 存儲卡擴展（最常見） TF 卡 (Micro SD 卡) ： APM830 等主流設(shè)備支持，最大 32GB，可增加約 **30%~50%** 存儲容量 價格低廉，操作簡便，即插即用 SD 卡
2025-11-26 16:43:101175 
記錄觸發(fā) ：當(dāng)檢測到電壓暫升 / 暫降、短時中斷等異常時自動啟動，也支持手動觸發(fā) 2. 存儲容量與數(shù)量要求 國標 未明確規(guī)定暫態(tài)記錄的具體數(shù)量上限
2025-11-26 16:37:411171 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，隨著AI應(yīng)用的廣泛落地，用戶對存儲速率和容量的需求與日俱增。近期高端消費級SSD市場不斷出現(xiàn)PCIe 5.0?8TB SSD產(chǎn)品。 ? 三星于2025年推出PCIe 5.0旗艦
2025-11-22 08:05:004543 和讀取，適用于需要長期保存關(guān)鍵數(shù)據(jù)的設(shè)備。
多種存儲容量：武漢芯源半導(dǎo)體的EEPROM產(chǎn)品提供多種存儲容量選擇，從2KB到512KB不等，以滿足不同應(yīng)用的需求。
先進的工藝：采用華虹95nm最先進工藝制造
2025-11-21 07:10:48
EASY EAI Nano-TB(RV1126B)開發(fā)板開箱報告：
1 開箱體驗：精致包裝與豐富配件
EASY EAI Nano-TB(RV1126B)開發(fā)板套件采用了一個充滿科技感的包裝設(shè)計，打開
2025-11-19 21:39:56
探索 Kunlun Pi | 基于匠芯創(chuàng)D13x系列開發(fā)板分享（二）
2025-11-18 18:11:521619 
支持 M.2 接口擴展 NVMe SSD，最高可擴展至 1TB 容量，還配備標準 miniPCIe 接口用于擴展蜂窩網(wǎng)絡(luò)、物聯(lián)網(wǎng)等模組；樹莓派 5 僅提供 PCIe 2.0 x1 接口，擴展存儲的便捷性
2025-11-16 22:34:58
48MHz的ARM?Cortex?-M0+內(nèi)核。
集成高精度模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器（ADC）：支持最多16+1路I/O接口。
，CW32L010F8P600在存儲容量、安全性、功耗控制、定時器設(shè)計、LatchUp測試成績、ESD防護、性能與成本平衡、封裝多樣性、主頻以及ADC精度等方面均表現(xiàn)出顯著優(yōu)勢。
2025-11-13 07:07:48
工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)網(wǎng)關(guān)的存儲容量因型號、配置及設(shè)計目標不同而存在顯著差異， 主流配置范圍從128MB到8GB不等，部分高端型號支持擴展至32GB甚至更高，且通過分層存儲策略優(yōu)化數(shù)據(jù)管理效率 。以下為具體分析
2025-11-12 17:55:18560 隨著PCIe 5.0技術(shù)的日趨成熟，消費級SSD市場已進入一個“速度與容量”并重的新階段。單純的極限速度已不再是旗艦產(chǎn)品的唯一標準，專業(yè)創(chuàng)作者、AI應(yīng)用開發(fā)者和硬核游戲玩家對海量存儲空間的需求日益迫切，8TB正迅速成為定義新一代旗艦SSD的“分水嶺”與新基準。
2025-11-12 17:02:051716 大容量工業(yè)級存儲介質(zhì)的設(shè)備，例如： 高端設(shè)備 ：SAK2000 系列可選配 1TB SSD，支持每周波 1024 點采樣的波形存儲 1~3 年。 經(jīng)濟型設(shè)備 ：通過更換 128GB 工業(yè)級 SD 卡（如 SanDisk Industrial 系列，擦寫壽命≥10 萬次），將暫態(tài)波形存儲時長從數(shù)
2025-11-05 14:26:27244 電能質(zhì)量在線監(jiān)測裝置的暫態(tài)波形存儲時長受多重因素影響，需結(jié)合設(shè)備硬件、數(shù)據(jù)特性、應(yīng)用場景綜合分析。以下是關(guān)鍵影響因素的詳細解析： 一、硬件存儲能力的直接制約 內(nèi)置存儲容量設(shè)備標配的工業(yè)級 SD 卡或
2025-11-05 14:19:43279 配置 現(xiàn)代監(jiān)測裝置普遍配備工業(yè)級存儲模塊，典型容量如下： 中端設(shè)備 （如 CET PMC-680M）：32GB SSD，可保存 90 天分鐘級穩(wěn)態(tài)數(shù)據(jù) （如電壓有效值、諧波畸變率）。 高端設(shè)備 （如 SAK2000 系列）：支持 1TB SSD 擴展，可連續(xù)存儲 1~3 年的暫態(tài)波形數(shù)據(jù) （每周波
2025-11-05 14:17:02109 應(yīng)用、成本優(yōu)化 五大維度體現(xiàn)，且適配電網(wǎng)、工業(yè)、新能源等多場景需求： 一、存儲能力：突破本地硬件限制，滿足長期海量存儲需求 本地存儲受限于 SD 卡、硬盤的物理容量（通常幾十 GB 到 1TB），而云端可實現(xiàn) “按需擴展的無限存儲”，完美匹配
2025-10-30 09:29:47116 桌面級的AI超算體驗。目前該產(chǎn)品提供1TB和4TB兩個版本，其中1TB版本定價32999元，4TB版本定價 36999 元。
2025-10-22 10:37:27766 產(chǎn)品概述 JY-TC1-1-13MX+ 是一款專為13MHz中頻核心場景研發(fā)的寬溫緊湊型多場景拓展1:1巴倫變壓器（Balun），“1-1”代表50Ω（不平衡）:50Ω（平衡）1:1阻抗匹配
2025-10-22 09:29:53341 本文重點存儲卡可以適配各類操作系統(tǒng)且存儲容量無上限。標準USB接口為讀卡器提供了雙重功能：既能供電，又能實現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸。數(shù)字讀卡器集成電路（IC）是USB存儲卡讀卡器的核心組件。存儲卡可用于記錄
2025-10-17 16:16:34358 
東芝硬盤率先完成 12盤片堆疊技術(shù)驗證 ? – 預(yù)計在2027年推出新一代40TB硬盤 – 日本川崎2025年10月14日 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（簡稱“東芝”）成為首位[1]?成功驗證
2025-10-14 11:19:521598 電能質(zhì)量在線監(jiān)測裝置的波形數(shù)據(jù)存儲時間受多重因素影響，需結(jié)合設(shè)備特性、行業(yè)標準、應(yīng)用場景及技術(shù)策略綜合考量。以下是關(guān)鍵影響因素的詳細解析： 一、設(shè)備硬件與技術(shù)參數(shù) 存儲容量與擴展能力裝置內(nèi)置存儲（如
2025-10-13 17:38:40467 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李彎彎）在GMIF2025大會上，佰維存儲CEO何瀚表示，端側(cè)AI對存儲的尺寸和功耗有著更為極致的要求。隨著在端側(cè)部署更大參數(shù)規(guī)模的AI模型成為趨勢，需要更大容量、更高帶寬
2025-09-30 08:40:0011188 
產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開發(fā)機構(gòu)（NEDO）委托的“后5G信息和通信系統(tǒng)基礎(chǔ)設(shè)施增強研發(fā)項目（JPNP20017）”的框架內(nèi)完成。新閃存模塊擁有5TB大容量和64GB/s高帶寬。 ? 在后5G/6G時代，無線網(wǎng)絡(luò)有望實現(xiàn)更高速度、更低延遲以及同時連接更多設(shè)備的能力。然而，將數(shù)據(jù)傳輸?shù)竭h程
2025-09-20 02:00:001616 
東莞綠光QJ13系列微氣象監(jiān)測儀作為環(huán)境監(jiān)測領(lǐng)域的重要設(shè)備，其核心優(yōu)勢在于高度定制化的氣象要素配置能力。該系列產(chǎn)品通過模塊化設(shè)計理念，可靈活搭載風(fēng)速、風(fēng)向、溫度、濕度、氣壓、降雨量、光照強度、紫外線
2025-09-18 16:04:48
海力士 HBM4 內(nèi)存的 I/O 接口位寬為 2048-bit，每個針腳帶寬達 10Gbps，因此單顆帶寬可高達 2.5TB/s。這一里程碑不僅標志著 AI 存儲器正式邁入 “2TB/s 帶寬時代
2025-09-17 09:29:085964 2007年第一代iPhone開啟智能新時代，如今有消息稱2027年蘋果20周年版iPhone或成首款曲面機，大膽創(chuàng)新設(shè)計引發(fā)無數(shù)期待。iPhone傳奇起點2007年，第一代iPhone驚艷問世
2025-09-11 18:25:09805 
云端AI應(yīng)用的大規(guī)模普及對數(shù)據(jù)存儲提出了更多需求。特別是面對海量數(shù)據(jù)吞吐和高速處理的數(shù)據(jù)湖等應(yīng)用，如果可以在單一服務(wù)器機架內(nèi)實現(xiàn)高密度的海量存儲，即兼顧HDD便宜、大容量，又能展現(xiàn)SSD高性能、快
2025-09-10 08:36:251037 
鎧俠正式發(fā)布了LC9系列、CM9系列以及CD9P系列企業(yè)級與數(shù)據(jù)中心級SSD，全新的系列可更好的滿足AI計算存儲需求，并適用于云端應(yīng)用、在線交易和虛擬化等多種應(yīng)用場景。
2025-09-02 10:33:321973 
新能源產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開發(fā)機構(gòu)(NEDO)委托的“后5G信息和通信系統(tǒng)基礎(chǔ)設(shè)施增強研發(fā)項目(JPNP20017)”框架內(nèi)取得的。這款存儲模塊具備5太字節(jié)(TB)的大容量和64吉字節(jié)每秒(GB/s)的高帶寬。
2025-08-26 17:50:26784 LZ-DZ300B電能質(zhì)量在線監(jiān)測裝置 當(dāng)通信中斷時，電能質(zhì)量在線監(jiān)測裝置通過本地存儲、數(shù)據(jù)優(yōu)先級管理、時間同步、自動補傳等多重機制保障數(shù)據(jù)完整性，具體設(shè)計如下： 1. 本地大容量存儲：核心保障
2025-08-19 14:25:27511 
面對智能終端超高清化、強交互性演進帶來的存儲容量與能效雙重升級需求，憶聯(lián)新一代eMMC 5.1產(chǎn)品應(yīng)時而生，憑借三大核心競爭力精準解決市場痛點。
2025-08-19 10:36:362059 
存儲，容量僅32MB-128MB。 今生：容量飆升至1TB，速度等級從Class 2進化到UHS-III、V90，支持
2025-08-14 17:30:541599 
microSD卡。 ? 它只有指甲蓋大?。?5mm×11mm×1mm），卻開啟了移動設(shè)備存儲的新時代： 前世：最初用于功能手機擴展存儲，容量僅32MB-128MB。 今生：容量飆升至1TB，速度等級從
2025-08-11 14:17:021113 將使速率在 PCIe 7.0 的基礎(chǔ)上翻倍至 256.0 GT/s，通過 x16 配置實現(xiàn) 1TB/s 的雙向帶寬。 ? 從 PCI-SIG 目前公布的細節(jié)來看，PCIe 8.0 首先實現(xiàn)了速度的提升
2025-08-08 09:14:197210 KIOXIA LC9系列成為容量最大的PCIe 5.0企業(yè)級固態(tài)硬盤；采用32 Die堆疊的 BiCS FLASH QLC 3D閃存 ? 全球存儲解決方案領(lǐng)導(dǎo)者鎧俠株式會社宣布，推出業(yè)界首款 （1
2025-07-28 16:24:5613572 
文章介紹了法拉電容的容量單位換算、與電流、電壓的關(guān)系，以及與電池容量的類比，強調(diào)其儲能能力巨大。
2025-07-20 09:28:004001 
1、NAND Flash第三季度將漲價超15% 據(jù)業(yè)界最新預(yù)測，第三季NAND Flash漲價已成定局，其中，512Gb以下產(chǎn)品預(yù)估漲幅超過15％，1Tb以上高容量產(chǎn)品漲幅則落在5％至10％之間
2025-07-17 10:13:202818 
iPhone 13無線充電發(fā)熱爭議不斷，充電發(fā)熱是物理損耗而非安全隱患。系統(tǒng)調(diào)度的溫控管理系統(tǒng)自動限制處理器性能、降低屏幕亮度，降低發(fā)熱。第三方無線充電器虛假加速影響電路安全，使用非MFi認證充電器引發(fā)異常發(fā)熱概率高。
2025-07-12 08:38:001624 
。而決定這種配合效率的關(guān)鍵指標，正是我們今天要聊的“算存比”。什么是算存比？算存比=計算能力（如每秒浮點運算次數(shù)）÷存儲容量（如GB/TB），但更核心的是計算與存
2025-07-11 14:06:53577 
大模型的橫空出世不僅改變了計算行業(yè)，也深刻影響了存儲行業(yè)。
2025-07-10 09:46:142198 
、可靠性、可擴展性和管理性等方面的嚴格要求。相較于消費級SSD，eSSD具有更高的讀寫速度，更低的延遲，更大的存儲容量以及更高的可靠性，并且具有斷電保護功能。 為實現(xiàn)其斷電保護功能，eSSD通常會配備大容量的電容。在正常供電時，電容會充電儲能。當(dāng)檢測到斷電瞬間，電容釋放
2025-07-02 13:43:581435 
電容存儲電荷（代表0或1）。電容會漏電，需要定時刷新（Refresh）來維持數(shù)據(jù)，所以叫“動態(tài)”。
特點：
優(yōu)點：速度非?？欤{秒級訪問），成本相對較低（單位容量），高密度。
缺點：易失性（斷電數(shù)據(jù)丟失
2025-06-24 09:09:39
瑞薩電子和鈴岳電子于近日聯(lián)合推出了RX13T工業(yè)直流無刷風(fēng)機解決方案，方案搭載了瑞薩RX13T系列微控制器，RX13T搭載RX家族32MHz工作主頻的RXv1內(nèi)核、浮點運算單元（FPU）、變頻控制計時器（MTU3）及12位A/D轉(zhuǎn)換器等，單芯片實現(xiàn)無刷DC電機的高效變頻控制
2025-06-10 14:05:531420 
滿足高帶寬和較大容量的存儲需求。然而隨著數(shù)據(jù)量的增加，數(shù)據(jù)的存儲需求達到TB級別，DDR SDRAM也不再能滿足如此巨大的存儲容量需求。因此，需要在FPGA上實現(xiàn)高帶寬、低延時的數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)來
2025-06-03 14:38:12
我應(yīng)該如何使用 EZ-USB FX2LP CY7C68013A 開發(fā)大容量存儲設(shè)備，我找不到允許在 FX2LP 上開發(fā)大容量存儲設(shè)備的文檔，請幫幫我，謝謝
2025-05-29 06:15:56
MCU，以下是部分具體產(chǎn)品家族：
HK32F005家族（全球最小面積1mm232位MCU顛覆資深前輩TI的不嚴謹）
內(nèi)核及主頻：基于ARM Cotex-M0內(nèi)核，主頻最高48MHz。
存儲容量：最大
2025-05-28 10:09:13
與外接存儲
升級示波器內(nèi)存
策略：從1Mpts升級至10Mpts或100Mpts。
成本：中高端示波器通常支持內(nèi)存擴展（如泰克MDO4000系列支持100Mpts）。
外接存儲設(shè)備
策略：通過LAN或
2025-05-27 14:39:32
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，SK海力士宣布公司成功開發(fā)出搭載全球最高321層1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND閃存的移動端解決方案產(chǎn)品UFS 4.1
2025-05-23 01:04:008530 電子等領(lǐng)域的優(yōu)選方案。本文將從存儲容量、碼率適配、應(yīng)用場景等維度，全面解析該系列芯片的核心特性。一、靈活存儲方案，覆蓋短時到長時需求WT2003H系列針對不同場景需求
2025-05-20 08:53:51517 
型號的帶寬為 33 GHz4 通道和 2 通道型號的采樣率為 80 GSa/s業(yè)界容量zui深的存儲器，存儲容量高達&nbs
2025-05-12 17:15:23
將英飛凌 USB 串行橋接控制器配置為大容量存儲類 (MSC) 設(shè)備的過程是什么？
我對 CY7C65214 或 CY7C65215 部件的支持特別感興趣。
2025-05-07 07:52:39
B09 系列BT連接器是一個間距0.35mm堆疊高度0.6mm，寬度1.9mm， 節(jié)省空間設(shè)計，適用于板對FPC的連接器。每個信號端子有 兩個接觸點，電源pin支持7A電流，可依據(jù)需求增加或 者減少
2025-04-16 15:44:24
產(chǎn)品簡介大容量單路存儲服務(wù)器HS1424M1華頡HS1424M1是具有高性價比的大容量單路存儲服務(wù)器，其獨特的高擴展性設(shè)計，能以低成本顯著提升處理吞吐量及可靠性，支持Intel Xeon
2025-03-31 16:39:57
產(chǎn)品簡介大容量雙路存儲服務(wù)器HS2424M1華頡HS2424M1是具有高性能的大容量雙路存儲服務(wù)器，其獨特的高擴展性設(shè)計顯著提升處理吞吐量及可靠性，支持Intel Xeon 第1代/2代可擴展處理器
2025-03-31 16:00:44
貼片式SD卡存儲解決方案，通過硬件與軟件的深度協(xié)同，全面提升了動態(tài)心電圖設(shè)備的性能。
1）大容量存儲，滿足數(shù)據(jù)需求
MKDV08GCL-STPA存儲芯片提供了8Gb的存儲容量，能夠輕松應(yīng)對動態(tài)心電圖設(shè)備
2025-03-27 10:56:02
在電商大促場景中，面對Tb級攻擊的挑戰(zhàn)，為確保SCDN（邊緣安全加速）全站防護能夠扛住攻擊而不宕機，可以從以下幾個方面著手： 一、采用高性能與高防護能力的SCDN服務(wù) 選擇具備Tb級帶寬容量
2025-03-25 15:14:27638 當(dāng)前固態(tài)硬盤的價格越來越實惠，例如金士頓的NV3 PCIe 4.0 NVMe 固態(tài)硬盤，400元就可以購買1TB容量，要知道這可是一款中高端固態(tài)硬盤，而更大容量的2TB以及4TB也已經(jīng)成為用戶的理想
2025-03-24 14:40:591024 
蛟云SoveCloud DM DM3000系列是億萬克推出的全新一代分布式統(tǒng)一存儲產(chǎn)品。該系列用軟件定義存儲理念替換傳統(tǒng)的存儲解決方案，助力數(shù)據(jù)中心解決日益復(fù)雜的應(yīng)用需求。5大優(yōu)勢，瞧好了！ ·彈性
2025-03-20 09:13:56784 
加賀富儀艾電子旗下代理品牌RAMXEED有限公司的ReRAM在與傳統(tǒng)EEPROM相比，芯片尺寸相當(dāng)?shù)那闆r下實現(xiàn)了2到6倍的存儲容量。在對芯片尺寸要求嚴格且同時需要高功能的助聽器領(lǐng)域，RAMXEED的ReRAM被廣泛應(yīng)用于全球。
2025-03-18 14:19:001247 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，量產(chǎn)面向車載直流有刷電機應(yīng)用的柵極驅(qū)動IC[1]——“TB9103FTG”，其典型應(yīng)用包括用于電動后門和電動滑門的閂鎖電機[2]和鎖定電機[3]，以及電動車窗和電動座椅的驅(qū)動電機等。
2025-03-13 18:06:111098 
了更高的要求。隨著當(dāng)今數(shù)據(jù)驅(qū)動的需求不斷增長，西部數(shù)據(jù)公司（NASDAQ: WDC）推出了一系列全新升級的產(chǎn)品，旨在滿足市場對大容量存儲解決方案的迫切需求。 大容量與高性能的HDD賦能創(chuàng)意工作流 西部數(shù)據(jù)為其專業(yè)級產(chǎn)品矩陣量身定制了容
2025-03-12 16:16:08469 在 STM32F411 中，RAM 容量是有限的，特別是在進行復(fù)雜的數(shù)據(jù)處理和存儲時，可能會遇到數(shù)據(jù)溢出問題。數(shù)據(jù)溢出是指程序運行時，數(shù)據(jù)超出了 RAM 的分配區(qū)域，導(dǎo)致程序崩潰或數(shù)據(jù)丟失。STM32F411 的 RAM 容量為 128KB，在處理較大數(shù)據(jù)量時，容易出現(xiàn)內(nèi)存溢出的情況。如何預(yù)防和處理
2025-03-07 16:09:23
AT24C64是一款串行電可擦除編程只讀存儲器 (EEPROM)，存儲容量為8192字節(jié)，分為256頁，每頁32字節(jié)。 具有低功耗CMOS技術(shù)，自定時編程周期，支持SOP-8和DIP-8封裝。 適用于智能儀器儀表、筆記本電腦、計算機、家用電器、汽車電子、通信設(shè)備和工業(yè)控制
2025-02-28 15:48:09
3 、QLC。嵌入式常用類型低存儲容量一般為SLC和MLC，高存儲容量一般是TLC。
SLC (Single-Level Cell) 速度快，壽命長，價格貴，理論擦寫次數(shù)在10萬次左右。
MLC
2025-02-28 14:17:24
根據(jù)用戶手冊，DLP6500存儲內(nèi)存為128m，存儲圖片數(shù)量少，請問能否對其進行擴容？或者有其他方法提高存儲容量嗎？
2025-02-21 06:48:18
存儲容量：8KB（8K x 8）
程序存儲器類型：閃存
EEPROM 容量：640 x 8
RAM 大?。?b class="flag-6" style="color: red">1K x 8
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)：2.95V ~ 5.5V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器：A/D
2025-02-20 17:53:42
存儲正在進行著哪些變革。 上期我們對QLC SSD、TLC SSD以及HDD分別進行了優(yōu)勢對比，并得出了成本分析。本期將重點介紹QLC SSD在設(shè)計上存在的諸多挑戰(zhàn)及解決之道。 更大的內(nèi)部扇區(qū)尺寸 從硬件設(shè)計及成本上考慮，高密度QLC SSD存儲容量增加時，其配置的DRAM容量通
2025-02-17 11:35:22847 
深入探討峟思磁致式量水堰計的數(shù)據(jù)采集頻率和存儲容量，特別是其存儲容量如何受到MCU自動采集設(shè)備的影響。數(shù)據(jù)采集頻率：靈活且高效峟思磁致式量水堰計采用磁致伸縮原理進
2025-02-12 16:18:18753 
于嵌入式系統(tǒng)、消費電子和通信設(shè)備等領(lǐng)域。當(dāng)前可用數(shù)量為 52716，DC 信息為 DC2235。 產(chǎn)品技術(shù)資料 存儲容量 ：具備 512Kbit
2025-02-09 22:38:10
產(chǎn)品概述Adesto AT45DB321E 是一款高性能的串行閃存存儲器，具有 32Mb 的存儲容量，采用 SPI 接口進行數(shù)據(jù)傳輸。該產(chǎn)品專為嵌入式系統(tǒng)設(shè)計，提供快速的數(shù)據(jù)讀寫能力
2025-02-09 22:26:30
器件具有 128Mb（16MB）的存儲容量，適用于各種電子設(shè)備中，特別是在需要快速數(shù)據(jù)訪問的場合。目前市場上有 9,960 個 MX25U12832FMI02（批
2025-02-09 10:21:26
近日，據(jù)外媒最新報道，自去年下半年以來，關(guān)于蘋果即將在今年秋季推出的iPhone 17系列的調(diào)整消息便不絕于耳。其中，最為引人注目的莫過于iPhone 17系列或將取消傳統(tǒng)的Plus版，轉(zhuǎn)而推出一款
2025-02-08 16:24:561416 云服務(wù)大容量硬盤價格多少錢因類型、性能和存儲容量而異。高效云盤年費用通常在數(shù)百元至數(shù)千元之間，SSD云盤價格略高，年費用在數(shù)千元左右，而ESSD云盤因高性能需求，年費用可達數(shù)千至數(shù)萬元。UU云小編認為云服務(wù)大容量硬盤價格具體價格受供應(yīng)商、地域和促銷活動影響。
2025-02-08 10:07:261203 2502.250120 - 2200開始，Xbox用戶能夠連接并格式化大容量硬盤用于存儲更多游戲。微軟官方表示，對于容量超過16TB的硬盤，需要重新格式化才能在Xbox主機上使用。格式化后，操作系統(tǒng)會自動將硬盤劃分為多個分區(qū)，用戶在已連接設(shè)備列表中會看到多個驅(qū)動器。 不過已經(jīng)格式化過的超過16TB的硬盤則不受此次
2025-01-23 15:35:18852 采訪前言 隨著AI大模型的迅速發(fā)展，各種行業(yè)及應(yīng)用產(chǎn)生了海量的數(shù)據(jù)，這不僅要求存儲設(shè)備具備大容量和高性能，還要有更高的可靠性和穩(wěn)定性。在第十九屆中國IDC產(chǎn)業(yè)年度大典，東芝電子元件(上海)有限公司
2025-01-23 09:37:011125 3+平臺開發(fā)。其獨特的10盤片架構(gòu)，使每盤片容量高達3.6TB，實現(xiàn)了整體36TB的劃時代容量。 希捷首席執(zhí)行官Dave Mosley透露，公司實驗室已實現(xiàn)單盤片容量超過6TB的突破，意味著60TB硬盤有望在未來幾年內(nèi)面世，甚至計劃將單盤片容量提升至10TB，為100TB機械硬盤的推出奠
2025-01-22 18:00:051304 影響25Q20D閃存芯片寫入速度和使用壽命的因素有哪些？首先我們來談?wù)動绊憣懭胨俣染艂€方面：存儲容量和架構(gòu)：存儲容量的增加會導(dǎo)致芯片內(nèi)部的數(shù)據(jù)管理和尋址更為復(fù)雜，從而影響寫入速度。較大的閃存芯片在寫數(shù)據(jù)時，需要更多時間來定位和管理數(shù)據(jù)。此外，如果閃存的存儲架構(gòu)未經(jīng)優(yōu)化，同樣會限制寫入速度。
2025-01-22 16:48:251099 
在現(xiàn)代電子和能源存儲領(lǐng)域，法拉電容因其獨特的性能而越來越受到重視。與傳統(tǒng)的電池相比，法拉電容提供了快速充放電的能力，這使得它們在許多需要快速能量釋放的應(yīng)用中非常有用。 1. 法拉電容的基本原理 法拉
2025-01-19 09:18:321825 經(jīng)官方正版授權(quán)，此系列卡共推出四種容量規(guī)格，最大容量高達 1TB，將索尼克的獨特元素融入三星 microSD 存儲卡上，該卡擁有出色的讀寫速度、良好的耐用性能以及廣泛的設(shè)備兼容性。 ? 近日，三星
2025-01-13 17:56:35710 
Mini SSD在小巧機身中實現(xiàn)了卓越的性能表現(xiàn)。產(chǎn)品支持PCIe 4.0×2接口與NVMe 1.4協(xié)議，采用3D TLC NAND介質(zhì)，讀取速度高達3700MB/s，寫入速度高達3400MB/s，容量范圍覆蓋512GB~2TB，充分滿足移動設(shè)備、智能終端等多種場景的高效存儲需求。
2025-01-09 11:37:18817 ? ? ?云存儲是一種通過互聯(lián)網(wǎng)將數(shù)據(jù)存儲在遠程服務(wù)器上的技術(shù)?，用戶可以通過互聯(lián)網(wǎng)隨時隨地訪問和管理自己的數(shù)據(jù)。云存儲解決了傳統(tǒng)存儲方式的一些問題，如存儲容量有限、存儲設(shè)備易損壞、難以備份和恢復(fù)等
2025-01-07 16:43:381870 
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