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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>最新成果展示:SiC BJT精準(zhǔn)模型的開發(fā)

最新成果展示:SiC BJT精準(zhǔn)模型的開發(fā)

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今日,在2025高通汽車技術(shù)與合作峰會(huì)上,高通技術(shù)公司攜手中國先進(jìn)車企和生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴,展示其驍龍數(shù)字底盤產(chǎn)品組合的發(fā)展勢頭和最新成果。驍龍數(shù)字底盤解決方案包括驍龍汽車平臺(tái)至尊版、面向駕駛輔助
2025-07-03 12:55:181237

梯度科技亮相廣西科技成果展示活動(dòng)

此前,6月23日-24日,廣西科技成果展示活動(dòng)在南寧成功舉辦。本次活動(dòng)重點(diǎn)展示了廣西科技“尖鋒”行動(dòng)成效、中國科學(xué)院重大科技成果、自治區(qū)重大與重點(diǎn)科普成果等。梯度科技作為本土科技創(chuàng)新企業(yè)代表之一,攜自主研發(fā)的人工智能平臺(tái)及行業(yè)解決方案重磅亮相,成為本次前沿科技成果展示活動(dòng)中的亮點(diǎn)。
2025-06-27 17:48:211005

華為正式啟動(dòng)HarmonyOS 6開發(fā)者Beta

在2025年華為開發(fā)者大會(huì)(HDC)上,華為正式啟動(dòng)HarmonyOS 6開發(fā)者Beta,并全面展示一年多以來與合作伙伴共建鴻蒙生態(tài)的創(chuàng)新成果。
2025-06-24 15:42:19690

羅姆新SPICE模型助力優(yōu)化功率半導(dǎo)體性能

SiC(碳化硅)等功率半導(dǎo)體的電氣仿真中,以往的行為模型存在收斂性差、仿真速度慢的問題。但是,這次開發(fā)并發(fā)布了提高仿真速度的新模型。
2025-06-23 14:25:061170

華為開發(fā)者大會(huì)2025(HDC 2025)亮點(diǎn):華為云發(fā)布盤古大模型5.5 宣布新一代昇騰AI云服務(wù)上線

HarmonyOS、昇騰AI云服務(wù)、盤古大模型等最新科技創(chuàng)新成果。 在主題演講中,華為常務(wù)董事、華為云計(jì)算CEO張平安宣布基于CloudMatrix384 超節(jié)點(diǎn)的新一代昇騰AI云服務(wù)全面上線,為大模型應(yīng)用提供澎湃算力;宣布盤古大模型5.5正式發(fā)布,自然語言處理(NLP)、計(jì)算機(jī)
2025-06-20 20:19:254158

理想汽車自研SiC團(tuán)隊(duì)成果:提高SiC MOSFET可靠性的方式

? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)SiC在電動(dòng)汽車上的大規(guī)模應(yīng)用,到目前為止已經(jīng)經(jīng)歷8年時(shí)間,行業(yè)已經(jīng)稱得上成熟。但作為一種半導(dǎo)體功率器件,由于SiC襯底材料本身存在的缺陷導(dǎo)致器件一致性可能存在差異
2025-06-09 08:03:0012917

NVIDIA在ICRA 2025展示多項(xiàng)最新研究成果

在亞特蘭大舉行的國際機(jī)器人與自動(dòng)化大會(huì) (ICRA) 上,NVIDIA 展示了其在生成式 AI、仿真和自主操控領(lǐng)域的多項(xiàng)研究成果
2025-06-06 14:56:071230

FA模型卡片和Stage模型卡片切換

卡片切換 卡片切換主要包含如下三部分: 卡片頁面布局:FA模型卡片和Stage模型卡片的布局都采用類web范式開發(fā)可以直接復(fù)用。 卡片配置文件:FA模型的卡片配置在config.json中
2025-06-06 08:10:24

FA模型和Stage模型API切換概述

API切換概述 FA模型和Stage模型由于線程模型和進(jìn)程模型的差異,部分接口僅在FA模型下才能使用,針對這部分接口在SDK的接口中有FAModelOnly的標(biāo)記,用于提醒開發(fā)者這部分接口僅能
2025-06-06 06:29:28

成果:GaN基VCSEL動(dòng)態(tài)物理模型開發(fā)

團(tuán)隊(duì)開發(fā)了 GaN基VCSEL的動(dòng)態(tài)物理模型 ,揭示了器件內(nèi)部載流子輸運(yùn)行為對激光器動(dòng)態(tài)特性的影響規(guī)律。 GaN材料固有的極化特性導(dǎo)致GaN基VCSEL有源區(qū)中產(chǎn)生了量子限制斯塔克效應(yīng)(QCSE),這一效應(yīng)不僅會(huì)降低器件的受激復(fù)合效率,還會(huì)引發(fā)嚴(yán)重
2025-06-05 15:58:20440

開源鴻蒙操作系統(tǒng)的生態(tài)成果與落地實(shí)踐

電網(wǎng)、中國科學(xué)院軟件研究所、證通電子等合作單位共同支持。本次大會(huì)聚焦開源鴻蒙 5.1 Release版本,面向開發(fā)者和伙伴深度展示開源鴻蒙操作系統(tǒng)的生態(tài)成果與落地實(shí)踐。
2025-06-05 14:27:471053

從FA模型切換到Stage模型時(shí):module的切換說明

module的切換 從FA模型切換到Stage模型時(shí),開發(fā)者需要將config.json文件module標(biāo)簽下的配置遷移到module.json5配置文件module標(biāo)簽下,具體差異
2025-06-05 08:16:38

FA模型訪問Stage模型DataShareExtensionAbility說明

FA模型訪問Stage模型DataShareExtensionAbility 概述 無論FA模型還是Stage模型,數(shù)據(jù)讀寫功能都包含客戶端和服務(wù)端兩部分。 FA模型中,客戶端是由
2025-06-04 07:53:37

如何將一個(gè)FA模型開發(fā)的聲明式范式應(yīng)用切換到Stage模型

模型切換概述 本文介紹如何將一個(gè)FA模型開發(fā)的聲明式范式應(yīng)用切換到Stage模型,您需要完成如下動(dòng)作: 工程切換:新建一個(gè)Stage模型的應(yīng)用工程。 配置文件切換:config.json切換
2025-06-04 06:22:17

什么是IGBT/SiC/GaN HEMT功率芯片/模塊/模組?特性是什么?主要應(yīng)用哪里?

MOSFET高輸入阻抗與BJT低導(dǎo)通壓降,形成四層半導(dǎo)體復(fù)合結(jié)構(gòu)(PNPN排列),支持600V以上高壓場景 ? 功能特性 ?:兼具高頻開關(guān)與高電流承載能力,導(dǎo)通功耗僅為傳統(tǒng)器件的1/5~1/10 ? SiC(碳化硅)功率器件 ? 第三代寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的代表: ? 材料優(yōu)勢 ?:禁帶寬度達(dá)3.3eV(硅的3倍)
2025-05-26 14:37:052284

12英寸SiC,再添新玩家

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)在SiC行業(yè)逐步進(jìn)入8英寸時(shí)代后,業(yè)界并沒有停下腳步,開始投入到12英寸襯底的開發(fā)中。 ? 去年11月,天岳先進(jìn)率先出手,發(fā)布了行業(yè)首款12英寸碳化硅襯底;一個(gè)月后,爍
2025-05-21 00:51:007317

基于RK3576開發(fā)板的RKLLM大模型部署教程

RKLLM工具鏈?zhǔn)且粋€(gè)專為在Rockchip NPU平臺(tái)上部署大語言模型(LLM)而設(shè)計(jì)的開發(fā)套件。它主要包括RKLLM-Toolkit和RKLLM Runtime兩個(gè)核心組件
2025-05-16 17:48:582035

ElfBoard技術(shù)實(shí)戰(zhàn)|ELF 2開發(fā)板本地部署DeepSeek大模型的完整指南

ELF 2開發(fā)板本地部署DeepSeek大模型的完整指南
2025-05-16 11:13:222376

活動(dòng)名單公布!學(xué)電路設(shè)計(jì)分享學(xué)習(xí)心得、技術(shù)疑問及實(shí)戰(zhàn)成果,贏取專屬禮品!

激勵(lì)學(xué)員分享學(xué)習(xí)心得、提出技術(shù)問題、展示實(shí)戰(zhàn)成果,打造活躍的技術(shù)交流社區(qū),并為學(xué)員提供與講師直接互動(dòng)的機(jī)會(huì)。 本課程主要從怎樣設(shè)計(jì)一個(gè)完整的項(xiàng)目入手,跟大家講解了元器件的類別,熟悉元器件的封裝,功率如何計(jì)算
2025-05-14 09:53:18

摩爾線程GPU率先支持Qwen3全系列模型

近日,阿里云正式發(fā)布Qwen3系列的8款開源混合推理模型。摩爾線程團(tuán)隊(duì)在模型發(fā)布當(dāng)天,率先完成了Qwen3全系列模型在全功能GPU上的高效支持。這一成果充分展現(xiàn)了MUSA架構(gòu)及全功能GPU在生
2025-05-07 15:24:35904

2CD0210T12x0 SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)板:解鎖SiC碳化硅功率模塊的極限性能

引擎。從新能源發(fā)電到智能工業(yè),從電動(dòng)汽車到軌道交通,基本半導(dǎo)體以精準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)與極致安全,助力客戶突破SiC應(yīng)用的性能邊界。在“雙碳”目標(biāo)引領(lǐng)下,選擇2CD0210T12x0,即是選擇以技術(shù)創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)綠色能源
2025-05-06 10:54:02730

電力電子新未來:珠聯(lián)璧合,基本半導(dǎo)體SiC模塊及SiC驅(qū)動(dòng)雙龍出擊

珠聯(lián)璧合,SiC模塊及SiC驅(qū)動(dòng)雙龍出擊 ——BASiC基本股份賦能電力電子新未來 珠聯(lián)璧合,雙龍出擊 ——BASIC Semiconductor SiC功率模塊與SiC驅(qū)動(dòng)板重塑電力電子行業(yè)價(jià)值
2025-05-03 15:29:13627

KaihongOS操作系統(tǒng)FA模型與Stage模型介紹

FA模型與Stage模型介紹 KaihongOS操作系統(tǒng)中,F(xiàn)A模型(Feature Ability)和Stage模型是兩種不同的應(yīng)用模型,它們提供了不同的應(yīng)用開發(fā)方式和特性。 FA模型
2025-04-24 07:27:21

SiC MOSFET 開關(guān)模塊RC緩沖吸收電路的參數(shù)優(yōu)化設(shè)計(jì)

0? 引言SiC-MOSFET 開關(guān)模塊(簡稱“SiC 模塊”)由于其高開關(guān)速度、高耐壓、低損耗的特點(diǎn)特別適合于高頻、大功率的應(yīng)用場合。相比 Si-IGBT, SiC-MOSFET 開關(guān)速度更快
2025-04-23 11:25:54

是德示波器如何精準(zhǔn)測量第三代半導(dǎo)體SiC的動(dòng)態(tài)特性

秒級,電壓電流變化率(dv/dt、di/dt)極高,傳統(tǒng)測量方法難以捕捉瞬態(tài)細(xì)節(jié)。是德示波器憑借其高帶寬、高精度及專業(yè)的分析功能,成為精準(zhǔn)測量SiC動(dòng)態(tài)特性的關(guān)鍵工具。本文將深入探討其應(yīng)用方法及技術(shù)要點(diǎn)。 ? 一、SiC動(dòng)態(tài)特性測量的核
2025-04-22 18:25:42683

DevEco Studio AI輔助開發(fā)工具兩大升級功能 鴻蒙應(yīng)用開發(fā)效率再提升

,CodeGenie接入的DeepSeek模型在鴻蒙領(lǐng)域上更專業(yè)、更準(zhǔn)確。無需開發(fā)者在使用過程中強(qiáng)制加上“鴻蒙場景下”或“ArkTS中”等限定詞,也能精準(zhǔn)理解意圖并輸出鴻蒙技術(shù)棧內(nèi)相應(yīng)的專業(yè)知識,為鴻蒙開發(fā)場景
2025-04-18 14:43:29

TSSG法生長SiC單晶的原理

SiC的物理特性決定了其生長難度。在常壓環(huán)境下,SiC并無熔點(diǎn),一旦溫度攀升至2000℃以上,便會(huì)直接發(fā)生氣化分解現(xiàn)象。從理論層面預(yù)測,只有在壓強(qiáng)高達(dá)109Pa且溫度超過3200℃的極端條件下,才有
2025-04-18 11:28:061061

SiC二極管和SiC MOSFET的優(yōu)勢

隨著現(xiàn)代電子技術(shù)的不斷發(fā)展,尤其是在電力電子領(lǐng)域,寬禁帶半導(dǎo)體材料的應(yīng)用逐漸受到重視。碳化硅(SiC)作為一種重要的寬禁帶半導(dǎo)體材料,因其優(yōu)異的物理性能和電氣特性,越來越多地被應(yīng)用于高效能、高頻率
2025-04-17 16:20:38998

模型實(shí)戰(zhàn)(SC171開發(fā)套件V3)

模型實(shí)戰(zhàn)(SC171開發(fā)套件V3) 序列 課程名稱 視頻課程時(shí)長 視頻課程鏈接 課件鏈接 工程源碼 1 火山引擎豆包大模型調(diào)試指南 3分31秒 https://t.elecfans.com/v
2025-04-16 18:52:09

首創(chuàng)開源架構(gòu),天璣AI開發(fā)套件讓端側(cè)AI模型接入得心應(yīng)手

AI的演進(jìn)正在逼近“終端智能涌現(xiàn)”的拐點(diǎn),從通用模型向場景落地遷移成為關(guān)鍵議題。聯(lián)發(fā)科以“AI隨芯,應(yīng)用無界”為主題召開天璣開發(fā)者大會(huì)2025(MDDC 2025),不僅聚合了全球生態(tài)資源,還
2025-04-13 19:52:44

麥科信光隔離探頭在碳化硅(SiC)MOSFET動(dòng)態(tài)測試中的應(yīng)用

碳化硅(SiC)MOSFET 是基于寬禁帶半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)制造的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,相較于傳統(tǒng)硅(Si)MOSFET,具有更高的擊穿電壓、更低的導(dǎo)通電阻、更快的開關(guān)速度以及更優(yōu)
2025-04-08 16:00:57

千視電子亮相2025雨花經(jīng)開區(qū)“三新”成果發(fā)布會(huì),展示 AV over IP 技術(shù)最新突破

2025年3月19日,由長沙市雨花區(qū)人民政府與長沙雨花經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)管理委員會(huì)主辦的“新產(chǎn)品、新技術(shù)、新場景”成果發(fā)布會(huì)隆重舉行,吸引了近150名企業(yè)家共襄盛會(huì)。本次活動(dòng)圍繞國家“三高四新“的美好藍(lán)圖
2025-03-20 09:21:14818

賦能可持續(xù)云計(jì)算:MiTAC 神雲(yún)科技亮相 CloudFest 2025展示節(jié)能服務(wù)器創(chuàng)新成果

,充分體現(xiàn)了神雲(yún)科技對可持續(xù)計(jì)算、優(yōu)化能效和高性能云基礎(chǔ)設(shè)施的承諾。 賦能可持續(xù)云計(jì)算:MiTAC 神雲(yún)科技亮相 CloudFest 2025展示節(jié)能服務(wù)器創(chuàng)新成果 通過
2025-03-18 16:49:56586

機(jī)智云推出集成Deepseek和豆包大模型的AIoT開發(fā)平臺(tái)

近日,字節(jié)跳動(dòng)旗下扣子AI工坊硬件專場活動(dòng)深圳現(xiàn)場,全球領(lǐng)先的物聯(lián)網(wǎng)解決方案商機(jī)智云發(fā)布重要平臺(tái)升級,正式推出行業(yè)首個(gè)標(biāo)配DeepSeek和豆包大模型的AIoT開發(fā)平臺(tái),深度融合火山引擎云原生架構(gòu)
2025-03-04 10:29:391413

OpenHarmony在應(yīng)用與游戲開發(fā)領(lǐng)域的前沿成果

展示了OpenHarmony在應(yīng)用與游戲開發(fā)領(lǐng)域的前沿成果。這些凝聚智慧與協(xié)作的參賽作品,不僅在技術(shù)層面實(shí)現(xiàn)了多項(xiàng)突破,更在商業(yè)化應(yīng)用層面驗(yàn)證了開源生態(tài)的無限潛力。賽事不僅彰顯了開發(fā)者群體的創(chuàng)新活力,也凸顯了OpenHarmony作為技術(shù)底座的重要價(jià)值,為開源技術(shù)生態(tài)發(fā)展注入革新的力量。
2025-03-03 15:04:03931

成果展示:發(fā)光-探測雙功能AlGaN基集成光電子器件模型開發(fā)與應(yīng)用

開發(fā)了 發(fā)光-探測雙功能物理模型 ,同時(shí)提出并設(shè)計(jì)了具有非對稱多量子阱結(jié)構(gòu)的AlGaN基發(fā)光-探測雙功能集成光電子器件:在發(fā)射區(qū)中采用極化自屏蔽的有源區(qū)結(jié)構(gòu),在探測區(qū)中采用常規(guī)有源區(qū)結(jié)構(gòu)。 ? ? ? 圖1展示了LED與PD原位集成光電子器件結(jié)構(gòu)
2025-03-03 11:45:22713

RK3588開發(fā)板上部署DeepSeek-R1大模型的完整指南

與OK3588-C開發(fā)板的深度融合,標(biāo)志著國產(chǎn)AI大模型從云端向邊緣端的延伸。這種“先進(jìn)算法+定制化芯片”的協(xié)同模式,不僅解決了邊緣側(cè)實(shí)時(shí)性、隱私保護(hù)等關(guān)鍵需求,更構(gòu)建起從技術(shù)研發(fā)到產(chǎn)業(yè)賦能的完整價(jià)值鏈條,為
2025-02-27 16:45:58

高通展示AI模型在不同物理環(huán)境下的魯棒性

高通技術(shù)公司和諾基亞貝爾實(shí)驗(yàn)室持續(xù)合作,展示了無線網(wǎng)絡(luò)中可互操作的多廠商AI的價(jià)值。在2024年世界移動(dòng)通信大會(huì)(MWC 2024)上,我們首次展示了AI增強(qiáng)信道狀態(tài)反饋編碼器和解碼器模型的OTA互操作性,該模型分別運(yùn)行在搭載高通5G調(diào)制解調(diào)器及射頻系統(tǒng)的參考移動(dòng)終端和諾基亞原型基站上。
2025-02-27 15:59:521182

商湯大裝置推出開源大模型應(yīng)用開發(fā)框架LazyLLM

模型熱潮的持續(xù)高漲,讓各類Agent應(yīng)用開發(fā)需求也快速激增。
2025-02-25 10:09:26998

分享 |迅為基于RK3588開發(fā)板部署測試DeepSeek模型

分享 |迅為基于RK3588開發(fā)板部署測試DeepSeek模型
2025-02-18 14:26:202219

添越智創(chuàng)基于 RK3588 開發(fā)板部署測試 DeepSeek 模型全攻略

接下來就可以向該模型進(jìn)行提問了,如下圖所示: 由于 deepseek-r1 模型參數(shù)規(guī)模相對較小,面對一些復(fù)雜問題時(shí),回答可能不夠準(zhǔn)確、全面。若想獲得更精準(zhǔn)的回答,開發(fā)者可嘗試切換到參數(shù)更大的模型。但
2025-02-14 17:42:04

Nexperia SiC MOSFET LTspice模型使用指南

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Nexperia SiC MOSFET LTspice模型使用指南.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-13 17:21:182

阿里巴巴Qwen大模型助力開發(fā)低成本DeepSeek替代方案

近日,阿里巴巴的開源Qwen2.5模型在AI領(lǐng)域再次展現(xiàn)其強(qiáng)大實(shí)力,為斯坦福大學(xué)與伯克利大學(xué)的研究人員提供了低成本的AI訓(xùn)練解決方案。借助這一技術(shù),兩所知名學(xué)府的研究團(tuán)隊(duì)成功開發(fā)出價(jià)格低于50美元
2025-02-12 13:42:071318

Qwen大模型助力開發(fā)低成本AI推理方案

阿里巴巴的開源Qwen2.5模型近期在AI領(lǐng)域引發(fā)了廣泛關(guān)注。這一大模型的推出,為斯坦福大學(xué)與伯克利大學(xué)的研究人員提供了強(qiáng)大的技術(shù)支持,使他們能夠成功開發(fā)出低成本的AI推理模型。 據(jù)悉,斯坦福大學(xué)
2025-02-12 09:19:431028

AI開發(fā)平臺(tái)模型怎么用

AI開發(fā)平臺(tái)極大地簡化了AI應(yīng)用的開發(fā)流程,從環(huán)境搭建、模型訓(xùn)練到部署集成,每一步都提供了豐富的工具和資源。那么,AI開發(fā)平臺(tái)模型怎么用呢?下面,AI部落小編帶您了解。
2025-02-11 09:53:05671

【「基于大模型的RAG應(yīng)用開發(fā)與優(yōu)化」閱讀體驗(yàn)】RAG基本概念

隨著大模型在25年初的進(jìn)一步發(fā)展,RAG應(yīng)用已成為新的一個(gè)趨勢,很榮幸有機(jī)會(huì)試讀這本<基于大模型的RAG應(yīng)用開發(fā)與優(yōu)化>,書本很厚,有500多頁,誠意滿滿。 本書所闡述
2025-02-08 00:22:51

【「基于大模型的RAG應(yīng)用開發(fā)與優(yōu)化」閱讀體驗(yàn)】+第一章初體驗(yàn)

《基于大模型的RAG應(yīng)用開發(fā)與優(yōu)化》試讀報(bào)告 ——第一章:了解大模型與RAG 近年來,隨著人工智能技術(shù)的快速發(fā)展,大模型與生成式AI技術(shù)逐漸成為成功引起了我的關(guān)注,尤其是最近給美股沉重打擊
2025-02-07 10:42:25

使用 SiC 功率半導(dǎo)體提升高性能開關(guān)轉(zhuǎn)換器的效率

。 下面我們以 [Microchip Technology] 的 SiC 器件為例,從 SiC 技術(shù)的基本優(yōu)勢入手,為您打消這些顧慮。隨后,我們將探討 SiC 功率半導(dǎo)體,并展示有助于管理開發(fā)過程的仿真工具
2025-01-26 22:10:001253

驅(qū)動(dòng)Microchip SiC MOSFET

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《驅(qū)動(dòng)Microchip SiC MOSFET.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-21 13:59:122

SiC MOSFET分立器件及工業(yè)模塊介紹

BASiC國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET分立器件及碳化硅功率SiC模塊介紹
2025-01-16 14:32:042

【「基于大模型的RAG應(yīng)用開發(fā)與優(yōu)化」閱讀體驗(yàn)】+大模型微調(diào)技術(shù)解讀

今天學(xué)習(xí)<基于大模型的RAG應(yīng)用開發(fā)與優(yōu)化>這本書。大模型微調(diào)是深度學(xué)習(xí)領(lǐng)域中的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù),它指的是在已經(jīng)預(yù)訓(xùn)練好的大型深度學(xué)習(xí)模型基礎(chǔ)上,使用新的、特定任務(wù)相關(guān)的數(shù)據(jù)
2025-01-14 16:51:12

高通CES 2025展示AI創(chuàng)新成果

近日,在萬眾矚目的2025年國際消費(fèi)電子展(CES 2025)上,高通技術(shù)公司大放異彩,宣布了一系列行業(yè)領(lǐng)先的AI創(chuàng)新成果,覆蓋了PC、汽車、智能家居以及企業(yè)級等多個(gè)領(lǐng)域,展示了其在推動(dòng)用戶體驗(yàn)變革
2025-01-09 14:26:09925

NVIDIA推出加速物理AI開發(fā)的Cosmos世界基礎(chǔ)模型

經(jīng)數(shù)百萬小時(shí)的駕駛和機(jī)器人視頻數(shù)據(jù)訓(xùn)練的先進(jìn)模型,可用于普及物理 AI 開發(fā),并以開放模型許可形式提供。
2025-01-09 11:05:341435

漢王科技CES展示創(chuàng)新技術(shù),共觸未來智能交互

獨(dú)特的磁容觸控技術(shù),為用戶帶來了更加流暢、精準(zhǔn)的交互體驗(yàn)。同時(shí),漢王科技還推出了Penstar海外電紙本品牌,展示了其在電子紙技術(shù)領(lǐng)域的最新成果。 此外,漢王科技還帶來了數(shù)字簽批、手寫&OCR識別技術(shù)等創(chuàng)新應(yīng)用產(chǎn)品。這些產(chǎn)品不僅提升了辦公
2025-01-08 15:08:18966

耐能亮相CES 2025,展示端側(cè)AI最新成果

能向全球市場展示了其在端側(cè)AI技術(shù)上的最新進(jìn)展。作為全球邊緣AI行業(yè)的先行者,耐能一直致力于推動(dòng)AI技術(shù)的創(chuàng)新與應(yīng)用。此次,耐能帶來了最新一代高能產(chǎn)品“KNEO 330”,該產(chǎn)品在性能上實(shí)現(xiàn)了顯著提升,為邊緣AI應(yīng)用提供了更加強(qiáng)勁的動(dòng)力。 除了展示最新產(chǎn)品外,耐能還與客戶伙伴
2025-01-08 14:58:151310

三菱電機(jī)超小型全SiC DIPIPM解析

在Si-IGBT的DIPIPM基礎(chǔ)上,三菱電機(jī)開發(fā)了超小型全SiC DIPIPM,保持相同的封裝及管腳配置。本文帶你一覽超小型全SiC DIPIPM的優(yōu)勢。
2025-01-08 13:48:552320

Neuchips展示模型推理ASIC芯片

。新的芯片解決方案Raptor使企業(yè)能夠以現(xiàn)有解決方案的一小部分成本部署大型語言模型(LLM)推理。 Neuchips?CEO Ken Lau表示:“我們很高興在CES 2024上向業(yè)界展示我們
2025-01-06 17:30:291332

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