的具體作用以及需求。 介電擊穿測試：對芯片的絕緣層施加從低到高（可達±20kV）的直流或掃描電壓，分析其絕緣失效的臨界點。需求：高輸出電壓、低噪聲（ 芯片老化測試（如功率器件）：施加高于正常工作電壓的應力，加速芯片老化
2026-01-05 14:15:31
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LM134/LM234/LM334：三端可調(diào)電流源的全方位解析 作為電子工程師，在電路設計的過程中，我們常常需要精準且性能優(yōu)良的電流源。今天要和大家分享的是ST公司的LM134/LM
2025-12-31 16:10:0390 質(zhì)量的可靠性。這些領域往往要求界面結合強度達到特定標準，而拉力測試無法提供這樣的準確評估。
失效分析與故障診斷
當產(chǎn)品出現(xiàn)鍵合相關的質(zhì)量問題時，剪切測試能夠幫助工程師準確定位失效原因。通過分析剪切
2025-12-31 09:09:40
離子污染是導致PCB漏電、腐蝕等失效的關鍵“隱形殺手”，目前行業(yè)主流是通過ROSE、局部離子測試和離子色譜（IC）結合SIR/CAF試驗來實現(xiàn)“從含量到可靠性”的量化評估體系。一、離子污染如何導致
2025-12-30 11:22:3975 
LM134/LM234/LM334：三端可調(diào)電流源的特性與應用解析 在電子設計領域，電流源是一種基礎且關鍵的元件，廣泛應用于各種電路中。德州儀器（TI）的LM134/LM234/LM334三端可調(diào)
2025-12-29 15:55:19127 一、讀寫均衡失效引發(fā)的核心問題 讀寫均衡（磨損均衡，Wear Leveling）是SD卡固件通過算法將數(shù)據(jù)均勻分配到閃存芯片各單元，避免局部單元過度擦寫的關鍵機制。瀚海微SD卡出現(xiàn)讀寫均衡失效后，會
2025-12-29 15:08:0798 
深入剖析LM134/LM234/LM334 3 - 終端可調(diào)電流源 在電子設計領域，可調(diào)電流源是一種非常重要的基礎元件，廣泛應用于各種電路中。今天我們就來詳細探討一下德州儀器（TI）的LM
2025-12-26 17:15:02444 發(fā)光二極管（LED）作為現(xiàn)代照明和顯示技術的核心元件，其可靠性直接關系到最終產(chǎn)品的性能與壽命。與所有半導體器件相似，LED在早期使用階段可能出現(xiàn)失效現(xiàn)象，對這些失效案例進行科學分析，不僅能夠定位
2025-12-24 11:59:35172 
CW32時鐘運行中失效檢測的流程是什么？CW32時鐘運行中失效檢測注意事項有哪些？
2025-12-10 07:22:58
聚焦離子束技術聚焦離子束（FocusedIonBeam,FIB）技術作為現(xiàn)代半導體失效分析的核心手段之一，通常與掃描電子顯微鏡（ScanningElectronMicroscope,SEM）集成
2025-12-04 14:09:25368 
【博主簡介】本人“ 愛在七夕時 ”，系一名半導體行業(yè)質(zhì)量管理從業(yè)者，旨在業(yè)余時間不定期的分享半導體行業(yè)中的：產(chǎn)品質(zhì)量、失效分析、可靠性分析和產(chǎn)品基礎應用等相關知識。常言：真知不問出處，所分享的內(nèi)容
2025-12-03 08:35:54482 
矢量網(wǎng)絡分析儀（Vector Network Analyzer, VNA）作為射頻微波領域的核心測試設備，憑借其對電磁波幅度、相位及傳輸特性的高精度測量能力，在通信系統(tǒng)研發(fā)、微波器件制造、材料特性
2025-12-01 16:36:33544 
于新能源汽車、工業(yè)控制及商業(yè)航天等高端領域。本文針對該芯片在實際應用中出現(xiàn)的三類典型失效案例，采用"外觀檢查-電性能測試-無損檢測-物理開封-材料分析"的階梯式失效分析流程，結合SEM、XRD及溫度場仿真等技術手段，系統(tǒng)揭示了過電應力導致VDMOS鍵合絲熔斷、溫度梯度引發(fā)焊盤
2025-11-30 09:33:111389 的LM-79、LM-80測試服務，包括LED光通量、光效，確保每一項測試數(shù)據(jù)的準確性和可靠性。在實際應用中，LED光效可細分為瞬態(tài)光效與穩(wěn)態(tài)光效，二者在物理意義及應用
2025-11-28 15:22:111500 
2025年11月，水晶光電失效分析與材料研究實驗室憑硬核實力，順利通過中國合格評定國家認可委員會（CNAS）嚴苛審核，正式獲頒CNAS認可證書。這標志著實驗室檢測能力與服務質(zhì)量已接軌國際標準，彰顯了企業(yè)核心技術創(chuàng)新力與綜合競爭力，為深耕國際市場筑牢品質(zhì)根基”。
2025-11-28 15:18:30591 能力使其在金屬測試領域展現(xiàn)出廣泛的應用價值，為金屬材料的性能評估、工藝優(yōu)化和失效分析提供了關鍵的數(shù)據(jù)支撐。1、金屬熱穩(wěn)定性與氧化行為研究金屬材料在高溫環(huán)境中易發(fā)生氧
2025-11-27 10:54:50164 
79M05 TO-252三端穩(wěn)壓IC
2025-11-26 17:00:36
0 79M09 TO-252三端穩(wěn)壓IC
2025-11-25 18:18:380 79M06 TO-252三端穩(wěn)壓IC
2025-11-25 17:54:090 79M08 TO-252三端穩(wěn)壓IC
2025-11-25 17:53:280 79M12 TO-252三端穩(wěn)壓IC
2025-11-25 17:52:480 79M15 TO-252三端穩(wěn)壓IC
2025-11-25 17:51:550 LM35輸出10mV每℃，設計一個4到20mA電流，檢測溫度范圍0~100℃。100℃時，輸出電壓為1V，電阻為62.5歐，電流為16mA，這里還差4mA的電流。這里LM35輸出電流最大也就10mA
2025-11-20 22:35:55
79L15 SOT-89三端穩(wěn)壓IC
2025-11-17 17:38:370 79L09 SOT-89三端穩(wěn)壓IC
2025-11-17 17:20:360 79L08 SOT-89三端穩(wěn)壓IC
2025-11-17 17:19:010 79L06 SOT-89三端穩(wěn)壓IC
2025-11-17 17:18:030 79L05 SOT-89三端穩(wěn)壓IC
2025-11-17 17:17:190 一、PCBA應變測試可以對SMT封裝在PCBA組裝、操作和測試中受到的應變和應變率水平進行客觀分析。過大的應變都會導致各種模式的失效。這些失效包括焊料球開裂、線路損傷、層壓板相關的粘合失效（焊盤翹起
2025-11-05 17:04:42802 
的失效機理。
#芯片分析 #熱成像 #失效分析 #漏電測試 #紅外顯微鏡 #MOS管#iv曲線
致晟光電每一次定位、每一張熱像，
都在推動失效分析往更精準、更科學的方向邁進
2025-10-31 16:08:331256 
電子元器件封裝中的引線鍵合工藝，是實現(xiàn)芯片與外部世界連接的關鍵技術。其中，金鋁鍵合因其應用廣泛、工藝簡單和成本低廉等優(yōu)勢，成為集成電路產(chǎn)品中常見的鍵合形式。金鋁鍵合失效這種現(xiàn)象雖不為人所熟知，卻是
2025-10-24 12:20:57444 
個微小的鍵合點失效，就可能導致整個模塊功能異常甚至徹底報廢。因此，對鍵合點進行精準的強度測試，是半導體封裝與失效分析領域中不可或缺的一環(huán)。 本文科準測控小編將圍繞Alpha W260推拉力測試機這一核心設備，深入淺出地
2025-10-21 17:52:43701 
電子元器件失效可能導致電路功能異常，甚至整機損毀，耗費大量調(diào)試時間。部分半導體器件存在外表完好但性能劣化的“軟失效”，進一步增加了問題定位的難度。電阻器失效1.開路失效：最常見故障。由過電流沖擊導致
2025-10-17 17:38:52900 
失效和封裝失效的原因，并分析其背后的物理機制。金鑒實驗室作為一家專注于LED產(chǎn)業(yè)的科研檢測機構，致力于改善LED品質(zhì)，服務LED產(chǎn)業(yè)鏈中各個環(huán)節(jié)，使LED產(chǎn)業(yè)健康
2025-10-14 12:09:44242 
高壓起弧試驗機的測試價值，不僅在于完成對被測試件的“考核”，更在于其產(chǎn)生的海量測試數(shù)據(jù) —— 從電弧留下的細微痕跡，到材料最終的失效狀態(tài)，每一項數(shù)據(jù)都是破解被測試件性能短板、優(yōu)化產(chǎn)品設計的關鍵線索
2025-10-14 09:18:54275 在本文中，我們將討論開環(huán)音頻測試的一些挑戰(zhàn)，并介紹APx500軟件中可用于簡化這些測試的資源。閉環(huán)測試與開環(huán)測試首先，一些定義：我們使用“閉環(huán)”這一術語來指代一種經(jīng)典的音頻測試方法，即由音頻分析
2025-10-13 09:07:40396 
溫度循環(huán)測試后的數(shù)據(jù)記錄和分析是驗證電能質(zhì)量在線監(jiān)測裝置精度穩(wěn)定性、功能完整性、硬件可靠性的核心環(huán)節(jié)，需圍繞 “數(shù)據(jù)溯源可查、分析邏輯閉環(huán)、結論依據(jù)充分” 展開，結合測試標準（IEC
2025-09-26 14:22:50403 隨著封裝技術向小型化、薄型化、輕量化演進，封裝缺陷對可靠性的影響愈發(fā)凸顯，為提升封裝質(zhì)量需深入探究失效機理與分析方法。
2025-09-22 10:52:43807 
分享一個在熱發(fā)射顯微鏡下（Thermal EMMI) 芯片失效分析案例，展示我們?nèi)绾瓮ㄟ^ IV測試 與 紅外熱點成像，快速鎖定 IGBT 模組的失效點。
2025-09-19 14:33:022288 
若您發(fā)現(xiàn)測試版本存在嚴重問題、或者已完成測試，可以在“版本列表”頁面手動停止測試。測試版本停止測試后，狀態(tài)會立即變?yōu)椤耙?b class="flag-6" style="color: red">失效”。測試版本失效后，新用戶將不再能下載安裝測試版本已安裝的用戶仍然可以繼續(xù)使用，直到安裝時間超過90天，90天后應用將無法啟動。
本文主要從參考引用自HarmonyOS官方文檔
2025-09-19 10:12:39
近年來，隨著LED照明市場的快速擴張，越來越多的企業(yè)加入LED研發(fā)制造行列。然而行業(yè)繁榮的背后，卻隱藏著一個令人擔憂的現(xiàn)象：由于從業(yè)企業(yè)技術實力參差不齊，LED驅動電路質(zhì)量差異巨大，導致燈具失效事故
2025-09-16 16:14:52836 
LED壽命雖被標稱5萬小時，但那只是25℃下的理論值。高溫、高濕、粉塵、電流沖擊等現(xiàn)場條件會迅速放大缺陷，使產(chǎn)品提前失效。統(tǒng)計表明，現(xiàn)場失效多集中在投運前三年，且呈批次性，直接推高售后成本。把常見
2025-09-12 14:36:55641 
安全通訊中的失效率量化評估寫在前面：在評估硬件隨機失效對安全目標的違反分析過程中，功能安全的分析通常集中于各個ECU子系統(tǒng)的PMHF（安全目標違反的潛在失效概率）計算。通過對ECU所有子系統(tǒng)
2025-09-05 16:19:135719 
現(xiàn)開路、短路或參數(shù)漂移等問題。其中，開路失效是一種較為典型的失效模式，對電路功能影響很大。作為FAE，在現(xiàn)場支持客戶時，常常需要針對這種現(xiàn)象進行分析和解答。一、什么是
2025-08-28 09:39:37555 
利用矢量網(wǎng)絡分析儀對微波器件進行測試時，矢量網(wǎng)絡分析儀的測試動態(tài)范圍將影響被測微波器件（DUT）的測量范圍、測量精度和測量速度。只有矢量網(wǎng)絡分析儀的測試動態(tài)范圍大于被測微波器件的動態(tài)范圍時，才能獲得
2025-08-27 17:33:331330 
，系統(tǒng)分析風華貼片電感的典型失效模式，并提出針對性預防措施。 ?一、典型失效模式分析 1.? 磁路破損類失效 磁路破損是貼片電感的核心失效模式之一，具體表現(xiàn)為磁芯裂紋、磁導率偏差及結構斷裂。此類失效通常源于以下原
2025-08-27 16:38:26658 電子元器件失效是指其在規(guī)定工作條件下，喪失預期功能或性能參數(shù)超出允許范圍的現(xiàn)象。失效可能發(fā)生于生命周期中的任一階段，不僅影響設備正常運行，還可能引發(fā)系統(tǒng)級故障。導致失效的因素復雜多樣，可系統(tǒng)性地歸納
2025-08-21 14:09:32983 
短路失效網(wǎng)上已經(jīng)有很多很詳細的解釋和分類了，但就具體工作中而言，我經(jīng)常遇到的失效情況主要還是發(fā)生在脈沖階段和關斷階段以及關斷完畢之后的，失效的模式主要為熱失效和動態(tài)雪崩失效以及電場尖峰過高失效(電流分布不均勻)。理論上還有其他的一些失效情況，但我工作中基本不怎么遇到了。
2025-08-21 11:08:544039 
在半導體制造領域，電氣過應力（EOS）和靜電放電（ESD）是導致芯片失效的兩大主要因素，約占現(xiàn)場失效器件總數(shù)的50%。它們不僅直接造成器件損壞，還會引發(fā)長期性能衰退和可靠性問題，對生產(chǎn)效率與產(chǎn)品質(zhì)量構成嚴重威脅。
2025-08-21 09:23:051497 有限元仿真技術，建立了CBGA焊點失效分析的完整方法體系。通過系統(tǒng)的力學性能測試與多物理場耦合仿真，揭示了溫度循環(huán)載荷下CBGA焊點的失效演化規(guī)律，為高可靠性電子封裝設計與工藝優(yōu)化提供了理論依據(jù)和技術支持。 一、CBGA焊點失效原理 1、 失效機理 CBGA焊
2025-08-15 15:14:14576 
在半導體器件研發(fā)與制造領域，失效分析已成為不可或缺的環(huán)節(jié)，F(xiàn)IB（聚焦離子束）截面分析，作為失效分析的利器，在微觀世界里大顯身手。它運用離子束精準切割樣品，巧妙結合電子束成像技術，實現(xiàn)對樣品內(nèi)部結構
2025-08-15 14:03:37865 
限制，PCB在生產(chǎn)和應用中常出現(xiàn)失效，引發(fā)質(zhì)量糾紛。為查明原因、解決問題并明確責任，失效分析成為必不可少的環(huán)節(jié)。失效分析流程1.失效定位失效分析的首要任務是基于失效
2025-08-15 13:59:15630 
的正常運行和使用壽命有著重要影響。美能超景深顯微鏡可對軸承磨損的進行亞微米級的測量與分析，為軸承磨損的研究提供了精準的數(shù)據(jù)支持。#軸承磨損失效的主要模式.01磨粒磨損
2025-08-05 17:52:39995 
PCIe協(xié)議分析儀能測試多種依賴PCIe總線進行高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)脑O備，其測試范圍覆蓋計算、存儲、網(wǎng)絡及異構計算等多個領域，具體設備類型及測試場景如下：一、核心計算設備
GPU（圖形處理器）
測試
2025-07-25 14:09:01
測試協(xié)議分析儀的實時響應效率需從硬件性能、軟件處理能力、協(xié)議解析精度和實際場景模擬四個維度綜合評估。以下是具體測試方法及步驟，結合工具與場景設計，幫助量化分析儀的實時性表現(xiàn)：一、硬件性能測試：驗證
2025-07-24 14:19:26
FIB介紹聚焦離子束（FIB）技術作為一種高精度的微觀加工和分析工具，在半導體失效分析與微納加工領域，雙束聚焦離子束（FIB）因其“穩(wěn)、準、狠、短、平、快”的技術特征，被業(yè)內(nèi)譽為“微創(chuàng)手術刀”。它
2025-07-24 11:34:48769 
工程師需要系統(tǒng)性地排查各種可能原因，從外圍電路到生產(chǎn)工藝，甚至需要原廠支持進行剖片分析。 本文科準測控小編將詳細介紹芯片失效分析的原理、標準、常用設備（如Beta S100推拉力測試機）以及標準流程，幫助工程師更好地理
2025-07-14 11:15:50748 
行業(yè)關注的焦點。在眾多質(zhì)量檢測方法中，非破壞鍵合拉力試驗因其高效、準確且不損傷產(chǎn)品的特點，成為確保鍵合可靠性的關鍵手段。 本文科準測控小編將系統(tǒng)介紹引線鍵合工藝原理、質(zhì)量控制標準，重點分析Alpha W260推拉力測試機在
2025-07-14 09:12:351247 
芯片失效分析的主要步驟芯片開封：去除IC封膠，同時保持芯片功能的完整無損，保持die，bondpads，bondwires乃至lead-frame不受損傷，為下一步芯片失效分析實驗做準備。SEM
2025-07-11 10:01:152706 
，為了弄清楚各類異常所導致的失效根本原因，IC失效分析也同樣在行業(yè)內(nèi)扮演著越來越重要的角色。一塊芯片上集成的器件可達幾千萬，因此進行集成電路失效分析必須具備先進、準確的技術和設備，并由具有相關專業(yè)知識的半導體分析人員開展分析工作。
2025-07-10 11:14:34591 
Texas Instruments INA79xEVM評估模塊支持用戶評估INA790x和INA791x電流檢測放大器。該器件是雙向、超精密電流檢測放大器，采用75A EZShunt? 技術，電壓范圍為-4V至110V。TI INA79xEVM提供了一個支持增益和基準電壓配置的平臺。
2025-07-09 09:51:08522 
在電子封裝領域，各類材料因特性與應用場景不同，失效模式和分析檢測方法也各有差異。
2025-07-09 09:40:52999 本文介紹了芯片封裝失效的典型現(xiàn)象：金線偏移、芯片開裂、界面開裂、基板裂紋和再流焊缺陷。
2025-07-09 09:31:361505 一、芯片缺陷在LED器件的失效案例中，芯片缺陷是一個不容忽視的因素。失效的LED器件表現(xiàn)出正向壓降（Vf）增大的現(xiàn)象，在電測過程中，隨著正向電壓的增加，樣品仍能發(fā)光，這暗示著LED內(nèi)部可能存在電連接
2025-07-08 15:29:13561 
芯片失效和封裝失效的原因，并分析其背后的物理機制。金鑒實驗室是一家專注于LED產(chǎn)業(yè)的科研檢測機構，致力于改善LED品質(zhì)，服務LED產(chǎn)業(yè)鏈中各個環(huán)節(jié)，使LED產(chǎn)業(yè)健康
2025-07-07 15:53:25765 
近期，小編收到不少客戶關于焊球推力測試設備選型的咨詢。針對這一市場需求，我們特別撰文介紹專門的測試解決方案。 在現(xiàn)代微電子封裝領域，低溫共燒陶瓷(LTCC)基板因其優(yōu)異的電氣性能、熱穩(wěn)定性和高集成度
2025-07-04 11:17:48564 連接器失效可能由電氣、機械、環(huán)境、材料、設計、使用不當或壽命到期等多種原因引起。通過電氣、機械、外觀和功能測試，可以判斷連接器是否失效。如遇到失效的情況需要及時更新，保證工序的正常進行。
2025-06-27 17:00:56654 中圖儀器SEM掃描電鏡斷裂失效分析采用鎢燈絲電子槍，其電子槍發(fā)射電流大、穩(wěn)定性好，以及對真空度要求不高，使得鎢燈絲臺式掃描電鏡能夠在較短的時間內(nèi)達到穩(wěn)定的工作狀態(tài)并獲得清晰的圖像，從而提高了檢測效率
2025-06-17 15:02:09
一、前言： 一塊PCB電路板變成PCBA需要經(jīng)過很多制程，不管是手動的還是自動化產(chǎn)線上對設備的制造都需要一環(huán)一環(huán)的緊密測量。 二、背景介紹： PCB印刷電路板在生產(chǎn)測試流程中會受到不同程度的應力
2025-06-10 16:33:49753 
近期受晶圓廠委托， 季豐在執(zhí)行完SRAM芯片在中子輻射下SER測試后， 通過對SRAM芯片的深入研究，對測試失效數(shù)據(jù)的分析，將邏輯失效地址成功轉換為物理坐標地址，最終在圖像上顯示失效位置，幫助客戶直觀地看到失效點分布位置。 通過多個失效芯片圖像的疊加，客戶可以看到多個芯片失效積累效果。
2025-06-03 10:08:45862 
部分IGBT模塊廠商失效報告作假的根本原因及其對中國功率模塊市場的深遠影響，可以從技術、商業(yè)、行業(yè)競爭等多維度分析，并結合中國功率模塊市場的動態(tài)變化進行綜合評估： 一、失效報告作假的根本原因 技術
2025-05-23 08:37:56801 
在電子系統(tǒng)中，MDD穩(wěn)壓二極管（ZenerDiode）憑借其在反向擊穿區(qū)域的穩(wěn)定電壓特性，被廣泛應用于電壓參考、過壓保護和穩(wěn)壓電路中。然而在實際應用中，穩(wěn)壓管并非“永不失手”。其失效往往會直接影響
2025-05-16 09:56:081095 
芯片失效分析中對芯片的截面進行觀察，需要對樣品進行截面研磨達到要觀察的位置，而后再采用光學顯微鏡（OM Optical Microscopy）或者掃描電子顯微（SEM Scanning Electron Microscopy）進行形貌觀察。
2025-05-15 13:59:001657 
測試電纜和連接器是射頻網(wǎng)絡分析儀（VNA）測量鏈路中的關鍵組件，其性能直接影響測試結果的準確性和可靠性。以下從信號損耗、相位穩(wěn)定性、阻抗匹配、重復性四個維度，系統(tǒng)分析它們對VNA測試的影響及應對
2025-05-09 15:11:53
失效分析的定義與目標失效分析是對失效電子元器件進行診斷的過程。其核心目標是確定失效模式和失效機理。失效模式指的是我們觀察到的失效現(xiàn)象和形式，例如開路、短路、參數(shù)漂移、功能失效等；而失效機理則是指導
2025-05-08 14:30:23910 
無需封裝：熱阻低，允許施加更高溫度和大電流密度而不引入新失效機理；實時反饋：與工藝開發(fā)流程深度融合，工藝調(diào)整后可立即通過測試反饋評估可靠性影響；行業(yè)標準化：主流廠商均發(fā)布WLR技術報告，推動其成為工藝
2025-05-07 20:34:21
元器件失效之推拉力測試在當代電子設備的生產(chǎn)與使用過程中，組件的故障不僅可能降低產(chǎn)品的性能，還可能導致產(chǎn)品徹底失效，給用戶帶來麻煩和經(jīng)濟損失，同時對制造商的聲譽和成本也會造成負面影響。為什么要做推拉
2025-04-29 17:26:44679 
分析方面面臨諸多挑戰(zhàn)，尤其是在化學開封、X-Ray和聲掃等測試環(huán)節(jié)，國內(nèi)技術尚不成熟?；诖耍瑥V電計量集成電路測試與分析研究所推出了先進封裝SiC功率模組失效分析技
2025-04-25 13:41:41747 
伺服電機的測試流程是確保電機正常工作的關鍵步驟。以下是對伺服電機測試流程的詳細分析。 ?一、初步檢查與準備 1. 外觀檢查：首先，對伺服電機進行外觀檢查，確保電機完好無損，沒有明顯的物理損傷或變形
2025-04-23 17:56:301247 使用環(huán)境導致失效，常見的失效模式主要包括過熱失效和短路失效。1.過熱失效及其規(guī)避措施過熱失效通常是由于功率損耗過大、散熱不良或工作環(huán)境溫度過高導致的。主要成因包括：正向
2025-04-11 09:52:17685 
本資料共分兩篇,第一篇為基礎篇，主要介紹了電子元器件失效分析基本概念、程序、技術及儀器設備;第二篇為案例篇，主要介紹了九類元器件的失效特點、失效模式和失效機理以及有效的預防和控制措施,并給出九類
2025-04-10 17:43:54
LM80測試簡介LM80測試是由北美照明工程協(xié)會（IESNA）與美國國家標準學會（ANSI）聯(lián)合發(fā)布的權威標準，主要用于評估LED器件的流明維持率和顏色維持性能。這一標準為LED產(chǎn)品的壽命和性能評估
2025-03-27 10:26:011493 
半導體集成電路失效機理中除了與封裝有關的失效機理以外，還有與應用有關的失效機理。
2025-03-25 15:41:371791 
高密度互聯(lián)（HDI）板的激光盲孔技術是5G、AI芯片的關鍵工藝，但孔底開路失效卻讓無數(shù)工程師頭疼！SGS微電子實驗室憑借在失效分析領域的豐富經(jīng)驗，總結了一些失效分析經(jīng)典案例，旨在為工程師提供更優(yōu)
2025-03-24 10:45:391271 
LM79LXXAC 系列 3 端子負穩(wěn)壓器具有 ?5V、?12V 和 ?15V 的固定輸出電壓，輸出電流能力超過 100mA。這些器件采用最新的計算機技術設計，用于優(yōu)化封裝 IC 的熱/電性能
2025-03-19 10:37:00728 
LM79XX 系列 3 端子穩(wěn)壓器可提供 ?5V、?12V 和 ?15V 的固定輸出電壓。這些器件只需要一個外部元件 — 輸出端的補償電容器。LM79XX 系列采用 TO-220 功率封裝，能夠提供
2025-03-18 14:19:46916 
問題。為了確保PCB的質(zhì)量和可靠性，失效分析技術顯得尤為重要。外觀檢查外觀檢查是失效分析的第一步，通過目測或借助簡單儀器（如立體顯微鏡、金相顯微鏡或放大鏡）對PC
2025-03-17 16:30:54935 
請大佬看一下我這個LM5112驅動碳化硅MOS GC3M0065090D電路。負載電壓60V，電路4A以下時開關沒有問題，電流升至5A時芯片失效，驅動輸出電壓為0。
有點無法理解，如果電流過大為什么會影響驅動芯片的性能呢？
請多指教，謝謝！
2025-03-17 09:33:06
本文首先介紹了器件失效的定義、分類和失效機理的統(tǒng)計，然后詳細介紹了封裝失效分析的流程、方法及設備。
2025-03-13 14:45:411819 
太誘電容的失效分析，特別是針對裂紋與短路問題，需要從多個角度進行深入探討。以下是對這兩個問題的詳細分析： 一、裂紋問題 裂紋成因 ： 熱膨脹系數(shù)差異 ：電容器的各個組成部分(如陶瓷介質(zhì)、端電極
2025-03-12 15:40:021222 
高密度封裝技術在近些年迅猛發(fā)展，同時也給失效分析過程帶來新的挑戰(zhàn)。常規(guī)的失效分析手段難以滿足結構復雜、線寬微小的高密度封裝分析需求，需要針對具體分析對象對分析手法進行調(diào)整和改進。
2025-03-05 11:07:531289 
LM2621的輸入為兩節(jié)干電池3.0V，輸出3.3V，負載電流10.5mA，測試LM2621工作電流12mA左右，LM2621的電路采用的使用手冊中的推薦電路，如下圖。工作電流大應該怎么解決？
2025-02-27 08:27:54
? 本文介紹了芯片失效分析的方法和流程，舉例了典型失效案例流程，總結了芯片失效分析關鍵技術面臨的挑戰(zhàn)和對策，并總結了芯片失效分析的注意事項。 ? ? 芯片失效分析是一個系統(tǒng)性工程，需要結合電學測試
2025-02-19 09:44:162908 在電子與電氣工程領域，雪崩失效與過壓擊穿是兩種常見的器件失效模式，它們對電路的穩(wěn)定性和可靠性構成了嚴重威脅。盡管這兩種失效模式在本質(zhì)上是不同的，但它們之間存在一定的聯(lián)系和相互影響。本文將深入探討雪崩失效與過壓擊穿的發(fā)生順序、機制、影響因素及預防措施，為技術人員提供全面、準確的技術指導。
2025-01-30 15:53:001271 PCB失效分析：步驟與技術作為各種元器件的載體與電路信號傳輸?shù)臉屑~PCB（PrintedCircuitBoard，印刷電路板）已經(jīng)成為電子信息產(chǎn)品的最為重要而關鍵的部分，其質(zhì)量的好壞與可靠性水平?jīng)Q定
2025-01-20 17:47:011696 
整流二極管失效分析方法主要包括對失效原因的分析以及具體的檢測方法。 一、失效原因分析 防雷、過電壓保護措施不力 ： 整流裝置未設置防雷、過電壓保護裝置，或保護裝置工作不可靠，可能因雷擊或過電壓而損壞
2025-01-15 09:16:581589 光熱分布檢測意義在LED失效分析領域，光熱分布檢測技術扮演著至關重要的角色。LED作為一種高效的照明技術，其性能和壽命受到多種因素的影響，其中光和熱的分布情況尤為關鍵。光熱分布不均可能導致芯片界面
2025-01-14 12:01:24738 
失效分析的重要性失效分析其核心任務是探究產(chǎn)品或構件在服役過程中出現(xiàn)的各種失效形式。這些失效形式涵蓋了疲勞斷裂、應力腐蝕開裂、環(huán)境應力開裂引發(fā)的脆性斷裂等諸多類型。深入剖析失效機理，有助于工程師
2025-01-09 11:01:46996 
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