片上 FLASH 閃存由兩部分物理區(qū)域組成：主 FLASH 存儲器和啟動程序存儲器。
1、主 FLASH 存儲器，共 64KB，地址空間為 0x0000 0000 - 0x0000 FFFF。該區(qū)
2025-12-23 08:28:04
全球存儲器缺貨、價格飆漲的風(fēng)口下，力積電的銅鑼新廠成了國際大廠爭搶的核心資源 —— 繼晟碟之后，美光也正在與力積電洽談合作，希望借助這座已建成、仍有 4-5 萬片月產(chǎn)能余量的工廠快速落地存儲器產(chǎn)能，雙方已敲定三種合作方向，只待力積電最終確認(rèn)。
2025-12-22 11:43:22
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如何利用CW32L083系列微控制器的內(nèi)部Flash存儲器進(jìn)行程序升級和數(shù)據(jù)存儲？
2025-12-15 07:39:51
CW32F030 的 FLASH 存儲器支持擦寫 PC 頁保護(hù)功能。
當(dāng)用戶程序運(yùn)行 FLASH 時，如果當(dāng)前程序指針 PC 正好位于待擦寫的 FLASH 地址頁范圍內(nèi)，則該擦寫操作失敗，同時
2025-12-11 07:38:50
SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存儲器）是一種在通電狀態(tài)下可保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失的存儲器件，無需刷新即可持續(xù)工作，因此具有高速讀寫、響應(yīng)及時的特點，廣泛應(yīng)用于對實時性要求高的場景。
2025-12-08 16:51:57443 
在計算機(jī)和電子設(shè)備中，存儲器扮演著數(shù)據(jù)臨時存放與快速交換的關(guān)鍵角色。其中，DDR SDRAM（雙數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）已成為現(xiàn)代內(nèi)存的主流技術(shù)之一。它不僅在速度上顯著超越前代產(chǎn)品，更憑借其高效傳輸機(jī)制，廣泛應(yīng)用于電腦、服務(wù)器、移動設(shè)備及各類嵌入式系統(tǒng)中。
2025-12-08 15:20:44294 概述CW32L052內(nèi)部集成了64KB嵌入式FLASH供用戶使用，可用來存儲應(yīng)用程序和用戶數(shù)據(jù)。
芯片支持對 FLASH 存儲器的讀、擦除和寫操作，支持擦寫保護(hù)和讀保護(hù)。
芯片內(nèi)置 FLASH 編程
2025-12-05 08:22:19
CW32的22 字節(jié) OTP 存儲器一般都怎么使用？
2025-12-02 06:39:44
CW32L010 支持以下 2 種啟動模式：
●從主 FLASH 存儲器啟動，運(yùn)行用戶程序。
●從啟動程序存儲器啟動，運(yùn)行內(nèi)部 BootLoader。
當(dāng)運(yùn)行 Bootloader 時，用戶可通過
2025-11-28 08:09:23
在各類存儲設(shè)備中，SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存儲器）因其高速、低功耗和高可靠性，被廣泛應(yīng)用于高性能計算、通信和嵌入式系統(tǒng)中。其中，雙口SRAM靜態(tài)隨機(jī)存儲器憑借其獨特的雙端口設(shè)計，在高帶寬和多任務(wù)場景中表現(xiàn)尤為出色，成為提升系統(tǒng)效率的重要組件。
2025-11-25 14:28:44275 用戶可執(zhí)行的RAM 存儲器操作包括：讀操作、寫操作。
對RAM 的讀寫操作支持8bit、16bit 和32bit 三種位寬，用戶程序可以通過直接訪問絕對地址的方式完成讀寫，
但要注意讀寫的數(shù)據(jù)位寬
2025-11-21 07:46:52
在存儲技術(shù)快速演進(jìn)的今天，一種名為STT-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻隨機(jī)存取存儲器）的新型非易失存儲器，正逐步走入產(chǎn)業(yè)視野。它不僅繼承了MRAM的高速讀寫能力與非易失特性，更通過“自旋電流”技術(shù)實現(xiàn)了信息寫入方式的突破，被視為第二代MRAM技術(shù)的代表。
2025-11-20 14:04:35248 型號：FZH120
廠商：深圳市方中禾科技有限公司（Premier Chip Limited）FZH120是一種存儲器交換LED顯示控制的驅(qū)動芯片，可以選擇多重的ROW/COM模式（32ROW
2025-11-20 11:40:44
片上FLASH 閃存由兩部分物理區(qū)域組成：主FLASH 存儲器和啟動程序存儲器。
●● 主 FLASH 存儲器，共 64KB，地址空間為 0x0000 0000 - 0x0000 FFFF。該區(qū)
2025-11-12 07:34:35
PSRAM（偽靜態(tài)隨機(jī)存儲器）是一種兼具SRAM接口協(xié)議與DRAM內(nèi)核架構(gòu)的特殊存儲器。它既保留了SRAM無需復(fù)雜刷新控制的易用特性，又繼承了DRAM的高密度低成本優(yōu)勢。這種獨特的設(shè)計使PSRAM在嵌入式系統(tǒng)和移動設(shè)備領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。
2025-11-11 11:39:04499 在要求高性能與高可靠性的電子系統(tǒng)中，存儲器的選擇往往成為設(shè)計成敗的關(guān)鍵。Netsol推出的高速異步SRAM系列，憑借其出色的性能表現(xiàn)與獨有的錯誤校正（ECC）能力，為工業(yè)控制、通信設(shè)備及高精度計算等應(yīng)用提供了值得信賴的存儲解決方案。
2025-11-05 16:21:39284 在當(dāng)今對數(shù)據(jù)持久性與系統(tǒng)可靠性要求極高的企業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施和數(shù)據(jù)中心中，Everspin推出的自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM（STT-MRAM）存儲器——EMD4E001G-1Gb，憑借其卓越的性能與獨特的技術(shù)優(yōu)勢，成為眾多高性能存儲解決方案中的亮點。
2025-11-05 14:34:28280 速率動態(tài)隨機(jī)存儲器。通過創(chuàng)新的封裝技術(shù)和優(yōu)化的內(nèi)存設(shè)計，長鑫存儲 LPDDR5X在容量、速率、功耗上都有顯著提升，目前提供12Gb和16Gb兩種單顆粒容量，最高速率達(dá)到10667Mbps ，達(dá)到國際主流
2025-10-30 09:53:28931 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶），日前從長鑫存儲官網(wǎng)查閱到，長鑫存儲已正式發(fā)布LPDDR5/5X內(nèi)存。 ? 據(jù)官網(wǎng)介紹，LPDDR5/5X 是第五代超低功耗雙倍速率動態(tài)隨機(jī)存儲器。通過創(chuàng)新的封裝技術(shù)
2025-10-30 09:12:555297 
Flash里面,但上電后上載至ITCM中進(jìn)行執(zhí)行（flash模式）
三、關(guān)于物理地址與虛擬地址
物理地址是該程序要被存儲的存儲器地址（調(diào)試器下載程序時會遵從從此物理地址進(jìn)行下載）
虛擬地址是該程序真正運(yùn)行
2025-10-30 08:26:36
在需要高速數(shù)據(jù)寫入與極致可靠性的工業(yè)與數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中，Everspin推出的8位位并行接口MRAM樹立了性能與耐用性的新標(biāo)桿。這款Everspin存儲器MRAM與SRAM引腳兼容的存儲器，以高達(dá)35
2025-10-24 16:36:03532 QSPI PSRAM是一種集成了QSPI接口與PSRAM存儲功能的高效芯片。QSPI（四線串行外設(shè)接口）是一種高速串行通信接口，用于連接外部設(shè)備；而PSRAM（偽靜態(tài)隨機(jī)存儲器）則結(jié)合了快速隨機(jī)訪問與動態(tài)存儲的特性。
2025-10-23 15:40:17379 PSRAM之所以被稱為"偽靜態(tài)"存儲器，主要是因為其采用類SRAM的接口協(xié)議：只需要提供地址和讀寫命令就可以實現(xiàn)數(shù)據(jù)存取，無需像傳統(tǒng)DRAM一樣需要內(nèi)存控制器定期刷新數(shù)據(jù)單元。
2025-10-23 14:29:00296 一次性可編程（OTP）非易失性存儲器問世已久。與其他非易失性存儲技術(shù)相比，OTP的占用面積更小，且無需額外的制造工序，因此成為存儲啟動代碼、加密密鑰等內(nèi)容的熱門選擇。盡管聽起來簡單，但隨著人工智能（AI）的大規(guī)模部署和對更先進(jìn)技術(shù)的需求日益增長，平衡OTP的各項需求變得極具挑戰(zhàn)性。
2025-10-21 10:38:111440 
意外的電源中斷也不再可怕：搭載 FeRAM 的 PLC 能夠在瞬間停電前保存數(shù)據(jù)，實現(xiàn)可靠的恢復(fù)。
2025-10-10 10:47:381541 
可編程邏輯控制器（PLC）是一種專為工業(yè)環(huán)境設(shè)計的數(shù)字運(yùn)算操作電子系統(tǒng)，其核心是通過可編程存儲器存儲邏輯運(yùn)算、順序控制、定時、計數(shù)和算術(shù)運(yùn)算等指令，并通過數(shù)字或模擬輸入/輸出控制各類機(jī)械或生產(chǎn)過程
2025-09-22 17:27:04721 ，作為數(shù)據(jù)存儲的關(guān)鍵載體，其重要性不言而喻。不同類型的存儲器，憑借各自獨特的性能、特點與成本優(yōu)勢，在多樣化的應(yīng)用場景中扮演著不可或缺的角色。
2025-09-09 17:31:55867 
Keysight MSOS204A是德MSOS204A存儲器示波器2GHz keysight是德MSOS204A存儲器示波器， S 系列示波器配備 2 GHz 存儲器、15 英寸 XGA
2025-08-12 15:48:29
隨著全球二氧化碳減排的推進(jìn)，可再生能源，尤其是太陽能發(fā)電的重要性日益凸顯。光伏逆變器又稱功率調(diào)節(jié)器可將太陽能板產(chǎn)生的電壓轉(zhuǎn)換成正確的電流及電壓波形并入電網(wǎng)。由于需要連接到電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施，因此對可靠性、易維護(hù)性和使用壽命有所要求，F(xiàn)eRAM(鐵電體存儲器)的優(yōu)異特性得以發(fā)揮。
2025-08-08 14:41:061506 
? ? I2C兼容串行電可擦可編程只讀存儲器（E2PROM）-P24C512H ? 產(chǎn)品介紹 ? ?產(chǎn)品概述： ? P24C512H是I2C兼容的串行E2PROM（電可擦除可編程存儲器）設(shè)備。它包含
2025-08-07 10:06:531002 
就來介紹電感的5大核心參數(shù)。1.電感量/Inductance，單位：H/mH/μH/nH定義：電感量是電感存儲磁場能量的能力，決定了它對電流變化的“阻礙”程度。關(guān)鍵
2025-07-24 19:33:231811 
HBM（High Bandwidth Memory）即高帶寬存儲器，是一種基于 3D 堆疊技術(shù)的高性能 DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）。其核心設(shè)計是通過硅通孔（TSV）和微凸塊（Microbump
2025-07-18 14:30:122951 與基本概念 PLC： 定義：PLC是一種專為工業(yè)環(huán)境設(shè)計的數(shù)字運(yùn)算電子系統(tǒng)，采用可編程的存儲器，用于在其內(nèi)部存儲執(zhí)行邏輯運(yùn)算、順序控制、定時、計數(shù)和算術(shù)運(yùn)算等操作的指令，并通過數(shù)字式或模擬式的輸入輸出，控制各種類型的機(jī)械或生產(chǎn)過程。 特點：專為工業(yè)控制設(shè)計，
2025-06-25 17:52:429828 ，是信息時代的基石。
2. 核心分類：斷電后數(shù)據(jù)還在嗎？
這是最根本的分類依據(jù)：
易失性存儲器：斷電后數(shù)據(jù)立刻消失。
特點：速度快，通常用作系統(tǒng)運(yùn)行的“工作臺”。
代表：DRAM (動態(tài)隨機(jī)存取存儲器
2025-06-24 09:09:39
鍋爐PLC數(shù)采網(wǎng)關(guān)是連接鍋爐PLC控制系統(tǒng)與上層監(jiān)控系統(tǒng)、云端平臺的核心設(shè)備，主要用于實現(xiàn)鍋爐運(yùn)行數(shù)據(jù)的采集、傳輸、協(xié)議轉(zhuǎn)換及遠(yuǎn)程監(jiān)控。其特點可從技術(shù)性能、功能設(shè)計、應(yīng)用適配性等維度歸納如下： 一
2025-06-09 17:37:52629 CSS6404LS-LI通過 >500MB/s帶寬、105℃高溫運(yùn)行及μA級休眠功耗三重突破，成為高清語音設(shè)備的理想存儲器
2025-06-04 15:45:23566 
單片機(jī)實例項目：AT24C02EEPROM存儲器，推薦下載！
2025-06-03 20:50:02
近日，深圳市存儲器行業(yè)協(xié)會秘書長劉琳走訪SGS深圳分公司，深入?yún)⒂^了SGS微電子實驗室，并與SGS技術(shù)專家展開深度交流，分享了行業(yè)發(fā)展的最新動態(tài)與趨勢，雙方共同探討了在存儲產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的背景下，SGS與協(xié)會如何攜手共進(jìn)，推動行業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。
2025-05-29 17:25:46818 ADSP-21992進(jìn)一步擴(kuò)展了ADSP-2199x混合信號DSP產(chǎn)品系列的性能，可提供32K字程序存儲器RAM和16K字?jǐn)?shù)據(jù)存儲器RAM。此外，ADSP-21992還可提供片上CAN通信端口，支持
2025-05-12 16:08:28891 
? ? ? ?MCU的存儲器層次結(jié)構(gòu)通過整合不同性能與功能的存儲單元，優(yōu)化系統(tǒng)效率并滿足多樣化場景需求。其核心架構(gòu)可分為以下層次： 一、寄存器層（最高速） 定位?：集成于CPU內(nèi)核中，直接參與運(yùn)算
2025-05-09 10:21:09618 在半導(dǎo)體存儲器測試中，測試圖形（Test Pattern）是檢測故障、驗證可靠性的核心工具。根據(jù)測試序列長度與存儲單元數(shù)N的關(guān)系，測試圖形可分為N型、N2型和N3/?型三大類。
2025-05-07 09:33:371223 
CYPD3177-24LQXQT 是否實現(xiàn)內(nèi)部存儲器？（例如 內(nèi)存）？
BCR 數(shù)據(jù)表中似乎沒有提及這一點。
2025-05-07 07:23:10
多軸控制器可使用國產(chǎn)鐵電存儲器SF25C20（MB85RS2MT）
2025-05-06 09:47:26585 
STM32N6 使用SDMMC1-eMMC作為外部存儲器（保存FSBL和app），因為eMMC不支持內(nèi)存映射，那么使用STM32CubeProgrammer下載bin文件時地址選擇哪里？還有
2025-04-28 08:02:23
富士PLC數(shù)據(jù)采集網(wǎng)關(guān)是一款用于采集富士PLC數(shù)據(jù)的工業(yè)設(shè)備，以下是其功能特點及應(yīng)用場景的具體介紹： 功能特點 數(shù)據(jù)采集能力強(qiáng)：能夠?qū)崟r采集富士PLC內(nèi)部的各種數(shù)據(jù)，如模擬量、數(shù)字量、開關(guān)狀態(tài)等
2025-04-24 14:20:33747 STM32N6 使用SDMMC1-eMMC作為外部存儲器（保存FSBL和app），因為eMMC不支持內(nèi)存映射，那么使用STM32CubeProgrammer下載bin文件時地址選擇哪里？還有
2025-04-22 11:31:33
UV-EPROM的結(jié)構(gòu)與使用方法，閃速存儲器的結(jié)構(gòu)與使用方法，EEPROM的結(jié)構(gòu)與使用方法， SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法， 特殊的SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法 ，DRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法，
2025-04-16 16:04:56
3.3 存儲器映射 前文所述，寄存器與RAM、FLASH一樣都是芯片內(nèi)部的一種存儲設(shè)備。那么，當(dāng)我們需要訪問它們的時候，我們需要知道它們的存儲地址。 3.3.1 存儲器映射表 如下圖所示為RA6M5
2025-04-16 15:52:091377 
非易失性存儲器（NVM）芯片廣泛應(yīng)用于各種設(shè)備中，從智能手機(jī)、個人電腦到服務(wù)器和工業(yè)控制系統(tǒng)，都是不可或缺的關(guān)鍵組件，它們不僅提高了數(shù)據(jù)的安全性和可靠性，還極大地增強(qiáng)了系統(tǒng)的整體性能。此外，為了滿足
2025-04-10 14:02:241333 單片機(jī)與存儲器的關(guān)系像什么？單片機(jī)里的存儲都是一樣的嗎？為什么有的單片機(jī)既有EEPROM又有Flash？
2025-04-10 10:06:011434 
人工智能與高性能計算（HPC）正以空前的速度發(fā)展，將動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）和NAND閃存等傳統(tǒng)存儲技術(shù)發(fā)揮到極致。為了滿足人工智能時代日益增長的需求，業(yè)界正在探索超越傳統(tǒng)存儲技術(shù)的新興存儲技術(shù)。
2025-04-03 09:40:411711 用于控制等領(lǐng)域，因此成為微控制器。代表的有51系列，STM32，多種RAM芯片等。接下來將從幾個方面來詳細(xì)介紹MCU1，存儲器1.1 概念存儲系統(tǒng)是計算裝置中用于存放數(shù)據(jù)和程序的記憶性子系統(tǒng)，用以滿足
2025-03-26 11:12:24
模塊 來實現(xiàn)數(shù)據(jù)的互聯(lián)互通。 二.設(shè)備介紹 1.歐姆龍PLC 歐姆龍PLC是一種功能完善的緊湊型PLC，能為業(yè)界領(lǐng)先的輸送分散控制等提供高附加值機(jī)器控制，還具有通過各種高級內(nèi)裝板進(jìn)行升級的能力，大程序容量和存儲器單元，以Windows環(huán)境下高效的軟件開發(fā)能力，也能用于包裝系統(tǒng)，并支持
2025-03-21 09:40:203104 
AD7581 是一款微處理器兼容的 8 位、8 通道、存儲器緩沖數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)，采用單芯片 CMOS 芯片。它由一個 8 位逐次逼近型 A/D 轉(zhuǎn)換器、一個 8 通道多路復(fù)用器、8×8 雙端口 RAM
2025-03-17 10:39:29
STM32C031F4FLASH存儲器 讀寫例程 各位高能不能提供一個謝謝大家
2025-03-13 07:37:18
本書主要介紹了UV-EPROM的結(jié)構(gòu)和使用方法，閃速存儲器的結(jié)構(gòu)和使用方法，EEPROM的結(jié)構(gòu)和使用方法， SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法，特殊的SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法，DRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法，
2025-03-07 10:52:47
3 月 6 日消息，綜合韓聯(lián)社、ZDNet Korea、MK 等多家韓媒報道，SK 海力士今日在內(nèi)部宣布將關(guān)閉其 CIS（CMOS 圖像傳感器）部門， 該團(tuán)隊的員工將轉(zhuǎn)崗至 AI 存儲器領(lǐng)域 。SK
2025-03-06 18:26:161080 性鐵電存儲器SF24C64/FM24C64/MB85RC64性能及應(yīng)用介紹
2025-03-06 10:06:581473 
鐵電存儲器SF24C64對標(biāo)FM24C64性能、應(yīng)用和成本分析
2025-03-03 10:25:451304 
AT24C64是一款串行電可擦除編程只讀存儲器 (EEPROM)，存儲容量為8192字節(jié)，分為256頁，每頁32字節(jié)。 具有低功耗CMOS技術(shù)，自定時編程周期，支持SOP-8和DIP-8封裝。 適用于智能儀器儀表、筆記本電腦、計算機(jī)、家用電器、汽車電子、通信設(shè)備和工業(yè)控制
2025-02-28 15:48:09
3 DS1992/DS1993內(nèi)存iButtons（以下簡稱DS199x）是堅固的讀/寫數(shù)據(jù)載體，充當(dāng)本地化數(shù)據(jù)庫，易于用最少的硬件訪間。非易失性存儲器和可選的計時功能為存儲和檢索與iButton所連接
2025-02-26 10:39:06821 
DS1992/DS1993內(nèi)存iButtons（以下簡稱DS199x)是堅固的讀/寫數(shù)據(jù)載體，充當(dāng)本地化數(shù)據(jù)庫，易于用最少的硬件訪間。非易失性存儲器和可選的計時功能為存儲和檢索與iButton所連接
2025-02-26 10:32:24881 
DS1996 Memory iButton是一種堅固的讀/寫數(shù)據(jù)載體，可作為本地化的數(shù)據(jù)庫，使用最少的硬件即可輕松訪問。非易失性存儲器為存儲和檢索與iButton所連接的對象相關(guān)的重要信息提供了一種
2025-02-26 10:17:41871 
鐵電存儲器SF24C64對標(biāo)MB85RC64性能、應(yīng)用深度分析
2025-02-25 09:40:591103 特點4Gb雙數(shù)據(jù)速率3（DDR3（L））DRAM是一種高速CMOS SDRAM，包含4294967296位。它內(nèi)部配置為八進(jìn)制存儲體DRAM。4Gb芯片由64Mbit x 8 I/O x 8存儲體
2025-02-20 11:44:07
旋轉(zhuǎn)編碼器選用國產(chǎn)鐵電存儲器(?SF24C512)的5個理由
2025-02-20 09:42:03906 未來發(fā)展趨勢。 DRAM 介紹 動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（Dynamic Random Access Memory，縮寫為 DRAM）是一種易失性存儲設(shè)備。這意味著，一旦停止供電，它所存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。DRAM 的工作原理依賴于電容器來保存電荷，以此記錄數(shù)據(jù)。然而，電容器中的電荷會
2025-02-14 10:24:401449 
MTFC64GAZAQHD-AAT是一款高性能的eMMC存儲器，由MICRON制造，專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對大容量存儲的需求而設(shè)計。該產(chǎn)品具備卓越的存儲性能和能效，適用于多種應(yīng)用場景。目前可提供數(shù)量為
2025-02-14 07:46:05
MTFC32GASAQHD-AAT是一款高性能的eMMC存儲器，由MICRON制造，專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對大容量存儲的需求而設(shè)計。該產(chǎn)品具備出色的存儲性能和能效，適用于多種應(yīng)用場景。目前可提供數(shù)量為
2025-02-14 07:45:22
MTFC128GBCAQTC-AAT是一款高性能的eMMC存儲器，由MICRON制造，專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對大容量存儲的需求而設(shè)計。該產(chǎn)品具備卓越的存儲性能和能效，適用于多種應(yīng)用場景。目前可提供數(shù)量
2025-02-14 07:44:29
MTFC128GAVATTC-AAT是一款高性能的eMMC存儲器，由MICRON制造，專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對大容量存儲的需求而設(shè)計。該產(chǎn)品具備卓越的存儲性能和能效，適用于多種應(yīng)用場景。目前可提供數(shù)量
2025-02-14 07:43:46
MTFC128GASAQJP-AAT是一款高性能的eMMC存儲器，由MICRON制造，專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對大容量存儲的需求而設(shè)計。該產(chǎn)品具備出色的存儲性能和能效，適用于多種應(yīng)用場景。目前可提供數(shù)量
2025-02-14 07:42:49
? 非易失性存儲器是一種應(yīng)用于計算機(jī)及智能手機(jī)等設(shè)備中的存儲裝置（存儲器），其特點是在沒有外部電源的情況下仍能保存數(shù)據(jù)信息。本文將介紹非易失性存儲器的類型、特點及用途。 什么是非易失性存儲器
2025-02-13 12:42:142470 
舜銘存儲鐵電存儲器SF25C20：替換FM25V20A/MB85RS2MT
2025-02-13 10:29:091169
數(shù)顯千分表的數(shù)據(jù)如何用存儲器進(jìn)行接收
2025-02-11 06:01:54
特點?512字節(jié)串行存在檢測EEPROM與JEDEC EE1004規(guī)范兼容?與SMBus串行接口兼容：傳輸速率高達(dá)1 MHz?EEPROM存儲器陣列：–4 Kbits，分為兩頁每個256字節(jié)-每頁由
2025-02-10 14:18:03
產(chǎn)品概述 Korchip DCS5R5334H 是一款高性能的低功耗 SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器），專為高速數(shù)據(jù)存儲和處理而設(shè)計。該器件具有快速的訪問時間和較高的數(shù)據(jù)傳輸速率，廣泛應(yīng)用
2025-02-09 22:38:10
產(chǎn)品概述Adesto AT45DB321E 是一款高性能的串行閃存存儲器，具有 32Mb 的存儲容量，采用 SPI 接口進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸。該產(chǎn)品專為嵌入式系統(tǒng)設(shè)計，提供快速的數(shù)據(jù)讀寫能力
2025-02-09 22:26:30
初學(xué)者要了解SDRAM需要先了解存儲器分類。按照存儲器的存儲功能劃分，可將其分為RAM 和 ROM 兩大類。
2025-02-08 11:24:513961 
在數(shù)字存儲技術(shù)的快速發(fā)展中，閃速存儲器（Flash Memory）以其獨特的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，成為了連接隨機(jī)存取存儲器（RAM）與只讀存儲器（ROM）之間的重要橋梁。本文將深入探討閃速存儲器的技術(shù)特性、分類及其在現(xiàn)代電子設(shè)備中的應(yīng)用。
2025-01-29 16:53:001683 本文旨在深入探討閃速存儲器的歸屬問題，即它是否屬于RAM或ROM，同時詳細(xì)闡述閃速存儲器的功能與作用。
2025-01-29 15:21:001590 閃速存儲器之所以得名“閃速”，主要源于其擦除操作的高效性。傳統(tǒng)的EPROM（可擦除可編程只讀存儲器）和EEPROM（電可擦除可編程只讀存儲器）在擦除數(shù)據(jù)時，往往需要較長的時間，且操作相對繁瑣。而閃速
2025-01-29 15:14:001378 在信息技術(shù)飛速發(fā)展的今天，閃速存儲器（Flash Memory）以其高速度、大容量和非易失性的特性，成為數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域的重要成員。而U盤，作為閃速存儲器的一種常見應(yīng)用形式，更是憑借其便攜性和易用性，在
2025-01-29 15:12:001452 高速緩沖存儲器（Cache）是內(nèi)存的一種特殊形式，但它與通常所說的主存儲器（RAM）有所不同。在計算機(jī)存儲體系中，Cache位于CPU和主存儲器之間，用于存儲CPU近期訪問過的數(shù)據(jù)或指令，以加快數(shù)據(jù)的訪問速度。
2025-01-29 11:48:003398 隨著AI技術(shù)的快速發(fā)展，特別是大規(guī)模語言模型（如ChatGPT和Sora）的出現(xiàn)，對數(shù)據(jù)處理能力和存儲技術(shù)提出了全新的需求。傳統(tǒng)存儲器架構(gòu)在能效比和計算效率上的限制，逐漸成為瓶頸。如何實現(xiàn)更高
2025-01-23 17:30:312078 
Development Kit Elephant Robotics myCobot 320 m5 二、知識概覽 什么是 PLC？ 對于熟悉工業(yè)級機(jī)械臂的人來說，PLC 可能是一個熟悉的概念。PLC 代表可編程邏輯控制器，這是一種工業(yè)數(shù)字
2025-01-23 14:03:462362 
舜銘存儲鐵電存儲器SF25C20能否替換賽普拉斯FM25V20A
2025-01-23 09:03:29953 近日，據(jù)韓媒最新報道，全球NAND Flash存儲器市場正面臨供過于求的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，導(dǎo)致價格連續(xù)四個月呈現(xiàn)下滑趨勢。為應(yīng)對這一不利局面，各大存儲器廠商紛紛采取減產(chǎn)措施，旨在平衡市場供求關(guān)系，進(jìn)而穩(wěn)定
2025-01-20 14:43:551095 舜銘存儲鐵電存儲器SF25C20替換FM25V20A參數(shù)分析及應(yīng)用
2025-01-16 10:17:061232 
天拓四方 PLC 智能網(wǎng)關(guān) 具備多個通信接口，能夠同時連接不同類型的 PLC，如西門子、三菱、歐姆龍等主流品牌，以及各種傳感器、執(zhí)行器等現(xiàn)場設(shè)備。通過內(nèi)置的高性能處理器和豐富的通信協(xié)議棧，PLC
2025-01-14 17:01:54886 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AN-881: 通過LIN—協(xié)議4進(jìn)行Flash/EE存儲器編程.pdf》資料免費下載
2025-01-14 16:12:440 舜銘存儲鐵電存儲器SF25C20替換MB85RS2MT性能及應(yīng)用優(yōu)勢有哪些？
2025-01-10 09:12:15902 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-162：通過外部存儲器總線將ADSP-BF535 Blackfin處理器與高速轉(zhuǎn)換器連接.pdf》資料免費下載
2025-01-07 14:24:490 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-271: 高速緩沖存儲器在Blackfin處理器中的應(yīng)用.pdf》資料免費下載
2025-01-07 14:18:170 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-302：ADSP-BF53x Blackfin處理器與NAND FLASH存儲器的接口.pdf》資料免費下載
2025-01-07 14:03:230 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-132：使用VisualDSP將C代碼和數(shù)據(jù)模塊放入SHARC存儲器中.pdf》資料免費下載
2025-01-07 13:55:190 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-220：將外部存儲器與第三代SHARC處理器和并行端口配合使用.pdf》資料免費下載
2025-01-06 16:12:110 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-286：SDRAM存儲器與SHARC處理器的接口.pdf》資料免費下載
2025-01-06 15:47:010 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-184：將EPSON S1D13806存儲器顯示控制器與Blackfin處理器連接.pdf》資料免費下載
2025-01-06 14:27:370
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