一、Pulse-Coding調(diào)制解調(diào)技術

　　所謂隔離器，類似于在一顆芯片左右兩側(cè)的微距離上實現(xiàn)無線射頻收發(fā)系統(tǒng)，在這樣一個收發(fā)系統(tǒng)里面，其實包括發(fā)射機和接收機以及隔離介質(zhì)三部分。

　　目前主流架構主要包括Pulse調(diào)制架構和OOK調(diào)制架構。Pulse架構和OOK調(diào)制架構的優(yōu)點是低功耗、低傳輸延遲、高傳輸速率，缺點則是在有干擾信號的時候容易丟碼或增加碼造成傳輸出錯，所以CMTI的能力比較差。

　　于是市場上就出現(xiàn)了一種需求：既能滿足可靠性高，還要達到低功耗。Pulse-Coding調(diào)制解調(diào)技術就是一種這樣的架構。它的原理是采用邊沿編碼技術，對上升沿和下降沿進行編碼，同時在編碼結(jié)束之后，會進入休眠狀態(tài)，這樣的話就同時克服了抗干擾能力差和功耗低的缺點，同時還集成了一個refresh的技術，確保輸入與輸出在任何狀態(tài)下都是一致的。這種架構的CMTI會達到200Kv/uS。

　　二、增強耐壓技術

　　眾所周知，隔離器的耐壓主要是由其中間絕緣介質(zhì)的材料來決定的，而現(xiàn)在主流的絕緣材質(zhì)有三種：光耦、磁隔、容隔。光耦和磁隔所采用的絕緣介質(zhì)是聚酰亞胺，容隔的絕緣介質(zhì)是二氧化硅。

　　下圖的表格可以看到，聚酰亞胺特性大約是300伏每微米，二氧化硅的耐壓大約是500伏每微米。同時由于PI也就是聚酰亞胺的制作工藝難度，一般只能做到20um左右，技術較高的話可以做到30um。

　　二氧化硅的厚度可以達到10~20，乘以2的話能到20~40um，所以容隔的二氧化硅耐壓特性是非常好的。

　　川土微電子的隔離器采用的就是容隔這種架構。容隔還有一個優(yōu)點，它一般是用兩個隔離電容進行串聯(lián)，耐壓就是兩個隔離電容耐壓之和，可以起到雙重保護作用。如果有一個電容出現(xiàn)故障，另外一個電容依舊能作用起到隔離作用。川土微電子為了實現(xiàn)耐壓增強的技術，從四方面做了工作：

　　工藝合作開發(fā)：川土微電子與一些工廠進行工藝合作開發(fā)，提升產(chǎn)品耐壓。

　　2.版圖設計：采用圓形電容，實現(xiàn)更高的耐壓。

　　3.超強解調(diào)電路設計

　　4.封裝設計

　　三、高CMTI技術

　　所謂CMTI就是共模瞬態(tài)抗擾度，它是指在原邊和副邊兩個地之間加入一個快速的擾動，然后看傳輸信號是否出錯。它的關鍵因素是擾動幅度和斜率，幅度一般為1500v，斜率一般是用千伏每微秒的單位來衡量。川土微電子的CMTI技術包含以下三種：

　　全差分發(fā)射及接收機架構技術：創(chuàng)新的高CMTI接收電路（專利保護）

　　等效共模輸入阻抗控制技術：實現(xiàn)接收電路共模電平在CMTI情形下仍能夠正常工作

　　數(shù)字濾波技術：以延遲時間或更低的傳輸碼率兌換更優(yōu)的CMTI性能

　　四、低EMI技術

　　由于越來越多的客戶對EMI都非常關注，川土微電子針對EMI也實現(xiàn)了以下技術：

　　抖頻技術：將內(nèi)部時鐘頻率進行展頻，將頻譜能量打散，將能量峰值降低。

　　晶圓上使用金屬屏蔽層：在裸芯的頂層鋪滿金屬，用來屏蔽電磁干擾和電場干擾。

　　Pulse-Coding技術：只在信號邊沿發(fā)射編碼脈沖，降低發(fā)射能量。

　　高增益RX電路設計：只需較小隔離電容值，便能正常解調(diào)工作，減小共模耦合。

　　容隔架構：通過電場傳遞信號，相比磁隔通過磁場傳遞信號，輻射天然較小。

　　五、全集成隔離DC-DC

　　全集成隔離DC-DC相當于多合一的高度集成的芯片。如下圖所示：

　　左邊是用分離的一種方案，它包括三個部分：隔離電源模組、數(shù)字隔離器、數(shù)字隔離接口。

　　這顆集高度集成三合一的產(chǎn)品，能夠?qū)⒆筮吶咄瑫r集成到一顆芯片里面，可以看到上圖右側(cè)，就是這顆芯片的內(nèi)部結(jié)構示意圖，芯片內(nèi)部有平面變壓器、隔離器以及接口多顆裸芯合封在一起，將全集成的隔離器芯片的封裝尺寸做到業(yè)界最小，裝在一顆SOW16封裝里。同時轉(zhuǎn)化效率達到了53%，這在業(yè)界也是非常高的一個指標。

　　以上，就是川土微電子隔離器的一些核心技術。目前川土微電子的隔離器產(chǎn)品已經(jīng)廣泛應用于工業(yè)控制、電源能源、儀器儀表、消費電子、汽車電子等多個領域，未來，川土微電子將持續(xù)新品研發(fā)，以滿足不同客戶需求。

　　審核編輯：鄢孟繁