MOS管,全稱?金屬-氧化物-半導體場效應晶體管?(MOSFET),是一種通過柵極電壓控制源極與漏極之間電流的半導體器件。它屬于電壓控制型器件,輸入阻抗極高(可達1012Ω以上),具有低噪聲、低功耗
2026-01-05 11:42:09
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在功率器件國產(chǎn)化浪潮之下,MOS管(MOSFET)作為能量轉化的“核心開關”,其自主可控與性能提升尤為重要。隨著電動汽車、工業(yè)4.0、光伏儲能及高端消費電子的飛速發(fā)展,市場對于高可靠性、高效率
2025-12-27 10:33:49
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)從性能上看,NMOS導通電阻小,發(fā)熱量更低,允許通過的電流大,應用場景也更廣泛,正激,反激、推挽、半橋、全橋等拓撲電路都能應用;
2025-12-24 07:00:21
在并聯(lián)使用MOS存在一些問題,那我們要怎樣做才能避免這些問題?
首先,器件的一致性一定要好。
在功率MOSFET多管并聯(lián)時,器件內部參數(shù)的微小差異就會引起并聯(lián)各支路電流的不平衡而導致單管過流損壞。
其次是功率。如果功率高于25%,MOS發(fā)熱嚴重,性能會急劇下降,因此在設計時需要對MOS進行降額使用。
2025-12-10 08:19:21
近期使用MOS管進行電路開發(fā),需要MOS管快速的電路開合,應該注意哪些事項?
2025-12-05 06:21:06
貼片MOS管100N03 TO-252電流100A 30V
2025-12-04 17:12:57
0 在高頻開關電路設計中,很多工程師都會遇到這樣的問題,明明給MOS管柵極加了足夠的電壓,MOS管卻要延遲一段時間才能完全導通,甚至出現(xiàn)柵極電壓停滯的情況。這其實和MOS管場效應晶體管特有的米勒平臺有關
2025-12-03 16:15:53
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如上圖,MOS管的工作狀態(tài)有4種情況,分別是開通過程,導通過程,關斷過程和截止過程。
2025-11-26 14:34:50
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在電力電子領域,高壓功率器件的選擇直接影響系統(tǒng)的效率、成本與可靠性。對于工程師來說,超結MOS管與碳化硅MOS管的博弈始終是設計中的核心議題,兩者基于不同的材料與結構,在性能、成本與應用場景中各有千秋,如何平衡成為關鍵。
2025-11-26 09:50:51
557 、最大漏極電流(ID):這是MOS管在正常工作條件下能連續(xù)通過的最大電流。確保所選MOS管的ID大于電路中預期的最大電流。
3、導通電阻(RDSQ(on)):當MOS管完全導通時,漏極和源極之間的電阻
2025-11-20 08:26:30
法拉電容發(fā)熱源于紋波電流、諧波干擾及電壓溫度耦合作用,導致性能衰減、安全風險及熱失控。
2025-11-08 09:15:00
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在功率半導體器件的迭代浪潮中,N溝槽MOS管憑借其優(yōu)異的開關特性與電流控制能力,成為高功率電子系統(tǒng)的核心組成部分。當市場對器件的耐壓等級、電流承載能力提出更高要求時,一款兼具150V高耐壓、200A
2025-11-06 13:44:04
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在各類電子設備的功率控制核心中,PWM驅動功率MOS管技術發(fā)揮著至關重要的作用。這項技術通過脈沖寬度調制信號精確控制功率MOS管的開關狀態(tài),進而實現(xiàn)高效的功率放大和能量轉換。其基本原理是通過調節(jié)
2025-11-04 15:38:00
551 根源,開關頻率越高、開關時間越長,損耗越大,發(fā)熱越嚴重。驅動能力不足、柵極電荷過大等因素會進一步延長開關時間,加劇發(fā)熱;而當電路負載異?;蚨搪窌r,遠超設計值的電流會瞬間推高功率損耗,若未及時保護,MOS管可能迅速過熱損壞。
2025-11-04 15:29:34
585 MOS 管內阻,可有效減少充電器在工作過程中的功耗與發(fā)熱,提升使用安全性與穩(wěn)定性。
低開關損耗:通過優(yōu)化 MOS 管的極間電容(如 Ciss 參數(shù)),能夠降低開關過程中的能量損耗,進一步提升電源轉換效率
2025-11-03 09:28:36
在低壓大電流功率電子領域,MOS管的導通損耗、電流承載能力與封裝適配性,直接決定了終端設備的能效、可靠性與設計靈活性。中科微電推出的ZK30N140TN溝道MOS管,憑借30V額定電壓、140A超大
2025-10-22 09:42:38
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工程師們在電子設備電路設計時,是不是常常被MOS管選型搞得頭大?電壓、電流、封裝需求五花八門,封裝不匹配安裝難,溝道類型或參數(shù)不對影響整機性能,而MOS管選得好不好直接關系到產(chǎn)品性能和可靠性。別愁啦
2025-10-11 13:55:06
590 能耗。而 N 溝道功率 MOS 管 ZK30N100Q,恰好以 1000V 漏源極耐壓、30A 持續(xù)漏極電流的核心參數(shù),以及優(yōu)化的開關特性與散熱設計,精準匹配這類
2025-09-30 11:08:23
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在掌握MOS管的基礎結構、原理與分類后,實際工程應用中更需關注選型匹配、故障排查及驅動電路優(yōu)化三大核心環(huán)節(jié)。本文將結合工業(yè)與消費電子場景,拆解MOS管應用中的關鍵技術要點,幫助工程師規(guī)避常見風險,提升電路可靠性與性能。
2025-09-26 11:25:10
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在電子電路的設計中,MOS管是一種極為重要的分立器件,它廣泛應用于電源管理、電機驅動等眾多領域。而在MOS管的規(guī)格書中,連續(xù)電流ID這個參數(shù)備受關注。那么,MOS的規(guī)格書上的連續(xù)電流ID究竟是怎么計算出來的呢?今天我們就來解析其背后的計算邏輯。
2025-09-22 11:04:37
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在開關電源、電機驅動和新能源逆變器等應用中,MOS管的開關速度和電路效率直接影響整體性能和能耗。而MOS管的開關速度與電路效率,它們之間有著怎樣的關聯(lián),合科泰又是如何通過多項技術創(chuàng)新對MOS管進行優(yōu)化的呢?提升MOS管的這兩個關鍵指標,助力工程師實現(xiàn)更高能效的設計。
2025-09-22 11:03:06
756 隨著手機快充功率從18W躍升至200W甚至更高,充電器內的MOS管已成為決定效率、溫升和可靠性的核心元件。合科泰通過一系列高性能MOS管,為快充電源提供關鍵支持,助力實現(xiàn)更高效、更安全、更小巧的充電體驗。那么,合科泰的MOS管是如何助力實現(xiàn)高效快充的呢?
2025-09-22 10:57:08
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MOS管,即金屬 - 氧化物 - 半導體場效應晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),是現(xiàn)代電子電路中至關重要的核心器件之一。
2025-09-19 17:41:51
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存在絕緣層,其輸入電阻極高,通??蛇_兆歐姆級別。
低噪聲性能:噪聲主要來源于溝道電阻和柵極泄漏電流,得益于高輸入電阻和極小泄漏電流,MOS管具備優(yōu)異的低噪聲特性。
良好的抗輻射能力:絕緣柵結構賦予MOS
2025-08-29 11:20:36
下,干擾是測量的天敵,干擾會降低測量精度,嚴重情況會導致測量不能正常進行,就這個角度而言,干擾可以提高測量精度,是假的! 然而,是否總是如此呢?是否存在一種情況,干擾不但不會降低測量精度,反而會提高測量精度呢? 答案是肯定
2025-08-04 09:28:58
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MOS管在無線充電模塊中扮演著核心角色,其應用貫穿于功率放大、電流調節(jié)、保護電路及逆變控制等關鍵環(huán)節(jié),具體應用場景及作用如下: 一、核心功能實現(xiàn) 功率放大與電能傳輸增強 MOS管作為功率放大器,通過
2025-07-24 14:54:39
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工程師在研發(fā)24V車載高頻逆變器的DC-DC推挽升壓電路中,MOS管就是控制能量流動的“高速開關閥門”。在電路中MOS管必須承受高壓沖擊(≈2倍輸入+尖峰),高效地通過大電流,并且被精確地控制開和關。因此選對場效應管是非常重要的。
2025-07-01 16:52:11
2004 本文探討了柵極串聯(lián)電阻在MOS管設計中的重要作用,指出其在防止電流尖峰、保護驅動芯片和電磁干擾等方面的關鍵作用。此外,文章還強調了參數(shù)選擇的重要性,提出R=√(L/(C·k))公式作為起點,但實際設計中還需考慮驅動芯片的輸出阻抗。
2025-06-27 09:13:00
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當MOS管的源極與柵極意外短接時,可能導致電路失控,產(chǎn)生電流暴走、靜電隱形殺手等問題。因此,必須嚴格遵守MOS管的操作規(guī)范,避免短接事故的發(fā)生。
2025-06-26 09:14:00
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功率MOS管在電源管理場景下的發(fā)熱原因分析 功率MOS管在工作過程中不可避免地會產(chǎn)生熱量,導致溫度升高。當MOS管溫度過高時,不僅會降低系統(tǒng)效率,還可能導致器件性能下降、壽命縮短,甚至引發(fā)系統(tǒng)故障
2025-06-25 17:38:41
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在電力電子系統(tǒng)中,MOS管并聯(lián)能有效提升電流承載能力,但需要精準匹配參數(shù),如導通電阻與閾值電壓。應選擇熱特性相近的器件進行組配,并采用門極驅動芯片配合RC延時電路。優(yōu)化布局設計遵循電流高速公路法則,避免電壓尖峰差異過大。
2025-06-24 09:10:00
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本文主要探討了MOS管驅動電路的幾種常見方案,包括電源IC直接驅動、推挽電路協(xié)同加速、隔離型驅動等。電源IC直接驅動的簡約哲學適合小容量MOS管,但需要關注電源芯片的最大驅動峰值電流和MOS管的寄生電容值。
2025-06-19 09:22:00
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在電力電子系統(tǒng)中,可控硅(晶閘管)與MOS管(場效應管)均屬于關鍵開關器件。針對工程師常提出的"是否可用可控硅直接替換MOS管"這一問題,答案是否定的。雖然二者均具備電流通斷能力
2025-06-11 18:05:00
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在設計驅動電路時,經(jīng)常會用到MOS管做開關電路,而在驅動一些大功率負載時,主控芯片并不會直接驅動大功率MOS管,而是在MCU和大功率MOS管之間加入柵極驅動器芯片。
2025-06-06 10:27:16
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PMOS 管HCE003P04L在控制發(fā)熱產(chǎn)品的開關管方案中,主要利用其高側開關特性與低驅動復雜度實現(xiàn)精準控溫與安全保護。例如在電加熱設備(如咖啡機、熱水器)中,PMOS 管可串聯(lián)于電源正極(高側
2025-06-03 15:07:05
選擇電阻小和額定電流小的電機。這是因為繞組有電阻,通電會產(chǎn)生損耗,損耗大小與電阻和電流的平方成正比,即銅損。減少電阻和電流可以有效降低銅損,從而減少發(fā)熱。 ● 對于兩相步進電機,如果可能的話,選擇串聯(lián)電機而不是并聯(lián)
2025-05-11 17:51:50
835 MOS管(金屬氧化物半導體場效應晶體管)是現(xiàn)代電子設備中最常用的半導體器件之一。它通過電場效應控制電流的導通與截止,廣泛應用于放大、開關和信號處理等電路中。MOS管根據(jù)溝道類型的不同,主要分為N溝道
2025-05-09 15:14:57
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驅動電流是指用于控制MOS管開關過程的電流。在MOS管的驅動過程中,需要將足夠的電荷注入或抽出MOS管的柵極,以改變MOS管的導通狀態(tài)。驅動電流的大小與MOS管的輸入電容、開關速度以及應用中所需的切換速度等因素有關。較大的驅動電流通??梢蕴岣?b class="flag-6" style="color: red">MOS管的開關速度。
2025-05-08 17:39:42
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此電路分主電路(完成功能)和保護功能電路。MOS管驅動相關知識:1、跟雙極性晶體管相比,一般認為使MOS管導通不需要電流,只要GS電壓(Vbe類似)高于一定的值,就可以了。MOS管和晶體管向比較c
2025-05-06 19:34:35
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發(fā)生在產(chǎn)品運行現(xiàn)場有頻繁數(shù)據(jù)寫入的情形,特別是在使用了數(shù)據(jù)庫的時候。一般有以下表現(xiàn):輕微表現(xiàn):數(shù)據(jù)庫最新記錄的數(shù)據(jù)項無故丟失;比較嚴重情況:較多記錄項數(shù)據(jù)丟失;嚴重
2025-04-18 11:36:05
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MOS管驅動電路總結
在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候,大部分人都會考慮MOS的導通電阻,最大電壓等,最大電流等,也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的,但并不是
2025-04-16 13:59:28
1.外圍電路1.1.柵極電阻R51的柵極電阻可以控制MOS管的GS結電容的充放電速度。對于MOS管而言,開通速度越快,開通損耗越小。但是速度太快容易引起震蕩,震蕩波形(GS之間,這個震蕩與MOS管
2025-04-09 19:33:02
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為什么我們很多時候要求MOS管快速關斷,而沒有要求MOS管快速開通?
下面是常見的MOS管的驅動電路
MOS管快關的原理
還是先簡單介紹下快關的原理:
我們知道,MOS管開通和關斷的過程,就是
2025-04-08 11:35:28
和開關損耗占大頭,本篇也只說這兩個。 1、導通損耗
導通損耗指的是MOS 管完全導通的損耗,這個相對來說最簡單,導通后Vgs不變的情況下,導通電阻恒定,知道了通過的電流,開關的占空比D,那么損耗就可以
2025-03-31 10:34:07
三部分。 驅動損耗(Pdr) : 這是指驅動電路在驅動MOS管開關過程中所產(chǎn)生的損耗。驅動損耗的大小與驅動電路的設計、MOS管的柵極電容以及開關頻率等因素有關。 開關損耗(Psw) : 開關損耗是MOS管在開關過程中由于電壓和電流的變化所產(chǎn)生的損耗。它
2025-03-27 14:57:23
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)
米勒效應在MOS驅動中臭名昭著,他是由MOS管的米勒電容引發(fā)的米勒效應,在MOS管開通過程中,GS電壓上升到某一電壓值后GS電壓有一段穩(wěn)定值,過后GS電壓又開始上升直至完全導通。為什么會有穩(wěn)定值這段
2025-03-25 13:37:58
MOS管在電路設計中是比較常見的,按照驅動方式來分的話,有兩種,即:N-MOS管和P-MOS管。MOS管跟三極管的驅動方式有點類似,但又不完全相同,那么今天筆者將會給大家簡單介紹一下N-MOS管
2025-03-14 19:33:50
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是什么? MOS管,全稱金屬-氧化物半導體場效應晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),是現(xiàn)代電子設備中最基礎的元器件之一。它就像電子世界的“開關”,控制著電流的通斷,是集成電路(IC)和微處理器的核心組成部分。 簡單來說,MOS管就
2025-03-10 17:14:28
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儲存和運輸過程中使用封閉的導電容器,以減少靜電積聚和放電的可能性。 2、靜電控制工作站 :在靜電控制工作站內處理MOS管,并確保工作站接地。工作人員在處理MOS管時也應穿戴防靜電服,并保持接地狀態(tài)。 3、環(huán)境控制 :處理MOS管的工作區(qū)域應鋪設接地
2025-03-10 15:05:21
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場效應管mos管三個引腳怎么區(qū)分
2025-03-07 09:20:47
0 的 mos 管波形在各拓撲結構中的波形都會不一樣,對與 PFC 來說,我們的 MOS 管波形見 圖 2這是因為我們的工作在了 CCM 模式下的 PFC MOS 管波形,可
2025-03-06 13:36:09
1 在電機驅動、電源轉換等場景中,MDDMOS管嚴重發(fā)熱是工程師面臨的常見挑戰(zhàn)。某工業(yè)伺服驅動器因MOS管溫升達105℃,導致系統(tǒng)頻繁觸發(fā)過溫保護。本文通過解析發(fā)熱機理,結合實測數(shù)據(jù),提供從散熱設計到
2025-03-05 11:41:40
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目錄1)防止柵極di/dt過高:2)防止柵源極間過電壓:3)防護漏源極之間過電壓:4)電流采樣保護電路功率MOS管自身擁有眾多優(yōu)點,但是MOS管具有較脆弱的承受短時過載能力,特別是在高頻的應用場
2025-02-27 19:35:31
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三極管優(yōu)點:耐壓高;缺點:電流驅動MOS管優(yōu)點:開關速度快,電壓驅動一、一鍵開關機電路(小魚冠名)(知
2025-02-26 13:54:47
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。這些需求將直接影響MOS管的選擇。 二、考慮功率需求 根據(jù)電路所需的最大功率,確定MOS管的耐壓和最大電流。功率需求較高時,選擇大功率MOS管;反之,選擇小功率MOS管。同時,要確保所選MOS管的額定電壓和額定電流留有足夠的余量,以應對電
2025-02-24 15:20:42
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TPS56637RPA 發(fā)熱嚴重是什么問題
2025-02-21 14:28:35
什么型號的MOS管。” 然后就會發(fā)現(xiàn)一個很常見的問題,大家都會把NMOS和PMOS的使用情況給混淆了。 在明確選擇自己需要哪種產(chǎn)品前,首先要確定采用的是NMOS還是PMOS,其次就是確定電壓、電流、熱要求和開關性能,最后就是確認封裝。 ? 今天小編給大家簡單總結下在MOS管選
2025-02-17 10:50:25
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在數(shù)字電路和功率電子中,MOS管(場效應晶體管)是一種常見的開關元件,廣泛應用于各種開關電源、驅動電路和信號處理電路中。MOS管不僅在電源管理和信號放大中扮演重要角色,還在實現(xiàn)邏輯功能中有著廣泛
2025-02-14 11:54:05
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在功率電子電路中,為了滿足大電流需求,常常需要將多個MOS管并聯(lián)使用。然而,由于MOS管參數(shù)的離散性以及電路布局的影響,并聯(lián)的MOS管之間可能會出現(xiàn)電流分配不均的問題,導致部分MOS管過載甚至損壞
2025-02-13 14:06:35
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功放和MOS管組成的恒流電路,multisim中仿真都沒有問題
電路板出來以后一上電,功放就發(fā)熱,無法正常工作
2025-02-12 10:14:08
,應該注意幾個參數(shù)以及這些參數(shù)的影響。①查看電源IC手冊的最大驅動峰值電流,因為不同芯片,驅動能力很多時候是不一樣的。②了解MOS管的寄生電容,如圖C1、C2的值,這
2025-02-11 10:39:40
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Source、Drain、Gate分別對應場效應管的三極:源極S、漏極D、柵極G(這里不講柵極GOX擊穿,只針對漏極電壓擊穿)。01MOSFET的擊穿有哪幾種?先講測試條件,都是源柵襯底都是接地
2025-02-11 10:39:25
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TOLL封裝MOS管廣泛應用于手機、平板電腦、電子游戲、汽車電子控制系統(tǒng)等領域。由于其高集成度、低功耗和穩(wěn)定性好的特點,TOLL封裝MOS管在現(xiàn)代電子產(chǎn)品中扮演著重要的角色。
2025-02-07 17:14:04
1926 在電子設備的設計與應用中,MOS管(場效應管)作為一種常見的開關元件廣泛應用于各種電路中。然而,有時候即使電流不大,MOS管也會出現(xiàn)發(fā)熱現(xiàn)象,這不僅會影響其性能,還可能導致設備的長期穩(wěn)定性問題。本文
2025-02-07 10:07:17
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ddc264上電之后發(fā)熱嚴重,但電路板未短路。各電源電壓正常。
2025-01-22 06:20:05
請問下AFE5805是否需要初始化,是不是不通過SPI接口初始化芯片就發(fā)熱比較嚴重?
2025-01-14 07:28:04
MOS管的正確選擇涉及多個步驟和參數(shù)考量,以下是一個詳細的指南: 一、確定溝道類型 N溝道MOS管:適用于低壓側開關,當一個MOS管接地,而負載連接到干線電壓上時,該MOS管就構成了低壓側開關。在
2025-01-10 15:57:58
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分析,一般在開關電源的設計過程中,MOS管的發(fā)熱情況最為嚴重,因為其損耗最為嚴重,而MOS管的損耗主要有兩點,一是通態(tài)損耗,第二點是開關過程損耗,開關過程損耗是因為柵電荷大小及開關時間所引發(fā)的,那么該
2025-01-10 14:59:16
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