二極管的種類有很多，其中高效率SBD被廣泛用于各種應(yīng)用。尤其是溝槽MOS結(jié)構(gòu)的SBD，其VF低于平面結(jié)構(gòu)的SBD，因此可以在整流等應(yīng)用中提高效率。而普通溝槽MOS結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品，其trr比平面結(jié)構(gòu)
2024-03-15 15:22:40
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羅姆半導(dǎo)體公司近日宣布，其旗下高性能的650V GaN器件（EcoGaN）已被全球知名的綠色解決方案供應(yīng)商臺(tái)達(dá)電子旗下的Innergie品牌成功采用，用于其最新推出的45W輸出AC適配器“C4
2024-03-12 11:13:01256 EM300模組優(yōu)勢 1、該模組是在XBurst CPU—高性能和低功耗的創(chuàng)新CPU體系結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上開發(fā)設(shè)計(jì)一款高性能模組，內(nèi)部集成DDR及Flash，高性能的解碼能力及豐富的外設(shè)配置，充分滿足各類
2024-03-08 15:34:4074 
為幫助業(yè)界更好地利用GaN和SiC等寬帶隙技術(shù)，在電動(dòng)汽車、清潔能源解決方案和數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更高性能電源轉(zhuǎn)換，Allegro宣布推出新型高帶寬電流傳感器 ACS37030和ACS37032，這些全新高功率密度傳感器能夠降低能量損耗，同時(shí)改進(jìn)SiC和GaN技術(shù)的效率和可靠性。
2024-03-04 16:50:18173 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《NVMe Host Controller IP實(shí)現(xiàn)高性能存儲(chǔ)解決方案.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-02-21 14:28:30
0 電路提供“業(yè)界領(lǐng)先”的反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)。 盡管存在多種類型的二極管，但高效SBD越來越多地用于各種應(yīng)用。特別是具有溝槽MOS結(jié)構(gòu)的SBD，其VF低于平面型，可在整流應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更高的效率。然而，溝槽MOS結(jié)構(gòu)的一個(gè)缺點(diǎn)是它們的trr通常比平面拓?fù)洳?，?dǎo)致用于開關(guān)時(shí)的功率損耗更高。 為此
2024-02-21 14:04:07132 ”。 二極管的種類有很多，其中高效率SBD被廣泛用于各種應(yīng)用。尤其是溝槽MOS結(jié)構(gòu)的SBD，其VF低于平面結(jié)構(gòu)的SBD，因此可以在整流等應(yīng)用中提高效率。而普通溝槽MOS結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品，其trr比平面結(jié)構(gòu)的要差，因此在用于開關(guān)應(yīng)用時(shí)存在功率損耗增加的課題。針對這種課題，ROHM推
2024-01-24 14:21:47177 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃山明）隨著智能家居的發(fā)展，高效高性能的小體積電源越來越被市場青睞。想要將電源體積做得更小，但同時(shí)能夠保證最好的性能，氮化鎵（GaN）的出現(xiàn)，讓這一方案得以實(shí)現(xiàn)。在智能家居
2024-01-19 00:21:003337 之間的連接是理解該器件工作原理的關(guān)鍵。 MOS管結(jié)構(gòu)簡介： MOS管是由一片半導(dǎo)體材料（通常是硅）構(gòu)成的，通過在硅片上摻雜不同類型的雜質(zhì)形成兩個(gè)PN結(jié)。這些雜質(zhì)摻入?yún)^(qū)域形成了源極和漏極，而柵極是通過在硅片上形成一層金屬（通常是鋁）來實(shí)現(xiàn)的。源極和漏極之間的區(qū)
2024-01-10 15:34:25856 應(yīng)用領(lǐng)域具有很大的潛力。 以下是一些常見的氮化鎵MOS管型號(hào)： EPC2001：EPC2001是一種高性能非晶硅氮化鎵MOS管，具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和優(yōu)秀的熱特性。它適用于電源轉(zhuǎn)換器、鋰電池充電器和無線充電應(yīng)用等領(lǐng)域。 EPC601：EPC601是一種低電阻非晶硅氮化鎵
2024-01-10 09:32:15362 氮化鎵MOS管（GaN MOSFET）是一種基于氮化鎵材料的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管。它結(jié)合了氮化鎵的高電子遷移率和MOS管的優(yōu)良特性，具有高速開關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻、高溫工作能力等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用
2024-01-10 09:30:59366 氮化鎵（GaN）MOS管是一種新型的功率器件，它具有高電壓、高開關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻等優(yōu)點(diǎn)，逐漸被廣泛應(yīng)用于功率電子領(lǐng)域。為了充分發(fā)揮氮化鎵MOS管的優(yōu)勢，合理的驅(qū)動(dòng)方法是至關(guān)重要的。本文將介紹氮化
2024-01-10 09:29:02412 氮化鎵（GaN）MOS管是一種基于氮化鎵材料的金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管（MOSFET）。它具有許多優(yōu)點(diǎn)和局限性，下面將詳細(xì)介紹這些優(yōu)點(diǎn)和局限性。 優(yōu)點(diǎn)： 高電子流動(dòng)性：氮化鎵具有很高的電子流
2024-01-09 17:26:491056 電源散熱技術(shù)，都有助于實(shí)現(xiàn)電源從組件到系統(tǒng)的全方位突破。因此，基于GaN功率器件來研究高頻、高效和輕量化的宇航電源，將引導(dǎo)新一代宇航電源產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)性能參數(shù)的巨大飛躍，
2024-01-05 17:59:04272 
管和p溝道MOS管進(jìn)行詳細(xì)介紹。 一、n溝道MOS管 結(jié)構(gòu) n溝道MOS管（N-channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）的結(jié)構(gòu)
2023-12-28 15:28:282890 
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)穩(wěn)先微WS2995高性能雙通道智能同步整流控制器，原裝現(xiàn)貨高性能雙通道智能同步整流控制器WS2995是一款高性能雙通道同步整流控制器， 應(yīng)用于半橋LLC諧振變換器的輸出側(cè)
2023-12-27 17:53:53
、射頻和光電子等領(lǐng)域，能夠提供高效、高性能的功率轉(zhuǎn)換和信號(hào)放大功能。 GaN MOS管驅(qū)動(dòng)芯片具有以下特點(diǎn)： 高功率密度：與傳統(tǒng)硅基材料相比，氮化鎵材料具有更高的擊穿電場強(qiáng)度和電導(dǎo)率。這使得GaN MOS管驅(qū)動(dòng)芯片能夠承受更高的功率密度，并提供更
2023-12-27 14:43:23532 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，垂直GaN功率器件逐漸憑借其優(yōu)勢逐漸應(yīng)用在更多的領(lǐng)域中。高質(zhì)量的GaN單晶材料是制備高性能器件的基礎(chǔ)。
2023-12-27 09:32:54374 
問題一：AD9949內(nèi)部的12高性能位ADC是什么類型的，如逐次逼近型、Sigma-Delta型等；
問題二：AD9949中提到了很多的增益調(diào)整，我有點(diǎn)搞暈了，比如我的輸入信號(hào)是1Vp-p，經(jīng)過
2023-12-25 07:45:00
摘要：提出了一種基于LTCC多級結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)高性能微型帶通濾波器的實(shí)現(xiàn)方法。該濾波器電路由6個(gè)由電感耦合的諧振腔組成。在一般抽頭式梳狀線濾波器設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)上，引入了交叉耦合，形成傳輸零點(diǎn)，并結(jié)合電路仿真
2023-12-19 16:17:39346 
GaN因其特性，作為高性能功率半導(dǎo)體 材料而備受關(guān)注，近年來其開發(fā)和市場導(dǎo)入不斷加速。
2023-12-19 09:21:39342 
我們知道，MOS結(jié)構(gòu)的CV曲線是跟頻率相關(guān)的，高頻和低頻曲線長這樣，但是用MOS管是測不出來高頻曲線的，只能測出低頻曲線，為什么呢，下面來簡單盤一盤。
2023-12-16 16:32:591218 
在2023蔚來創(chuàng)新科技日上，蔚來發(fā)布了首款手機(jī)NIO Phone，成功交出其籌謀已久的“跨界”作業(yè)。NIO Phone搭載 第二代驍龍8領(lǐng)先版 ，不僅在設(shè)計(jì)、性能、影像等方面擁有超高完成度，還帶
2023-12-15 20:45:01593 
近期，江蘇潤開鴻數(shù)字科技有限公司（以下簡稱“潤開鴻”）基于高性能RISC-V開源架構(gòu)處理器研發(fā)的OpenHarmony標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)開發(fā)平臺(tái)HH-SCDAYU800通過OpenHarmony 3.2.2
2023-12-14 17:33:50
報(bào)告內(nèi)容包含：
微帶WBG MMIC工藝
GaN HEMT 結(jié)構(gòu)的生長
GaN HEMT 技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)
2023-12-14 11:06:58178 
SiC SBD的高耐壓（反壓）特性
2023-12-13 15:27:55197 
【科普小貼士】什么是肖特基勢壘二極管（SBD）？
2023-12-13 14:43:08415 
【科普小貼士】MOSFET性能改進(jìn)：超級結(jié)MOSFET（SJ-MOS）
2023-12-13 14:16:16411 
和數(shù)據(jù)傳輸?shù)臏?zhǔn)確性。MOS管通過特殊的結(jié)構(gòu)和工作原理實(shí)現(xiàn)隔離作用。 首先，我們來了解一下MOS管的結(jié)構(gòu)。MOS管主要由三個(gè)部分組成：柵極（Gate）、源極（Source）和漏極（Drain）。其中，柵極和源極之間被一個(gè)絕緣氧化物（一般是二氧化硅）所分離，形成了
2023-12-12 14:19:12856 瑞森半導(dǎo)體在工業(yè)電源上的應(yīng)用上：主推碳化硅(SiC)二極管/超結(jié)MOS，助力廠家及品牌，打造高質(zhì)、高性能產(chǎn)品。
2023-12-11 11:56:42207 
瑞森半導(dǎo)體在工業(yè)電源上的應(yīng)用上：主推碳化硅(SiC)二極管/超結(jié)MOS，助力廠家及品牌，打造高質(zhì)、高性能產(chǎn)品。
2023-12-11 11:33:13194 
Transistor）是兩種常見的功率開關(guān)器件，用于電力電子應(yīng)用中的高電壓和高電流的控制。雖然它們都是晶體管的一種，但在結(jié)構(gòu)、特性和應(yīng)用方面有很大的區(qū)別。本文將詳細(xì)介紹IGBT和MOS管的區(qū)別。 首先
2023-12-07 17:19:38788 應(yīng)用廣泛的核心技術(shù)，此項(xiàng)成果打破了制約氮化鎵SBD器件頻率提升的行業(yè)瓶頸，為實(shí)現(xiàn)高頻、高效的倍頻電路，以及小型化、輕量化的太赫茲源奠定重要器件基礎(chǔ)。 九峰山實(shí)驗(yàn)室6英寸GaN SBD Wafer及結(jié)構(gòu) ? 面向未來開發(fā)太赫茲核心技術(shù) 太赫茲技術(shù)具有分辨率高
2023-12-05 17:48:19297 
隨著計(jì)算機(jī)技術(shù)的發(fā)展，單核處理器已經(jīng)難以滿足高性能計(jì)算的需求，眾核處理器成為了一種有效的解決方案。眾核處理器是指在一個(gè)芯片上集成多個(gè)處理器核心，通過并行計(jì)算提高性能和能效，眾核處理器可以分為同構(gòu)
2023-11-30 08:27:32390 
MOS是金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，氧化物是絕緣層，有絕緣層即意味著存在電容。
2023-11-29 16:42:43587 
如何在有限空間里實(shí)現(xiàn)高性能？結(jié)合最低特定RDS(On)與表面貼裝技術(shù)是個(gè)好方法！
2023-11-23 17:43:55274 
利用封裝、IC和GaN技術(shù)提升電機(jī)驅(qū)動(dòng)性能
2023-11-23 16:21:17236 
氮化鎵mos管普通的驅(qū)動(dòng)芯片可以驅(qū)動(dòng)嗎？ 當(dāng)涉及到驅(qū)動(dòng)氮化鎵（GaN）MOS管時(shí)，需要考慮多個(gè)因素，包括工作電壓、功率需求、頻率要求以及電路保護(hù)等。通常情況下，GaN MOS管需要專門的驅(qū)動(dòng)芯片
2023-11-22 16:27:58859 為充分發(fā)揮異構(gòu)多核DSP芯片的實(shí)時(shí)計(jì)算能力，設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了一種高性能多通道的通用DMA，該DMA最大支持64個(gè)通道的數(shù)據(jù)搬運(yùn)，并支持一維、二維、轉(zhuǎn)置以及級聯(lián)描述符等多種傳輸模式。芯片實(shí)測傳輸性能最高可達(dá)11.7 GB/s，實(shí)現(xiàn)了高效率、高性能的數(shù)據(jù)供給。
2023-11-20 15:52:18492 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《實(shí)現(xiàn)可靠高性能數(shù)字電源.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-16 15:02:580 這項(xiàng)研究首次提出了一種由層間激子驅(qū)動(dòng)的高性能紅外光電探測器，該紅外探測器由化學(xué)氣相沉積（CVD）生長的范德華異質(zhì)結(jié)所制備。這項(xiàng)研究標(biāo)志著光電器件領(lǐng)域進(jìn)步的一個(gè)重要里程碑。
2023-11-13 12:42:51163 
下面將對于SiC MOSFET和SiC SBD兩個(gè)系列，進(jìn)行詳細(xì)介紹
2023-11-01 14:46:19736 
對與性能比較低的51單片機(jī)，結(jié)構(gòu)化編程性能提升多少
2023-10-26 06:21:44
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《高性能中頻采樣系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-10-18 09:57:340 氮化鎵（GaN）是電力電子行業(yè)的一個(gè)熱門話題，因?yàn)樗梢?b class="flag-6" style="color: red">實(shí)現(xiàn)80Plus鈦電源、3.8 kW/L電動(dòng)汽車（EV）車載充電器和電動(dòng)汽車（EV）充電站等設(shè)計(jì)。在許多特定的應(yīng)用中，GaN已經(jīng)取代了傳統(tǒng)
2023-10-13 15:25:33355 
寬帶隙GaN基高電子遷移率晶體管(HEMTs)和場效應(yīng)晶體管(fet)能夠提供比傳統(tǒng)Si基高功率器件更高的擊穿電壓和電子遷移率。常關(guān)GaN非常需要HEMT來降低功率并簡化電路和系統(tǒng)架構(gòu)，這是GaN HEMT技術(shù)的主要挑戰(zhàn)之一。凹進(jìn)的AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)是實(shí)現(xiàn)常關(guān)操作的有用選擇之一。
2023-10-10 16:21:11291 
，有助于滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的新要求。
二、 SiC的性能優(yōu)勢
1、SiC SBD可將耐壓提高到3.3kV，極大擴(kuò)展了SBD的應(yīng)用范圍
肖特基二極管
2023-10-07 10:12:26
本章首先介紹了MOS管的基本結(jié)構(gòu)并推導(dǎo)了其I/V特性，并闡述MOS管的二級效應(yīng)，如體效應(yīng)、溝道長度調(diào)制效應(yīng)和亞閾值傳導(dǎo)等，之后介紹了MOS管的寄生電容，并推導(dǎo)其小信號(hào)模型。
2023-10-02 17:36:001342 
MOS管的結(jié)構(gòu)主要由三個(gè)區(qū)域組成：柵極（Gate）、源極（Source）和漏極（Drain）。其中，柵極和漏極都是金屬電極，源極可以是金屬或半導(dǎo)體材料。
2023-09-28 17:14:381814 旨在提升蔚來車主移動(dòng)互聯(lián)體驗(yàn)。 蔚來手機(jī)NIO Phone分為性能版（12GB+512GB）、旗艦版（12GB+1TB）、EPedition（16G
2023-09-26 18:39:43526 NIO 提到IO，這是Java提供的一套類庫，用于支持應(yīng)用程序與內(nèi)存、文件、網(wǎng)絡(luò)間進(jìn)行數(shù)據(jù)交互，實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)寫入與輸出。JDK自從1.4版本后，提供了另一套類庫NIO，我們平時(shí)習(xí)慣稱呼為NEW IO
2023-09-25 11:00:47387 
蔚來創(chuàng)新科技日上，蔚來首款手機(jī)NIO Phone上市并啟售。NIO Phone搭載了 第二代驍龍8領(lǐng)先版 ，在設(shè)計(jì)、性能、影像及車手互聯(lián)體驗(yàn)等方面帶來全新旗艦表現(xiàn)。 一部蔚來風(fēng)格的手機(jī) NIO Phone設(shè)計(jì)基于蔚來汽車設(shè)計(jì) DNA，外觀采用蔚來標(biāo)志性的天際線元素，上半部分彰顯科技感，下半部分滿足握持舒適，
2023-09-22 00:00:01449 
的性能有著至關(guān)重要的影響，那么這個(gè)電壓是怎么來的呢？本文將為您詳細(xì)講述。 MOS管中的橫向BJT結(jié)構(gòu) 在深入探討橫向BJT的基極電壓之前，先來了解一下MOS管中的橫向BJT結(jié)構(gòu)。MOS管是一種基本的半導(dǎo)體器件，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)包括了柵極、源極、漏極等。在其中，橫向B
2023-09-18 18:20:42692 目前傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體器件的性能已逐漸接近其理論極限， 即使采用最新的硅器件和軟開關(guān)拓?fù)?，效率在開關(guān)頻率超過 250 kHz 時(shí)也會(huì)受到影響。 而增強(qiáng)型氮化鎵晶體管 GaN HEMT（gallium
2023-09-18 07:27:50
GaN因其特性，作為高性能功率半導(dǎo)體材料而備受關(guān)注，近年來其開發(fā)和市場導(dǎo)入不斷加速。GaN功率器件有兩種類型：水平型（在硅晶圓上生長GaN晶體）和垂直型（原樣使用GaN襯底）。
2023-09-13 15:05:25657 
同步整流芯片U7612是一款高頻率、高性能、CCM 同步整流開關(guān)，可以在GaN系統(tǒng)中替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。
2023-09-06 15:54:13910 ，以及優(yōu)化的GaN VGS驅(qū)動(dòng)電壓實(shí)現(xiàn)較高穩(wěn)健性和效率。這種集成了自舉二極管的單芯片允許設(shè)計(jì)師實(shí)現(xiàn)GaN的性能優(yōu)勢，同時(shí)簡化設(shè)計(jì)和減少物料要求。
2023-09-05 06:58:54
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有16 Gbps光纖通道的高性能Oracle RAC體系結(jié)構(gòu).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-29 15:25:050 SiC FET在共源共柵結(jié)構(gòu)中結(jié)合硅基MOSFET和SiC JFET，帶來最新寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)的性能優(yōu)勢，以及成熟硅基功率器件的易用性。SiC FET現(xiàn)可采用表面貼裝TOLL封裝，由此增加了自動(dòng)裝配
2023-08-17 12:15:01309 
最先進(jìn)的人工智能模型在不到五年的時(shí)間內(nèi)經(jīng)歷了超過 5，000 倍的規(guī)模擴(kuò)展。這些 AI 模型嚴(yán)重依賴復(fù)雜的計(jì)算和大量內(nèi)存來
實(shí)現(xiàn)高性能深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò) （DNN）。只有使用 CPU、GPU 或?qū)Ｓ眯酒?/div>
2023-07-28 10:10:17
在電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中，功率MOS可以在不同的調(diào)制方式下，實(shí)現(xiàn)相應(yīng)的能量轉(zhuǎn)換功能。單個(gè)MOS驅(qū)動(dòng)的結(jié)構(gòu)如圖1所示，通過MCU的 PWM模塊調(diào)整占空比，控制功率MOS的通斷，達(dá)到相應(yīng)的功能。另外
2023-07-24 14:12:28534 
近日，紫光展銳攜手iData盈達(dá)推出超大屏、高性能智能終端T2，該終端搭載紫光展銳4G行業(yè)方案平臺(tái)——7863，擁有6.21英寸高清大屏，可以輕松應(yīng)對高頻查詢、交互、展示信息等工作需求，操作體驗(yàn)優(yōu)良
2023-07-18 16:50:02371 
該綜述總結(jié)了NiO/β-Ga2O3異質(zhì)結(jié)在功率器件領(lǐng)域的發(fā)展現(xiàn)狀，為之后設(shè)計(jì)高性能的NiO/β-Ga2O3異質(zhì)結(jié)器件提供了參考，對β-Ga2O3雙極型器件未來的發(fā)展起到了積極的作用。
2023-06-30 16:36:03787 
6月28日，長電科技舉辦2023年第三期線上技術(shù)論壇，介紹公司在高性能計(jì)算和智能終端領(lǐng)域，面向客戶產(chǎn)品和應(yīng)用場景的芯片成品制造解決方案。
2023-06-29 16:08:59372 數(shù)字功放大多采用Si MOS管來充當(dāng)D類放大器的主要開關(guān)管，由于Si材料本身的特性限制，針對Si器件Class D功放性能的提升較為困難，與此同時(shí)，更多基于GaN器件的Class D功放應(yīng)用也正逐漸
2023-06-25 15:59:21
GaN功率半導(dǎo)體集成驅(qū)動(dòng)性能
2023-06-21 13:24:43
GaN功率半導(dǎo)體器件集成提供應(yīng)用性能
2023-06-21 13:20:16
GaN技術(shù)實(shí)現(xiàn)快速充電系統(tǒng)
2023-06-19 06:20:57
標(biāo)準(zhǔn)1U CRPS (90mm × 30.5 mm × 11mm)。通過利用卓越的性能在GaN HEMT集成電路中，我們已經(jīng)能夠?qū)㈤_關(guān)頻率推到600 kHz以上，同時(shí)保持97.5%的效率。當(dāng)結(jié)合行業(yè)領(lǐng)先的圖騰柱PFC，峰值整個(gè)系統(tǒng)的效率達(dá)到80Plus制定的Titanium標(biāo)準(zhǔn)。
2023-06-16 11:01:43
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因?yàn)樗c傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比，不僅性能優(yōu)異，應(yīng)用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中，傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面，已經(jīng)達(dá)到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
。其中，敏感薄膜材料創(chuàng)制和高性能化是獲得高性能薄膜熒光傳感器的關(guān)鍵，其核心又是高性能敏感單元的創(chuàng)制；而只有在實(shí)現(xiàn)理性設(shè)計(jì)、激發(fā)態(tài)過程精準(zhǔn)調(diào)控后才可獲得理想敏感單元，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)敏感薄膜的高性能化的主要途徑。 激發(fā)態(tài)質(zhì)子轉(zhuǎn)移的分子內(nèi)電
2023-06-12 09:57:52354 
*附件：power1.pdf
遇到一個(gè)電源板無法供電故障，此電源電路采用P溝道MOS限流保護(hù)設(shè)計(jì)。正常啟動(dòng)時(shí)Q14柵極上電慢，低于源極，MOS管導(dǎo)通，經(jīng)過后級U9基準(zhǔn)和U27運(yùn)放組成恒壓源電路，限制
2023-06-05 22:50:12
jdbc.properties sqlMapConfig.xml 不分批次直接梭哈 循環(huán)逐條插入 MyBatis實(shí)現(xiàn)插入30萬條數(shù)據(jù) JDBC實(shí)現(xiàn)插入30萬條數(shù)據(jù) 總結(jié) 驗(yàn)證的數(shù)據(jù)庫表結(jié)構(gòu)如下： ?
2023-05-22 11:23:13648 
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(以下簡稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride：氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產(chǎn)
2023-05-18 16:34:23464 隨著GaN功率器件的可靠性提升及成本逐漸接近常規(guī)MOS，相關(guān)中大功率快充方案備受市場青睞。為了滿足市場新需求，晶豐明源通過不斷創(chuàng)新，推出了集成GaN磁耦通訊快充BP87618+BP818+BP62610組合方案。
2023-05-08 14:49:32692 
私有云的出現(xiàn)通過網(wǎng)絡(luò)功能虛擬化（NFV）共享硬件成為趨勢，NFV的定義是通過標(biāo)準(zhǔn)的服務(wù)器、標(biāo)準(zhǔn)交換機(jī)實(shí)現(xiàn)各種傳統(tǒng)的或新的網(wǎng)絡(luò)功能。急需一套基于常用系統(tǒng)和標(biāo)準(zhǔn)服務(wù)器的高性能網(wǎng)絡(luò)IO開發(fā)框架。
2023-05-08 10:41:11479 
GaN基功率開關(guān)器件能實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的電能轉(zhuǎn)換效率和工作頻率，得益于平面型AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)中高濃度、高遷移率的二維電子氣（2DEG）。圖1示出絕緣柵GaN基平面功率開關(guān)的核心器件增強(qiáng)型AlGaN/GaN MIS/MOS-HEMT的基本結(jié)構(gòu)。
2023-04-29 16:50:00793 
到目前為止我們已知的GaN有三種晶體結(jié)構(gòu)，它們分別為纖鋅礦（Wurtzite）、閃鋅礦（Zincblende）和巖鹽礦（Rocksalt）。通常的情況下纖鋅礦是最穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)。目前學(xué)術(shù)上在薄膜的外延
2023-04-29 16:41:0012093 
合作伙伴，受邀參與該次大會(huì)，并在大會(huì)論壇上分享了先楫高性能MCU搭載OpenHarmony系統(tǒng)在工業(yè)終端的應(yīng)用。
OpenHarmony開源兩年多，吸引了130多家伙伴、超過5100名開發(fā)者參與
2023-04-23 15:01:44
瑞森半導(dǎo)體的超結(jié)MOS系列、SiC MOS系列、SiC SBD系列均滿足充電樁高效率、高功率密度的性能要求，誠邀咨詢
2023-04-18 10:21:55271 
https://github.com/vortexgpgpu/vortexVortex-gpgpu，是基于RISC-V的開源GPGPU處理器。這是一種全新的結(jié)合，通過RISC-V的可拓展指令集，增加GPGPU需要的高并發(fā)設(shè)計(jì)，就能得到一個(gè)高性能GPGPU。你有什么想法嗎？
2023-04-14 15:48:53
氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關(guān)性能要優(yōu)于硅MOSFET，因?yàn)樵谕葘?dǎo)通電阻的情況下，氮化鎵 (GaN) 晶體管的終端電容較低，并避免了體二極管所導(dǎo)致的反向恢復(fù)損耗。正是由于這些特性，GaN FET可以實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)頻率，從而在保持合理開關(guān)損耗的同時(shí)，提升功率密度和瞬態(tài)性能。
2023-04-14 09:22:301027 
高理論容量和獨(dú)特的層狀結(jié)構(gòu)使MoS?成為一種很有前途的鋰離子電池負(fù)極材料。然而MoS?層狀結(jié)構(gòu)的各向異性離子輸運(yùn)和其較差的本征導(dǎo)電性，導(dǎo)致差的離子傳輸能力。
2023-04-13 09:23:09684 評估，以改善動(dòng)態(tài)特性和可靠性，并開發(fā)有助于實(shí)現(xiàn)碳中和的更具吸引力的高性能功率半導(dǎo)體器件。新研發(fā)的格子花紋嵌入式SBD-SiC MOSFET的示意圖1,2kV級SiC MOSFET特性對比
2023-04-11 15:29:18
重點(diǎn)從器件工藝、結(jié)構(gòu)和邊緣終端技術(shù)等角度評述了優(yōu)化 Ga2O3基 SBD 性能的方法，并對 Ga2O3基 SBD 的進(jìn)一步發(fā)展趨勢進(jìn)行了展望。
2023-04-08 11:36:03768 本篇博文分享在實(shí)際工作中經(jīng)常使用的一種典型的三極管和MOS管結(jié)合的開關(guān)控制電路，關(guān)于三極管和MOS管的基礎(chǔ)使用方法可以參見下文說明。
2023-04-04 14:06:442305 SBD20C100F
2023-03-29 21:44:08
V SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的這些產(chǎn)品將有助于應(yīng)用的小型化并提高模塊的性能和可靠性。另外
2023-03-29 15:06:13
高性能肖特基整流器，2 x 6 A
2023-03-28 18:16:46
高性能肖特基整流器，2 x 6 A
2023-03-28 14:58:52
高性能PFC控制器
2023-03-28 13:02:33
高性能同步整流芯片
2023-03-28 12:50:48
MOS管學(xué)名是場效應(yīng)管，是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管，屬于絕緣柵型，本文就結(jié)構(gòu)構(gòu)造、特點(diǎn)、實(shí)用電路等幾個(gè)方面用工程師的話詳細(xì)描述。
2023-03-28 10:58:184542 
高性能、低電流收發(fā)器
2023-03-24 14:49:11
高性能硅柵CMOS
2023-03-24 14:01:37
MOS管也就是常說的MOSFET。 MOSFET全稱是：Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor即，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。 MOS可以分為兩種：耗盡型和增強(qiáng)型。
2023-03-23 11:45:496494 
2011年Java 7發(fā)布，里面增加了AIO稱之為異步IO的編程模型，但已經(jīng)過去了近12年，平時(shí)使用的開發(fā)框架中間件，還是以NIO為主，例如網(wǎng)絡(luò)框架Netty、Mina，Web容器Tomcat、Undertow。
2023-03-23 09:26:55987 已全部加載完成
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