MOSFET（場(chǎng)效應(yīng)晶體管）廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代電子電路，特別是在高效電力電子和開關(guān)電源設(shè)計(jì)中。其高速開關(guān)特性使其在很多高頻應(yīng)用中成為理想的選擇。然而，在某些應(yīng)用中，由于MOSFET開關(guān)速度不足，可能導(dǎo)致
2026-01-04 10:54:34
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HG160N10LS 采用先進(jìn)的 SFGMOS技術(shù)提供低 RDS（ON），低門電荷、快速開關(guān)和出色的雪崩效應(yīng)特點(diǎn)。該設(shè)備是專門設(shè)計(jì)的以獲得更好的耐用性并適合在同步整流應(yīng)用。
【寬電壓覆蓋，一管多用
2025-12-27 11:29:33
不間斷電源（UPS）電路中，MOS管因其高開關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻和易于驅(qū)動(dòng)的特性，被廣泛應(yīng)用于需要高效電能轉(zhuǎn)換和快速控制的關(guān)鍵位置。本期UPS選型專題，MOS管廠家推薦的這一款產(chǎn)品是100A、80V的場(chǎng)效應(yīng)管。
2025-12-22 16:28:43352 
屏幕顯示和語音提示引導(dǎo)行駛的?定位與導(dǎo)航功能?，以及部分設(shè)備集成影音娛樂、實(shí)時(shí)路況更新、電子狗預(yù)警等擴(kuò)展功能。微碩WINSOK高性能N溝道場(chǎng)效應(yīng)管WSF60100
2025-12-15 14:05:22262 
PMOS管（P型金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）以P型半導(dǎo)體為襯底，通過柵極施加負(fù)電壓調(diào)控源漏極間空穴遷移，實(shí)現(xiàn)電路開關(guān)控制或信號(hào)放大，是逆變器電路中的關(guān)鍵基礎(chǔ)器件，尤其適配逆變器低壓側(cè)開關(guān)控制
2025-12-03 15:13:04
、場(chǎng)效應(yīng)管等發(fā)熱量較大的部件，導(dǎo)熱硅膠片能有效傳遞熱量。 汽車電源應(yīng)用：在新能源汽車的OBC（車載充電器）中，導(dǎo)熱硅膠片可用于存在的大量功率元件散熱，解決元器件刺穿材料和硬度過大的問題。
導(dǎo)熱硅膠
2025-11-27 15:04:46
如上圖，MOS管的工作狀態(tài)有4種情況，分別是開通過程，導(dǎo)通過程，關(guān)斷過程和截止過程。
2025-11-26 14:34:502871 
? ? ? ?mos管也稱場(chǎng)效應(yīng)管，這個(gè)器件有兩個(gè)電極，一個(gè)是金屬，另一個(gè)是extrinsic silicon(外在硅)，他們之間由一薄層二氧化硅分隔開。金屬極就是GATE，而半導(dǎo)體端就是
2025-11-17 16:19:03692 釋放大電流，幫助發(fā)動(dòng)機(jī)啟動(dòng)?。微碩WINSOK高性能P溝道場(chǎng)效應(yīng)管WSF70P03以7.5mΩ低RDS(ON)、30V65ATO-252-2L封裝，完美契合汽車應(yīng)
2025-11-15 11:15:48661 法拉電容發(fā)熱源于紋波電流、諧波干擾及電壓溫度耦合作用，導(dǎo)致性能衰減、安全風(fēng)險(xiǎn)及熱失控。
2025-11-08 09:15:00767 
WINSOK高性能N溝道場(chǎng)效應(yīng)管WSD75100DN56以5.3mΩ低RDS(ON)、75V100ADFN5*6-8L封裝，完美契合后視鏡折疊器系統(tǒng)對(duì)高功率密度與散熱效率
2025-11-07 14:18:20392 MOS管作為開關(guān)電源、智能家電、通信設(shè)備等高頻電路中的核心器件，其工作狀態(tài)直接影響系統(tǒng)的可靠性與壽命。在導(dǎo)通與關(guān)斷的瞬間，MOS管常經(jīng)歷短暫的電壓與電流交疊過程，這一過程產(chǎn)生的開關(guān)損耗是發(fā)熱的主要
2025-11-04 15:29:34585 在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展的今天，場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）作為電子設(shè)備的核心功率控制單元，其性能直接決定了終端產(chǎn)品的能效、可靠性與小型化水平。中科微電作為深耕場(chǎng)效應(yīng)管領(lǐng)域的高新技術(shù)企業(yè)，自成立以來便以
2025-11-03 16:18:27631 
標(biāo)準(zhǔn)更為嚴(yán)苛。
產(chǎn)業(yè)鏈聯(lián)動(dòng)效應(yīng)：快充技術(shù)的普及不僅推動(dòng)了充電器產(chǎn)品的更新，也帶動(dòng)了如 MOSFET（金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）等核心元器件的市場(chǎng)需求增長，這類元器件是保障快充安全與效率的關(guān)鍵
2025-11-03 09:28:36
標(biāo)配。這類裝置需要快速響應(yīng)、低功耗、高可靠性的功率器件支持。微碩WINSOK高性能P溝道場(chǎng)效應(yīng)管WSD86P10DN56以17mΩ低RDS(ON)、100V86AD
2025-10-31 17:38:23505 在電力電子領(lǐng)域，場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）作為核心開關(guān)器件，其性能直接決定了整機(jī)系統(tǒng)的效率、可靠性與成本控制。ZK60N50T作為一款典型的N溝道功率MOSFET，憑借其優(yōu)異的電氣參數(shù)與穩(wěn)定的工作特性
2025-10-27 14:36:45337 
所有半導(dǎo)體單體元件，包括二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管（FET）等?。它通過半導(dǎo)體材料的電學(xué)特性（如摻雜形成的PN結(jié)）控制電流流動(dòng)，是現(xiàn)代電子電路的基礎(chǔ)構(gòu)建塊?。 核心特性 ?功能多樣性?：可放大微弱信號(hào)（如音頻放大器）、快
2025-10-24 12:20:23351 
在電力電子領(lǐng)域，場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）作為能量轉(zhuǎn)換與電路控制的核心器件，其性能參數(shù)直接決定了整機(jī)系統(tǒng)的效率、可靠性與集成度。ZK60N20DG作為一款專注于中低壓應(yīng)用場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管
2025-10-23 17:40:26517 
MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 全稱：金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），簡稱MOS管，屬于場(chǎng)效應(yīng)管（FET）的一種。
2025-10-23 13:56:439248 
在各類工業(yè)與消費(fèi)類電源設(shè)計(jì)中，如DC/DC轉(zhuǎn)換器、DC-AC逆變器、AC-DC開關(guān)電源等，功率MOSFET的選型對(duì)系統(tǒng)效率、散熱性能及整體可靠性具有決定性影響。
2025-10-23 09:40:281670 
可能聯(lián)動(dòng)車機(jī)實(shí)現(xiàn)語音控制或智能溫控????。微碩WINSOK高性能雙P溝道場(chǎng)效應(yīng)管WSP4099以30mΩ低RDS(ON)、40V6.5ASOP-8L封裝，恰好滿足
2025-10-18 14:38:411060 進(jìn)程，阻礙技術(shù)效能釋放。此時(shí)，德昌場(chǎng)效應(yīng)管SOT-523/SOT-883兩種封裝產(chǎn)品是高頻開關(guān)生產(chǎn)痛點(diǎn)的“破局者”，成為破解高頻開關(guān)生產(chǎn)困局的關(guān)鍵密鑰。高頻開關(guān)生產(chǎn)
2025-09-29 17:24:001035 
在當(dāng)代電子技術(shù)的浩瀚星空中，MOS管（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）無疑是一顆璀璨的恒星。從智能手機(jī)里的微小芯片到新能源電站的巨型逆變器，這種看似簡單的半導(dǎo)體器件以其獨(dú)特的性能，支撐著現(xiàn)代電子文明的運(yùn)轉(zhuǎn)。了解MOS管的工作機(jī)制與應(yīng)用場(chǎng)景，如同掌握解讀電子世界的密碼。
2025-09-28 10:30:00798 
前言MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管）是電子學(xué)中最為基礎(chǔ)和重要的器件之一，具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、抗輻射能力強(qiáng)等電性能優(yōu)勢(shì)，以及兼有體積小、重量輕、功耗低、壽命長等工程特性。從
2025-09-26 10:08:191648 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《FS8205 20V N 溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管技術(shù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-09-23 15:03:33
2 MOS管，即金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是現(xiàn)代電子電路中至關(guān)重要的核心器件之一。
2025-09-19 17:41:515042 
WINSOK推出的高性能雙P溝道場(chǎng)效應(yīng)管WSP4099憑借卓越的電氣特性和緊湊的封裝設(shè)計(jì)，成為提升汽車儀表盤的理想選擇。一、市場(chǎng)趨勢(shì)驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品需求市場(chǎng)趨勢(shì)驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品需求截至2
2025-09-12 18:21:40943 場(chǎng)效應(yīng)管WSF85P06以P溝道、60V/85A、10mΩ超低導(dǎo)通電阻和TO-252-2L封裝，在100-800W戶外音響中可同時(shí)滿足?高功率輸出?、?環(huán)境適應(yīng)性
2025-08-22 17:15:321104 就在上周五，第17屆世界太陽能光伏暨儲(chǔ)能產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)在廣州盛大開幕，其中海爾新能源發(fā)布“零碳e站”移動(dòng)“微電網(wǎng)”吸引眾多電路設(shè)計(jì)工程師的眼球。同時(shí)也能引發(fā)在國產(chǎn)MOS管中有哪些場(chǎng)效應(yīng)管是比較適合代換使用在工頻離網(wǎng)逆變器的全橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中呢？
2025-08-14 17:24:451548 中國家電制造業(yè)已占據(jù)全球 70% 市場(chǎng)份額，其中吸塵器領(lǐng)域更是以 80%+ 的占比領(lǐng)跑全球。然而核心元器件的進(jìn)口依賴始終是行業(yè)痛點(diǎn)。合科泰半導(dǎo)體深耕功率器件領(lǐng)域多年，推出HKTD70N04 場(chǎng)效應(yīng)管，作為 AON6236 等型號(hào)的理想國產(chǎn)替代方案，為吸塵器直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)提供高性能、高可靠性的解決方案。
2025-08-14 11:30:254520 P管，最大電壓-20V，最大電流2.4A導(dǎo)通內(nèi)阻0.1歐。
2025-08-13 15:58:500 在工業(yè)自動(dòng)化的精密控制系統(tǒng)中，變頻器作為電機(jī)調(diào)速的核心部件，其性能直接決定了生產(chǎn)效率與能源消耗。合科泰半導(dǎo)體針對(duì)中小功率變頻驅(qū)動(dòng)場(chǎng)景，推出HKTD5N50 高壓場(chǎng)效應(yīng)管，以 500V 耐壓、低導(dǎo)通損耗及快速開關(guān)特性，成為風(fēng)機(jī)、水泵等流體控制設(shè)備的理想驅(qū)動(dòng)方案。
2025-08-12 16:57:071079 戶外儲(chǔ)能電源是一種便攜式儲(chǔ)能設(shè)備，能為手機(jī)、筆記本、小型家電等提供電力解決方案，廣泛應(yīng)用于戶外活動(dòng)、應(yīng)急救災(zāi)和移動(dòng)辦公等場(chǎng)景。而微碩WINSOK高性能場(chǎng)效應(yīng)管WSD45P04DN56憑借其優(yōu)異的散熱
2025-08-11 10:52:41914 貼片MOS場(chǎng)效應(yīng)管型號(hào)的識(shí)別需結(jié)合命名規(guī)則、封裝特征及參數(shù)查詢?nèi)矫孢M(jìn)行，以下是具體方法： 一、型號(hào)命名規(guī)則解析 貼片MOS管的型號(hào)通常由制造商標(biāo)識(shí)、基本型號(hào)、功能標(biāo)識(shí)、封裝形式及技術(shù)參數(shù)組成，常見
2025-08-05 14:31:102475 
截至2025年，消費(fèi)電子行業(yè)已成為中國無線充電器（以下簡稱無線充）應(yīng)用的重要陣地之一。在無線充電技術(shù)快速發(fā)展的當(dāng)下，無線充電器的性能和效率成為了眾多廠商關(guān)注的焦點(diǎn)。而微碩WINSOK場(chǎng)效應(yīng)管新品
2025-08-04 14:08:36848 截至2025年，消費(fèi)電子行業(yè)已成為中國無刷電機(jī)應(yīng)用的重要陣地之一。在無刷電機(jī)飛速發(fā)展的今天，提升可靠性、效率和散熱性能成為了場(chǎng)效應(yīng)管（以下簡稱MOS管）設(shè)計(jì)的重要方向。DFN5*6封裝，以其優(yōu)異
2025-07-28 15:05:36714 在電源轉(zhuǎn)換技術(shù)不斷進(jìn)步的背景下，瑞薩電子(RenesasElectronics)近日推出了三款新型650伏氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaNFET)，專注于滿足數(shù)據(jù)中心、工業(yè)以及電動(dòng)交通應(yīng)用對(duì)高效能和高密度
2025-07-14 10:17:383206 
本文探討了無線充電發(fā)熱的原因、影響及應(yīng)對(duì)策略。無線充電發(fā)熱主要由電磁感應(yīng)或磁共振等原理導(dǎo)致，表現(xiàn)為設(shè)備溫度升高。過熱對(duì)設(shè)備有潛在影響，如加速電池老化、引發(fā)安全隱患等。解決之道包括優(yōu)化充電環(huán)境、合理控制充電功率。
2025-07-13 08:13:001738 
溝槽型場(chǎng)效應(yīng)功率晶體管低導(dǎo)通電阻性能表現(xiàn)
2025-07-09 18:12:350 工程師在研發(fā)24V車載高頻逆變器的DC-DC推挽升壓電路中，MOS管就是控制能量流動(dòng)的“高速開關(guān)閥門”。在電路中MOS管必須承受高壓沖擊（≈2倍輸入+尖峰），高效地通過大電流，并且被精確地控制開和關(guān)。因此選對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管是非常重要的。
2025-07-01 16:52:112004 N溝道MOS管（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種電壓控制型器件，依靠N型半導(dǎo)體中的電子導(dǎo)電。當(dāng)柵極電壓超過閾值電壓時(shí)，源極與漏極之間形成導(dǎo)電溝道，實(shí)現(xiàn)電流導(dǎo)通，具有輸入阻抗高、開關(guān)速度快
2025-06-28 10:48:03
N溝道MOS管（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種電壓控制型器件，依靠N型半導(dǎo)體中的電子導(dǎo)電。當(dāng)柵極電壓超過閾值電壓時(shí)，源極與漏極之間形成導(dǎo)電溝道，實(shí)現(xiàn)電流導(dǎo)通，具有輸入阻抗高、開關(guān)速度快
2025-06-27 17:35:56
功率MOS管在電源管理場(chǎng)景下的發(fā)熱原因分析 功率MOS管在工作過程中不可避免地會(huì)產(chǎn)生熱量，導(dǎo)致溫度升高。當(dāng)MOS管溫度過高時(shí)，不僅會(huì)降低系統(tǒng)效率，還可能導(dǎo)致器件性能下降、壽命縮短，甚至引發(fā)系統(tǒng)故障
2025-06-25 17:38:41514 
MOS管(場(chǎng)效應(yīng)管)的本質(zhì)在柵極(G)電壓對(duì)漏極(D)與源極(S)間導(dǎo)電溝道的精準(zhǔn)控制，作為開關(guān)器件成為電子應(yīng)用的核心。原理是當(dāng)柵源電壓(Vgs)超過閾值電壓(Vth)，溝道形成，電流流通。在實(shí)際
2025-06-18 13:43:051074 
在微電子系統(tǒng)中，場(chǎng)效應(yīng)晶體管通過柵極電位的精確調(diào)控實(shí)現(xiàn)對(duì)主電流通路的智能管理，這種基于電位差的主控模式使其成為現(xiàn)代電路中的核心調(diào)控元件。實(shí)現(xiàn)這種精密控制的基礎(chǔ)源于器件內(nèi)部特殊的載流子遷移機(jī)制與電場(chǎng)調(diào)控特性。
2025-06-18 13:41:14695 AO4803AAO4803A雙P通道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOS電源控制電路采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，以低門電荷提供優(yōu)秀的RDS（開）。此設(shè)備適用于負(fù)載開關(guān)或PWM應(yīng)用。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品AO4803A不含鉛（符合RoHS和索尼259規(guī)范）
2025-05-19 17:59:3828 2010年，愛爾蘭 Tyndall 國家研究所的J.P.Colinge 等人成功研制了三柵無結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，器件結(jié)構(gòu)如圖1.15所示。從此，半導(dǎo)體界興起了一股研究無結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的熱潮，每年的國際
2025-05-19 16:08:13777 
當(dāng)代所有的集成電路芯片都是由PN結(jié)或肖特基勢(shì)壘結(jié)所構(gòu)成：雙極結(jié)型晶體管（BJT）包含兩個(gè)背靠背的PN 結(jié)，MOSFET也是如此。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET） 垂直于溝道方向有一個(gè) PN結(jié)，隧道穿透
2025-05-16 17:32:071122 
、電感器、變壓器、二極管、三極管、光電器件、電聲器件、晶閘管、場(chǎng)效應(yīng)管、IGBT、繼電器、干簧管、顯示器件、貼片元器件、集成電路和傳感器）、基礎(chǔ)電子電路、收音機(jī)與電子產(chǎn)品的檢修、電子測(cè)量基礎(chǔ)、指針萬用表
2025-05-15 15:50:23
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Junction Field-Effect Transistor, JFET）是在同一塊 N型半導(dǎo)體上制作兩個(gè)高摻雜的P區(qū)，并將它們連接在一起，所引出的電極稱為柵極（G），N型半導(dǎo)體兩端分別引出兩個(gè)電極，分別稱為漏極（D）和源極（S），如圖 1.11所示。
2025-05-14 17:19:202621 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ZSKY-CCS3125BP N溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-05-13 18:03:110 放大音頻信號(hào)是MOS管在音響功放的主要作用，意味著好的MOS管能夠直接影響產(chǎn)品的品質(zhì)。對(duì)于電路研發(fā)工程師，如何選擇好的、能代換IRF3710型號(hào)參數(shù)用于音響功放中是非常重要的。
2025-04-29 11:42:43919 的原因是什么？最根本的原因就是：當(dāng)交變的電流通過導(dǎo)體時(shí)，導(dǎo)體中心部分發(fā)生渦旋電場(chǎng)，阻礙了原本電流的流向，導(dǎo)致大部分電子被迫只能走導(dǎo)體的邊緣部分。
那趨膚效應(yīng)有什么危害？
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2025-04-21 11:37:24
MOS管，即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，在開關(guān)電源中扮演著至關(guān)重要的角色。
2025-04-12 10:46:40821 本資料介紹電子電路和器件的基本概念、原理及分析方法。內(nèi)容從半導(dǎo)體器件到功能電路，從電路結(jié)構(gòu)到故障診斷，從理論分析到實(shí)際應(yīng)用。半導(dǎo)體器件包括：二極管、雙極型晶體管、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管、MOS場(chǎng)效應(yīng)管、晶閘管
2025-04-11 15:55:34
在電子設(shè)備的生產(chǎn)和測(cè)試過程中，PCBA（印制電路板組裝）異常發(fā)熱是一個(gè)常見且棘手的問題。過高的溫度不僅會(huì)影響設(shè)備的性能，還可能導(dǎo)致元器件損壞甚至設(shè)備報(bào)廢。因此，快速定位發(fā)熱原因并采取有效的解決措施
2025-04-10 18:04:331389 半導(dǎo)體器件，放大電路分析基礎(chǔ)，放大電路的頻率特性，場(chǎng)效應(yīng)管放大電路，負(fù)反饋放大電路，集成運(yùn)算放大器，集成運(yùn)算放大器的應(yīng)用。
2025-04-07 10:17:42
介紹了放大的概念與放大電路的性能指標(biāo)，基本共射放大電路的工作原理，放大電路的分析方法，靜態(tài)工作點(diǎn)的穩(wěn)定，晶體管放大電路的三種接法， 場(chǎng)效應(yīng)管及其基本放大電路，基本放大電路的派生電路。
2025-03-28 16:15:53
本書主要介紹了電信號(hào)，電子信息系統(tǒng)，半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)，半導(dǎo)體二極管，晶體三極管，場(chǎng)效應(yīng)管，單結(jié)晶體管，集成電路中的元件，基本放大電路，多級(jí)放大電路，集成運(yùn)算放大電路，放大電路的頻率效應(yīng)，放大電路中的反饋，信號(hào)的運(yùn)算和處理，波形的發(fā)生和信號(hào)的轉(zhuǎn)換，功率放大器，直流電源，模擬電子電路讀圖等。
2025-03-27 10:42:03
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT8822SS共漏N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-26 16:00:441 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT8618FD共漏N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-25 18:04:400 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT8814EFF具有ESD保護(hù)的雙N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-25 17:28:000 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT8814EFD具有ESD保護(hù)的共漏N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-25 17:26:020 ）
米勒效應(yīng)在MOS驅(qū)動(dòng)中臭名昭著，他是由MOS管的米勒電容引發(fā)的米勒效應(yīng)，在MOS管開通過程中，GS電壓上升到某一電壓值后GS電壓有一段穩(wěn)定值，過后GS電壓又開始上升直至完全導(dǎo)通。為什么會(huì)有穩(wěn)定值這段
2025-03-25 13:37:58
資料介紹：
內(nèi)容涵蓋了二極管，電容、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管介紹，光耦、發(fā)聲器件、繼電器、數(shù)碼管、瞬態(tài)抑制器，基本放大器，反饋電路，電源電路，集成運(yùn)算放大器，功率放大器，555定時(shí)器，電路設(shè)計(jì)項(xiàng)目...
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2025-03-22 15:50:59
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《TC1201低噪聲和中功率GaAs場(chǎng)效應(yīng)晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-17 17:15:420 避免三極管的be電流導(dǎo)致的誤差。典型的運(yùn)放恒流源如圖(2)所示，如果電流不需要特別精確，其中的場(chǎng)效應(yīng)管也可以用三極管代替。電流計(jì)算公式為：
I = Vin/R1
這個(gè)電路可以
2025-03-12 14:50:30
干簧繼電器助力設(shè)計(jì)師應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)，適用于測(cè)試功率離散半導(dǎo)體，如功率場(chǎng)效應(yīng)管（power FETs）、功率MOSFETs、功率晶體管等。
2025-03-11 15:41:32
據(jù)數(shù)據(jù)研究可知，2023年高功率車載逆變器市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)為25.4億美元，預(yù)計(jì)到2032年將增長至55億美元，2025-2032年的復(fù)合年增長率約為8.97%。面對(duì)高增速的市場(chǎng)，車載逆變器廠家需要從自身產(chǎn)品的研發(fā)入手來提升競(jìng)爭(zhēng)力，進(jìn)而獲得市場(chǎng)占有率的提升。
2025-03-11 10:37:41951 
的be電流導(dǎo)致的誤差。典型的運(yùn)放恒流源如圖(2)所示，如果電流不需要特別精確，其中的場(chǎng)效應(yīng)管也可以用三極管代替。電流計(jì)算公式為：I = Vin/R1
這個(gè)電路可以認(rèn)為是恒流源的標(biāo)準(zhǔn)電路，除了足夠的精度
2025-03-10 15:57:42
本書主要介紹了電子學(xué)基礎(chǔ)，晶體管，場(chǎng)效應(yīng)管，反饋和運(yùn)算放大器，有源濾波器和振蕩器，穩(wěn)壓器和電源電路，精密電路和低噪聲技術(shù)，數(shù)字電子學(xué)，數(shù)字與模擬，微型計(jì)算機(jī)，微處理器，電氣結(jié)構(gòu)，高頻和高速技術(shù)，測(cè)量與信號(hào)處理等
2025-03-07 14:05:33
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1541SIJ P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-07 11:33:071 場(chǎng)效應(yīng)管mos管三個(gè)引腳怎么區(qū)分
2025-03-07 09:20:470 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1756SJ N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-05 17:29:160 內(nèi)容包括：二極管、PN結(jié)的形成及特性、三極管BJT、共射、共集電極、共基極放大電路、MOS場(chǎng)效應(yīng)管、差分式放大電路、反饋、功率放大電路、濾波電路、RC正弦波振蕩、 LC正弦波振蕩器、電壓比較器、非正弦波振蕩電路、單相橋式整流、電容濾波電路。
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2025-03-05 17:02:00
了解HX1117穩(wěn)壓器芯片的發(fā)熱原因，并學(xué)習(xí)如何通過合理的散熱策略來保持其穩(wěn)定工作。
2025-03-05 17:01:461219 
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2025-03-04 18:05:040 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1728SJ P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-04 18:02:350 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1725SI P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-04 16:32:030 在現(xiàn)代電子學(xué)的宏偉建筑中，場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET-Field Effect Transistor）是其不可或缺的基石。這些精巧的電子組件以其卓越的性能優(yōu)勢(shì): 低功耗、高輸入阻抗和簡便的偏置需求, 在
2025-03-03 14:44:532192 
型號(hào)匹配性、應(yīng)用場(chǎng)景適配性及核心參數(shù)對(duì)比三個(gè)維度，客觀分析飛虹半導(dǎo)體FHP230N06V場(chǎng)效應(yīng)管的產(chǎn)品價(jià)值。
2025-02-24 16:38:261017 
結(jié)果不好（通過DMD長時(shí)間加載一張圖測(cè)試試驗(yàn)過還是這種情況），探測(cè)器工作沒有問題，不知道是否是DMD工作時(shí)間太長發(fā)熱不穩(wěn)定導(dǎo)致還是？我們一般使用DMD時(shí)長大約三小時(shí)左右。
第二個(gè)問題，DMD內(nèi)是否有鏡面翻轉(zhuǎn)完成信號(hào)，I/O引腳可以直接得到一個(gè)輸出信號(hào)？
還望解答，多謝！
2025-02-24 08:35:31
CS9N50A2 是佳訊電子（JIAXUN）推出的高性能場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管），采用 TO-220F 封裝，具備 9A 連續(xù)電流承載能力 和 500V 高耐壓 特性。作為原裝正品，其核心優(yōu)勢(shì)在于 低功耗、高可靠性，專為嚴(yán)苛的工業(yè)與消費(fèi)電子場(chǎng)景設(shè)計(jì)，支持現(xiàn)貨速發(fā)，滿足高效生產(chǎn)需求。
2025-02-23 10:12:441083 FinFET(鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管)從平面晶體管到FinFET的演變是一種先進(jìn)的晶體管架構(gòu)，旨在提高集成電路的性能和效率。它通過將傳統(tǒng)的平面晶體管轉(zhuǎn)換為三維結(jié)構(gòu)來減少短溝道效應(yīng)，從而允許更小、更快且功耗更低的晶體管。本文將從硅底材開始介紹FinFET制造工藝流程，直到鰭片(Fin)的制作完成。
2025-02-17 14:15:022611 
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2025-02-13 15:23:257
通電發(fā)熱大,沒有輸出，不知道什么原因,請(qǐng)幫忙看看
2025-02-12 07:36:43
Source、Drain、Gate分別對(duì)應(yīng)場(chǎng)效應(yīng)管的三極：源極S、漏極D、柵極G（這里不講柵極GOX擊穿，只針對(duì)漏極電壓擊穿）。01MOSFET的擊穿有哪幾種？先講測(cè)試條件，都是源柵襯底都是接地
2025-02-11 10:39:251016 
在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)與應(yīng)用中，MOS管（場(chǎng)效應(yīng)管）作為一種常見的開關(guān)元件廣泛應(yīng)用于各種電路中。然而，有時(shí)候即使電流不大，MOS管也會(huì)出現(xiàn)發(fā)熱現(xiàn)象，這不僅會(huì)影響其性能，還可能導(dǎo)致設(shè)備的長期穩(wěn)定性問題。本文
2025-02-07 10:07:171390 
隨著半導(dǎo)體技術(shù)不斷逼近物理極限，傳統(tǒng)的平面晶體管（Planar FET）、鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FinFET）從平面晶體管到FinFET的演變，乃至全環(huán)繞柵或圍柵（GAA
2025-01-24 10:03:514438 
朱利葉斯·埃德加·利利恩菲爾德在1925年申請(qǐng)的專利為場(chǎng)效應(yīng)晶體管奠定了理論基礎(chǔ)。 雖然第一個(gè)工作的場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）直到1945年才出現(xiàn)，但這個(gè)想法早在近20年前，即朱利葉斯·埃德加·利利恩
2025-01-23 09:42:111477 
領(lǐng)泰原廠授權(quán)代理 ， 推廣終端， 可免費(fèi)樣品與技術(shù)支持
選擇領(lǐng)泰半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)在于：
完備的型號(hào)選擇
同等封裝下能實(shí)現(xiàn)更低Rds(on)
提高效率，減小發(fā)熱
更高的輸出效率
移動(dòng)電源應(yīng)用MOSFET
2025-01-17 16:42:10
### 產(chǎn)品簡介**BUK542-100A** 是一款高性能單極N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET），封裝形式為TO220。這款MOSFET采用了先進(jìn)的溝槽（Trench）技術(shù)，專為中等
2025-01-13 14:33:40
僅會(huì)影響電容本身的壽命和性能，還可能對(duì)整個(gè)電路系統(tǒng)造成不良影響。那么，貼片電容發(fā)熱的原因究竟是什么呢? 貼片電容(MLCC)發(fā)熱的原因有多種，以下是一些主要因素： 電流過大：當(dāng)貼片電容所在的電路中電流過大時(shí)，尤其是紋波電流超過
2025-01-13 14:23:451762 
### 產(chǎn)品簡介**BUK481-100A** 是一款高效能單極N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET），封裝形式為SOT223。這款MOSFET采用先進(jìn)的溝槽（Trench）技術(shù)，專為中等
2025-01-13 14:16:49
場(chǎng)效應(yīng)管代換手冊(cè)
2025-01-08 13:44:213
ADS1278采用單端輸入，所有AINN接到地，參考電壓端VREFP接2.5V，VREFN接地，其他均參考datasheet連接，接通電源后，芯片會(huì)發(fā)熱，溫度很高，大概能達(dá)到七、八十度以上，請(qǐng)問是什么原因造成的？芯片底部的thermal pad 沒接地，會(huì)不會(huì)造成芯片過熱？
2025-01-07 06:53:23
Trench工藝通過其深且窄的溝槽結(jié)構(gòu)、高精度刻蝕與填充、垂直結(jié)構(gòu)集成、兼容性強(qiáng)等特點(diǎn)，能夠滿足大多數(shù)電子設(shè)備對(duì)高性能、高密度和高可靠性的需求，廣泛應(yīng)用于逆變器、同步整流、電機(jī)控制等領(lǐng)域。
2025-01-06 11:40:341370 
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