Sic mesfet工藝技術(shù)研究與器件研究針對(duì)ＳｉＣ 襯底缺陷密度相對(duì)較高的問題，研究了消除或減弱其影響的工藝技術(shù)并進(jìn)行了器件研制。通過優(yōu)化刻蝕條件獲得了粗糙度為２?０７ ｎｍ的刻蝕表面；犧牲氧化
2009-10-06 09:48:48
labview的二值形態(tài)學(xué)操作erosion(腐蝕)和dilation（膨脹），他們的函數(shù)在哪找？
2016-09-19 09:00:12
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：DI-O3水在晶圓表面制備中的應(yīng)用編號(hào)：JFSJ-21-034作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要
2021-07-06 09:36:27
，干法蝕刻制備的氮化鎵（GaN）側(cè)壁通常具有較大的粗糙度和蝕刻損傷，這會(huì)導(dǎo)致由于表面非輻射復(fù)合導(dǎo)致的光學(xué)散射和載流子注入損失引起的鏡面損失。詳細(xì)研究了干法蝕刻形成的GaN側(cè)壁面的濕化學(xué)拋光工藝，以去除蝕刻
2021-07-09 10:21:36
`晶圓是如何生長(zhǎng)的？又是如何制備的呢？本文的主要內(nèi)容有：沙子轉(zhuǎn)變?yōu)榘雽?dǎo)體級(jí)硅的制備，再將其轉(zhuǎn)變成晶體和晶圓，以及生產(chǎn)拋光晶圓要求的工藝步驟。這其中包括了用于制造操作晶圓的不同類型的描述。生長(zhǎng)
2018-07-04 16:46:41
吳軍民a, 湯學(xué)華b （上海電機(jī)學(xué)院a.汽車學(xué)院； b.機(jī)械學(xué)院，上海200245） 摘 要：研究了一種電磁型射頻（RF）微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）開關(guān)的軟磁懸臂梁的制備工藝。為了得到適合MEMS器件
2019-07-04 08:14:01
關(guān)于黑孔化工藝流程和工藝說明，看完你就懂了
2021-04-23 06:42:18
。 PCB表面處理總結(jié) 結(jié)論是當(dāng)使用焊接測(cè)試點(diǎn)時(shí)，ICT性能大大提高。考慮到夾具和工藝的一些問題，用戶相信一旦處理好這些問題，他們能獲得的一次通過良率在80~90%之間。上面是PCB無鉛處理的主要方法
2008-06-18 10:01:53
算與閉運(yùn)算：形態(tài)學(xué)開運(yùn)算就是先對(duì)圖像進(jìn)行腐蝕然后在膨脹，表達(dá)式即：形態(tài)學(xué)閉運(yùn)算就是先對(duì)圖像進(jìn)行膨脹然后在腐蝕，表達(dá)式即：圖1 開運(yùn)算和閉運(yùn)算演示（原圖由美國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)和技術(shù)研究所提供）如圖1所示，a為
2018-08-10 09:12:22
silicon photonic circuits“?；阪N離子注入的硅波導(dǎo)工藝和激光退火工藝，他們實(shí)現(xiàn)了可擦除的定向耦合器，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)了可編程的硅基集成光路，也就是所謂的光學(xué)FPGA。
2019-10-21 08:04:48
用labview進(jìn)行圖像計(jì)數(shù)，圖像經(jīng)過二值化處理需要用到形態(tài)學(xué)進(jìn)行計(jì)數(shù)，如何計(jì)數(shù)啊 ，，，求指導(dǎo)啊
2015-01-06 19:14:36
新型聚丙烯酸酯的制備與非線性光學(xué)性能設(shè)計(jì)合成了一種含偶氮苯和取代苯乙炔基長(zhǎng)共軛生色團(tuán)的丙烯酸酯，并采用溶液聚合法合成了功能化的聚丙烯酸酯，利用FTIR、NMR等對(duì)化合物的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了表征，證實(shí)
2009-05-26 00:24:16
3.4.3 亞像素精度閾值分割3.5 特征提取3.5.1 區(qū)域特征3.5.2 灰度值特征3.5.3 輪廓特征3.6 形態(tài)學(xué)3.6.1 區(qū)域形態(tài)學(xué)3.6.2 灰度值形態(tài)學(xué)3.7 邊緣提取3.7.1 在一維和
2016-06-29 13:48:38
通過上面三個(gè)帖子的發(fā)布，大家對(duì)形態(tài)學(xué)處理函數(shù)應(yīng)該有所了解了。這篇帖子使用形態(tài)學(xué)的函數(shù)來讀取圖片中條形碼的數(shù)值。對(duì)圖像的處理步驟：1、首先對(duì)圖像進(jìn)行二值化處理，若圖像過大，可進(jìn)行重采樣2、對(duì)圖像進(jìn)行
2015-08-15 10:00:01
電場(chǎng)誘導(dǎo)工藝中探索電壓、電極間距、聚合物膜厚等參數(shù)對(duì)于成形形貌的二維分布影響。以增強(qiáng)光學(xué)散射性能為目的，基于基礎(chǔ)工藝研究開發(fā)無序微透鏡制備方法及粗造化多級(jí)結(jié)構(gòu)制備方法，使結(jié)構(gòu)表面形貌更為多變，并選取
2022-03-29 15:44:41
個(gè) Arm 處理器，它們組成了一個(gè)尖峰神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)。第二，一個(gè)位于海德保的物理模型機(jī)，模擬電子模型，由400萬個(gè)神經(jīng)元和20個(gè)硅晶片上的10億個(gè)突觸組成。作為短期利益，HBP 希望其神經(jīng)形態(tài)學(xué)平臺(tái)能夠提高
2022-04-16 15:01:00
AB5型貯氫合金是目前國(guó)內(nèi)外MH/Ni電池生產(chǎn)中使用最為廣泛的負(fù)極材料，而貯氫合金的電化學(xué)性能是由合金的成分、微觀結(jié)構(gòu)和表面狀態(tài)決定的。本文綜述了ABs型貯氫合金制備工藝-熔煉、熱處理以及制粉工藝
2011-03-11 11:57:08
針對(duì)傳統(tǒng)數(shù)學(xué)形態(tài)學(xué)邊緣檢測(cè)算法存在的邊緣分辨率較低、低強(qiáng)度邊緣保護(hù)能力較差等問題，提出一種改進(jìn)的數(shù)學(xué)形態(tài)學(xué)邊緣檢測(cè)算法。該算法在保持傳統(tǒng)形態(tài)學(xué)方法優(yōu)點(diǎn)的基礎(chǔ)上
2009-04-23 09:15:14
19 針對(duì)常規(guī)線性邊緣檢測(cè)器處理遙感圖象時(shí)細(xì)節(jié)丟失嚴(yán)重的缺點(diǎn)，介紹了數(shù)學(xué)形態(tài)學(xué)基本理論，討論了數(shù)學(xué)形態(tài)學(xué)在邊緣檢測(cè)中的應(yīng)用。形態(tài)學(xué)的灰度梯度運(yùn)算是在經(jīng)典形態(tài)變換基
2009-07-30 14:26:3519 針對(duì)邊緣模糊會(huì)導(dǎo)致二維條碼識(shí)別率下降的問題，提出了一種基于中值濾波和數(shù)學(xué)形態(tài)學(xué)相結(jié)合的二維條碼邊緣檢測(cè)識(shí)別算法，該算法能夠有效地抑制噪聲，保護(hù)邊緣細(xì)節(jié)，提高
2009-08-14 09:58:4133 圖像邊緣檢測(cè)通常是以類似于素描圖的圖像表達(dá)出物體的要素和特征，其任務(wù)是使圖像邊緣準(zhǔn)確定位和抑制噪聲。本文在傳統(tǒng)形態(tài)學(xué)算子基礎(chǔ)上提出了一種遺傳算法優(yōu)化的形態(tài)學(xué)Top-H
2009-08-20 08:26:5619 圖像邊緣檢測(cè)通常是以類似于素描圖的圖像表達(dá)出物體的要素和特征，其任務(wù)是使圖像邊緣準(zhǔn)確定位和抑制噪聲。本文在傳統(tǒng)形態(tài)學(xué)算子基礎(chǔ)上提出了一種遺傳算法優(yōu)化的形態(tài)學(xué)Top-H
2009-08-21 09:04:540 基于小波變換和數(shù)學(xué)
形態(tài)學(xué)的人造景物提取:采用小渡變換技術(shù)對(duì)遙感圖像進(jìn)行去噪、增強(qiáng) 在此基礎(chǔ)上利用數(shù)學(xué)
形態(tài)學(xué)的方法提取圖像中的人造帚物．實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，通過構(gòu)造適當(dāng)?shù)?/div>
2009-10-26 11:30:2817 針對(duì)鐵路貨車廠修后低速駛出過程中需要進(jìn)行標(biāo)記準(zhǔn)確性的判定，研究了基于數(shù)學(xué)形態(tài)學(xué)的貨車標(biāo)記圖像跟蹤識(shí)別技術(shù)。圖像預(yù)處理之后采用數(shù)學(xué)形態(tài)學(xué)的膨脹運(yùn)算很好地解決了
2009-12-07 14:04:1010 本文提出了一種新的文本數(shù)字水印算法，針對(duì)文本圖像中文字由相同筆畫構(gòu)成的特點(diǎn)，使用數(shù)學(xué)形態(tài)學(xué)運(yùn)算獲取出現(xiàn)頻率最高的文字水平筆畫結(jié)構(gòu)作為結(jié)構(gòu)元素，使用擊中擊不中運(yùn)
2009-12-22 15:58:1612 采用一種新的基于獨(dú)立分量分析（independent component analysis, ICA）盲源分離（blind source separation, BSS）和形態(tài)學(xué)開重構(gòu)（Open Reconstruction）的方法實(shí)現(xiàn)多極化合成孔徑雷達(dá)（synthetic apertu
2010-05-26 18:01:4318 硅原料
原料分檢
原料腐蝕
單晶制備
2010-10-11 16:25:060 摘要：通過對(duì)貯氫合金的組分、熔煉、粉碎幾個(gè)方面的實(shí)驗(yàn)研究，探討了貯氫合金的制備工藝過程，分析了不同的工藝參數(shù)對(duì)合金性能的影響。確定了合金制備的最佳工藝條件為：熔化溫度1400～1550℃；熔化保持時(shí)間10～15rain；冷卻方式為急冷。 關(guān)鍵詞：貯氫合金；
2011-02-21 22:14:5750 數(shù)學(xué)形態(tài)學(xué)運(yùn)算是一種高度并行的運(yùn)算，其計(jì)算量大而又如此廣泛地應(yīng)用于對(duì)實(shí)時(shí)性要求較高的諸多重要領(lǐng)域。為了提高數(shù)學(xué)形態(tài)學(xué)運(yùn)算的速度，提出了一種基于CUDA架構(gòu)的GPU并行數(shù)學(xué)形
2011-10-25 16:55:1755 半導(dǎo)體硅工藝學(xué)是一部半導(dǎo)體材料技術(shù)叢書，重點(diǎn)闡述了半導(dǎo)體硅晶體us恒章、外延、雜質(zhì)擴(kuò)散和離子注入等工藝技術(shù)
2011-12-15 15:17:38119 重點(diǎn)研究了采用數(shù)學(xué)形態(tài)學(xué)方法對(duì)瀝青混合料數(shù)字圖像進(jìn)行分析和處理。利用VC.NET開發(fā)環(huán)境對(duì)瀝青混合料二值圖像分別進(jìn)行腐蝕、膨脹、開運(yùn)算和閉運(yùn)算處理，通過處理效果得到數(shù)學(xué)形
2012-07-05 15:59:510 《OpenCV3編程入門》書本配套源代碼:形態(tài)學(xué)圖像處理綜合示例
2016-06-06 15:52:298 《OpenCV3編程入門》書本配套源代碼:用morphologyEx進(jìn)行形態(tài)學(xué)頂帽運(yùn)算
2016-06-06 15:52:2915 《OpenCV3編程入門》書本配套源代碼:用morphologyEx進(jìn)行形態(tài)學(xué)梯度運(yùn)算
2016-06-06 15:52:294 《OpenCV3編程入門》書本配套源代碼:用morphologyEx進(jìn)行形態(tài)學(xué)黑帽運(yùn)算
2016-06-06 15:52:291 OpenCV3編程入門-源碼例程全集-用morphologyEx進(jìn)行形態(tài)學(xué)頂帽運(yùn)算，感興趣的小伙伴們可以瞧一瞧。
2016-09-18 16:55:030 OpenCV3編程入門-源碼例程全集-形態(tài)學(xué)圖像處理綜合示例，感興趣的小伙伴們可以瞧一瞧。
2016-09-18 16:55:030 OpenCV3編程入門-源碼例程全集-用morphologyEx進(jìn)行形態(tài)學(xué)梯度運(yùn)算，感興趣的小伙伴們可以瞧一瞧。
2016-09-18 17:02:2510 OpenCV3編程入門-源碼例程全集-用morphologyEx進(jìn)行形態(tài)學(xué)黑帽運(yùn)算，感興趣的小伙伴們可以瞧一瞧。
2016-09-18 17:02:250 Intel不能大幅升級(jí)處理器性能并不單單是好基友AMD跟不上隊(duì)或者PC市場(chǎng)下滑，很大一個(gè)原因是半導(dǎo)體工藝進(jìn)展變慢了，不可能像之前的摩爾定律那樣大幅提升性能。不過Intel手里還是有很多黑科技的，他們研發(fā)的硅光學(xué)芯片正在小型化，已實(shí)現(xiàn)100Gbps速率，正在朝400Gbps邁進(jìn)。
2016-11-09 18:06:10
990 黑硅太陽電池電極接觸研究
2016-12-16 17:23:060 基于改進(jìn)_變換和數(shù)學(xué)形態(tài)學(xué)的電壓暫降檢測(cè)方法_王瑩
2017-01-08 10:11:412 改進(jìn)的形態(tài)學(xué)運(yùn)算在聲納圖像生成中的應(yīng)用_李莉
2017-03-19 11:30:431 基于形態(tài)學(xué)濾波的激光標(biāo)靶中激光光斑的識(shí)別_黃一萬
2017-03-15 08:00:001 硅基高通量單細(xì)胞陣列芯片制備與研究_孟祥
2017-03-19 11:41:390 高溫薄膜傳感器制備與性能研究_王強(qiáng)
2017-03-19 19:04:390 針對(duì)傳統(tǒng)彩色圖像增強(qiáng)過程中的過度增強(qiáng)及空間變化所引起的信息丟失現(xiàn)象，在RGB空間提出一種基于數(shù)學(xué)形態(tài)學(xué)top-hat算法，以各分量標(biāo)準(zhǔn)差權(quán)重比例為調(diào)控因子的彩色圖像增強(qiáng)方法。首先，提取R、G、B通道
2017-11-20 15:08:143 針對(duì)子像素形態(tài)學(xué)反走樣（ SMAA）算法提取圖像輪廓信息少和存儲(chǔ)空間較大的問題，提出一種改進(jìn)的形態(tài)學(xué)反走樣算法。該算法用一個(gè)像素的亮度與調(diào)整因子的乘積作為動(dòng)態(tài)閾值，來判定該像素是否為輪廓條件
2017-11-24 16:58:570 ：效率低、精度低、人為主觀性強(qiáng)和測(cè)量者個(gè)體差異等問題，提出了一種基于機(jī)器視覺的道岔鋼軌端面尺寸測(cè)量方法，此方法的核心技術(shù)在于應(yīng)用米字形結(jié)構(gòu)元素的數(shù)學(xué)形態(tài)學(xué)操作MI-cored對(duì)道岔鋼軌端面圖像進(jìn)行二次去噪處理，并通過實(shí)
2017-11-29 15:08:471 為了更加高效地利用模板匹配的方法實(shí)現(xiàn)對(duì)車牌字符圖像的識(shí)別，結(jié)合數(shù)學(xué)形態(tài)學(xué)和模糊集理論，提出基于數(shù)學(xué)形態(tài)學(xué)的模糊模板匹配方法。首先，對(duì)于二值圖像的每個(gè)像素點(diǎn)及其8鄰域，以賦權(quán)的方式刻畫中心像素點(diǎn)隸屬于
2017-12-04 14:32:071 的圓形進(jìn)行圖像過濾，獲取圖形不同尺寸的形態(tài)學(xué)特征，建立扇形區(qū)域特征向量；最后采用多尺度的分析方法進(jìn)行圖像識(shí)別以及圖像角度分析。在角度無關(guān)性、比例無關(guān)性、輪廓干擾魯棒性下與傳統(tǒng)方法進(jìn)行對(duì)比實(shí)驗(yàn)，實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明該
2018-01-17 11:07:230 鋰電池硅基負(fù)極極片該如何制備呢？KarkarZ等人研究了硅電極的制備工藝。
2018-08-07 15:52:145521 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是的是使用OpenCV實(shí)現(xiàn)形態(tài)學(xué)操作和腐蝕膨脹及開閉運(yùn)算的實(shí)例說明。
2019-11-22 16:52:001 無論是形態(tài)學(xué)或功能學(xué)，市面上大部分產(chǎn)品都依賴于大量的人工介入，無法做到高度的自動(dòng)化。 近日，雷鋒網(wǎng)心血管科技云峰會(huì)邀請(qǐng)到睿心醫(yī)療聯(lián)合創(chuàng)始人兼CTO馬駿，以「形態(tài)學(xué)+功能學(xué)：一體化的心血管疾病智能診斷
2020-10-21 17:43:394925 
一、背景介紹 基于二值圖像的濾波算法即形態(tài)學(xué)濾波，在圖像目標(biāo)采集的預(yù)處理中經(jīng)常被使用到，針對(duì)不同的使用場(chǎng)景涉及到腐蝕、膨脹、開閉運(yùn)算等處理。實(shí)際使用中對(duì)于不同的分辨率大小以及模板窗口大小，都要進(jìn)行
2021-03-03 10:20:132526 形態(tài)學(xué)濾波由腐蝕和膨脹兩種操作組成。首先，腐蝕（Erosion）的核心思想是圖像像素之間進(jìn)行邏輯與運(yùn)算，簡(jiǎn)單來說，當(dāng)一個(gè)包含當(dāng)前像素的結(jié)構(gòu)單元的像素值都為“1”時(shí)輸出待處理的的目標(biāo)像素。
2021-03-09 11:51:106368 在闡述坐標(biāo)邏輯運(yùn)算的基礎(chǔ)上，論述了基于坐標(biāo)邏輯形態(tài)學(xué)硬件實(shí)現(xiàn)的圖像處理系統(tǒng)．該系統(tǒng)采用D！、P+FPGA的框架結(jié)構(gòu)，利用FH礬的可重構(gòu)特性將其中一片F(xiàn)P（認(rèn)作為協(xié)處理器可以實(shí)現(xiàn)不同的圖像處理功能．將
2021-03-30 11:28:584 創(chuàng)面形態(tài)學(xué)展開方法。首先對(duì)皮膚創(chuàng)面進(jìn)行層次劃分，分層拓?fù)溆成渲疗矫?。然后結(jié)合力學(xué)方法模擬皮膚的應(yīng)力和應(yīng)變，分層優(yōu)化皮膚創(chuàng)面的展開形狀，實(shí)現(xiàn)局部創(chuàng)面和創(chuàng)面整體的并行優(yōu)化。最后對(duì)生成的皮膚展開輪廓進(jìn)行光順，得到
2021-05-12 16:16:5931 圖像形態(tài)學(xué)是圖像處理的分支學(xué)科，在二值圖像處理中占有重要地位、OpenCV中實(shí)現(xiàn)了圖像形態(tài)學(xué)如下常見操作： -膨脹操作 -腐蝕操作 -開操作 -閉操作 -擊中擊不中操作 -黑帽操作 -頂帽操作
2021-05-27 14:11:551955 
基于層次值的皮膚創(chuàng)面形態(tài)學(xué)展開方法
2021-06-27 15:10:226 opencv 輪廓放大_OpenCV開發(fā)筆記（六十六）：紅胖子8分鐘帶你總結(jié)形態(tài)學(xué)操作-膨脹、腐蝕、開運(yùn)算、閉運(yùn)算、梯......
2021-11-24 14:21:0221 、光學(xué)顯微鏡、掃描電子顯微鏡和原子力顯微鏡相結(jié)合，研究了KOH/IPA蝕刻對(duì)紋理表面形態(tài)和粗糙度的影響。結(jié)果表明，在80℃以下的溫度下，IPA濃度對(duì)（001）-單晶晶體表面粗糙度的影響最強(qiáng)。高于該值時(shí)，在硅襯底上顯示出溫度引起裂紋。氫氧化鉀：
2022-01-11 14:41:581824 
摘要 本文主要研究集成光子的制備工藝?；贗II-V半導(dǎo)體的器件， 這項(xiàng)工作涵蓋了一系列III-V材料以及各種各樣的設(shè)備。 最初，設(shè)計(jì)，制造和光學(xué)表征研究了鋁砷化鎵波導(dǎo)增強(qiáng)光學(xué)非線性
2022-02-24 14:55:401658 
本文章將對(duì)表面組織工藝優(yōu)化進(jìn)行研究，多晶硅晶片表面組織化工藝主要分為干法和濕法，其中利用酸或堿性溶液的濕法蝕刻工藝在時(shí)間和成本上都比較優(yōu)秀，主要適用于太陽能電池量產(chǎn)工藝。本研究在多晶晶片表面組織化工藝
2022-03-25 16:33:491013 
本研究對(duì)黑硅的形成進(jìn)行了兩步短濕蝕刻處理,所建議的結(jié)構(gòu)包括兩個(gè)步驟。第一步：濕酸性蝕刻凹坑狀形態(tài)，具有降低紋理化溫度的新解決方案；第二步：通過金屬輔助蝕刻(MAE)獲得的導(dǎo)線結(jié)構(gòu)。由于紋理制作
2022-03-29 15:07:501520 
和水熱蝕刻制備黑硅具有更大的優(yōu)勢(shì)。它為制備黑硅可見光和近紅外光電子器件提供了一種合適而經(jīng)濟(jì)的方法。本文采用濕式蝕刻法制備了微結(jié)構(gòu)硅，并對(duì)其微觀結(jié)構(gòu)進(jìn)行了表征，并對(duì)其光學(xué)性能進(jìn)行了測(cè)試。
2022-03-29 16:02:591360 
的鋁誘導(dǎo)結(jié)晶(AIC)的鋁誘導(dǎo)層交換(ALILE)工藝已被用于制備具有大晶粒和表面高優(yōu)先(100)取向的p+型籽晶層。
2022-04-13 15:24:372644 
形態(tài)學(xué)是圖像處理領(lǐng)域的一個(gè)分支，主要用于描述和處理圖像中的形狀和結(jié)構(gòu)。形態(tài)學(xué)可以用于提取圖像中的特征、消除噪聲、改變圖像的形狀等。其中形態(tài)學(xué)的核心操作是形態(tài)學(xué)運(yùn)算。
2023-05-23 15:52:441724 
銅基復(fù)合材料的制備工藝與綜合性能，重點(diǎn)討論了各種制備工藝的特點(diǎn)、強(qiáng)化機(jī)制、構(gòu)型設(shè)計(jì)，總結(jié)了針對(duì)復(fù)合界面結(jié)合弱與石墨烯分散困難這2類主要技術(shù)難點(diǎn)的解決途徑，最后對(duì)石墨烯增強(qiáng)銅基復(fù)合材料的制備工藝進(jìn)行了展望。
2023-06-14 16:23:4811359 
在晶硅太陽能電池的生產(chǎn)工藝中，絲網(wǎng)印刷工藝對(duì)其表面特征和性能的影響通常是非常直接且關(guān)鍵的。然而為了了解絲網(wǎng)印刷對(duì)電池表面特征和性能影響程度的大小、科學(xué)表征由絲網(wǎng)印刷工藝印刷過后的柵線參數(shù)和電池片性能
2023-11-09 08:34:141680 
近年來，隨著研究人員對(duì)紅外微光學(xué)元器件的深入研究，高精度制備器件備受關(guān)注。傳統(tǒng)的制備技術(shù)存在許多缺點(diǎn)，而飛秒激光有著超強(qiáng)、超快的特性，非常合適用來制備紅外微光學(xué)元器件。
2023-12-29 16:25:012911 
優(yōu)化硅的形態(tài)與沉積方式是半導(dǎo)體和MEMS工藝的關(guān)鍵，LPCVD和APCVD為常見的硅沉積技術(shù)。
2024-01-22 09:32:155750 
本文從硅片制備流程為切入點(diǎn)，以方便了解和選擇合適的硅晶圓，硅晶圓的制備工藝流程比較復(fù)雜，加工工序多而長(zhǎng)，所以必須嚴(yán)格控制每道工序的加工質(zhì)量，才能獲得滿足工藝技術(shù)要求、質(zhì)量合格的硅單晶片（晶圓），否則就會(huì)對(duì)器件的性能產(chǎn)生顯著影響。
2024-10-21 15:22:271991 本文介紹了N型單晶硅制備過程中拉晶工藝對(duì)氧含量的影響。
2025-03-18 16:46:211309 
本文圍繞單晶硅、多晶硅與非晶硅三種形態(tài)的結(jié)構(gòu)特征、沉積技術(shù)及其工藝參數(shù)展開介紹，重點(diǎn)解析LPCVD方法在多晶硅制備中的優(yōu)勢(shì)與挑戰(zhàn)，并結(jié)合不同工藝條件對(duì)材料性能的影響，幫助讀者深入理解硅材料在先進(jìn)微納制造中的應(yīng)用與工藝演進(jìn)路徑。
2025-04-09 16:19:531996 
納米級(jí)分辨率和三維重構(gòu)能力成為關(guān)鍵工具。光子灣科技的光學(xué)輪廓儀在材料表面力學(xué)性能關(guān)聯(lián)研究中優(yōu)勢(shì)顯著，本研究中為揭示表面特性與粘接性能的聯(lián)系提供可靠手段。#Photon
2025-08-05 17:45:58823 
，MoN涂層的協(xié)同作用機(jī)理待深入研究。光子灣科技的高端光學(xué)測(cè)量技術(shù)為材料研究提供支撐，本文結(jié)合共聚焦顯微鏡三維成像，研究表面微織構(gòu)MoN涂層的織構(gòu)調(diào)控與摩擦學(xué)性能，
2025-08-05 17:46:16812 
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