由于銅在二氧化硅和硅中的快速擴(kuò)散，以及在禁帶隙內(nèi)受體和供體能級(jí)的形成，銅需要在化學(xué)機(jī)械拋光過程后清洗。
2021-12-15 10:56:15
3653 
干燥后異丙醇(IPA)的解吸和晶片中的水分。結(jié)果表明，在這些實(shí)驗(yàn)條件下，定性和定量的微量雜質(zhì)小至單分子吸附層的1/10。結(jié)果證實(shí)，濕化學(xué)過程和干燥方法對(duì)晶片表面條件的影響。 本文介紹在硅片上吸附分子的分析結(jié)果。為了估計(jì)濕式化學(xué)處理后的微污
2021-12-30 16:31:027071 
本文討論并演示了痕量污染物分析儀的功能。該分析工具利用電噴霧飛行時(shí)間質(zhì)譜儀對(duì)晶圓清洗溶液進(jìn)行全自動(dòng)在線監(jiān)測(cè)。該分析儀通過其在正負(fù)模式下提供強(qiáng)(元素)和弱(分子)電離的能力，提供了關(guān)于金屬、陰離子
2022-03-08 14:06:581770 
濕式蝕刻過程的原理是利用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物，選擇性非常高，因?yàn)樗褂玫?b class="flag-6" style="color: red">化學(xué)物質(zhì)可以非常精確地適應(yīng)于單個(gè)薄膜。對(duì)于大多數(shù)溶液的選擇性大于100：1。液體化學(xué)必須滿足以下要求：掩模層不能
2022-04-07 14:16:343419 
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體的制造。在清洗步驟后，“PIRANHA-RCA”清洗順序的“SC 1”步驟中加入了預(yù)定濃度的EDTA等絡(luò)合物形成劑，以減少殘留在硅晶片表面的金屬雜質(zhì)。
2022-04-08 13:59:222247 
本發(fā)明一般涉及清洗和蝕刻硅表面的方法，以及更具體地涉及使用NF在低溫下預(yù)清洗晶片，在使用硅晶片制造半導(dǎo)體器件的過程中，在硅晶片的硅表面上可能會(huì)形成污染物和雜質(zhì)，如外延硅沉積或氧化物層生長，去除污染物
2022-06-29 17:06:564290 
引言 過氧化氫被認(rèn)為是半導(dǎo)體工業(yè)的關(guān)鍵化學(xué)品。半導(dǎo)體材料的制備和印刷電路板的制造使用過氧化氫水溶液來清洗硅晶片、去除光刻膠或蝕刻印刷電路板上的銅。用于硅晶片表面清洗的最常用的清洗浴(S(1，S(2或
2022-07-07 17:16:445266 
半導(dǎo)體制造業(yè)面臨的最大挑戰(zhàn)之一是硅的表面污染薄片。最常見的是，硅晶片僅僅因?yàn)楸┞对诳諝庵卸晃廴荆諝庵泻懈叨鹊挠袡C(jī)顆粒污染物。由于強(qiáng)大的靜電力，這些污染物牢固地結(jié)合在硅晶片表面，給半導(dǎo)體制造行業(yè)帶來了許多令人頭痛的問題。
2022-07-08 17:18:505211 
的晶片 (111)取向的Si晶片幾乎不受堿性溶液的侵蝕，因?yàn)樵谶@里整個(gè)晶片表面形成蝕刻停止。因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">晶片的實(shí)際取向通常相對(duì)于理想晶面傾
2022-07-11 16:07:222920 
硅集成電路(IC)的制造需要500-600個(gè)工藝步驟，這取決于器件的具體類型。在將完整的晶片切割成單個(gè)芯片之前，大多數(shù)步驟都是作為單元工藝來執(zhí)行的。大約30%的步驟是清潔操作，這表明了清潔和表面處理的重要性。
2022-07-14 16:30:155900 
在整個(gè)晶圓加工過程中，仔細(xì)維護(hù)清潔的晶圓表面對(duì)于在半導(dǎo)體器件制造中獲得高產(chǎn)量至關(guān)重要。因此，濕式化學(xué)清洗以去除晶片表面的污染物是任何LSI制造序列中應(yīng)用最重復(fù)的處理步驟。
2023-03-30 10:00:093125 
在當(dāng)今的器件中，最小結(jié)構(gòu)的尺寸接近于需要從晶片表面移除的粒子的尺寸。在不破壞脆弱設(shè)備的情況下，在工藝步驟之間去除納米顆粒的清洗過程的重要性正在不斷增長。兆波清洗可用于單晶片或批量晶片處理。
2023-05-02 16:32:111727 
機(jī)Wafer Cleaner、濕法刻蝕機(jī)Wet Etching Machine、石英爐管清洗機(jī)/鐘罩清洗機(jī)/石英部件清洗Quartz-Tube/BellJar/PartsCleaner、化學(xué)濕臺(tái)Wet
2017-12-15 13:41:58
Cleaning"陽極性電解清洗;是金屬表面處理常用的技術(shù)。 26、Rinsing水洗，沖洗 濕式流程中為了減少各槽化學(xué)品的互相干擾，各種中間過渡段，均需將板子徹底清洗，以保證各種處理的品質(zhì)
2018-08-29 16:29:01
濕蝕刻是光刻之后的微細(xì)加工過程，該過程中使用化學(xué)物質(zhì)去除晶圓層。晶圓，也稱為基板，通常是平面表面，其中添加了薄薄的材料層，以用作電子和微流體設(shè)備的基礎(chǔ)；最常見的晶圓是由硅或玻璃制成的。濕法刻蝕
2021-01-08 10:15:01
。它適用于大批量PCBA清洗，采用安全自動(dòng)化的清洗設(shè)備置于電裝產(chǎn)線，通過不同的腔體在線完成化學(xué)清洗（或者水基清洗）、水基漂洗、烘干全部工序?！ ?b class="flag-6" style="color: red">清洗過程中，PCBA通過清洗機(jī)的傳送帶在不同的溶劑清洗腔體
2021-02-05 15:27:50
清潔 - 表面問題：金屬污染的起源：來源：設(shè)備、工藝、材料和人力，Si表面的過渡金屬沉淀是關(guān)鍵。去污：可以對(duì)一些暴露于堿或其他金屬污染物的基材進(jìn)行去污。晶片不得含有任何污染薄膜。這通常在硅的 KOH
2021-07-01 09:42:27
使用化學(xué)溶液去除材料。在 CMOS 制造中，濕法工藝用于清潔晶片和去除薄膜。濕法清潔過程在整個(gè)工藝流程中重復(fù)多次。一些清潔過程旨在去除微粒，而另一些則是去除有機(jī)和/或無機(jī)表面污染物。濕蝕刻劑可以是各向同性
2021-07-06 09:32:40
)、HF 等，已廣泛應(yīng)用于濕法清洗工藝，以去除硅片表面上的光刻膠、顆粒、輕質(zhì)有機(jī)物、金屬污染物和天然氧化物。然而，隨著硅電路和器件架構(gòu)的規(guī)模不斷縮?。ɡ鐝?VLSI 到 ULSI 技術(shù)），探索有效和可靠
2021-07-06 09:36:27
。這個(gè)蝕刻步驟可以產(chǎn)生光滑的晶體表面，并且可以通過改變第一步驟的方向、化學(xué)試劑和溫度來選擇特定的蝕刻平面。GaN晶體的濕化學(xué)蝕刻是一個(gè)非常重要的工藝。清洗效果的好壞極大地影響了芯片的特性。性能可靠、功能
2021-07-07 10:24:07
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：光刻前 GaAs 表面處理以改善濕化學(xué)蝕刻過程中的光刻膠附著力和改善濕蝕刻輪廓[/td][td]編號(hào)：JFSJ-21-0作者：炬豐科技網(wǎng)址：http
2021-07-06 09:39:22
和幫助了解污染源的過程中，使用了超過 120 個(gè)程序來獲取特定信息。這些程序涵蓋超純水、化學(xué)品、薄膜和晶片清潔度。此外，它們還用于評(píng)估反應(yīng)器、潔凈室和用于潔凈室、濕工作臺(tái)和反應(yīng)器的各種組件的清潔度。本文
2021-07-09 11:30:18
全自動(dòng)自清洗過濾器特點(diǎn)1） 過濾精度默認(rèn)為 100 微米，且從 100 至 3000 微米可選，過濾面積大，納污量高，用戶可根據(jù)實(shí)際工況定制。2）清洗方式簡(jiǎn)單，且清洗循環(huán)電子監(jiān)控，可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)清洗排污
2021-09-13 06:57:56
設(shè)備；硅片腐蝕臺(tái);濕臺(tái);全自動(dòng)RCA清洗設(shè)備;外延鐘罩清洗機(jī)（專利技術(shù)）；硅片電鍍臺(tái)；硅片清洗機(jī)；石英管清洗機(jī)；LED清洗腐蝕設(shè)備等。光伏太陽能：全自動(dòng)多晶硅塊料腐蝕設(shè)備；多晶硅硅芯硅棒腐蝕清洗
2011-04-13 13:23:10
脫落，通過循環(huán)將粘泥清洗出來?！ ≈醒肟照{(diào)清洗過程三：加入化學(xué)清洗劑、分散劑、將管道系統(tǒng)內(nèi)的浮銹、垢、油污清洗下來，分散排出，還原成清潔的金屬表面?！ ≈醒肟照{(diào)清洗過程四：投入預(yù)膜藥劑，在金屬表面形成
2010-12-21 16:22:40
使用等離子清洗技術(shù)清洗晶圓去除晶圓表面的有機(jī)污染物等雜質(zhì)，但是同時(shí)在等離子產(chǎn)生過程中電極會(huì)出現(xiàn)金屬離子析出，如果金屬離子附著在晶圓表面也會(huì)對(duì)晶圓造成損傷，如果在使用等離子清洗技術(shù)清洗晶圓如何規(guī)避電極產(chǎn)生的金屬離子？
2021-06-08 16:45:05
其中國市場(chǎng)的開發(fā)、推廣。公司自有產(chǎn)品包括半導(dǎo)體前段、后段、太陽能、平板顯示FPD、LED、MEMS應(yīng)用中的各種濕制程設(shè)備，例如硅片濕法清洗、蝕刻，硅芯硅棒濕法化學(xué)處理，液晶基板清洗，LED基片顯影脫膜等
2015-04-02 17:23:36
各位同仁好！我最近在芯片清洗上遇到一個(gè)問題，自己沒辦法解決，所以想請(qǐng)教下。一個(gè)剛從氮?dú)獍b袋拿出來的晶圓片經(jīng)過去離子水洗過后，在強(qiáng)光照射下或者顯微鏡下觀察，片子表面出現(xiàn)一些顆粒殘留，無論怎么洗都
2021-10-22 15:31:35
、無機(jī)化學(xué)品、有機(jī)化學(xué)品、有機(jī)溶劑、清洗劑、半導(dǎo)體、超純水、電子產(chǎn)品、平板玻璃、硅晶片、等產(chǎn)品進(jìn)行在線顆粒監(jiān)測(cè)和分析。產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)：在線優(yōu)勢(shì)：在線化學(xué)品液體微粒子計(jì)數(shù)器為生產(chǎn)
2022-12-14 11:37:02
敘述了凝汽器銅管化學(xué)清洗的優(yōu)點(diǎn)和在清洗過程中必須注意的幾個(gè)問題，并且用實(shí)例進(jìn)一步說明化學(xué)清洗還能夠有效防止凝汽器銅管的腐蝕。
2010-02-03 11:43:55
8 化學(xué)清洗必須使用濃縮的堿性化學(xué)藥品去除基板表面的油類、油脂和污物的微粒。使用濃度為80% -100% 的堿性化學(xué)藥品，在60 -70 'C之間的溫度范圍內(nèi)清洗基板，清洗時(shí)間是20 - 30min
2019-07-04 15:03:055581 
本發(fā)明的工藝一般涉及到半導(dǎo)體晶片的清洗。更確切地說，本發(fā)明涉及到可能存在于被研磨的單晶硅晶片的表面上的有機(jī)殘留物、金屬雜質(zhì)和其它特定的沾污物的清洗處理步驟的順序。 集成電路制造中所用的半導(dǎo)體晶片
2020-12-29 14:45:212673 濕法化學(xué)工藝廣泛用于晶體硅太陽能電池生產(chǎn)，主要用于表面紋理和清潔目的。盡管過去的研究主要集中在過程開發(fā)上，但是在過程控制技術(shù)方面幾乎沒有進(jìn)展。本文討論了當(dāng)前最先進(jìn)的濕化學(xué)生產(chǎn)工藝，并提出了工藝控制
2021-12-20 14:28:38755 半導(dǎo)體行業(yè)需要具有超成品表面和無損傷地下的硅晶片。因此，了解單晶硅在表面處理過程中的變形機(jī)制一直是研究重點(diǎn)。
2021-12-22 17:35:401531 
在化學(xué)機(jī)械拋光原位清洗模塊中，而不是在后原位濕法清洗過程中。因此，化學(xué)機(jī)械拋光后的原位清洗優(yōu)化和清洗效率的提高在化學(xué)機(jī)械拋光后的缺陷控制中起著舉足輕重的作用。化學(xué)機(jī)械拋光原位清潔模塊通常由兆頻超聲波和刷式洗滌器工
2022-01-11 16:31:391147 
引言 濕化學(xué)蝕刻是制造硅太陽能電池的關(guān)鍵工藝步驟。為了蝕刻單晶硅，氫氧化鉀溶液被廣泛使用，因?yàn)樗鼈兛梢孕纬删哂须S機(jī)金字塔的表面紋理，從而增強(qiáng)單晶硅晶片的光吸收。對(duì)于多晶硅晶片，表面紋理化通常通過在含
2022-01-13 14:47:191346 
它們已經(jīng)成為當(dāng)今晶片清潔應(yīng)用的主要工具之一。 本文重點(diǎn)研究了納米顆粒刷洗滌器清洗過程中的顆粒去除機(jī)理并研究了從氮化物基質(zhì)中去除平均尺寸為34nm的透明二氧化硅顆粒的方法。在洗滌器清洗后，檢查晶片上顆粒徑向表面濃度
2022-01-18 15:55:30984 
和基本步驟。 清洗過程是在不改變或損壞晶圓表面或基片的情況下去除化學(xué)物質(zhì)和顆粒雜質(zhì)。 介紹 半導(dǎo)體是一種固體物質(zhì)，其導(dǎo)電性介于絕緣體和導(dǎo)體之間。 半導(dǎo)體材料的定義性質(zhì)是，它可以摻雜雜質(zhì)，以可控的方式改變其電子性質(zhì)。
2022-01-18 16:08:131729 
關(guān)鍵詞:銅化學(xué)機(jī)械拋光后清洗，聚乙烯醇刷，非接觸模式，流體動(dòng)力阻力。 介紹 聚乙烯醇刷洗是化學(xué)溶液清洗過程中常用的方法。聚乙烯醇刷擦洗可分為兩大類，根據(jù)其接觸類型(非接觸，完全接觸)。全接觸擦洗被
2022-01-26 16:40:361041 
本文討論了稀氫氟酸清洗過程中顆粒沉積在硅片表面的機(jī)理。使用原子力顯微鏡的直接表面力測(cè)量表明，硅表面上的顆粒再沉積是由于顆粒和晶片表面之間的主要相互作用。表面活性劑的加入可以通過改變顆粒和晶片之間
2022-02-11 14:44:272968 
研究了在半導(dǎo)體制造過程中使用的酸和堿溶液從硅片表面去除粒子。 結(jié)果表明，堿性溶液的顆粒去除效率優(yōu)于酸性溶液。 在堿性溶液中，顆粒去除的機(jī)理已被證實(shí)如下:溶液腐蝕晶圓表面以剝離顆粒，然后顆粒被電排斥到晶圓表面。 實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，需要0.25 nm /min以上的刻蝕速率才能使吸附在晶圓表面的顆粒脫落。
2022-02-17 16:24:273169 
清洗都是開發(fā)半導(dǎo)體電子器件的首要和基本步驟。清洗過程是在不改變或損壞晶圓表面或基片的情況下去除化學(xué)物質(zhì)和顆粒雜質(zhì)。 介紹 半導(dǎo)體是一種固體物質(zhì)，其導(dǎo)電性介于絕緣體和導(dǎo)體之間。半導(dǎo)體材料的定義性質(zhì)是，它可以摻雜
2022-02-23 17:44:202533 摘要 硅晶片制造涉及許多濕法工藝，其中液體分布在整個(gè)晶片表面。在單晶片工具中，流體分配是至關(guān)重要的，它決定了清潔過程的均勻性。研究了沖洗流中的流體動(dòng)力學(xué)和化學(xué)傳輸，結(jié)果表明在沖洗時(shí)間的一般分析中必須
2022-03-01 14:38:07814 
泵（非脈動(dòng)流）中，晶圓清洗過程中添加到晶圓上的顆粒數(shù)量遠(yuǎn)少于兩個(gè)隔膜泵（脈動(dòng)流）。 介紹 粒子產(chǎn)生的來源大致可分為四類：環(huán)境、人員、材料和設(shè)備/工藝。晶圓表面污染的比例因工藝類型和生產(chǎn)線級(jí)別而異。在無塵室中，顆粒污
2022-03-02 13:56:461212 
摘要 本文介紹了半導(dǎo)體晶片加工中為顆粒去除(清洗)工藝評(píng)估而制備的受污染測(cè)試晶片老化的實(shí)驗(yàn)研究。比較了兩種晶片制備技術(shù):一種是傳統(tǒng)的濕法技術(shù)，其中裸露的硅晶片浸泡在充滿顆粒的溶液中，然后干燥；另一種
2022-03-04 15:03:503354 
本文通過繪制少數(shù)載流子擴(kuò)散長度、體中鐵濃度和表面污染（表面電荷和表面重組），介紹了表面光電電壓(SPV)在監(jiān)測(cè)化學(xué)清洗和化學(xué)品純度方面的應(yīng)用。新的SPV方法和精密儀器的非接觸性、晶片級(jí)的特性使該技術(shù)
2022-03-09 14:38:221283 
異丙醇(IPA)的解吸和晶片中的水分。結(jié)果表明，在這些實(shí)驗(yàn)條件下，定性和定量的微量雜質(zhì)小至單分子吸附層的1/10。結(jié)果證實(shí)，濕化學(xué)過程和干燥方法對(duì)晶片表面條件的影響。
2022-03-10 16:17:531451 
近十年來，濕化學(xué)法制備超薄二氧化硅/硅和超薄二氧化硅/硅結(jié)構(gòu)的技術(shù)和研究取得了迅速發(fā)展。這種結(jié)構(gòu)最重要是與大尺寸硅晶片上氧化物層的均勻生長有關(guān)。
2022-03-11 13:57:221375 
在半導(dǎo)體器件的制造過程中，兆聲波已經(jīng)被廣泛用于從硅晶片上去除污染物顆粒。在這個(gè)過程中，平面硅片被浸入水基溶液中，并受到頻率在600千赫-1兆赫范圍內(nèi)的聲能束的作用。聲波通常沿著平行于晶片/流體界面
2022-03-15 11:28:22983 
殘留物由不同量的聚乙二醇或礦物油(切削液)、鐵和銅的氧化物、碳化硅和研磨硅，這些殘留物可以通過鋸切過程中產(chǎn)生的摩擦熱燒到晶片表面，為了去除這些殘留物，需要選擇正確的化學(xué)物質(zhì)來補(bǔ)充所使用的設(shè)備。 在晶片清洗并給予
2022-03-15 16:25:37882 
本文介紹了新興的全化學(xué)晶片清洗技術(shù)，研究它們提供更低的水和化學(xué)消耗的能力，提供了每種技術(shù)的工藝應(yīng)用、清潔機(jī)制、工藝效益和考慮因素、環(huán)境、安全和健康(ESH)效益和考慮因素、技術(shù)狀態(tài)和供應(yīng)商信息的可用信息。
2022-03-16 15:24:57943 
實(shí)驗(yàn)研究了預(yù)清洗對(duì)KOH/IPA溶液中單晶硅表面紋理化的影響。如果沒有適當(dāng)?shù)念A(yù)清洗，表面污染會(huì)形成比未污染區(qū)域尺寸小的金字塔，導(dǎo)致晶片表面紋理特征不均勻，晶片表面反射率不均勻。根據(jù)供應(yīng)商的不同，晶片的表面質(zhì)量和污染水平可能會(huì)有所不同，預(yù)清洗條件可能需要定制，以達(dá)到一致和期望的紋理化結(jié)果。
2022-03-17 15:23:08999 本研究的目的是為高效半導(dǎo)體器件的制造提出高效的晶圓清洗方法，主要特點(diǎn)是清洗過程是在室溫和標(biāo)準(zhǔn)壓力下進(jìn)行的，沒有特殊情況。盡管該方法與實(shí)際制造工藝相比，半導(dǎo)體公司的效率相對(duì)較低，但本研究可以提出在室溫
2022-03-21 15:33:52795 
本研究為了將硅晶片中設(shè)備激活區(qū)的金屬雜質(zhì)分析為ICP-MS或GE\AS，利用HF和HNQ混酸對(duì)硅晶片進(jìn)行不同厚度的重復(fù)蝕刻，在晶片內(nèi)表面附近，研究了定量分析特定區(qū)域中金屬雜質(zhì)的方法。
2022-03-21 16:15:07739 
在半導(dǎo)體制造過程中的每個(gè)過程之前和之后執(zhí)行的清潔過程是最重要的過程之一，約占總過程的30%，基于RCA清洗的濕式清洗工藝對(duì)于有效地沖洗清洗化學(xué)物質(zhì)以使它們不會(huì)在學(xué)位處理后殘留在晶片表面上，以及諸如
2022-03-22 13:30:211770 。半導(dǎo)體清洗過程主要使用化學(xué)溶劑和超純水(deionized water)的濕清洗房間法以及等離子體、高壓氣溶膠(aerosol)和激光。在本文中，我將了解半導(dǎo)體設(shè)備制造過程變遷中晶片清洗過程的重要性和熱點(diǎn)問題，概述目前半導(dǎo)體設(shè)備制造企業(yè)使用的清洗技術(shù)和新一代清洗技術(shù)，并對(duì)每種方法進(jìn)行比較考察。
2022-03-22 14:13:165487 
，測(cè)量了漆器和表面形狀，并根據(jù)清潔情況測(cè)量了科隆表面特性。 本實(shí)驗(yàn)使用半導(dǎo)體用高純度化學(xué)溶液和DI 晶片，電阻率為22~38 ohm~ cm，使用了具有正向的4 inches硅基底，除裸晶圓外，所有晶片均采用piranha+HF清洗進(jìn)行前處理，清楚地知道紗線過程
2022-03-24 17:10:272794 
本文章將對(duì)表面組織工藝優(yōu)化進(jìn)行研究，多晶硅晶片表面組織化工藝主要分為干法和濕法，其中利用酸或堿性溶液的濕法蝕刻工藝在時(shí)間和成本上都比較優(yōu)秀，主要適用于太陽能電池量產(chǎn)工藝。本研究在多晶晶片表面組織化
2022-03-25 16:33:491013 
在許多半導(dǎo)體器件的制造中，硅是最有趣和最有用的半導(dǎo)體材料。 在半導(dǎo)體器件制造中，各種加工步驟可分為四大類，即沉積、去除、圖形化和電性能的修改。 在每一步中，晶片清洗都是開發(fā)半導(dǎo)體電子器件的首要和基本步驟。 清洗過程是在不改變或損壞晶圓表面或基片的情況下去除化學(xué)物質(zhì)和顆粒雜質(zhì)。
2022-04-01 14:25:334122 
在超大規(guī)模集成(ULSI)制造的真實(shí)生產(chǎn)線中，器件加工過程中存在各種污染物。由于超大規(guī)模集成電路器件工藝需要非常干凈的表面，因此必須通過清潔技術(shù)去除污染物，例如使用批量浸漬工具進(jìn)行濕法清潔批量旋轉(zhuǎn)
2022-04-08 14:48:321076 
引言 硅晶圓作為硅半導(dǎo)體制造的基礎(chǔ)材料，是極其重要的，將作為鑄錠成長的硅單晶加工成晶圓階段的切斷、研磨、研磨中，晶圓表面會(huì)產(chǎn)生加工變質(zhì)層。為了去除該加工變質(zhì)層，進(jìn)行化學(xué)蝕刻，在硅晶片的制造工序中，使
2022-04-08 17:02:102777 
用氟化氫-氯化氫-氯氣混合物進(jìn)行各向異性酸性蝕刻是一種有效的方法 單晶硅晶片紋理化的替代方法 在晶片表面形成倒金字塔結(jié)構(gòu)[1，2]形貌取決于以下成分 蝕刻混合物[3]硅在HF-HCl[1]Cl2
2022-04-12 14:10:22717 
硅晶片的蝕刻預(yù)處理方法包括:對(duì)角度聚合的硅晶片進(jìn)行最終聚合處理，對(duì)上述最終聚合的硅晶片進(jìn)行超聲波清洗后用去離子水沖洗，對(duì)上述清洗和沖洗的硅晶片進(jìn)行SC-1清洗后用去離子水沖洗，對(duì)上述清洗和沖洗的硅晶片進(jìn)行佛山清洗后用去離子水沖洗的步驟，對(duì)所有種類的硅晶片進(jìn)行蝕刻預(yù)處理，特別是P(111)。
2022-04-13 13:35:461415 
，重要的是有效地沖洗，防止清潔化學(xué)液在道工序后在晶片表面殘留，以及防止水斑點(diǎn)等污染物再次污染。因此，最近在濕清洗過程中，正在努力減少化學(xué)液和超純水的量，回收利用，開發(fā)新的清洗過程，在干燥過程中，使用超純水和IPA分離層的
2022-04-13 16:47:472260 
硅異質(zhì)結(jié)(SHJ)太陽能電池結(jié)合了高轉(zhuǎn)換效率、低熱預(yù)算、短工藝流程、良好的低光性能和較低溫度系數(shù)帶來的更好的年產(chǎn)量的優(yōu)點(diǎn)。為了制造硅異質(zhì)結(jié)(SHJ)太陽能電池，氫化非晶硅層沉積在織構(gòu)化的碳硅晶片
2022-04-14 13:59:311412 
本發(fā)明公開了一種用濕式均勻清洗半導(dǎo)體晶片的方法,所公開的本發(fā)明的特點(diǎn)是:具備半導(dǎo)體晶片和含有預(yù)定清潔液的清潔組、對(duì)齊上述半導(dǎo)體晶片的平坦區(qū)域，使其不與上述清潔組的入口相對(duì)、將上述對(duì)齊的半導(dǎo)體晶片浸入
2022-04-14 15:13:571071 的機(jī)械旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)和供給的藥液流動(dòng)，附著在表面的納米粒子從晶圓上脫離[3]。在清洗過程中，觀察表面上的拋光納米粒子的清洗現(xiàn)象。 闡明機(jī)制， 對(duì)于更有效的納米粒子清洗是必不可少的。
2022-04-15 10:53:511077 
半導(dǎo)體器件的高集成化，硅晶圓表面的高清潔度化成為極其重要的課題。在本文中，關(guān)于硅晶圓表面的金屬及粒子的附著行為，對(duì)電化學(xué)的、膠體化學(xué)的解析結(jié)果進(jìn)行解說，并對(duì)近年來提出的清洗方法進(jìn)行介紹。
2022-04-18 16:33:591509 
重要性也很高。另外，濕處理后，為了除去附著在表面的水，必須進(jìn)行干燥過程。清洗過程的最后工序是用除去雜質(zhì)到極限的超純水進(jìn)行硅晶圓的水洗處理，其次必須有完全除去附著在晶圓上的超純水的干燥技術(shù)。
2022-04-19 11:21:493328 
在半導(dǎo)體器件的制造過程中，由于需要去除被稱為硅晶片的硅襯底上納米級(jí)的異物（顆粒），1/3的制造過程被稱為清洗過程。在半導(dǎo)體器件中，通常進(jìn)行RCA清潔，其中半導(dǎo)體器件以一批25個(gè)環(huán)（盒）為單位，依次
2022-04-20 16:10:294370 
本文介紹了新型的全化學(xué)晶片清洗技術(shù)，研究它們是否可以提供更低的水和化學(xué)消耗的能力，能否提供每種技術(shù)的工藝應(yīng)用、清潔機(jī)制、工藝效益以及考慮因素、環(huán)境、安全、健康(ESH)效益、技術(shù)狀態(tài)和供應(yīng)商信息的可用信息。
2022-04-21 12:28:40782 
為了將硅晶片中設(shè)備激活區(qū)的金屬雜質(zhì)分析為ICP-MS或GE\AS，利用HF和HNQ混酸對(duì)硅晶片進(jìn)行不同厚度的重復(fù)蝕刻，在晶片內(nèi)表面附近，研究了定量分析特定區(qū)域中消除金屬雜質(zhì)的方法。
2022-04-24 14:59:231124 
介紹 聚乙烯醇刷洗是化學(xué)溶液清洗過程中常用的方法。聚乙烯醇刷擦洗可分為兩大類，根據(jù)其接觸類型(非接觸，完全接觸)。全接觸擦洗被認(rèn)為是去除晶片表面污染物的最佳有效清潔方法之一。然而，許多研究人員指責(zé)
2022-04-27 16:56:282133 
拋光的硅片是通過各種機(jī)械和化學(xué)工藝制備的。首先，通過切片將單晶硅錠切成圓盤(晶片)，然后進(jìn)行稱為研磨的平整過程，該過程包括使用研磨漿擦洗晶片。 在先前的成形過程中引起的機(jī)械損傷通過蝕刻是本文的重點(diǎn)。在準(zhǔn)備用于器件制造之前，蝕刻之后是各種單元操作，例如拋光和清潔。
2022-04-28 16:32:371285 
金屬涂層，如銅膜，可以很容易地沉積在半導(dǎo)體材料上，如硅晶片，而無需使無電鍍工藝進(jìn)行預(yù)先的表面預(yù)處理。然而，銅膜的粘附性可能非常弱，并且容易剝離。在本研究中，研究了在氫氟酸溶液中蝕刻作為硅晶片化學(xué)鍍前
2022-04-29 15:09:061103 
摘要 本文展示了一種通過兩步濕化學(xué)表面清洗來結(jié)合硅和石英玻璃晶片的簡(jiǎn)易結(jié)合工藝。在200℃后退火后，獲得沒有缺陷或微裂紋的強(qiáng)結(jié)合界面。在詳細(xì)的表面和結(jié)合界面表征的基礎(chǔ)上，對(duì)結(jié)合機(jī)理進(jìn)行了探索和討論
2022-05-07 15:49:062029 
本文闡述了金屬雜質(zhì)和顆粒雜質(zhì)在硅片表面的粘附機(jī)理，并提出了一些清洗方法。
2022-05-11 16:10:274 (UPW)的6()%。一個(gè)工廠一年就可以使用數(shù)十億加侖的水。大量的水是重要的制造費(fèi)用。此外，在一些地方，用水是一個(gè)環(huán)境問題。然而，隨著芯片復(fù)雜性和晶片尺寸的增加，UPW的使用可能會(huì)顯著增加。因此，有強(qiáng)烈的動(dòng)機(jī)來提高漂洗過程的效率。 這
2022-06-06 17:24:461876 
表面和亞微米深溝槽的清洗在半導(dǎo)體制造中是一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)。在這項(xiàng)工作中，使用物理數(shù)值模擬研究了使用脈動(dòng)流清洗毯式和圖案化晶片。毯式晶片清洗工藝的初步結(jié)果與文獻(xiàn)中的數(shù)值和實(shí)驗(yàn)結(jié)果吻合良好。毯式和圖案化晶片的初步結(jié)果表明，振蕩流清洗比穩(wěn)定流清洗更有效，并且振蕩流的最佳頻率是溝槽尺寸的函數(shù)。
2022-06-07 15:51:37737 
解過程的基本原理。本文提出了一個(gè)數(shù)學(xué)模型，它使用了基本的物理機(jī)制并提供了一個(gè)綜合的過程模擬器。該模型包括流體流動(dòng)，靜電效應(yīng)，以及整體和表面的相互作用。該模擬器被應(yīng)用于研究具有鉿基高k微米和納米結(jié)構(gòu)的圖案化晶片的清洗
2022-06-08 17:28:501461 
(organic residues)、轉(zhuǎn)移金屬和堿金屬。為此，目前再半導(dǎo)體制造過程中使用的方式可以分為干式和濕式工藝，濕式工藝與干式相比，污染物去除率顯著提高，自20世紀(jì)70年代由美國RCA Lab的Kern "開發(fā)以來，基本組成藥品沒有變化，至今廣泛用于
2022-06-21 15:40:553494 
用半導(dǎo)體制造中的清洗過程中使用的酸和堿溶液研究了硅片表面的顆粒去除。
2022-07-05 17:20:172988 
的實(shí)驗(yàn)和理論分析來建立晶片表面清潔技術(shù)。本文解釋了金屬和顆粒雜質(zhì)在硅片表面的粘附機(jī)理，并提出了一些清洗方法。 介紹 LSI(大規(guī)模集成電路)集成密度的增加對(duì)硅片質(zhì)量提出了更高的要求。更高質(zhì)量的晶片意味著晶體精度、成形質(zhì)量和
2022-07-11 15:55:451911 
本文綜述了工程師們使用的典型的濕化學(xué)配方。盡可能多的來源已經(jīng)被用來提供一個(gè)蝕刻劑和過程的簡(jiǎn)明清單
2023-03-17 16:46:233343 
拋光硅晶片是通過各種機(jī)械和化學(xué)工藝制備的。首先，硅單晶錠被切成圓盤（晶片），然后是一個(gè)稱為拍打的扁平過程，包括使用磨料清洗晶片。通過蝕刻消除了以往成形過程中引起的機(jī)械損傷，蝕刻之后是各種單元操作，如拋光和清洗之前，它已經(jīng)準(zhǔn)備好為設(shè)備制造。
2023-05-16 10:03:001595 
在半導(dǎo)體和太陽能電池制造過程中，清洗晶圓的技術(shù)的提升是為了制造高質(zhì)量產(chǎn)品。目前已經(jīng)有多種濕法清洗晶圓的技術(shù)，如離子水清洗、超聲波清洗、低壓等離子和機(jī)械方法。由于濕法工藝一般需要使用含有有害化學(xué)物質(zhì)的酸和堿溶液，會(huì)產(chǎn)生大量廢水，因此存在廢物處理成本和環(huán)境監(jiān)管等問題。
2023-06-02 13:33:212934 
半導(dǎo)體制造業(yè)依賴復(fù)雜而精確的工藝來制造我們需要的電子元件。其中一個(gè)過程是晶圓清洗，這個(gè)是去除硅晶圓表面不需要的顆?；驓埩粑锏?b class="flag-6" style="color: red">過程，否則可能會(huì)損害產(chǎn)品質(zhì)量或可靠性。RCA清洗技術(shù)能有效去除硅晶圓表面的有機(jī)和無機(jī)污染物，是一項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)的晶圓清洗工藝。
2023-12-07 13:19:141630 和電子設(shè)備中存在的集成電路的工藝。在半導(dǎo)體器件制造中，各種處理步驟分為四大類，例如沉積、去除、圖案化和電特性的改變。 最后，通過在半導(dǎo)體材料中摻雜雜質(zhì)來改變電特性。晶片清洗過程的目的是在不改變或損壞晶片表面或襯
2024-04-08 15:32:353018 
在電子制造領(lǐng)域，PCB板（Printed Circuit Board，即印制電路板）作為電子設(shè)備的基礎(chǔ)組件，其質(zhì)量和性能直接影響著整個(gè)產(chǎn)品的穩(wěn)定性和壽命。而PCB板的清洗過程，則是確保產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一。本文將深入探討PCB板的清洗過程及其作用，揭示那些決定產(chǎn)品質(zhì)量的細(xì)節(jié)。
2024-09-25 14:25:172577 
引言
碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，因其出色的物理和化學(xué)性質(zhì)，在電力電子、微波器件、高溫傳感器等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。然而，在SiC晶片的制備和加工過程中，表面金屬殘留成為了一個(gè)
2025-02-06 14:14:59395 
，貼膜后的清洗過程同樣至關(guān)重要，它直接影響到外延晶片的最終質(zhì)量和性能。本文將詳細(xì)介紹碳化硅外延晶片硅面貼膜后的清洗方法，包括其重要性、常用清洗步驟、所用化學(xué)試劑及
2025-02-07 09:55:37317 晶圓浸泡式清洗方法是半導(dǎo)體制造過程中的一種重要清洗技術(shù)，它旨在通過將晶圓浸泡在特定的化學(xué)溶液中，去除晶圓表面的雜質(zhì)、顆粒和污染物，以確保晶圓的清潔度和后續(xù)加工的質(zhì)量。以下是對(duì)晶圓浸泡式清洗方法的詳細(xì)
2025-04-14 15:18:54766 晶圓表面清洗過程中產(chǎn)生靜電力的原因主要與材料特性、工藝環(huán)境和設(shè)備操作等因素相關(guān)，以下是系統(tǒng)性分析： 1. 靜電力產(chǎn)生的核心機(jī)制 摩擦起電（Triboelectric Effect） 接觸分離：晶圓
2025-05-28 13:38:40743 超聲波清洗機(jī)如何在清洗過程中減少廢液和對(duì)環(huán)境的影響隨著環(huán)保意識(shí)的增強(qiáng)，清洗過程中的廢液處理和環(huán)境保護(hù)變得越來越重要。超聲波清洗機(jī)作為一種高效的清洗技術(shù)，也在不斷發(fā)展以減少廢液生成和對(duì)環(huán)境的影響。本文
2025-06-16 17:01:21570 
在濕法清洗過程中，防止污染物再沉積是確保清洗效果和產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵。以下是系統(tǒng)化的防控策略及具體實(shí)施方法：一、流體動(dòng)力學(xué)優(yōu)化設(shè)計(jì)1.層流場(chǎng)構(gòu)建技術(shù)采用低湍流度的層流噴淋系統(tǒng)（雷諾數(shù)Re9），同時(shí)向溶液
2025-08-05 11:47:20694 
硅片酸洗過程的化學(xué)原理主要基于酸與硅片表面雜質(zhì)之間的化學(xué)反應(yīng)，通過特定的酸性溶液溶解或絡(luò)合去除污染物。以下是其核心機(jī)制及典型反應(yīng)：氫氟酸（HF）對(duì)氧化層的腐蝕作用反應(yīng)機(jī)理：HF是唯一能高效蝕刻
2025-10-21 14:39:28438 
全自動(dòng)濕式超聲波清洗機(jī)的工作原理主要基于超聲波在液體中產(chǎn)生的空化效應(yīng)、直進(jìn)流作用和加速度作用，結(jié)合化學(xué)清洗劑的溶解作用，實(shí)現(xiàn)高效、精密的清洗過程。以下是其核心機(jī)制的分步解析： 1. 高頻信號(hào)轉(zhuǎn)換
2025-11-19 11:52:52169
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