摘要

該公司提供了一種用于清洗半導(dǎo)體晶片的方法和設(shè)備 100，該方法和方法包括通過從裝載端口 110 中的盒中取出兩個(gè)或多個(gè)晶片來填充化學(xué)溶液的第一罐將晶片放入。將晶片放入裝滿液體的第一槽(137)和第二槽(138)中；晶片在第二槽(138)中處理后，將晶片從第二槽(138)中取出，文章全部詳情：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁使晶片保持濕潤狀態(tài)。在將晶片之一轉(zhuǎn)移到單個(gè)晶片清潔模塊150中的夾盤上的同時(shí)旋轉(zhuǎn)夾盤，同時(shí)將化學(xué)溶液施加到晶片上；將去離子水涂在晶片上；干燥晶片；將晶圓從單晶圓清洗模塊中取出，然后將晶圓放回裝載端口的卡匣中。

操作順序

從裝載口的卡匣中取出至少兩片晶圓，將晶圓轉(zhuǎn)入第一翻轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，將晶圓放入盛有化學(xué)溶液的第一槽中；晶圓在第一槽中處理完畢后，將晶圓從第一槽中取出，以保持晶圓處于濕潤狀態(tài)。將晶片放入裝滿液體的第二個(gè)槽中；晶圓在第二槽中處理完畢后，將晶圓從第二槽中取出，以保持晶圓濕潤；將晶片變成第二翻轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，并將其中一個(gè)晶片放置在單個(gè)晶片清潔模塊中的卡盤上；在將化學(xué)溶液施加到晶片上的同時(shí)旋轉(zhuǎn)卡盤；將去離子水涂在晶片上；干燥晶片；和將晶圓從單個(gè)晶圓清洗模塊中取出，然后將晶圓放回裝載端口的卡匣中。

技術(shù)領(lǐng)域

清洗 半導(dǎo)體晶片的方法和裝置技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及制造集成電路領(lǐng)域，尤其涉及一種清洗半導(dǎo)體晶片的方法和裝置。

背景

在集成電路制造過程中，需要對(duì)晶圓進(jìn)行清洗，以去除殘留的光刻膠、干蝕刻過程中產(chǎn)生的有機(jī)物以及高質(zhì)量集成電路制造過程中粘附在晶圓表面的薄膜材料，經(jīng)過高質(zhì)量的干蝕刻工藝后，清洗晶圓的主要化學(xué)溶液是，例如 H2SO4 ，它包含SPM、SC1和BOE，它們是H2O2的混合物，這里SPM的溫度高達(dá)90°C或更高，SPM是殘留的光刻膠。用于去除灰塵和有機(jī)物，一般工業(yè)上清洗晶圓的方法有兩種，一種是批量清洗，一種是單片清洗，as, as, for, one, one for one, one用于清洗，一種用于清洗，一種用于單片。

發(fā)明內(nèi)容

因此，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種清潔半導(dǎo)體晶片的方法，該方法包括以下步驟：從裝載口中的盒中取出兩個(gè)或多個(gè)晶片，并將這些晶片放入充滿化學(xué)藥品的第一罐中。解決方案；晶圓在第一個(gè)槽中處理后，晶圓進(jìn)行除霜處理，維持狀態(tài)；將晶片放入裝滿液體的第二個(gè)槽中；晶圓在第二槽中處理完畢后，將晶圓從第二槽中取出，以保持晶圓濕潤；將其中一個(gè)晶片放置在單個(gè)晶片清潔模塊中的卡盤上；在將化學(xué)溶液施加到晶片上的同時(shí)旋轉(zhuǎn)卡盤；將去離子水涂在晶片上；干燥晶片；將晶圓從單晶圓清洗模塊中取出，然后將晶圓放回裝載端口的卡匣中。

發(fā)明的效果

如上所述，本發(fā)明將批量清洗和單片清洗相結(jié)合，發(fā)揮了批量清洗和單片清洗的優(yōu)點(diǎn)。采用本發(fā)明的方法和裝置，對(duì)晶片進(jìn)行干蝕刻處理后的有機(jī)物，可以有效去除顆粒和薄膜材料。可以通過批量清洗進(jìn)行高溫工藝去除有機(jī)物，因?yàn)楦邷鼗瘜W(xué)溶液可以在批量清洗過程中重復(fù)使用和回收，并且在批量清洗過程中產(chǎn)生。因?yàn)樗峥梢院芎玫乜刂旗F氣 單晶片清洗去除顆粒和薄膜材料 由于在進(jìn)行單晶片清洗和干燥過程之前晶片始終保持濕潤，因此從單個(gè)晶片上去除晶片上的污染物。很容易通過晶圓清洗去除。

上圖示出了用于清潔本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片的本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片的清潔裝置200、多個(gè)裝載端口210、第一機(jī)械手220、兩批清潔它具有設(shè)備230、第三機(jī)械手240和數(shù)個(gè)單晶片清洗模塊250。與裝置100相比，不同之處在于裝置200的兩端分別設(shè)置了兩批清洗。重點(diǎn)是裝置200具有裝置230。裝置200可以提高清洗效率。

審核編輯：符乾江