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256Kb串行靜態(tài)隨機存取存儲器EMI7256概述及特征

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單片機RAM和ROM有什么區(qū)別?

隨機存取存儲器(RAM)用于實時存儲CPU正在使用的程序和數(shù)據(jù)。隨機存取存儲器上的數(shù)據(jù)可以被多次讀取、寫入和擦除。RAM是存儲當前使用的數(shù)據(jù)的硬件元素。它是一種易失性存儲器。
2023-07-06 14:22:271949

回顧易失性存儲器發(fā)展史

,非易失性存儲器在計算機關閉后存儲數(shù)據(jù)仍保留在計算機中。易失性存儲器的主要特征是它們需要電源來維持其存儲狀態(tài)。主要分為兩種類型:靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)和動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)。 1963年,F(xiàn)airchild發(fā)明了SRAM。作為即1959年I
2023-06-28 09:05:28874

半導體存儲器簡介

靜態(tài)隨機存儲器(SRAM: Static Random Access Memory) 和動態(tài)隨機存儲器DRAM(Dynamic Random Access Memory)。
2023-06-25 14:30:181959

鐵電存儲器PB85RS2MC在MCU中的應用

鐵電存儲器(FRAM)的核心技術是鐵電晶體材料,這種特殊材料使鐵電存儲器同時擁有隨機存取記憶體(RAM)和非易失性存儲器的特性,芯片能在常溫、沒有電場的情況下,數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達100年以上
2023-06-20 14:19:25391

中微BAT32G139智能家居系列MCU

應用領域: 256KB Flash,可編程增益放大器,比較,CAN2.0B,DAC,RTC,硬件乘除法器。廣泛適用于智慧交通、智慧城市,綠色能源及智能家居等,如智能門鎖、無線監(jiān)控設備、BMS電池
2023-06-16 10:58:23

【產(chǎn)品推薦】 雅特力F425系列超值型ARM?Cortex?-M4微控制,高達96MHz的CPU運算速度與DSP, 64KB(Flash)及20KB(SRAM)

隨機存取存儲器(SRAM),而系統(tǒng)存儲器(4KB)除可作啟動加載程序(Bootloader)外,也可一次性配置成一 般用戶程序和數(shù)據(jù)區(qū),達到64+4KB的最大空間使用。片上還集成1個OTG控制(設備模式支持
2023-06-08 16:10:08

國芯思辰 |國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC可在多MCU系統(tǒng)中的應用

鐵電存儲器(FRAM)的核心技術是鐵電晶體材料,這種特殊材料使鐵電存儲器同時擁有隨機存取記憶體(RAM)和非易失性存儲器的特性,芯片能在常溫、沒有電場的情況下,數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達100年以上,鐵電
2023-06-08 09:52:17

RAM/ROM存儲器的設計

隨機存儲器可以隨時從任何一個指定地址中讀出數(shù)據(jù),也可以隨時將數(shù)據(jù)寫入任何一個指定的存儲單元中
2023-06-05 15:49:47785

鐵電存儲器PB85RS2MC在RFID中的應用

作為一種非易失性存儲器,鐵電存儲器兼具動態(tài)隨機存取存儲器DRAM的高速度與可擦除存儲器EEPROM非易失性優(yōu)點,雖然容量和密度限制了其大規(guī)模應用,但在要求高安全性與高可靠性等工業(yè)應用場合,鐵電存儲器以幾乎無限的讀寫次數(shù)、超低及高抗干擾能力得到用戶的青睞。
2023-06-01 10:57:52134

CY7C10612DV33-10ZSXI

16-MBIT(1M X 16)靜態(tài)隨機存儲器
2023-06-01 09:18:00

隨機存取存儲器的誕生

無論是在網(wǎng)飛上看電影、玩電子游戲,還是單純地瀏覽數(shù)碼照片,你的電腦都會定期進入內(nèi)存獲取指令。沒有隨機存取存儲器(RAM),今天的計算機甚至無法啟動。
2023-05-30 15:19:55317

SOC設計之外部存儲器

存儲器的主要技術指標 * **存儲容量** 存儲器可以容納的二進制信息量(尋址空間,由CPU的地址線決定) * **實際存儲容量:** 在計算機系統(tǒng)中具體配置了多少內(nèi)存。 * **存取速度:** 存取時間是指從啟動一次存儲器操作到完成該操作所經(jīng)歷的時間,也稱為讀寫周期;
2023-05-26 11:28:10823

DDR5/4/3/2:每一代 DDR 如何提高內(nèi)存密度和速度

SDRAM是動態(tài)隨機存取存儲器,與CPU的時鐘速度同步。SDRAM也代表SDR SDRAM(單數(shù)據(jù)速率SDRAM)。單數(shù)據(jù)速率意味著SDR SDRAM在一個時鐘周期內(nèi)只能讀/寫一拍數(shù)據(jù)。在傳輸下一個讀/寫操作之前,需要等待命令完成。SDR 速度從 66 MHz 到 133 MHz 不等。
2023-05-26 10:43:371535

單板硬件設計:存儲器( NAND FLASH)

,并把電容放電,藉此來保持數(shù)據(jù)的連續(xù)性。 SRAM: SRAM利用寄存存儲信息,所以一旦掉電,資料就會全部丟失,只要供電,它的資料就會一直存在,不需要動態(tài)刷新,所以叫靜態(tài)隨機存儲器。 3.產(chǎn)品應用
2023-05-19 15:59:37

存儲介質(zhì)的類型有哪些?

Flash的容量往往較小。NOR設備在每次寫操作時都必須以塊的方式寫入數(shù)據(jù)。并行NOR閃存利用靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)快速訪問芯片的可尋址區(qū)域,實現(xiàn)了存儲字節(jié)的快速訪問。與NAND Flash相比
2023-05-18 14:13:37

內(nèi)存和硬盤的區(qū)別與作用

在定義方面它們有本質(zhì)的區(qū)別,硬盤屬于“ 非易失性存儲器”,而內(nèi)存是“隨機存取存儲器”,屬于“易失性存儲設備“。
2023-05-17 15:40:191542

BL24C256A-SFRC 256Kbit EEPROM存儲器IC BL24C256A

描述? BL24C256A提供262144位串行電可擦除和可編程只讀存儲器(EEPROM),組織為32768字,每個8位。? 該設備被優(yōu)化用于許多工業(yè)和商業(yè)應用,其中低功率和低壓操作是必不可少
2023-05-17 10:19:18

國產(chǎn)512kbit串行SRAM----SCLPSRAC1

EMI Serial SRAM是為串行接口的SRAM,外擴SRAM可以通過使用SPI的接口來將外部RAM添加到幾乎所有應用中。串行訪問的靜態(tài)隨機存取存儲器采用先進的CMOS技術進行設計和制造,以提供高速性能和低功耗。
2023-04-27 17:37:44615

FPGA雙端口RAM的使用簡述

RAM :隨機存取存儲器(random access memory,RAM)又稱作“隨機存儲器”。
2023-04-25 15:58:205062

一文了解新型存儲器MRAM

MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動態(tài)隨機存儲器
2023-04-19 17:45:462547

CH32V103基礎教程13-DMA(存儲器存儲器

本章教程講解DMA存儲器存儲器模式。存儲器存儲器模式可以實現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個內(nèi)存的快速拷貝。程序中,首先定義一個靜態(tài)的源數(shù)據(jù),存放在內(nèi)部 FLASH,然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標地址上(內(nèi)部SRAM),最后對比源數(shù)據(jù)和目標地址的數(shù)據(jù),判斷傳輸是否準確。
2023-04-17 15:28:08

AM243x Sitara? 微控制數(shù)據(jù)表

SRAM存儲器子系統(tǒng):? 具有 SECDED ECC 的高達 2MB 的片上 RAM(OCSRAM):– 可以按 256KB 的增量分成更小的存儲器組,多達 8 個獨立的存儲器組– 每個存儲器組可分
2023-04-14 15:42:08

XMC串行閃速存儲器——XM25QH64C/XM25QH128C

XM25QH64C/XM25QH128C是64Mbit/128Mbit串行閃速存儲器,可直接從雙/四SPI接口執(zhí)行代碼,存儲語音、文本和數(shù)據(jù),提供的靈活性和性能遠超普通串行閃速存儲器,非常適合于
2023-04-14 10:42:553818

ADSP-21565 高達 1GHz SHARC+ DSP 帶 640KB L1

SHARC 系列數(shù)字信號處理器 (DSP) 中的一款產(chǎn)品,采用 ADI 公司的超級哈佛架構。這些 32 位/40 位/64 位浮點處理器已針對高性能音頻/浮點應用進行優(yōu)化,具有大型片內(nèi)靜態(tài)隨機存取存儲器
2023-04-11 17:36:45479

IP CORE 之 RAM 設計- ISE 操作工具

隨機存取存儲器(random access memory,RAM)又稱作\"隨機存儲器\"。存儲單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入,且存取的速度與存儲單元的位置無關的存儲器。這種存儲器在斷電時將
2023-04-10 16:43:04

MRAM實現(xiàn)對車載MCU中嵌入式存儲器的取代

具有非易失性,即使切斷電源,信息也不會丟失,而且它和DRAM一樣可隨機存取。表1存儲器的技術規(guī)格比較在性能方面,自旋注入MRAM的讀取1擦寫時間都很短,均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需
2023-04-07 16:41:05

與FRAM相比Everspin MRAM具有哪些優(yōu)勢?

/寫存儲器,在斷電時無需外部電池即可保留數(shù)據(jù)。Everspin不支持/ZZ睡眠功能。/ZZ可能需要上拉。表1概述:MB85R8M2TPBS與MR3A16ACMA35原作者:宇芯電子
2023-04-07 16:26:28

非易失性存儲器FM33256B-G特征介紹

可用于斷電(NMI)中斷或其他目的的通用比較。該器件的工作電壓為2.7V至3.6V。FM33256B-G提供256Kb的非易失性FRAM存儲器容量??焖俚膶懭胨俣群蜔o限的耐用性使該存儲器可以用作額外
2023-04-07 16:23:11

AT27LV256A-90JC

EPROM存儲器 PLCC32 256Kb
2023-04-06 17:11:41

MCF52259怎么樣?

設備基于運行頻率高達 80 MHz 的第 2 版 ColdFire 內(nèi)核,以實現(xiàn)性能和低功耗。片上存儲器與處理內(nèi)核緊密耦合,包括 512 KB 閃存和 64 KB 靜態(tài)隨機存取存儲器 (SRAM)。片
2023-03-31 08:49:25

雅特力AT32 SPI

(Flash)及32KB隨機存取存儲器(SRAM),片上還集成了多達5個UART、2個SPI(可復用I2S)、2個I2C、1個SDIO和1個CAN接口(2.0B主動)、1個16位高級定時器、5個16位通用
2023-03-30 10:44:55308

24LC256-I--SN

EEPROM存儲器 256K I2C串行 SOIC8
2023-03-28 18:25:28

W25Q256JVFAM

3 v 256串行快閃存儲器 雙/四spi, qpi和DTR
2023-03-27 11:55:03

分享一種ReRAM在助聽器中的成功案例

ReRAM代表電阻式隨機存取存儲器,是一種非易失性存儲器,具有如低功耗和快速寫入的特長。該存儲器在所有存儲器產(chǎn)品中的讀取電流都最小,特別適合于助聽器等可穿戴設備。
2023-03-25 15:49:351054

單片機程序存儲器64KB是外擴的還是外擴加內(nèi)部的呢?

單片機程序存儲器64KB是外擴的還是外擴加內(nèi)部的呢?
2023-03-24 17:44:04

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