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老化測(cè)試提高了 SiC 和 GaN 的可靠性

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動(dòng)態(tài)可靠性測(cè)試系統(tǒng)

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眾所周知,多層陶瓷電容器(MLCC)已成為消費(fèi)電子、汽車電子、工業(yè)控制等領(lǐng)域的核心被動(dòng)元件。太陽誘電(太誘)通過材料創(chuàng)新、工藝優(yōu)化與嚴(yán)苛測(cè)試體系,構(gòu)建了MLCC電容的可靠性護(hù)城河,其產(chǎn)品失效率長期
2025-07-09 15:35:56613

開關(guān)旋鈕復(fù)合操作可靠性測(cè)試:從場(chǎng)景模擬到性能驗(yàn)證

現(xiàn)代汽車人機(jī)交互系統(tǒng)對(duì)多功能控制的需求日益增長,多模式旋鈕(集成按壓+旋轉(zhuǎn)功能)因其節(jié)省空間、操作直觀等優(yōu)勢(shì),已成為中控系統(tǒng)的關(guān)鍵部件。為確保這類旋鈕的長期可靠性,必須進(jìn)行系統(tǒng)測(cè)試。多模式旋鈕
2025-07-08 09:45:52470

影響電源模塊可靠性和性能的挑戰(zhàn)

意義。即便是加速測(cè)試,也很少能真實(shí)反映實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景?,F(xiàn)場(chǎng)退貨率的差異過大,也無法作為普適參考指標(biāo)。我們也曾指出,由于老化導(dǎo)致使用壽命有限,并不等同于在使用期內(nèi)的可靠性很差。
2025-07-07 15:33:46850

AEC-Q102 認(rèn)證體系中的機(jī)械可靠性測(cè)試

器件焊點(diǎn)斷裂、結(jié)構(gòu)變形甚至功能失效。AEC-Q102認(rèn)證體系中的機(jī)械可靠性測(cè)試,正是通過模擬全生命周期機(jī)械負(fù)載,為汽車光電器件構(gòu)建起一道“物理防線”。機(jī)械可靠性測(cè)試
2025-07-02 19:23:44510

普源MHO5000如何破解IGBT老化測(cè)試難題

,這會(huì)導(dǎo)致設(shè)備效率降低,能耗增加,甚至引發(fā)過熱、短路等故障,對(duì)設(shè)備的可靠性構(gòu)成嚴(yán)重威脅,縮短設(shè)備的使用壽命,進(jìn)而影響整個(gè)電力系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。 1.2 測(cè)試的復(fù)雜與必要 進(jìn)行IGBT老化測(cè)試至關(guān)重要,它能評(píng)估IGBT的壽命和可靠性,為產(chǎn)品設(shè)計(jì)、
2025-07-01 18:01:351765

SLMi8233DDCG-DG雙通道隔離驅(qū)動(dòng)器兼容Nsi6602CDWR——高可靠性半橋驅(qū)動(dòng)的核心引擎

風(fēng)險(xiǎn),尤其適用于高頻開關(guān)拓?fù)洌ㄈ鏛LC諧振變換器)。 抗噪與可靠性 100kV/μs CMTI抑制dV/dt噪聲引發(fā)的誤觸發(fā),40V驅(qū)動(dòng)電壓裕量+150°C結(jié)溫能力,確保高溫高噪聲環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行
2025-06-21 09:44:16

PCB的十大可靠性測(cè)試

PCB板的可靠性測(cè)試流程為了確保PCB板的可靠性,必須經(jīng)過一系列嚴(yán)格的測(cè)試。以下是一些常見的測(cè)試方法和標(biāo)準(zhǔn):一、離子污染測(cè)試目的:評(píng)估板面的清潔度,確保離子污染在可接受范圍內(nèi)。原理:通過測(cè)量溶液
2025-06-20 23:08:471199

半導(dǎo)體芯片的可靠性測(cè)試都有哪些測(cè)試項(xiàng)目?——納米軟件

本文主要介紹半導(dǎo)體芯片的可靠性測(cè)試項(xiàng)目
2025-06-20 09:28:501101

AR 眼鏡硬件可靠性測(cè)試方法

AR 眼鏡作為集成了光學(xué)、電子、傳感器等復(fù)雜硬件的智能設(shè)備,其硬件可靠性直接影響產(chǎn)品使用壽命和用戶體驗(yàn)。硬件可靠性測(cè)試需針對(duì) AR 眼鏡特殊結(jié)構(gòu)和使用場(chǎng)景,從機(jī)械強(qiáng)度、環(huán)境適應(yīng)、電池性能、傳感器精度等方面展開系統(tǒng)驗(yàn)證,以下為具體測(cè)試方法與要點(diǎn)。
2025-06-19 10:27:021152

如何提高電路板組件環(huán)境可靠性

電路板組件PCBA(Printed Circuit Board Assembly)的可靠性特別是多水汽、多粉塵、有化學(xué)污染物的室外工作環(huán)境的可靠性,直接決定了電子產(chǎn)品的品質(zhì)或應(yīng)用范圍。
2025-06-18 15:22:16861

關(guān)于LED燈具的9種可靠性測(cè)試方案

LED燈具的可靠性試驗(yàn),與傳統(tǒng)燈具有顯著區(qū)別。作為新一代光源,LED燈具正在逐漸取代傳統(tǒng)節(jié)能燈的市場(chǎng),因此無法簡(jiǎn)單地沿用傳統(tǒng)燈具的測(cè)試方法。那么,LED燈具需要進(jìn)行哪些可靠性試驗(yàn)?zāi)兀繕?biāo)準(zhǔn)名稱:LED
2025-06-18 14:48:15799

理想汽車自研SiC團(tuán)隊(duì)成果:提高SiC MOSFET可靠性的方式

,以及SiC MOSFET柵極氧化層可靠性受到工藝的影響,在功率模塊中可能出現(xiàn)單個(gè)芯片擊穿導(dǎo)致故障。 ? 比如早期在2019—2022年,特斯拉曾大規(guī)模召回過Model 3,對(duì)于召回原因的描述是:本次召回范圍內(nèi)車輛的后電機(jī)逆變器功率半導(dǎo)體元件可能存在微小
2025-06-09 08:03:0012917

新型功率器件的老化測(cè)試方法

隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步,新型功率器件如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)因其優(yōu)異的性能被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。然而,這些器件在長期連續(xù)使用后會(huì)出現(xiàn)老化現(xiàn)象,導(dǎo)致性能退化。如何在短時(shí)間內(nèi)準(zhǔn)確評(píng)估這些器件的老化特性,成為行業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)。
2025-06-03 16:03:571448

可靠性測(cè)試包括哪些測(cè)試和設(shè)備?

在當(dāng)今競(jìng)爭(zhēng)激烈的市場(chǎng)環(huán)境中,產(chǎn)品質(zhì)量的可靠性成為了企業(yè)立足的根本。無論是電子產(chǎn)品、汽車零部件,還是智能家居設(shè)備,都需要經(jīng)過嚴(yán)格的可靠性測(cè)試,以確保在各種復(fù)雜環(huán)境下都能穩(wěn)定運(yùn)行,為用戶提供可靠的使用體驗(yàn)。那么,可靠性測(cè)試究竟包括哪些內(nèi)容呢?
2025-06-03 10:52:451290

整車測(cè)試:環(huán)境機(jī)械可靠性測(cè)試

在汽車產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展與市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)日趨激烈的背景下,整車可靠性已成為衡量汽車產(chǎn)品品質(zhì)的核心指標(biāo),直接影響消費(fèi)者購車決策與品牌市場(chǎng)口碑。環(huán)境機(jī)械可靠性測(cè)試作為汽車研發(fā)生產(chǎn)流程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),通過模擬車輛在極端
2025-05-28 09:44:101757

ePTFE防水透氣膜的可靠性測(cè)試哪些項(xiàng)目?

ePTFE防水透氣膜是采用聚四氟乙烯經(jīng)特殊工藝制作而成,形成一種多孔微的透氣不透水材料。主要實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品內(nèi)部與外界環(huán)境進(jìn)行空氣交換,保持兩者氣壓平衡。它的可靠性測(cè)試涵蓋環(huán)境耐受、機(jī)械性能及長期穩(wěn)定性等
2025-05-27 10:31:50849

GaNSiC功率器件深度解析

本文針對(duì)當(dāng)前及下一代電力電子領(lǐng)域中市售的碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)晶體管進(jìn)行了全面綜述與展望。首先討論了GaNSiC器件的材料特性及結(jié)構(gòu)差異。基于對(duì)市售GaNSiC功率晶體管的分析,描述了這些技術(shù)的現(xiàn)狀,重點(diǎn)闡述了各技術(shù)平臺(tái)的首選功率變換拓?fù)浼瓣P(guān)鍵特性。
2025-05-15 15:28:571759

半導(dǎo)體測(cè)試可靠性測(cè)試設(shè)備

在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中,可靠性測(cè)試設(shè)備如同產(chǎn)品質(zhì)量的 “守門員”,通過模擬各類嚴(yán)苛環(huán)境,對(duì)半導(dǎo)體器件的長期穩(wěn)定性和可靠性進(jìn)行評(píng)估,確保其在實(shí)際使用中能穩(wěn)定運(yùn)行。以下為你詳細(xì)介紹常見的半導(dǎo)體測(cè)試可靠性測(cè)試設(shè)備。
2025-05-15 09:43:181022

提升QFN封裝可靠性的關(guān)鍵:附推拉力測(cè)試機(jī)檢測(cè)方案

近期,公司出貨了一臺(tái)推拉力測(cè)試機(jī),是專門用于進(jìn)行QFN封裝可靠性測(cè)試。在現(xiàn)代電子制造領(lǐng)域,QFN(Quad Flat No-leads)封裝因其體積小、散熱性能優(yōu)異和電氣性能突出等優(yōu)勢(shì),被廣泛應(yīng)用
2025-05-08 10:25:42962

提供半導(dǎo)體工藝可靠性測(cè)試-WLR晶圓可靠性測(cè)試

隨著半導(dǎo)體工藝復(fù)雜度提升,可靠性要求與測(cè)試成本及時(shí)間之間的矛盾日益凸顯。晶圓級(jí)可靠性(Wafer Level Reliability, WLR)技術(shù)通過直接在未封裝晶圓上施加加速應(yīng)力,實(shí)現(xiàn)快速
2025-05-07 20:34:21

汽車零部件可靠性測(cè)試項(xiàng)目

汽車作為復(fù)雜的機(jī)械系統(tǒng),其零部件的可靠性直接決定整車的性能、安全和使用壽命。為確保汽車零部件在各種工況下都能穩(wěn)定運(yùn)行,行業(yè)內(nèi)建立了一系列嚴(yán)格的可靠性測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)和流程。
2025-05-06 14:30:311735

導(dǎo)遠(yuǎn)兩項(xiàng)產(chǎn)品可靠性測(cè)試規(guī)范獲評(píng)先進(jìn)標(biāo)準(zhǔn)

近日,導(dǎo)遠(yuǎn)科技提交的兩項(xiàng)關(guān)于電子、模組產(chǎn)品的可靠性測(cè)試規(guī)范經(jīng)廣東省標(biāo)準(zhǔn)化協(xié)會(huì)組織專家組評(píng)審后,獲評(píng)廣東省先進(jìn)標(biāo)準(zhǔn)。
2025-04-30 10:01:29694

電機(jī)微機(jī)控制系統(tǒng)可靠性分析

針對(duì)性地研究提高電機(jī)微機(jī)控制系統(tǒng)可靠性的途徑及技術(shù)措施:硬件上,方法包括合理選擇篩選元器件、選擇合適的電源、采用保護(hù)電路以及制作可靠的印制電路板等;軟件上,則采用了固化程序和保護(hù) RAM 區(qū)重要數(shù)據(jù)等
2025-04-29 16:14:56

IGBT的應(yīng)用可靠性與失效分析

包括器件固有可靠性和使用可靠性。固有可靠性問題包括安全工作區(qū)、閂鎖效應(yīng)、雪崩耐量、短路能力及功耗等,使用可靠性問題包括并聯(lián)均流、軟關(guān)斷、電磁干擾及散熱等。
2025-04-25 09:38:272583

BGA封裝焊球推力測(cè)試解析:評(píng)估焊點(diǎn)可靠性的原理與實(shí)操指南

在電子封裝領(lǐng)域,BGA(Ball Grid Array)封裝因其高密度、高性能的特點(diǎn),廣泛應(yīng)用于集成電路和芯片模塊中。然而,BGA焊球的機(jī)械強(qiáng)度直接影響到器件的可靠性和使用壽命,因此焊球推力測(cè)試
2025-04-18 11:10:541614

電機(jī)控制器電子器件可靠性研究

提高,在某些特定的武器裝備上,由于武器本身需要長期處于儲(chǔ)存?zhèn)鋺?zhàn)狀態(tài),為了使武器能夠在隨時(shí)接到戰(zhàn)斗命令的時(shí)候各個(gè)系統(tǒng)處于高可靠性的正常運(yùn)行狀態(tài),需要對(duì)武器系統(tǒng)的儲(chǔ)存可靠性進(jìn)行研究,本文著重通過試驗(yàn)研究電機(jī)
2025-04-17 22:31:04

保障汽車安全:PCBA可靠性提升的關(guān)鍵要素

汽車電子PCBA的可靠性提升要點(diǎn) 隨著汽車智能化、網(wǎng)聯(lián)化的快速發(fā)展,汽車電子在整車中的占比不斷提升,其重要日益凸顯。作為汽車電子的核心部件,PCBA(印制電路板組裝)的可靠性直接關(guān)系到汽車的安全
2025-04-14 17:45:42581

可靠性測(cè)試結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)概述

深入理解設(shè)計(jì)規(guī)則,設(shè)計(jì)者可在可靠性測(cè)試結(jié)構(gòu)優(yōu)化中兼顧性能、成本與質(zhì)量,推動(dòng)半導(dǎo)體技術(shù)的持續(xù)創(chuàng)新。
2025-04-11 14:59:311251

非易失性存儲(chǔ)器芯片的可靠性測(cè)試要求

非易失性存儲(chǔ)器(NVM)芯片廣泛應(yīng)用于各種設(shè)備中,從智能手機(jī)、個(gè)人電腦到服務(wù)器和工業(yè)控制系統(tǒng),都是不可或缺的關(guān)鍵組件,它們不僅提高了數(shù)據(jù)的安全可靠性,還極大地增強(qiáng)了系統(tǒng)的整體性能。此外,為了滿足
2025-04-10 14:02:241333

國產(chǎn)MOS管質(zhì)量與可靠性優(yōu)勢(shì)剖析

和市場(chǎng)需求的MOSFET產(chǎn)品。例如,針對(duì)新能源汽車電池管理系統(tǒng),設(shè)計(jì)出低壓損、高精度的MOSFET,能夠更好地滿足新能源汽車對(duì)電池管理的高要求,提高了電池的使用效率和安全。 封裝技術(shù)提升 封裝技術(shù)的進(jìn)步讓國產(chǎn)MOS管不僅在性能上與進(jìn)口產(chǎn)品媲
2025-04-07 15:32:13750

從樣品到量產(chǎn):PCBA老化測(cè)試如何為產(chǎn)品質(zhì)量‘保駕護(hù)航’?

一站式PCBA打樣工廠今天為大家講講PCBA打樣廠家為什么要進(jìn)行PCBA老化測(cè)試?PCBA老化測(cè)試的目的及必要。在電子產(chǎn)品的生產(chǎn)過程中,PCBA老化測(cè)試是確保產(chǎn)品質(zhì)量與可靠性的重要環(huán)節(jié)之一。隨著
2025-04-03 09:32:20636

質(zhì)量亂象:未通過可靠性關(guān)鍵實(shí)驗(yàn)的國產(chǎn)SiC功率模塊應(yīng)用隱患與后果

質(zhì)量亂象:未通過可靠性關(guān)鍵實(shí)驗(yàn)的國產(chǎn)SiC功率模塊應(yīng)用隱患與后果 國產(chǎn)SiC(碳化硅)功率模塊在APF(有源電力濾波器)和PCS(儲(chǔ)能變流器)等電力電子設(shè)備中的應(yīng)用趨勢(shì)日益顯著,主要受益于技術(shù)性
2025-04-02 18:24:49825

從IGBT模塊大規(guī)模失效爆雷看國產(chǎn)SiC模塊可靠性實(shí)驗(yàn)的重要

深度分析:從IGBT模塊可靠性問題看國產(chǎn)SiC模塊可靠性實(shí)驗(yàn)的重要 某廠商IGBT模塊曾因可靠性問題導(dǎo)致國內(nèi)光伏逆變器廠商損失數(shù)億元,這一案例凸顯了功率半導(dǎo)體模塊可靠性測(cè)試的極端重要。國產(chǎn)SiC
2025-03-31 07:04:501317

電路可靠性設(shè)計(jì)與工程計(jì)算技能概述

電路可靠性設(shè)計(jì)與工程計(jì)算通過系統(tǒng)學(xué)習(xí)電路可靠性設(shè)計(jì)與工程計(jì)算,工程師不僅能提高電路的可靠性和穩(wěn)定性,還能優(yōu)化產(chǎn)品設(shè)計(jì)過程,減少潛在的故障風(fēng)險(xiǎn),從而提升產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力和消費(fèi)者信任度。為什么工程師需要
2025-03-26 17:08:13659

詳解晶圓級(jí)可靠性評(píng)價(jià)技術(shù)

隨著半導(dǎo)體工藝復(fù)雜度提升,可靠性要求與測(cè)試成本及時(shí)間之間的矛盾日益凸顯。晶圓級(jí)可靠性(Wafer Level Reliability, WLR)技術(shù)通過直接在未封裝晶圓上施加加速應(yīng)力,實(shí)現(xiàn)快速、低成本的可靠性評(píng)估,成為工藝開發(fā)的關(guān)鍵工具。
2025-03-26 09:50:161548

可靠性嵌入式主板設(shè)計(jì)

設(shè)計(jì)直接影響整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定性和壽命。因此,設(shè)計(jì)高可靠性的嵌入式主板不僅是技術(shù)挑戰(zhàn),也是提高產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。本文將深入探討高可靠性嵌入式主板設(shè)計(jì)的各個(gè)方面,包括硬件選型
2025-03-25 15:11:39885

如何測(cè)試SiC MOSFET柵氧可靠性

MOSFET的柵氧可靠性問題一直是制約其廣泛應(yīng)用的關(guān)鍵因素之一。柵氧層的可靠性直接影響到器件的長期穩(wěn)定性和使用壽命,因此,如何有效驗(yàn)證SiC MOSFET柵氧可靠性成為了業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。
2025-03-24 17:43:272363

半導(dǎo)體器件可靠性測(cè)試中常見的測(cè)試方法有哪些?

半導(dǎo)體器件可靠性測(cè)試方法多樣,需根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)景(如消費(fèi)級(jí)、工業(yè)級(jí)、車規(guī)級(jí))和器件類型(如IC、分立器件、MEMS)選擇合適的測(cè)試組合。測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)(如JEDEC、AEC-Q、MIL-STD)為測(cè)試提供了詳細(xì)的指導(dǎo),確保器件在極端條件下的可靠性和壽命。
2025-03-08 14:59:291107

集成電路可靠性試驗(yàn)項(xiàng)目匯總

在現(xiàn)代電子產(chǎn)品的研發(fā)與生產(chǎn)過程中,可靠性測(cè)試是確保產(chǎn)品質(zhì)量和性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。可靠性測(cè)試可靠性(Reliability)是衡量產(chǎn)品耐久力的重要指標(biāo),它反映了產(chǎn)品在規(guī)定條件下和規(guī)定時(shí)間內(nèi)完成規(guī)定功能
2025-03-07 15:34:171188

芯片可靠性測(cè)試:性能的關(guān)鍵

在芯片行業(yè),可靠性測(cè)試是確保產(chǎn)品性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。金鑒實(shí)驗(yàn)室作為專業(yè)的檢測(cè)機(jī)構(gòu),提供全面的芯片可靠性測(cè)試服務(wù),幫助企業(yè)在激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中保持領(lǐng)先。預(yù)處理(Preconditioning,PC)預(yù)處理
2025-03-04 11:50:551324

半導(dǎo)體集成電路的可靠性評(píng)價(jià)

半導(dǎo)體集成電路的可靠性評(píng)價(jià)是一個(gè)綜合的過程,涉及多個(gè)關(guān)鍵技術(shù)和層面,本文分述如下:可靠性評(píng)價(jià)技術(shù)概述、可靠性評(píng)價(jià)的技術(shù)特點(diǎn)、可靠性評(píng)價(jià)的測(cè)試結(jié)構(gòu)、MOS與雙極工藝可靠性評(píng)價(jià)測(cè)試結(jié)構(gòu)差異。
2025-03-04 09:17:411480

智能攤鋪壓實(shí)監(jiān)測(cè)管理系統(tǒng)有效提高了瀝青道路施工質(zhì)量和耐久

智能化的決策支持,不僅提升了施工效率,還有效提高了道路的質(zhì)量和耐久。 ???????1、施工設(shè)備監(jiān)測(cè)保障施工精度 ???????智能攤鋪壓實(shí)監(jiān)測(cè)管理系統(tǒng)的核心功能之一是對(duì)施工設(shè)備進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)。通過對(duì)攤鋪機(jī)、壓實(shí)機(jī)等設(shè)備的精
2025-03-03 14:03:49532

艾華電解電容在汽車電子中的可靠性測(cè)試

可靠性測(cè)試。 艾華電解電容在汽車電子中的可靠性測(cè)試主要包括以下幾個(gè)方面: 1、溫度循環(huán)測(cè)試 :模擬電容在不同溫度下的使用環(huán)境,通過反復(fù)加熱和冷卻來測(cè)試電容的熱穩(wěn)定性和機(jī)械穩(wěn)定性。這種測(cè)試可以確保電容在高溫和低
2025-02-28 14:54:261002

充電樁“耐力大考驗(yàn)”:老化負(fù)載研究,為持久續(xù)航保駕護(hù)航

“魔鬼訓(xùn)練”,評(píng)估其長期使用的可靠性和穩(wěn)定性。 主要研究內(nèi)容包括: 高溫老化測(cè)試:模擬夏季高溫環(huán)境,評(píng)估充電樁散熱性能及元器件耐高溫能力。 低溫老化測(cè)試:模擬冬季低溫環(huán)境,評(píng)估充電樁啟動(dòng)性能及材料
2025-02-28 14:42:01

充電樁老化負(fù)載仿真

的關(guān)鍵設(shè)備,其性能與安全直接關(guān)系到用戶的使用體驗(yàn)和生命財(cái)產(chǎn)安全。通過老化負(fù)載仿真測(cè)試,可以模擬充電樁在長期使用過程中的各種工況,提前發(fā)現(xiàn)潛在的故障隱患,從而保障充電樁在實(shí)際使用中的可靠性和穩(wěn)定性。比如
2025-02-27 11:07:35

吉事勵(lì)電源模塊ATE自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng):提升效率與可靠性

)自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)。這一系統(tǒng)不僅提高了測(cè)試效率,還保證了測(cè)試的準(zhǔn)確可靠性,成為電源模塊生產(chǎn)線上不可或缺的一部分。 吉事勵(lì)電源模塊ATE自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)集成了多項(xiàng)先進(jìn)技術(shù),具備高度的自動(dòng)化和智能化特點(diǎn)。該系統(tǒng)能夠?qū)﹄娫茨K的各項(xiàng)性能指標(biāo)進(jìn)行全面測(cè)試,包括
2025-02-26 17:52:36830

HX1117A的性能測(cè)試:確保電子設(shè)備的穩(wěn)定性和可靠性

閱讀關(guān)于HX1117A穩(wěn)壓器芯片性能測(cè)試的詳細(xì)報(bào)告,了解其如何確保電子設(shè)備的穩(wěn)定性和可靠性。
2025-02-26 17:09:35790

PCBA應(yīng)變測(cè)試:確保電子產(chǎn)品可靠性的關(guān)鍵

PCBA應(yīng)變測(cè)試:確保電子產(chǎn)品可靠性的關(guān)鍵
2025-02-25 17:28:32970

厚聲貼片電阻的可靠性測(cè)試與壽命

厚聲貼片電阻的可靠性測(cè)試與壽命評(píng)估是確保其在實(shí)際應(yīng)用中穩(wěn)定工作的重要環(huán)節(jié)。以下是對(duì)這兩個(gè)方面的詳細(xì)分析: 一、可靠性測(cè)試 厚聲貼片電阻的可靠性測(cè)試主要包括以下幾個(gè)方面: 振動(dòng)與沖擊測(cè)試 :模擬貼片
2025-02-25 14:50:06869

芯片封裝可靠性測(cè)試詳解

可靠性,作為衡量芯片封裝組件在特定使用環(huán)境下及一定時(shí)間內(nèi)損壞概率的指標(biāo),直接反映了組件的質(zhì)量狀況。
2025-02-21 16:21:003377

一文讀懂芯片可靠性試驗(yàn)項(xiàng)目

驗(yàn)證產(chǎn)品性能的重要手段,更是提高產(chǎn)品可靠性和市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。通過對(duì)芯片進(jìn)行嚴(yán)格的可靠性測(cè)試,可以提前發(fā)現(xiàn)潛在的故障模式和失效機(jī)制,從而為設(shè)計(jì)優(yōu)化和工藝改進(jìn)提供
2025-02-21 14:50:152064

厚聲貼片電感的可靠性測(cè)試:振動(dòng)與沖擊

厚聲貼片電感作為一種關(guān)鍵的電子元件,其可靠性對(duì)于整個(gè)電路系統(tǒng)的穩(wěn)定性和性能至關(guān)重要。在可靠性測(cè)試中,振動(dòng)與沖擊測(cè)試是評(píng)估貼片電感在實(shí)際應(yīng)用環(huán)境中承受機(jī)械應(yīng)力能力的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。以下是對(duì)厚聲貼片電感進(jìn)行
2025-02-17 14:19:02929

如何通過直流負(fù)載箱優(yōu)化電源測(cè)試效率?

深入處理和分析,生成詳細(xì)的報(bào)告和圖表。通過對(duì)數(shù)據(jù)的對(duì)比和趨勢(shì)分析,能夠快速判斷電源性能是否達(dá)標(biāo),以及是否存在異常情況,從而減少了人工分析和判斷的時(shí)間,提高了測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確可靠性。 便捷的遠(yuǎn)程監(jiān)控
2025-02-13 13:45:31

霍爾元件的可靠性測(cè)試步驟

霍爾元件是一種利用霍爾效應(yīng)來測(cè)量磁場(chǎng)的傳感器,廣泛應(yīng)用于電機(jī)控制、位置檢測(cè)、速度測(cè)量以及電流監(jiān)測(cè)、變頻控制測(cè)試、交直流電源、電源逆變器和電子開關(guān)等領(lǐng)域。為了確?;魻栐男阅芎?b class="flag-6" style="color: red">可靠性,進(jìn)行全面
2025-02-11 15:41:091342

電動(dòng)汽車的SiC演變和GaN革命

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《電動(dòng)汽車的SiC演變和GaN革命.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-24 14:03:073

AN028:SiC功率二極管的可靠性

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AN028:SiC功率二極管的可靠性.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-23 16:38:360

40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!

系列產(chǎn)品,B3M040065H,B3M040065L,B3M040065Z高性能,高可靠性和易用,高性價(jià)比,同時(shí)提供驅(qū)動(dòng)電源和驅(qū)動(dòng)IC解決方案! *附件
2025-01-22 10:43:28

過壓電壓點(diǎn)不能提高了,感覺像是被鉗位似的?

過壓電壓點(diǎn)不能提高了,感覺像是被鉗位似的,都是到323V就關(guān)斷.我想要的是大于325V(或是330V這個(gè)點(diǎn))動(dòng)作,通過調(diào)節(jié)R54和R50,R51,R52的分壓比,可以改變恢復(fù)點(diǎn)電壓,但是關(guān)斷點(diǎn)電壓不能改變.芯片使用的是Dialog的IW3631.
2025-01-17 10:31:50

如何測(cè)試光耦的性能與可靠性

光耦作為電氣隔離的關(guān)鍵組件,其性能和可靠性直接影響到整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定性和安全。因此,對(duì)光耦進(jìn)行嚴(yán)格的性能測(cè)試可靠性評(píng)估是必不可少的。 光耦性能測(cè)試 1. 基本電氣參數(shù)測(cè)試 正向電流-電壓特性測(cè)試
2025-01-14 16:13:462671

如何選擇適合的交流回饋老化測(cè)試負(fù)載

負(fù)載的響應(yīng)速度和穩(wěn)定性,以確保測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確可靠性。 評(píng)估負(fù)載能力:除了滿足基本的電壓和電流要求外,還要評(píng)估負(fù)載的能力是否足夠強(qiáng)大以應(yīng)對(duì)長時(shí)間的老化測(cè)試。這包括負(fù)載的功率容量、散熱性能以及是否具備
2025-01-14 09:31:07

EMC電機(jī)控制器測(cè)試整改:確保產(chǎn)品可靠性關(guān)鍵步驟

深圳南柯電子|EMC電機(jī)控制器測(cè)試整改:確保產(chǎn)品可靠性關(guān)鍵步驟
2025-01-13 14:25:451356

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