雙方共同開發(fā)的技術(shù)解決方案將大幅降低物聯(lián)網(wǎng)及穿戴式產(chǎn)品的耗電及芯片尺寸

今日，格芯與eVaderis共同宣布，將共同開發(fā)超低功耗MCU參考設(shè)計方案，該方案基于格芯22nm FD-SOI（22FDX®）平臺的嵌入式磁性隨機存儲器（eMRAM）技術(shù)。雙方合作所提供的技術(shù)解決方案將格芯22FDX eMRAM優(yōu)異的可靠性與多樣性與eVaderis的超低耗電IP結(jié)合，適合包括電池供電的物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品、消費及工業(yè)用微處理器、車用控制器等各種應(yīng)用。

eVaderis的 MCU 設(shè)計充分利用了 22FDX 平臺高效的電源管理能力，相較于上一代 MCU，電池續(xù)航力可提高到10 倍以上，同時芯片尺寸大幅降低。這項由格芯FDXcelerator™合作項目（FDXcelerator™ Partner Program）開發(fā)的技術(shù)，所提供的高器件密度、低成本的單芯片解決方案，特別符合對功耗敏感的應(yīng)用，可幫助芯片設(shè)計人員將效能、密度以及易用性推向新的高度。

“eVaderis創(chuàng)新架構(gòu)的超低耗電 MCU IP 設(shè)計以格芯 22FDX eMRAM技術(shù)為基礎(chǔ)打造，非常適合常閉的（normally-off）物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用?！眅Vaderis總裁兼首席執(zhí)行官 Jean-Pascal Bost表示，“以格芯eMRAM作為工作內(nèi)存，可讓MCU的部分電路更頻繁的下電，而不會引起MCU的性能損失。eVaderis希望能在今年年底之前將這項通過驗證的 IP 提供給客戶。”

“穿戴式和物聯(lián)網(wǎng)裝置需要耐久的電池續(xù)航力、更高的運行能力并集成先進的傳感器。”格芯嵌入式存儲器事業(yè)部副總裁 Dave Eggleston 表示，“身為FDXcelerator合作伙伴，eVaderis運用基于格芯 22FDX 的eMRAM技術(shù)，開發(fā)全新的MCU架構(gòu)，幫助客戶達成更高的需求?！?BR>
格芯與eVaderis基于格芯22FDX 的eMRAM技術(shù)共同開發(fā)的參考設(shè)計將于 2018 年第 4 季面世。包含有eMRAM和射頻解決方案的22FDX設(shè)計套件現(xiàn)已發(fā)布。用于客戶進行原型驗證的多項目晶圓（MPW）已經(jīng)開放，現(xiàn)成的eMRAM模塊也已提供，有Flash 和SRAM兩種接口方案可供選擇，使得客戶可以更容易地進行產(chǎn)品設(shè)計。格芯預(yù)計eMRAM將在 2018 年開始小批量生產(chǎn)。