IGBT在二極管鉗位感性負(fù)載條件下的電路如圖1所示，該電路為IGBT常用電路，可作為IGBT開關(guān)特性的測試電路，評估IGBT的開通及關(guān)斷行為。
2024-03-15 10:25:51
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IGBT的主要功能在于其能夠作為全控器件，即可以觸發(fā)導(dǎo)通，也可以觸發(fā)關(guān)斷。這使得IGBT在電能變換和控制中起到關(guān)鍵作用。
2024-03-14 16:43:51303 
一、前言 輻射抗擾度測試是對對講機(jī)、移動電話、便攜式電話和廣播發(fā)射機(jī)等強發(fā)射機(jī)產(chǎn)生的射頻場的模擬。 二、測試方法 在輻射抗擾度測試期間，測試電波暗室中會產(chǎn)生射頻場。不同的EMC測試標(biāo)準(zhǔn)使用不
2024-03-11 15:03:06126 
英飛凌新推出的IGBT7單管系列市場熱度不減，本文為大家整理針對該產(chǎn)品系列的常見問題，一看就懂，牢牢碼住!直播回放鏈接獲取IGBT7都通過了哪些可靠性測試？答：IGBT不論單管和模塊都需要通過
2024-03-05 08:17:27111 
電源高溫高濕存儲測試時間長，用電源模塊測試系統(tǒng)進(jìn)行測試可以解放人力，提高測試速度和精度，并以指標(biāo)形式反饋測試結(jié)果。電源測試系統(tǒng)靈活性高、兼容性強，用戶可以自由選擇儀器型號、操作簡單，程序開發(fā)和測試不用集中于一人，實現(xiàn)高效能測試。
2024-03-01 15:04:0269 IGBT應(yīng)用于變頻器逆變電路中，存在這么一種情況，IGBT先短路再開通，請問這是一種什么樣的過程？按照字面理解意思就是先把IGBT的C和E短接起來，然后啟動變頻器，此時這種過程就可以稱之為先短路再
2024-02-29 23:08:07
IGBT模塊或者單管應(yīng)用于變頻器的制造，在做變頻器的短路實驗時，在IGBT開通時刻做出短路動作，IGBT的CE電壓會從零逐漸升高到最大之然后回到母線電壓的一半后達(dá)到穩(wěn)定。
但是在具體波形時，IGBT
2024-02-21 20:12:42
什么是IGBT的退飽和？為什么IGBT會發(fā)生退飽和現(xiàn)象？ IGBT是一種高性能功率半導(dǎo)體器件，結(jié)合了MOSFET和BJT的優(yōu)點。它在高電壓和高電流應(yīng)用中具有低開啟電阻、低導(dǎo)通壓降和高開關(guān)速度等優(yōu)點
2024-02-19 14:33:28472 ，以及普通功率MOSFET的低導(dǎo)通電阻和高頻開關(guān)能力。IGBT因其獨特的特性在電力電子、變頻器、UPS（不間斷電源）等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。 然而，由于IGBT技術(shù)本身的復(fù)雜性和高頻、高溫環(huán)境等外部因素的影響，IGBT導(dǎo)通過程中容易出現(xiàn)過流和短路故障，給
2024-02-18 11:14:37247 時間。 在測量IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）的短路耐受時間時，我們通常使用一個特定的測試電路。該電路中，一個電容器通過柵極驅(qū)動電路與IGBT相連。當(dāng)IGBT處于關(guān)閉狀態(tài)時，施加電源電壓VCC。 隨后，通過柵極驅(qū)動電路使IGBT導(dǎo)通，電容器中積蓄的電
2024-02-06 16:43:251317 
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種繼MOSFET和BJT之后的新型功率半導(dǎo)體器件，它的特點是結(jié)合了MOSFET的高輸入阻抗和BJT的低通壓損耗
2024-01-18 17:31:231080 用于確定漏電流的穩(wěn)定性，這與IGBT的場畸變有關(guān)。HTRB 通過高溫反向偏置測試來增強故障機(jī)制，因此是器件質(zhì)量和可靠性的良好指標(biāo)，也可以驗證過程控制的有效性。
2024-01-17 09:57:17135 
高通WIFI6的IPQ系列芯片非信令測試常用的測試方法有兩種
2024-01-17 09:43:20543 
因為需要測試板能夠耐高溫，所以想用簡單的電路測試一下ADUCM360在120度左右的運行情況。
測試板中：ADUCM360最小系統(tǒng)、測溫電路和程序參照官網(wǎng)的開發(fā)套件，其他外圍添加了485接口等
2024-01-12 08:02:39
在電子設(shè)備測試中，電源噪聲測試是一項非常重要的工作。而同軸線測電源噪聲測試方法是一種常用且有效的測試手段。本文將對同軸線測電源噪聲測試方法進(jìn)行全面詳解，介紹其原理、步驟及注意事項，幫助讀者更好地了解
2024-01-11 10:53:41142 
的生產(chǎn)過程中，可能會出現(xiàn)空洞問題，這不僅影響了組裝質(zhì)量，還可能導(dǎo)致設(shè)備故障和電路損壞。因此，解決IGBT真空回流焊空洞問題對于提高產(chǎn)品性能和可靠性至關(guān)重要。 首先，我們需要了解IGBT真空回流焊空洞問題的原因?？斩赐ǔＪ怯捎诤附舆^程中發(fā)生的氣體嵌入導(dǎo)致的。空氣中的氣體在高溫下
2024-01-09 14:07:59302 讀出的數(shù)據(jù)是角速度，對時間進(jìn)行持續(xù)積分得到角度值。但傳感器保持靜止時，讀出的數(shù)據(jù)經(jīng)常會向一個方向偏，導(dǎo)致積分值一直在向該方向增加，計算的角度值會變化。應(yīng)該通過什么方式解決這個問題
2024-01-01 07:03:35
高溫老化測試，就如同電子產(chǎn)品的“煉獄”之旅。在這個過程中，產(chǎn)品被放置在一個模擬高溫惡劣環(huán)境的特殊設(shè)備——高溫老化試驗箱中。試驗箱能夠精確地控制溫度和濕度，以達(dá)到加速產(chǎn)品老化的效果。通過觀測產(chǎn)品在這種極端環(huán)境下的性能表現(xiàn)，工程師們可以評估其長期使用的可靠性和潛在問題。
2023-12-22 17:21:03415 
碳化硅三極管的阻值測試方法? 碳化硅是一種新型的半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的熱穩(wěn)定性、高電場飽和漂移速度和較小的漏電流等特點，在高功率和高溫應(yīng)用中具有廣泛的應(yīng)用前景。碳化硅三極管是基于碳化硅材料制造的一種
2023-12-21 11:27:20318 電磁加熱器IGBT溫度傳感器異常解決方法? 電磁加熱器是一種常見的加熱設(shè)備，通過電磁感應(yīng)產(chǎn)生的磁感應(yīng)力使?fàn)t內(nèi)的金屬材料發(fā)熱。然而，在使用過程中，有時候會出現(xiàn)IGBT溫度傳感器異常的情況，影響設(shè)備
2023-12-19 14:10:20797 過大的紋 波電壓對受電設(shè)備會造成不良影響，在設(shè)計制作樣品時，我們要測試驗證電源的輸出紋波電壓是否符合設(shè)計要求，但是往往 由于測試方法不對，造成測試偏差比較大，下面我們介紹紋波電壓的正確測試方法。
2023-12-15 10:59:50668 
IGBT7與IGBT4在伺服驅(qū)動器中的對比測試
2023-12-14 11:31:08232 
一個正向電壓，從而打開IGBT。然而，隨著正向電壓的增加，漏結(jié)區(qū)的P型區(qū)域擴(kuò)大，導(dǎo)致漏電流增加。 溫度的影響 ：IGBT的工作溫度對其漏電流也有顯著影響。隨著溫度的升高，半導(dǎo)體材料的載流子飽和遷移率增加，從而使得漏電流增大。同時，高溫還
2023-12-13 16:01:59844 焊點推力測試是一種測試焊接質(zhì)量的方法，它可以檢測焊點的強度和耐久性。測試時，將焊點固定在測試機(jī)上，然后施加一定的力量來測試焊點的承載能力。測試結(jié)果可以用來評估焊接的質(zhì)量和可靠性，以及確定焊接是否符合
2023-12-11 17:59:52252 
一、IGBT工作原理1.什么是IGBTIGBT：IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管
2023-12-08 15:49:06573 
IGBT行業(yè)的門檻非常高。除了芯片的設(shè)計和生產(chǎn)，IGBT模塊封裝測試的開發(fā)和生產(chǎn)等環(huán)節(jié)同樣有著非常高的技術(shù)要求和工藝要求。
2023-12-07 10:05:35709 
加速環(huán)境應(yīng)力可靠性測試：需要對芯片進(jìn)行加速環(huán)境應(yīng)力測試，模擬高溫、低溫、濕熱和溫度循環(huán)等極端環(huán)境條件。這些測試旨在評估芯片在極端溫度條件下的可靠性和穩(wěn)定性。
2023-12-05 14:05:28565 車用 IGBT 模塊對產(chǎn)品性能和質(zhì)量的要求要明顯高于消費和工控領(lǐng)域, 需要通過嚴(yán)格的車規(guī)認(rèn)證, 汽車 IGBT 模塊測試標(biāo)準(zhǔn)主要參照 AEC-Q101 和 AQG-324, 其中溫度沖擊, 功率循環(huán)
2023-12-01 15:48:31189 
電流互感器原理及測試方法
2023-11-28 09:26:54290 
可靠性測試是電源模塊測試的重要項目之一，以檢測電源模塊的、質(zhì)量性能以及長期使用的穩(wěn)定性。高溫操作測試是可靠性測試的常用方法之一，通過電源模塊測試系統(tǒng)模擬實際高溫工作環(huán)境，來檢測其工作狀態(tài)是否正常。
2023-11-27 14:51:44255 利用IGBT雙脈沖測試電路，改變電壓及電流測量探頭的位置，即可對IGBT并聯(lián)的續(xù)流二極管（下文簡稱FRD）的相關(guān)參數(shù)進(jìn)行測量與評估。
2023-11-24 16:52:10521 
通過雙脈沖測試，可以得到IGBT的各項開關(guān)參數(shù)。
2023-11-24 16:36:421605 
通常我們對某款IGBT的認(rèn)識主要是通過閱讀相應(yīng)的datasheet，數(shù)據(jù)手冊中所描述的參數(shù)是基于一些已經(jīng)給定的外部參數(shù)條件測試得來的，而實際應(yīng)用中的外部參數(shù)都是個性化的，往往會有所不同，因此這些參數(shù)有些是不能直接拿來使用的。
2023-11-24 16:16:05683 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《IGBT的保護(hù)電路設(shè)計方法.pdf》資料免費下載
2023-11-18 09:39:47
10 如何設(shè)計一個光電二極管帶反偏的放大電路？
我現(xiàn)在有一個光電二極管，反偏電壓是直流30V，現(xiàn)在我希望做一個放大電路，放大此光電二極管的輸出，有參考設(shè)計嗎？
另外希望是低功耗的設(shè)計，放大器用單電源3V左右，反偏電壓是直流30V，有比較好的推薦電路或芯片嗎？
2023-11-16 07:14:53
IGBT動態(tài)測試參數(shù)有哪些？ IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種重要的功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于各種高能效的電力電子設(shè)備中。為了保證IGBT的可靠性
2023-11-10 15:33:51883 igbt芯片、igbt單管、igbt模塊、igbt器件等這些的區(qū)別是什么？ IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種高壓、高電流功率半導(dǎo)體器件，常被用于
2023-11-10 14:26:281264 對比不同IGBT的參數(shù)及性能；
獲取IGBT開通和關(guān)斷過程的參數(shù)；
評估驅(qū)動電阻是否合適；
開通和關(guān)斷過程是否有不合適的震蕩；
2023-11-10 09:12:32784 
用萬用表檢測IGBT好壞時一定要將萬用表設(shè)置在R×10KΩ，因為R×1KΩ擋以下各檔萬用表內(nèi)部電池電壓太低，在檢測過程中無法使IGBT導(dǎo)通，從而無法判斷IGBT的好壞。
2023-11-09 15:21:571209 什么是igbt短路測試？igbt短路測試平臺? IGBT短路測試是針對晶體管IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）進(jìn)行的一種測試方法。IGBT是一種高壓高功率
2023-11-09 09:18:291042 開關(guān)電源帶載測試也叫開關(guān)電源負(fù)載測試，是檢測電源輸出性能的重要測試方法之一，如輸出電壓、電流、效率、紋波等參數(shù)。通過測試來評估開關(guān)電源的輸出穩(wěn)定性，保證電源可以正常工作。
2023-10-27 15:29:19947 
各位大佬，請教一下 IGBT 模塊的絕緣耐壓如何測試？
2023-10-23 10:19:00
驅(qū)動電路對動態(tài)均流的影響：驅(qū)動電路對并聯(lián)均流的影響也是顯而易見的，如果并聯(lián)工作的IGBT驅(qū)動電路不同步，則先驅(qū)動的IGBT要承擔(dān)大得多的動態(tài)電流。
2023-10-20 10:31:551219 
igbt怎樣導(dǎo)通和關(guān)斷？igbt的導(dǎo)通和關(guān)斷條件 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種晶體管，可以用作開關(guān)。IGBT由P型注入?yún)^(qū)、N型襯底
2023-10-19 17:08:028159 經(jīng)常聽到功率循環(huán)這個實驗，總覺得這個不是很簡單嗎，不就是IGBT溫度在一定范圍波動，然后經(jīng)過幾萬次循環(huán)，再測試IGBT的Vcesat或Rth是否異常來確定循環(huán)次數(shù)。
2023-10-19 11:32:24543 
的，所用的半導(dǎo)體材料為鍺；當(dāng)一個接觸正偏(forward biased，即對于第三個端點加正電壓)，而另一個接觸反偏(reverse biased)時，可以觀察到把輸入信號放大的晶體管行為
2023-10-16 11:00:14
市場的檢驗
本文概述RK3588平臺產(chǎn)測之ArmSoM-W3高溫測試
2. ArmSoM-W3高溫測試方案
在70℃高溫環(huán)境中進(jìn)行2000次軟件系統(tǒng)重啟測試
在70℃高溫環(huán)境中進(jìn)行2000次電源拔插硬件
2023-10-12 09:57:52
IGBT是如今被廣泛應(yīng)用的一款新型復(fù)合電子器件，而IGBT測試也變的尤為重要，其中動態(tài)測試參數(shù)是IGBT模塊測試一項重要內(nèi)容，IGBT動態(tài)測試參數(shù)是評估IGBT模塊開關(guān)性能的重要依據(jù)。其動態(tài)測試參數(shù)主要有：主要參數(shù)有開關(guān)參數(shù)、柵極電阻、柵極電荷、寄生電容等。
2023-10-09 15:14:35643 
通過目視檢查、測量電氣參數(shù)、評估柵極驅(qū)動和開關(guān)特性以及在應(yīng)力條件下進(jìn)行測試，可以識別潛在故障。然而，這種萬用表測試只能提供有關(guān) IGBT 功能的有限信息。為了對 IGBT 進(jìn)行更全面的評估，建議進(jìn)行柵極驅(qū)動測試、開關(guān)性能分析等額外測試。
2023-10-09 14:20:02796 
開啟高溫關(guān)機(jī)策略，能夠避免服務(wù)器過熱損壞，可根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)置。本節(jié)描述R5300 G4服務(wù)器設(shè)置高溫關(guān)機(jī)策略的方法。
2023-09-25 10:14:17290 
IGBT靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)，可提供IV、CV、跨導(dǎo)等豐富功能的綜合測試，具有高精度、寬測量范圍、模塊化設(shè)計、輕松升級擴(kuò)展等優(yōu)勢，旨在全面滿足從基礎(chǔ)功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁帶半導(dǎo)體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態(tài)參數(shù)表征和測試需求。
2023-09-19 14:57:28498 
了性能各異的IGBT產(chǎn)品。為了優(yōu)化和驗證組件性能以及對不同IGBT的性能驗證，我們引入了雙脈沖測試方法，借此工具我們可以實現(xiàn)以下具體功能:
2023-09-15 10:09:32483 
師來說，了解如何檢測IGBT的質(zhì)量非常重要。而對于初學(xué)者來說，找到正確的測試方法可能是一項挑戰(zhàn)。本文旨在提供一份詳盡、詳實、細(xì)致的文章，介紹如何使用萬用表來測試IGBT的質(zhì)量。 一、了解什么是IGBT 在深入了解如何測試IGBT之前，我們需要先了解什么是它。IGBT是一種功率半導(dǎo)體器件，可用于
2023-09-02 11:20:152221 速度。然而，與任何其他電子設(shè)備一樣，IGBT也會經(jīng)歷性能退化，并可能因各種因素而失效。因此，在將IGBT用于電力電子電路之前，測試IGBT的良好或不良狀態(tài)至關(guān)重要，以防止對設(shè)備造成任何潛在的災(zāi)難性損壞，避免損失資金。 在這篇文章中，我們將討論
2023-08-25 15:03:352090 中，例如直流電機(jī)驅(qū)動器、電動車、變頻器等。IGBT可以調(diào)節(jié)電力的大小，以便更好地控制電路中的電流和電壓。這種控制方法有助于提高電力電子設(shè)備的效率和控制精度。IGBT還將在電網(wǎng)中廣泛應(yīng)用，用于調(diào)節(jié)電網(wǎng)負(fù)載和平衡電網(wǎng)負(fù)載。此外，它也可以用于智能電網(wǎng)的改
2023-08-25 15:03:263058 小阻值電阻用什么表測？小阻值電阻的測試方法? 小阻值電阻是指電阻值較小的電阻，通常指的是小于1歐姆的電阻。小阻值電阻在電子元器件中使用廣泛，特別是在高精度、高頻率和低噪聲的應(yīng)用中，因此，其測試方法
2023-08-24 15:17:111892 利用 SmartBits 對以太網(wǎng)產(chǎn)品進(jìn)行流量
測試，有兩個原因可能丟數(shù)據(jù)包:一個是產(chǎn)品本身存在缺陷;另一個是SmartBits的晶振快于以太網(wǎng)產(chǎn)品上PHY使用的晶振在
高溫下進(jìn)行大量
測試后，可基本排除產(chǎn)品缺陷造成丟數(shù)據(jù)包的可能性以下主要討論晶振快慢對數(shù)據(jù)傳輸?shù)挠绊憽?/div>
2023-08-23 14:58:19817 
飛針測試是一個檢查ＰＣＢ電性功能的方法（開短路測試）之一。飛測試機(jī)是一個在制造環(huán)境測試ＰＣＢ抄板的系統(tǒng)。不是使用在傳統(tǒng)的在線測試機(jī)上所有的傳統(tǒng)針床（ｂｅｄ－ｏｆ－ｎａｉｌｓ）界面，飛針測試使用四到八個獨立控制的探針，移動到測試中的元件。
2023-08-21 14:39:03670 艾思荔PCT高溫水蒸氣壓實驗箱采用溫度與壓力安全檢知及門禁自動鎖定控制系統(tǒng),圓型測試槽與安全門環(huán)扣結(jié)構(gòu)設(shè)計,當(dāng)內(nèi)箱壓力越大時,反壓會迫使安全門與箱體更加緊密之結(jié)合,故內(nèi)箱壓力必須小于正常壓力時,測試
2023-08-11 10:35:07
IGBT結(jié)溫是功率電子器件最重要的參數(shù)之一，器件在運行中測量此溫度是非常困難的。一個方法是通過使用IGBT模塊內(nèi)部的NTC(熱敏電阻)近似估計芯片穩(wěn)定工作狀態(tài)的溫度，此方法不適用與測量快速變化的IGBT溫度。
2023-08-11 09:03:22745 
) 。采用深槽刻
蝕和回填工藝制備了 p 柱和 p 體區(qū)分離的超結(jié) IGBT 器件。測試結(jié)果表明，該器件擊穿電壓高于
660 V，在導(dǎo)通電流 20 A 時，其飽和導(dǎo)通壓降為 1. 7 V，相比于傳統(tǒng)超結(jié) IGBT 器件更低，關(guān)斷
能量為 0. 23 mJ，遠(yuǎn)低于傳統(tǒng)超結(jié) IGBT 器件的 3. 3 m
2023-08-08 10:20:000 場
終止 ( FS) 層 n 型注入劑量和集電區(qū)硼注入劑量對 IGBT 芯片內(nèi)部熱點位置變化的影響進(jìn)行了研
究。仿真結(jié)果表明，提高 FS 層 n 型注入劑量可將熱點由元胞溝道轉(zhuǎn)移到 FS /n－
結(jié)附近，有利于
IGBT 抗短路能力的提升; 通過對 FS 層和集電區(qū)注入劑量的優(yōu)化，通態(tài)壓降在常溫和高溫
2023-08-08 10:14:470 IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點；當(dāng)前市場上銷售的多為此類模塊化產(chǎn)品，一般所說的IGBT也指IGBT模塊；
2023-07-14 08:55:101659 考核鋰電池的安Q全性的標(biāo)準(zhǔn)主要有國際標(biāo)準(zhǔn)（如IEC標(biāo)準(zhǔn)）、國家或區(qū)域標(biāo)準(zhǔn)(如JIS、CB、EN標(biāo)準(zhǔn)等）和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)(如UL、IEEE、SJ、QB標(biāo)準(zhǔn)等)三大類。在這些現(xiàn)有的標(biāo)準(zhǔn)中，規(guī)定的高溫下的測試方法主要有熱濫用試驗、溫度循環(huán)試驗高溫放置試驗等。
2023-06-20 11:23:00252 
考核鋰電池的安Q全性的標(biāo)準(zhǔn)主要有國際標(biāo)準(zhǔn)（如IEC標(biāo)準(zhǔn)）、國家或區(qū)域標(biāo)準(zhǔn)(如JIS、CB、EN標(biāo)準(zhǔn)等）和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)(如UL、IEEE、SJ、QB標(biāo)準(zhǔn)等)三大類。在這些現(xiàn)有的標(biāo)準(zhǔn)中，規(guī)定的高溫下的測試
2023-06-20 09:39:43634 在進(jìn)行LVDS線材測試時，需要遵循標(biāo)準(zhǔn)的測試方法和流程，確保測試條件和測試步驟的一致性和準(zhǔn)確性。標(biāo)準(zhǔn)化的測試方法有助于消除人為因素和儀器誤差對測試結(jié)果的影響，提高測試的可重復(fù)性和可比性。
2023-06-16 17:49:07821 
是密切關(guān)系著消費者權(quán)益的，那么，電池高溫性能測試該如何執(zhí)行呢?1、目的：為測試人員提供測試方法及品質(zhì)依據(jù)，確保開發(fā)及生產(chǎn)的產(chǎn)品符合規(guī)定的質(zhì)量要求。2、適用范圍：適用于電池產(chǎn)品高溫性能鑒定。3、測試依據(jù)：參
2023-06-16 11:01:05291 
磷酸鐵鋰電池是一種新型的高性能鋰離子電池，廣泛應(yīng)用于電動汽車、儲能系統(tǒng)等領(lǐng)域。在研發(fā)和生產(chǎn)過程中，需要對磷酸鐵鋰電池進(jìn)行高溫性能測試，以確保其在高溫環(huán)境下的安全可靠性。以下是磷酸鐵鋰電池測試高溫
2023-06-13 10:01:00724 
芯片功能測試常用5種方法有板級測試、晶圓CP測試、封裝后成品FT測試、系統(tǒng)級SLT測試、可靠性測試。
2023-06-09 16:25:42
芯片功能測試常用5種方法有板級測試、晶圓CP測試、封裝后成品FT測試、系統(tǒng)級SLT測試、可靠性測試。
2023-06-09 15:46:581659 
今天是關(guān)于 PCB 測試技術(shù) 、 PCB 測試方法 。
2023-06-09 12:39:411870 參數(shù)測試和功能測試
環(huán)境應(yīng)力檢測：掃頻/隨機(jī)振動、低溫/高溫存儲、溫度循環(huán)/溫度沖擊、恒定加速度或跌落、粒子碰撞噪聲檢測（PIND）
壽命/老化/老煉：老煉前/后電測試，反偏老煉，功率老煉等,專用老煉
2023-06-08 09:17:22
imx6ull MCIMX6Y2CVM05AB 工業(yè)級在80度高溫測試會 power down, 芯片規(guī)格書寫了Temperature
Tj -40 to 105
2023-05-31 11:03:37
之前我們在介紹MOS和IGBT的文章中也有提到米勒電容和米勒效應(yīng)的概念，在IGBT的導(dǎo)通過程分析的文章中我們也簡單提到過米勒平臺
2023-05-25 17:24:253986 
TJA1128 能承受的最高溫度是多少？持續(xù)多長時間？或者它在整個生命周期內(nèi)可以承受的最高溫度持續(xù)時間是多少？
壓力測試：我有一個問題，TJA 的溫度在每 8400 秒循環(huán)中保持在 130 度
2023-05-19 09:15:24
要滿足高低溫試驗箱的標(biāo)準(zhǔn)要求，以及進(jìn)行相應(yīng)的試驗方法。
《GB11158-2008高溫試驗箱技術(shù)條件》是一項技術(shù)規(guī)范，適用于高溫試驗箱等高溫環(huán)境測試設(shè)備的設(shè)計、制造及檢測。其目的是確保高溫
2023-05-16 10:35:481175 
由下圖我們可以看到，外殼選材上，工業(yè)用IGBT模塊外殼一般采用通用型PBT材料，EV用IGBT模塊外殼采用增強型PBT材料，軌道交通用IGBT模塊外殼采用更耐溫綜合性能更好的PPS材料。工業(yè)、EV、軌道交通用IGBT模塊用的硅膠分別采用普通型凝膠、改進(jìn)型凝膠以及高溫型凝膠。
2023-05-04 11:04:161273 
隨著移動互聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展和智能手機(jī)的普及，對于手機(jī)的環(huán)境可靠性試驗愈加重視。環(huán)境可靠性試驗涉及多個方面，主要包括以下幾個方面：
首先，手機(jī)需要經(jīng)過高溫試驗，以測試手機(jī)在高溫環(huán)境下的表現(xiàn)。高溫試驗
2023-04-17 15:53:16391 
PCBA測試老化板的方法是什么？
2023-04-14 15:22:57
環(huán)境。這種試驗可以有效地檢測材料在高溫環(huán)境下的氧化、裂紋、硬化、顏色變化等現(xiàn)象，從而評估其耐高溫性能。在高溫老化試驗中，需要選擇合適的試驗設(shè)備和方法，以確保試驗結(jié)
2023-04-07 11:26:09332 
半導(dǎo)體元器件在高溫環(huán)境下的可靠性是制造商和用戶十分關(guān)注的問題。高溫試驗是一種常用的測試方法，通過模擬實際使用中的高溫環(huán)境，可以評估元器件在高溫下的性能和可靠性。高溫試驗需要仔細(xì)設(shè)計實驗方案，包括選擇
2023-04-07 10:21:03765 
測試點，磷青銅線，耐高溫尼龍，黑色
2023-03-31 12:05:34
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