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“80后”白發(fā)干部被質(zhì)疑年齡

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FLIR 80°廣角鏡頭在工業(yè)檢測(cè)中的應(yīng)用

在工業(yè)檢測(cè)與維護(hù)的戰(zhàn)場(chǎng)上,每一個(gè)細(xì)節(jié)都至關(guān)重要。你是否還在為狹窄空間內(nèi)的檢測(cè)難題而煩惱?是否擔(dān)心打開(kāi)高壓電氣柜帶來(lái)的安全隱患?現(xiàn)在,F(xiàn)LIR為你帶來(lái)安全解決方案——80°廣角鏡頭,讓你的檢測(cè)工作從此輕松無(wú)憂!
2025-06-13 11:35:10799

華為Pura 80系列及全場(chǎng)景新品發(fā)布會(huì)盛大舉行,多款新品重磅亮相

2025年6月11日,華為Pura 80系列及全場(chǎng)景新品發(fā)布會(huì)在上海舉行,HUAWEI Pura 80系列、HUAWEI WATCH 5、HUAWEI FreeBuds 6 悅彰耳機(jī)、HUAWEI
2025-06-12 15:13:481555

華為發(fā)布HUAWEI Pura 80系列,讓影像遠(yuǎn)超想象

[中國(guó),上海,2025年6月11日] 華為正式推出影像旗艦手機(jī)——HUAWEI Pura 80系列,憑借極致的影像技術(shù)和創(chuàng)新能力,再次引領(lǐng)移動(dòng)影像未來(lái)。 HUAWEI Pura 80 Pro+
2025-06-12 15:10:232977

華為Pura80 Ultra“一鏡雙目長(zhǎng)焦”橫空出世,手機(jī)影像格局要變天?

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/章鷹)6月11日下午,華為Pura80系列暨全場(chǎng)景產(chǎn)品發(fā)布會(huì)在上海體育館盛大舉行,華為宣布Pura80系列正式發(fā)布。Pura80系列手機(jī)相對(duì)上一代Pura70系列迎來(lái)了最強(qiáng)
2025-06-12 09:12:4611197

華為Pura80系列手機(jī)發(fā)布,支持iTAP協(xié)議,支付速度提升50%

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道,6月11日,華為Pura80系列智能手機(jī)正式發(fā)布。華為Pura80系列延續(xù)了家族化設(shè)計(jì)理念,設(shè)計(jì)靈感來(lái)源于中國(guó)傳統(tǒng)單色釉瓷器工藝。Pura80采用6.6英寸OLED直屏設(shè)計(jì),而
2025-06-11 19:43:093061

華為Pura80發(fā)布,一項(xiàng)卡脖子傳感器技術(shù)獲突破,一項(xiàng)傳感器技術(shù)仍卡脖子!

與Mate系列并列的旗艦機(jī)型,華為選擇了在蘋果WWDC 25的次日舉行發(fā)布會(huì),可見(jiàn)華為對(duì)Pura 80系列手機(jī)的重視,以及“硬鋼”蘋果的信心。 ? 而在此前,從網(wǎng)絡(luò)信息看,大家對(duì)華為Pura 80系列手機(jī)的期待和看點(diǎn)中,有兩大熱點(diǎn)與此前華為卡脖子的兩個(gè)傳感器技術(shù)相關(guān)。 其中,一項(xiàng)卡脖子
2025-06-11 19:15:172580

在win10系統(tǒng)上,通過(guò)控制中心下載MDK編譯的.hex,硬件能識(shí)別,但讀寫無(wú)反應(yīng),usb不能工作,是什么原因?

在win10系統(tǒng)上,通過(guò)控制中心下載MDK編譯的.hex,硬件能識(shí)別,但讀寫無(wú)反應(yīng),usb不能工作;win7上操作正常,請(qǐng)問(wèn)這是什么問(wèn)題呢?
2025-05-30 07:15:35

摩智能四篇論文入選三大國(guó)際頂會(huì)

2025 年上半年,繼年初 AAAI、ICLR、DAC 三大國(guó)際頂會(huì)收錄 5 篇論文,摩智能近期又有 4 篇論文入選CVPR、ICML、ACL三大國(guó)際頂會(huì),面向大模型的編碼、量化、壓縮與微調(diào)等技術(shù)難題提出創(chuàng)新性解決方案,為大模型的性能提升、多場(chǎng)景部署建構(gòu)了可行路徑。
2025-05-29 15:37:181172

在傳輸DMA通道中的所有緩沖區(qū),DMA標(biāo)志(就緒和部分)卡住了是怎么回事?

)變?yōu)楦唠娖?,表示幾乎已滿,然后在最后一次傳輸(水印設(shè)置為 5,使用 32 位總線),標(biāo)志 A(DMA 就緒標(biāo)志)變?yōu)楦唠娖剑? 個(gè)時(shí)鐘周期完全符合預(yù)期。 現(xiàn)在,第二個(gè)緩沖區(qū)卡住了。 緩沖區(qū)切換
2025-05-16 07:18:39

ZSKY-3401-3A-SOT-23 80K塑料封裝MOSFETS規(guī)格書

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2025-05-13 18:08:490

解讀手機(jī)殼氣密性檢測(cè)儀的工作原理與應(yīng)用

解讀。手機(jī)殼氣密性檢測(cè)儀主要基于壓力衰減原理進(jìn)行工作。具體來(lái)說(shuō),就是通過(guò)向測(cè)手機(jī)殼內(nèi)部充入一定壓力的氣體(通常是空氣或惰性氣體),然后關(guān)閉充氣通道,使測(cè)腔體
2025-04-30 17:14:27959

廣瀨電機(jī)推出鎖式FPC連接器FH80系列

廣瀨電機(jī)已實(shí)現(xiàn)*0.44mm世界領(lǐng)先超低薄(截至2025年4月)與0.15mm超窄間距的設(shè)計(jì),開(kāi)發(fā)出鎖式FPC連接器“FH80”,這將有力推動(dòng)智能手表等可穿戴設(shè)備向更輕薄化、高性能化發(fā)展,大幅緩解
2025-04-25 17:19:161323

網(wǎng)絡(luò)傳輸利器索尼NXL-ME80 V1.2新版本發(fā)布

網(wǎng)絡(luò)傳輸利器NXL-ME80,憑借著高畫質(zhì)、高壓縮比、低延時(shí)、高密度輕巧機(jī)箱,高冗余能力,一經(jīng)上市就收到全球客戶的大量好評(píng)?;谟脩舴答伜褪袌?chǎng)需求,NXL-ME80新版本V1.2強(qiáng)勢(shì)來(lái)襲,必將為使用者帶來(lái)更好的體驗(yàn)。
2025-04-23 14:37:43965

德州儀器與華盛昌發(fā)布AFD-80拉弧信號(hào)檢測(cè)器

在今年慕尼黑上海電子展期間,德州儀器 (TI) 與深圳市華盛昌科技實(shí)業(yè)股份有限公司(簡(jiǎn)稱“華盛昌”)發(fā)布了AFD-80拉弧信號(hào)檢測(cè)器,適用于光伏發(fā)電系統(tǒng)中智能電弧故障檢測(cè),展現(xiàn)了雙方不斷探索與創(chuàng)新的技術(shù)成果,為更安全、更可靠、更高效、更智能的能源基礎(chǔ)設(shè)施帶來(lái)了新方案。
2025-04-18 14:37:171303

netstat命令怎么看監(jiān)控?

要使用netstat命令查看網(wǎng)絡(luò)連接狀態(tài)并判斷是否監(jiān)控,可以參考以下步驟和命令: 1、查看所有監(jiān)聽(tīng)端口 使用以下命令查看系統(tǒng)上所有監(jiān)聽(tīng)的端口及其對(duì)應(yīng)的進(jìn)程: sudo netstat -tulpn
2025-04-16 20:36:521776

校準(zhǔn),記憶示波器顯示頻率和幅度是否準(zhǔn)確?

導(dǎo)致幅度測(cè)量誤差(如 10% 偏差)。校準(zhǔn)未重新檢查探頭補(bǔ)償。 溫度漂移電子元件溫度系數(shù)導(dǎo)致校準(zhǔn)參數(shù)隨溫度變化。校準(zhǔn)環(huán)境溫度變化 > ±5°C。 負(fù)載效應(yīng)探頭輸入阻抗與測(cè)電路不
2025-04-16 14:56:57

軸承損壞導(dǎo)軌還能用嗎?

軸承損壞導(dǎo)軌還能用嗎?
2025-04-03 17:52:35617

LM-80測(cè)試:評(píng)估LED燈具的壽命與性能

提供了科學(xué)且統(tǒng)一的方法,行業(yè)內(nèi)公認(rèn)為“黃金標(biāo)準(zhǔn)”。對(duì)于LED制造商而言,LM80測(cè)試是產(chǎn)品性能的重要證明,也是申請(qǐng)能效認(rèn)證(如能源之星、中國(guó)能效標(biāo)識(shí))的關(guān)鍵環(huán)節(jié)
2025-03-27 10:26:011492

MSP430對(duì)LTC6115進(jìn)行ADC采集,LTC6115信號(hào)電壓下拉怎么解決?

通當(dāng)前通道,信號(hào)電壓即刻下拉下來(lái),且在不同電壓輸入信號(hào)情況下的下拉幅度不一致,如圖2圖3。 下圖藍(lán)色為經(jīng)過(guò)OPA2333的信號(hào),可以看到與ADG708輸出信號(hào)相比剛好為其二分之一。 下圖為相關(guān)
2025-03-25 06:58:32

如何確定HSADC DMA的80MHZ采集速率是否正確?

現(xiàn)在我使用 LPC4370 微控制器的 HSADC DMA 模塊來(lái)采集樣本,但無(wú)法確定是否已達(dá)到所需的 80MHZ 采集速率。有什么方法可以測(cè)試它嗎?我想用 IO 口輸出高低電平確認(rèn):DMA 開(kāi)啟時(shí)上拉,DMA 中斷時(shí)下拉,通過(guò)測(cè)量高電平時(shí)間確認(rèn)速率是否達(dá)到 80MHZ。這種方法可靠嗎?
2025-03-17 06:32:07

HPM6E80芯片異常

的電壓為3.3V,出現(xiàn)這種現(xiàn)象是不是芯片燒掉了,我這邊打樣了3塊電路板,都出現(xiàn)這個(gè)問(wèn)題。我看HPM6E80數(shù)據(jù)手冊(cè),只要給 DCDC_IN、VPMC、VIO_Bxx供3.3V,VDD_SOC供1.2V
2025-03-13 17:52:45

FIBBR菲伯爾鍍銀DP80電競(jìng)線 | 次世代顯卡的理想伙伴

顯得尤為重要。菲伯爾FIBBR鍍銀DP80電競(jìng)線,正是為追求高水準(zhǔn)游戲體驗(yàn)的玩家所設(shè)計(jì)的一款優(yōu)選產(chǎn)品。為何50系顯卡用戶傾向于選擇鍍銀DP80電競(jìng)線?DP2.1接
2025-02-28 15:22:37803

dcdc帶載電壓拉低怎么解決?

輸入12V,使用ME3116轉(zhuǎn)5V,之后用ME6211轉(zhuǎn)3v3,只焊接降壓電路沒(méi)有問(wèn)題,再焊上stm32f103c8t6 dcdc輸出電壓拉低至2.1V,ME3116反饋電壓為8V,如圖為pcb設(shè)計(jì),求大佬解答
2025-02-27 06:00:54

DS28E80 1-Wire存儲(chǔ)器技術(shù)手冊(cè)

DS28E80是一款用戶可編程的非易失性存儲(chǔ)器芯片。與浮柵存儲(chǔ)單元相比,DS28E80采用了抗伽馬輻射的存儲(chǔ)單元技術(shù)。DS28E80有248字節(jié)的用戶內(nèi)存,這些內(nèi)存以8字節(jié)為單位進(jìn)行組織。單個(gè)塊可以
2025-02-26 11:43:101138

摩智能5篇論文入選國(guó)際頂會(huì)

2025年伊始,摩智能在三大國(guó)際頂會(huì)(AAAI、ICLR、DAC)中斬獲佳績(jī),共有5篇論文收錄,覆蓋大語(yǔ)言模型(LLM)推理優(yōu)化、模型量化、硬件加速等前沿方向。
2025-02-19 14:02:151311

PSMN2R3-80SSF N溝道MOSFET規(guī)格書

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2025-02-18 15:43:140

熱RC網(wǎng)絡(luò)(福斯特)型號(hào)PSMN2R8-80SSF

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2025-02-18 15:35:150

使用一片DLP3010的時(shí)候,出現(xiàn)工作一段時(shí)間擊穿的現(xiàn)象,怎么解決?

我司在使用一片DLP3010的時(shí)候,出現(xiàn)工作一段時(shí)間擊穿的現(xiàn)象,取下來(lái)進(jìn)行檢查發(fā)現(xiàn)VRST管腳對(duì)地電阻僅有5歐姆,外觀無(wú)任何異常。我們想確定問(wèn)題的原因,ESD/熱/電擊穿,結(jié)果在OM顯微鏡下出現(xiàn)了下面的圖像,猜測(cè)可能是問(wèn)題點(diǎn)。 請(qǐng)問(wèn)針對(duì)可能的原因或者下一步的排查方向,是否有什么建議呢?
2025-02-18 06:38:24

PSMN1R9-80SSE N溝道80V、1.9 mOhm MOSFET規(guī)格書

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2025-02-14 15:17:400

ADS1232高速測(cè)量時(shí)出現(xiàn)20分鐘的長(zhǎng)周期波動(dòng),是什么原因呢?

時(shí)(10次/秒),波動(dòng)已經(jīng)可以做到10個(gè)字以內(nèi),但是高速(80次/秒)時(shí)測(cè)值波動(dòng)較大,采用4個(gè)周期的移動(dòng)平均濾波,穩(wěn)定性增強(qiáng),但是數(shù)據(jù)出現(xiàn)20分鐘的長(zhǎng)周期波動(dòng),波動(dòng)幅度在800個(gè)字,形狀類似鋸齒波,請(qǐng)問(wèn)是什么原因呢?
2025-02-14 07:11:31

PSMN1R1-80CSF N溝道MOSFET規(guī)格書

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2025-02-13 17:18:540

PSMNR90-80CSF N溝道MOSFET規(guī)格書

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2025-02-13 17:17:500

SOD80C玻璃、全密封玻璃表面貼裝封裝規(guī)格書

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2025-02-13 15:39:251

PSMN1RO-80CSE N溝道、80V、0.95 mOhm、MOSFET規(guī)格書

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2025-02-13 15:37:380

allegro 通孔層拆開(kāi)成任意接的鐳射孔

allegro 輸出通孔層拆開(kāi)成任意接的鐳射孔是什么原因?
2025-02-12 14:59:09

PSMNR90-80ASE MOSFET規(guī)格書

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2025-02-12 14:51:530

PSMNR90-80ASF規(guī)格書

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2025-02-12 14:50:190

突破傳統(tǒng)!GCOM80-2NET的創(chuàng)新性邊緣計(jì)算方式

GCOM80-2NET邊緣計(jì)算網(wǎng)關(guān),突破傳統(tǒng)Modbus協(xié)議僅能進(jìn)行數(shù)據(jù)讀采的限制,直接在設(shè)備終端進(jìn)行復(fù)雜的數(shù)據(jù)點(diǎn)運(yùn)算,減少冗余數(shù)據(jù)傳輸,釋放軟件人員針對(duì)不同Modbus設(shè)備協(xié)議解析的時(shí)間
2025-02-10 16:43:39712

PSMN2R5-80SSE MOSFET規(guī)格書

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2025-02-09 16:39:470

PSMN3R3-80YSF SPICE熱模型

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2025-02-09 15:32:120

PSMN2R8-80SSF N溝道MOSFET規(guī)格書

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2025-02-08 16:56:450

OpenAI o3-mini模型思維鏈遭質(zhì)疑

質(zhì)疑。 有網(wǎng)友在體驗(yàn)表示,o3-mini的思維鏈文本似乎并非完全由大模型原生生成,而是經(jīng)過(guò)了某種形式的“總結(jié)”或“編寫”。這一觀點(diǎn)迅速在網(wǎng)絡(luò)上引發(fā)了熱議,不少用戶對(duì)OpenAI的公開(kāi)內(nèi)容產(chǎn)生了疑慮。 針對(duì)這一質(zhì)疑,OpenAI的CEO奧特曼迅速作出了
2025-02-08 10:57:24956

Wi-Fi FEM,康希和三伍微誰(shuí)會(huì)是未來(lái)第一

我們碰上了國(guó)產(chǎn)芯片創(chuàng)業(yè)大潮,但因?yàn)椴槐豢春靡恢?b class="flag-6" style="color: red">被質(zhì)疑,行業(yè)質(zhì)疑投資人質(zhì)疑,客戶質(zhì)疑,甚至供應(yīng)鏈質(zhì)疑。相反,看好的芯片創(chuàng)業(yè)公司一路綠燈,資本不斷加持,人才紛紛涌入,供應(yīng)鏈愿意支持,客戶愿意測(cè)試導(dǎo)入。同樣做Wi-Fi FE
2025-02-08 10:35:11832

ADS1118如何計(jì)算測(cè)電壓值?

超過(guò)+0.256V時(shí)的ADC測(cè)量值最大為0x3FFF,對(duì)應(yīng)計(jì)算測(cè)電壓值=0.256/16383*ADC值。 請(qǐng)問(wèn)MUX[2:0]=000,-> AINP is AIN0
2025-01-24 08:23:03

ads7845寫入0x90在讀數(shù)據(jù)一直是0x80,這是怎么回事?

對(duì)ads7845寫入0x90在讀數(shù)據(jù)一直是0x80。這是怎么回事?
2025-01-23 06:55:42

指針釋放就變成了空指針嗎

指針釋放,是不是就變成了空指針?有好多同學(xué)提出了這樣的問(wèn)題。 借用《C專家編程》上面的一段代碼,可以很好的解釋這個(gè)問(wèn)題。 ? ? #include int main(){ char *s
2025-01-22 09:23:21702

想要在ADS12864液晶上顯示出測(cè)波形,AD采樣需要DA嗎?

想要在12864 液晶上顯示出測(cè)波形,AD 采樣需要DA 么,求個(gè)解決方法?
2025-01-17 07:54:39

AI80C51U倒計(jì)時(shí)

AI80C51U倒計(jì)時(shí)
2025-01-10 11:41:06854

為什么80%的芯片采用硅晶圓制造

? 本文詳細(xì)介紹了硅作為半導(dǎo)體材料具有多方面的優(yōu)勢(shì),包括良好的半導(dǎo)體特性、高質(zhì)量的晶體結(jié)構(gòu)、低廉的成本、成熟的加工工藝和優(yōu)異的熱穩(wěn)定性。這些因素使得硅成為制造芯片的首選材料。 我們今天看到80%以上
2025-01-06 10:40:402391

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