阿爾卡特朗訊宣布攜手中國移動(dòng)推出創(chuàng)新型靈云無線系列全新產(chǎn)品。針對(duì)中國這一全球最大的移動(dòng)業(yè)務(wù)市場(chǎng)，該產(chǎn)品將幫助中國移動(dòng)加速在全國范圍內(nèi)部署4G TD-LTE 技術(shù)，以滿足用戶快速增長的對(duì)移動(dòng)視頻與數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)的需求。
2013-02-25 22:41:35
1182 半導(dǎo)體大廠已相繼投入研發(fā)更穩(wěn)定、高效率的替代材料。其中，鍺（Ge）和三五族（III-V）元素可有效改善電晶體通道的電子遷移率，提升芯片效能與省電效益，已被視為產(chǎn)業(yè)明日之星。
2013-03-15 09:11:281567 ）以下制程的技術(shù)藍(lán)圖；除將于2013年底展開14納米制程試產(chǎn)外，并可望在電晶體通道中率先導(dǎo)入鍺（Ge）或三五族（III-V）元素，進(jìn)一步替代主宰互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）制程很長一段時(shí)間的硅材料，掀動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新一波革命。
2013-04-17 09:46:562412 4月14日凌晨消息，據(jù)彭博社報(bào)道，有熟知內(nèi)情的消息人士稱，諾基亞正在與阿爾卡特-朗訊展開有關(guān)收購后者部分業(yè)務(wù)的高級(jí)談判，目的是增強(qiáng)其電信設(shè)備業(yè)務(wù)以及更好地與愛立信展開競爭。
2015-04-15 10:55:50814 諾基亞166億美元收購阿爾卡特-朗訊，諾基亞是將咸魚翻身，還是萬劫不復(fù)，還有待時(shí)間來檢驗(yàn)。
2015-04-16 09:25:312158 這篇文章簡要介紹CEA-Leti發(fā)布用于Chiplet 3D系統(tǒng)的硅光Interposer工藝架構(gòu)，包括硅光前端工藝 (FEOL)、TSV middle工藝、后端工藝 (BEOL) 和背面工藝。
2023-08-02 10:59:518085 
請(qǐng)教下以前的[半導(dǎo)體技術(shù)天地]哪里去了
2020-08-04 17:03:41
半導(dǎo)體技術(shù)是如何變革汽車設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)的？
2021-02-22 09:07:43
半導(dǎo)體材料
2012-04-18 16:45:16
半導(dǎo)體材料從發(fā)現(xiàn)到發(fā)展，從使用到創(chuàng)新，擁有這一段長久的歷史。宰二十世紀(jì)初，就曾出現(xiàn)過點(diǎn)接觸礦石檢波器。1930年，氧化亞銅整流器制造成功并得到廣泛應(yīng)用，是半導(dǎo)體材料開始受到重視。1947年鍺點(diǎn)接觸三極管制成，成為半導(dǎo)體的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00:15
半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性對(duì)某些微量雜質(zhì)極敏感。純度很高的半導(dǎo)體材料稱為本征半導(dǎo)體，常溫下其電阻率很高，是電的不良導(dǎo)體。在高純半導(dǎo)體材料中摻入適當(dāng)雜質(zhì)后，因?yàn)殡s質(zhì)原子提供導(dǎo)電載流子，使材料的電阻率大為
2013-01-28 14:58:38
好像***最近去英國還專程看了華為英國公司的石墨烯研究，搞得國內(nèi)好多石墨烯材料的股票大漲，連石墨烯內(nèi)褲都跟著炒作起來了~~小編也順應(yīng)潮流聊聊半導(dǎo)體材料那些事吧。
2019-07-29 06:40:11
進(jìn)口日本半導(dǎo)體硅材料呆料，硅含量高，其中有些硅圓片，打磨減薄后可以成為硅晶圓芯片的生產(chǎn)材料。聯(lián)系方式：沈女士（***）
2020-01-06 09:59:44
半導(dǎo)體制冷片是利用半導(dǎo)體材料的Peltier效應(yīng)而制作的電子元件，當(dāng)直流電通過兩種不同半導(dǎo)體材料串聯(lián)成的電偶時(shí)，在電偶的兩端即可分別吸收熱量和放出熱量，可以實(shí)現(xiàn)制冷的目的。它是一種產(chǎn)生負(fù)熱阻的制冷技術(shù)，其特點(diǎn)是無運(yùn)動(dòng)部件，可靠性也比較高。半導(dǎo)體制冷片的工作原理是什么？半導(dǎo)體制冷片有哪些優(yōu)缺點(diǎn)？
2021-02-24 09:24:02
摘要 : 導(dǎo)讀：ASEMI半導(dǎo)體這個(gè)品牌自打建立以來，就一直不間斷在研發(fā)半導(dǎo)體各類元器件，在半導(dǎo)體的制程和原理上可謂已經(jīng)是精益求精，今天ASEMI半導(dǎo)體要和大家一起分享的，就是這個(gè)半導(dǎo)體的制程導(dǎo)讀
2018-11-08 11:10:34
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍(lán)寶石硅（SoS）等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向
2019-07-05 08:13:58
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍(lán)寶石硅（SoS）等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向長期
2019-08-20 08:01:20
半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體的功能分類集成電路的四大類
2021-02-24 07:52:52
閾值叫死區(qū)電壓，硅管約0.5V，鍺管約0.1V。（硅和鍺是制造晶體管最常用的兩種半導(dǎo)體材料，硅管較多，鍺管較少）也就是我們?cè)诙O管整流得時(shí)候理想是，整個(gè)周期都是導(dǎo)通的，但是由于死區(qū)電壓的存在，實(shí)際上并不是全部導(dǎo)通的，當(dāng)半導(dǎo)體電壓
2021-09-03 07:21:43
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 編輯
整合意法半導(dǎo)體的制造規(guī)模、供貨安全保障和電涌耐受能力與MACOM的硅上氮化鎵射頻功率技術(shù)，瞄準(zhǔn)主流消費(fèi)
2018-02-12 15:11:38
的射頻器件越來越多，即便集成化仍然很難控制智能手機(jī)的成本。這跟功能機(jī)時(shí)代不同，我們可以將成本做到很低，在全球市場(chǎng)都能夠保證低價(jià)。但如果到了5G時(shí)代，需要的器件越來越多，價(jià)格越來越高。半導(dǎo)體材料硅基氮化鎵
2017-07-18 16:38:20
光源。該問題的一種解決方案是硅與 III-V 族半導(dǎo)體的混合集成。在混合集成中，III-V 族半導(dǎo)體鍵合在 SOI 波導(dǎo)電路的頂部。有源光子功能（光發(fā)射、放大）由 III-V 材料執(zhí)行，而無源功能
2021-07-08 13:14:11
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：III-V族半導(dǎo)體納米線結(jié)構(gòu)的光子學(xué)特性編號(hào)：JFSJ-21-075作者：炬豐科技 摘要：III-V 族半導(dǎo)體納米線 (NW) 由于其沿納米線軸對(duì)電子和光子
2021-07-09 10:20:13
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN 半導(dǎo)體材料與器件手冊(cè)編號(hào)：JFSJ-21-059III族氮化物半導(dǎo)體的光學(xué)特性介紹III 族氮化物材料的光學(xué)特性顯然與光電應(yīng)用直接相關(guān)，但測(cè)量光學(xué)特性
2021-07-08 13:08:32
`書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：在硅上生長的 InGaN 基激光二極管的腔鏡的晶圓制造編號(hào)：JFSJ-21-034作者：炬豐科技 摘要：在硅 (Si) 上生長的直接帶隙 III-V
2021-07-09 10:21:36
提供專業(yè)、高效、技術(shù)支持與服務(wù)。此外還可為有需求的長三角及周邊客戶提供短時(shí)間內(nèi)到達(dá)現(xiàn)場(chǎng)維修技術(shù)服務(wù)?！ ?010-04926應(yīng)用材料半導(dǎo)體配件的分類及性能： ?。?）元素半導(dǎo)體。元素半導(dǎo)體是指單一
2020-03-26 15:40:25
上海貝爾阿爾卡特BSC詳解（內(nèi)部資料）
2013-07-11 19:50:24
上海貝爾阿爾卡特BSC詳解（內(nèi)部資料）2
2013-07-11 21:54:48
、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。 第三部分：用漢語拼音字母表示半導(dǎo)體器件的內(nèi)型。P-普通管、V-微波管、W-穩(wěn)壓管、C-參量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光電器件、K-開關(guān)
2021-05-25 08:01:53
1、GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
（SiC）和氮化鎵（GaN）是功率半導(dǎo)體生產(chǎn)中采用的主要半導(dǎo)體材料。與硅相比，兩種材料中較低的本征載流子濃度有助于降低漏電流，從而可以提高半導(dǎo)體工作溫度。此外，SiC 的導(dǎo)熱性和 GaN 器件中穩(wěn)定的導(dǎo)通電
2023-02-21 16:01:16
去的三十年里，III-V 技術(shù)（GaAs 和InP）已經(jīng)逐漸擴(kuò)大到這個(gè)毫米波范圍中。新近以來，由于工藝尺寸持續(xù)不斷地減小，硅技術(shù)已經(jīng)加入了這個(gè)“游戲”。在本文中，按照半導(dǎo)體特性和器件要求，對(duì)可用
2019-07-31 07:43:42
法國研究機(jī)構(gòu)CEA-Leti開發(fā)出可用于提供交通運(yùn)輸數(shù)據(jù)的新工具，包括一個(gè)可讓通勤使用者佩戴的腕帶型穿戴式應(yīng)力監(jiān)測(cè)器，以及與其搭配的智能手機(jī)應(yīng)用程序(App)，可用于偵測(cè)佩戴者所使用的交通運(yùn)輸方式，并評(píng)估使用者的決定對(duì)于環(huán)境的影響。
2020-08-19 07:39:54
。作為全球FTTH接入解決方案領(lǐng)導(dǎo)者，阿爾卡特朗訊提出了新型的低成本網(wǎng)絡(luò)運(yùn)維解決方案。這個(gè)方案基于阿爾卡特朗訊最新的嵌入式PON光鏈路層監(jiān)測(cè)技術(shù)。將OTM和OTDR嵌入到光收發(fā)模塊上，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)光
2019-08-12 07:32:26
，這改善了晶體管性能，且降低了器件功耗。3. III-V族材料上柵堆疊：Intel、Sematech等已在討論在未來設(shè)計(jì)中采用InGaAs/高k界面。這種方法也能改善性能降低功耗。4. 量子阱
2014-01-04 09:52:44
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
、日本等國家和組織啟動(dòng)了至少12項(xiàng)研發(fā)計(jì)劃，總計(jì)投入研究經(jīng)費(fèi)達(dá)到6億美元。借助各國***的大力支持，自從1965年第一支GaAs晶體管誕生以來，化合物半導(dǎo)體器件的制造技術(shù)取得了快速的進(jìn)步，為化合物半導(dǎo)體
2019-06-13 04:20:24
聚光型太陽能電池主要材料是[砷化鎵](GaAs)，也就是三五族(III-V)材料，一般硅晶材料只能夠吸收太陽光譜中400～1,100nm波長之能量，而聚光型不同于硅晶圓太陽能技術(shù)，透過多接面化合物
2019-10-15 09:12:19
化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）為代表的化合物半導(dǎo)體材料和以石墨烯為代表的碳基材料。了解每種新型材料及其應(yīng)用在技術(shù)成熟度曲線的位置，對(duì)我們研發(fā)、投資切入有著極其重要的意義。作為
2017-02-22 14:59:09
的核心單元都和半導(dǎo)體有著極為密切的關(guān)連。常見的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導(dǎo)體材料中，在商業(yè)應(yīng)用上最具有影響力的一種。 半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類
2016-11-27 22:34:51
，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。隨著無線通信的發(fā)展，高頻電路應(yīng)用越來越廣，今天我們來介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導(dǎo)體材料及工藝情況。
2019-06-27 06:18:41
阿爾卡特－朗訊 2008校園招聘 筆試題
第一部分是通信類題目1、信道編碼的作用2、中國移動(dòng)SMS短信的原理3、repeater、bridge、router 區(qū)別4、最近2－3年通信領(lǐng)域的發(fā)
2009-01-07 08:21:11
41 阿爾卡特的GSM基本原理教材:
2009-06-19 17:32:0144 ?? 阿爾卡特集團(tuán)在全球市場(chǎng)上是固網(wǎng)話音通信、移動(dòng)通信、寬帶數(shù)據(jù)和光傳輸?shù)确矫鎸＜?。發(fā)展傳統(tǒng)的話音和數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)的同時(shí)，阿爾卡特很早投入了下一代網(wǎng)絡(luò)的研究和開發(fā)
2009-06-25 14:25:2830 阿爾卡特BSC維護(hù)手冊(cè):BSC維護(hù)操作手冊(cè) B71 Evolium BSC維護(hù)手冊(cè)1.1 準(zhǔn)備工作注意：當(dāng)BSC軟件版本為B7.2時(shí)，必須使用對(duì)應(yīng)的操作維護(hù)終端進(jìn)行維護(hù)操作。此外，還需要對(duì)應(yīng)
2010-03-19 08:45:3420 阿爾卡特軟交換產(chǎn)品VOIP數(shù)據(jù)創(chuàng)建過程成都通信建設(shè)工程局 王璽 薛恒飛 郵政編碼 611130[摘要] 本文通過對(duì)阿爾卡特移動(dòng)軟交換設(shè)備在VOIP數(shù)據(jù)如何創(chuàng)建過程的介紹，簡要介
2010-05-16 01:39:226 半導(dǎo)體世界是平的--記貝爾實(shí)驗(yàn)室終止半導(dǎo)體研究
貝爾實(shí)驗(yàn)室?guī)滋烨白C實(shí)了關(guān)于該公司退出芯片研究業(yè)務(wù)的消息。
貝爾實(shí)驗(yàn)室，現(xiàn)已成為阿爾卡特-朗訊公司的一
2008-09-03 09:33:20633 在今年2月巴塞羅那的移動(dòng)世界大會(huì)上，美國運(yùn)營商VerizonWireless宣布了構(gòu)建美國首個(gè)LTE網(wǎng)絡(luò)的規(guī)劃，并選擇了阿爾卡特朗訊作為其惟一全面提供LTE、ePC和IMS端到端系統(tǒng)的供應(yīng)商，支持
2009-06-16 14:00:45842 近日，阿爾卡特宣布以3.2億美金收購北電旗下WCDMA業(yè)務(wù)及其相關(guān)資產(chǎn)。
根據(jù)協(xié)議，阿爾卡特將收購北電旗下OSIRIS品牌的WCDMA業(yè)務(wù)，主要包括北電WCDMA無線產(chǎn)品、相關(guān)資產(chǎn)和專
2009-06-20 09:54:38517 III-V族化合物,III-V族化合物是什么意思
III-V族化合物半導(dǎo)體;III-V group elements compound semiconductor 分子式：CAS號(hào)：
2010-03-04 12:16:164356 阿爾卡特朗訊宣布推出新型無線接入網(wǎng)絡(luò)解決方案lightRadio，該解決方案徹底顛覆了現(xiàn)有的移動(dòng)及寬帶基礎(chǔ)架構(gòu)，顯著簡化了移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)。
2011-02-21 11:56:181182 爾卡特品牌國內(nèi)首款A(yù)ndroid平臺(tái)手機(jī)年內(nèi)上市。阿爾卡特2011年將加大開發(fā)高性價(jià)比智能手機(jī)，推出更多新型娛樂社交型的互聯(lián)網(wǎng)手機(jī)，布局UMTS等3G制式。
2011-02-25 10:26:21851 阿爾卡特朗訊今天早間宣布，該公司的中國旗艦公司——上海貝爾已完成了TD-LTE規(guī)模外場(chǎng)準(zhǔn)入測(cè)試
2011-03-26 09:27:35863 阿爾卡特朗訊OmniAccess AP60和61（OAW-AP60和OAW-AP61）是無線密集部署的理想 選擇，它們是單頻802.11a或b/g AP，提供了高容量、性能和覆蓋能力。通過與阿爾卡特 朗訊OmniAccess無線交換機(jī)配合，
2011-03-29 09:56:410 日前，阿爾卡特朗訊宣布推出增強(qiáng)型寬帶產(chǎn)品，以進(jìn)一步推進(jìn)超高速寬帶業(yè)務(wù)的發(fā)展。采用率先實(shí)現(xiàn)商用的VDSL2矢量化技術(shù)，阿爾卡特朗訊將幫助運(yùn)營商大幅提升現(xiàn)有銅線接入網(wǎng)絡(luò)的速
2011-10-10 10:02:141034 日前，阿爾卡特朗訊推出一套全新的方案，幫助企業(yè)通訊系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)云架構(gòu)遷移，滿足服務(wù)商、系統(tǒng)集成商及渠道商實(shí)現(xiàn)統(tǒng)一通信及服務(wù)需求，實(shí)現(xiàn)基于云架構(gòu)的應(yīng)用型通信服務(wù)。
2013-03-27 15:11:371267 阿爾卡特朗訊（巴黎證交所與紐約證交所：ALU）和美國高通技術(shù)公司（NASDAQ：QCOM）今日宣布，計(jì)劃聯(lián)合開發(fā)小型基站，旨在增強(qiáng)3G、4G和WiFi網(wǎng)絡(luò)，改善住宅和企業(yè)環(huán)境中的無線連接。
2013-08-03 10:14:011175 全球網(wǎng)絡(luò)與通信市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Dell’Oro發(fā)布 “2015年第4季度全球無線局域網(wǎng)WLAN市場(chǎng)報(bào)告”，報(bào)告顯示，ALE（以阿爾卡特朗訊企業(yè)通信為品牌）2015年第4季度在無線局域網(wǎng)WLAN市場(chǎng)同比和環(huán)比增長率均表現(xiàn)出色，領(lǐng)跑市場(chǎng)水平。
2016-04-15 17:45:381217 ALE，以阿爾卡特朗訊企業(yè)通信為品牌，日前宣布阿爾卡特朗訊Rainbow?現(xiàn)已正式面世，這是一個(gè)基于云的創(chuàng)新型管理平臺(tái)，能夠?qū)⑵髽I(yè)用戶、業(yè)務(wù)聯(lián)系人和系統(tǒng)連接在一起。通過Rainbow，員工能夠提高協(xié)作性和生產(chǎn)力，突破企業(yè)邊界的限制。
2016-12-05 14:29:301648 晶元光電總經(jīng)理周銘俊博士在“上游芯片技術(shù)創(chuàng)造下游應(yīng)用新局面”發(fā)表了題為《實(shí)現(xiàn)III-V光電創(chuàng)新，推動(dòng)未來智能生活》的主題演講。
2018-06-14 15:36:134496 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體和CEA Tech下屬的研究所Leti今天宣布合作研制硅基氮化鎵（GaN）功率開關(guān)器件制造技術(shù)。
2018-09-30 14:36:334536 以諾基亞收購阿爾卡特朗訊中雙方專利技術(shù)領(lǐng)域情況為例來看，諾基亞在通信這塊以無線寬帶為主，而阿爾卡特朗訊除了無線還有IP/固網(wǎng)寬帶、超寬帶等，收購阿爾卡特朗訊正好可以彌補(bǔ)諾基亞的產(chǎn)品布局。除此之外，阿爾卡特朗訊在北美市場(chǎng)做得非常好，而諾基亞正好在這一市場(chǎng)相對(duì)薄弱，兩家地域發(fā)展優(yōu)勢(shì)可以互補(bǔ)。
2018-10-24 10:14:0925389 Yole電力電子技術(shù)與市場(chǎng)分析師Ana Villamor與意法半導(dǎo)體功率RF和GaN產(chǎn)品部經(jīng)理Filippo Di Giovanni會(huì)面，討論意法半導(dǎo)體與CEA-Leti在GaN研發(fā)方面的合作情況，以及未來幾年功率GaN路線圖。
2018-12-24 15:14:276507 目前廣泛應(yīng)用的半導(dǎo)體材料有鍺、硅、硒、砷化鎵、磷化鎵、銻化銦等．其中以鍺、硅材料的生產(chǎn)技術(shù)較成熟，用的也較多。
2019-03-29 15:21:5715426 和資源，嘗試提高電池管理系統(tǒng)（BMS）。但是，沒人考慮過將BMS、充電器和逆變器直接整合至一個(gè)電池組內(nèi)。據(jù)外媒報(bào)道，位于法國格勒諾布爾（Grenoble）的研究機(jī)構(gòu)法國原子能委員會(huì)電子與信息技術(shù)實(shí)驗(yàn)室（CEA－Leti）卻提出了該想法
2020-10-05 10:07:00636 理論上所有半導(dǎo)體都可以作為芯片材料，但是硅的性質(zhì)穩(wěn)定、容易提純、儲(chǔ)存量巨大等等性質(zhì)，是所有半導(dǎo)體材料中，最適合做芯片的。
2019-11-04 17:21:5720370 據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，近日，CEA-Leti在2020年美國西部光電展針對(duì)其最新推出的光聲光譜探測(cè)器，發(fā)表了題為《微型光聲探測(cè)器：突破集成在硅片上的中紅外光聲光譜技術(shù)極限》的論文，該探測(cè)器具有較強(qiáng)的抗噪聲干擾能力、高靈敏度以及高選擇性。
2020-02-19 09:19:533552 近日，F(xiàn)acebook的首席AI科學(xué)家Yann LeCun在法國CEA－Leti研究實(shí)驗(yàn)室的創(chuàng)新日上指出，由于美國限制中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、以及NVIDIA并購ARM的動(dòng)作，正加速RISC－V在邊緣AI應(yīng)用的神經(jīng)網(wǎng)路方面的應(yīng)用。
2020-10-23 11:35:412768 近日阿爾卡特推出了一款入門級(jí)的新機(jī)，Alcatel 3L。這款阿爾卡特3L將于2021年3月開售，在歐洲各地的零售價(jià)為149歐元，該機(jī)是TCL在CES上公布的最貴的阿爾卡特手機(jī)。
2021-01-12 14:52:542458 書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章：III-V的光子學(xué)特性 編號(hào)：JFKJ-21-215 作者：炬豐科技 摘要 ? ???III-V型半導(dǎo)體納米線已顯示出巨大的潛力光學(xué)、光電和電子器件的構(gòu)建
2023-04-19 10:03:00468 
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章：III-V集成光子的制備 編號(hào)：JFKJ-21-212 作者：炬豐科技 摘要 ? 本文主要研究集成光子的制備工藝?；?b class="flag-6" style="color: red">III-V半導(dǎo)體的器件，?這項(xiàng)工作涵蓋
2023-04-19 10:04:00535 
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章：III-V族化學(xué)-機(jī)械拋光工藝開發(fā) 編號(hào)：JFKJ-21-214 作者：炬豐科技 摘要 ? III-V材料與絕緣子上硅平臺(tái)的混合集成是一種很有前景的技術(shù)。二
2023-04-18 10:05:00601 
，這些問題變得更加重要。在本文中，我們提出了一種濕式微溝蝕刻工藝，允許單個(gè)太陽能電池的電隔離而不損害側(cè)壁。用溴-甲醇蝕刻，通常用于III-V化合物的非選擇性蝕刻的溶液，會(huì)在半導(dǎo)體表面形成不必要的蝕孔。我們研究了空穴形成的
2022-01-21 13:33:01991 
摘要 III-V材料與絕緣子上硅平臺(tái)的混合集成是一種很有前景的技術(shù)。二乙烯基硅氧烷-雙苯并環(huán)丁烯(簡稱DVS-BCB或BCB)是作為一種技術(shù)出現(xiàn)適合在工業(yè)規(guī)模上實(shí)現(xiàn)這樣的集成。耦合為這些混合器
2022-02-24 14:02:482253 
太陽能電池的優(yōu)劣主要的標(biāo)準(zhǔn)是光電轉(zhuǎn)化率 ，光電轉(zhuǎn)化率越高 ，說明太陽能電池的工作效率越高。根據(jù)應(yīng)用的半導(dǎo)體材料的不同 ，太陽能電池分為晶體硅太陽能電池、薄膜電池以及III-V族化合物電池。 照明應(yīng)用 LED是建立在半導(dǎo)體晶體管上
2022-03-08 15:13:2315807 常見的半導(dǎo)體材料有硅（si）、鍺（ge），化合物半導(dǎo)體，如砷化鎵（gaas）等;摻雜或制成其它化合物半導(dǎo)體材料，如硼（b）、磷（p）、錮（in）和銻（sb）等。其中硅是最常用的一種半導(dǎo)體材料。
2022-09-22 15:40:086801 、電力配套、動(dòng)力站等功能于一體的公輔設(shè)施。該項(xiàng)目將聯(lián)合上海集成電路材料研究院共同承擔(dān)國家集成電路材料創(chuàng)新中心項(xiàng)目，擬建設(shè)一座硅材料工程技術(shù)研發(fā)實(shí)驗(yàn)基地。 上海新昇半導(dǎo)體科技有限公司是上海硅產(chǎn)業(yè)集團(tuán)股份有限公司的全資控股子公
2022-11-10 10:34:061838 
半導(dǎo)體。例如，砷化鎵(GaAs)是二元III-V化合物，它是第三列的鎵(Ga)和第五列的砷(As)的組合。三元化
合物可以由三個(gè)不同列的元素形成，例如，碲化汞銦(HgIn 2 Te 4)，一種II-III-VI化合物。它們也可以由兩列中的元素形成，例如砷化鋁鎵
(Al xGa 1- xAs)，這是
2023-02-27 14:46:243 CEA-Leti創(chuàng)下5.1至7.7 Gbps的LiFi通信速度世界紀(jì)錄
2023-06-02 09:10:48944 
點(diǎn)擊藍(lán)字·關(guān)注我們HCCL?！Y訊快報(bào)！圖片來源：Lifitechnews官網(wǎng)法國格勒諾布爾的CEA-Leti宣布，他們利用單個(gè)GaN藍(lán)色微型發(fā)光二極管（LED）在可見光通信（VLC）中實(shí)現(xiàn)了
2023-06-08 14:23:301337 
半導(dǎo)體材料作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游的重要環(huán)節(jié)，在芯片的生產(chǎn)制造過程中起到關(guān)鍵性作用。根據(jù)芯片制造過程劃分，半導(dǎo)體材料主要分為基體材料、制造材料和封裝材料。其中，基體材料主要用來制造硅晶圓或化合物半導(dǎo)體
2023-08-14 11:31:473396 ，擬建設(shè)一座硅材料工程技術(shù)研發(fā)實(shí)驗(yàn)基地，建成后將徹底改變我國在硅材料工程研究與應(yīng)用方面的不足，帶動(dòng)國內(nèi)硅材料配套產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，同時(shí)也將帶動(dòng)相關(guān)硅材料上下游產(chǎn)業(yè)的持續(xù)創(chuàng)新。 上海新昇半導(dǎo)體科技有限公司是上海硅產(chǎn)業(yè)集團(tuán)股份有限公
2023-08-14 18:04:391373 
半導(dǎo)體材料是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的核心，它是制造電子和計(jì)算機(jī)芯片的基礎(chǔ)。半導(dǎo)體材料的種類繁多，不同的材料具有不同的特性和用途。本文將介紹現(xiàn)代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中常用的半導(dǎo)體材料。 一、硅(Si) 硅是最常見的半導(dǎo)體
2023-11-29 10:22:172868 
硅作為一種半導(dǎo)體的使用材料徹底改變了電子工業(yè)，開啟了數(shù)字時(shí)代。然而，許多人仍對(duì)這種重要的材料的性質(zhì)和用途一無所知。讓我們近距離地了解一下硅，它是什么，怎樣生產(chǎn)，用途是什么，以及硅行業(yè)的未來可能會(huì)有什么發(fā)展。
2023-12-09 11:30:005221 
來源：Silicon Semiconductor 該成果確立了在工業(yè)平臺(tái)（包括最先進(jìn)的BEOL）上制造高性能硅CMOS器件的可行性，且不影響底層的性能。 CEA-Leti在IEDM 2023上描述了
2023-12-28 16:14:081427 隨著技術(shù)的快速發(fā)展，硅作為傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料的局限性逐漸顯現(xiàn)。探索硅的替代材料，成為了科研領(lǐng)域的重要任務(wù)。在本文中，我們將探討硅面臨的挑戰(zhàn)以及可能的替代材料。
2024-01-08 09:38:362750 半導(dǎo)體材料是指在溫度較低且電流較小的條件下，電阻率介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料。半導(dǎo)體材料在電子器件中具有廣泛的應(yīng)用，如集成電路、太陽能電池、發(fā)光二極管等。其中，硅和二氧化硅是半導(dǎo)體材料中最常見的兩種
2024-01-17 15:25:126565 半導(dǎo)體材料是一種電子能級(jí)介于導(dǎo)體材料和絕緣體材料之間的材料，在固體物質(zhì)中具有特殊的電導(dǎo)特性。在半導(dǎo)體材料中，電子的能帶結(jié)構(gòu)決定了電子的運(yùn)動(dòng)方式，從而決定了電子導(dǎo)電性質(zhì)的特點(diǎn)。 常見的半導(dǎo)體材料包括硅
2024-02-04 09:46:078267 且成本較低。硅的豐富資源是其成為半導(dǎo)體工業(yè)基石的重要前提。通過先進(jìn)的提純和晶體生長技術(shù)，可以生產(chǎn)出高純度的單晶硅或多晶硅，為半導(dǎo)體器件的制造提供了可靠的材料基礎(chǔ)。 二、優(yōu)異的半導(dǎo)體特性 硅的導(dǎo)電性介于導(dǎo)體和絕緣
2024-09-21 11:46:024833 據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，法國研究機(jī)構(gòu)CEA-Leti開發(fā)出了一種結(jié)合混合鍵合和高密度硅通孔（TSV）的新工藝，可用于在CMOS圖像傳感器（CIS）中嵌入人工智能（AI）。 將人工智能整合到新一代CMOS
2024-11-13 17:09:0932224 半導(dǎo)體材料因其在紅外探測(cè)、高速電子器件及新型能源技術(shù)中的潛在應(yīng)用，成為科研工作者和工業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。 銻化鎵晶體的基本性質(zhì) 銻化鎵(GaSb)材料材料概述 銻化鎵（Gallium Antimonite, GaSb） 是 III-V 族化合物半導(dǎo)體， 屬于閃鋅礦、直接帶隙材料， 其禁帶寬
2024-11-27 16:34:512415 
具有高增益和高輸出功率的硅基混合III-V半導(dǎo)體光放大器在許多應(yīng)用中非常重要，如光收發(fā)器、集成微波光子學(xué)和光子波束成形。
2024-12-30 16:15:041275 
半導(dǎo)體材料是現(xiàn)代信息技術(shù)的基石，其發(fā)展史不僅是科技進(jìn)步的縮影，更是人類對(duì)材料性能極限不斷突破的見證。從第一代硅基材料到第四代超寬禁帶半導(dǎo)體，每一代材料的迭代都推動(dòng)了電子器件性能的飛躍。 1 第一代
2025-04-10 15:58:562601 CEA-Leti與Soitec建立了戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，通過創(chuàng)新性地使用全耗盡型絕緣體上硅（FD-SOI）技術(shù)來提高集成電路（IC）的網(wǎng)絡(luò)安全性。 ? 此次合作旨在通過利用和擴(kuò)展FD-SOI抵御
2025-06-30 16:30:35458
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論