盡管 2012年整體電子產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)不佳，但仍有許多表現(xiàn)優(yōu)秀的新創(chuàng)公司從各個技術(shù)領(lǐng)域冒出頭來;以下盤點(diǎn)值得在 2013年繼續(xù)關(guān)注其動態(tài)的十家具潛力新創(chuàng)公司，它們擅長的領(lǐng)域涵蓋處理器、存儲器、半導(dǎo)體制程、芯片架構(gòu)、EDA、微機(jī)電(MEMS)、RF、觸控屏幕、伺服器以及物聯(lián)網(wǎng)(IoT)。

　　碳奈米管記憶體專家Nantero

　　總部位于美國麻州的 Nantero 成立于2001年，專長于碳奈米管(carbon nanotubes)非揮發(fā)性記憶體技術(shù);該公司在2006年曾以溝槽式(trench-based)元件架構(gòu)引發(fā)話題，但之后又歸于沉寂。直到2012年，該公司將元件架構(gòu)改為更具可擴(kuò)展性的通孔(in-via)架構(gòu)，并宣佈從兩家策略伙伴募得1,000萬美元額外資金。

　　Nantero 最近并與比利時研究機(jī)構(gòu)IMEC宣佈一項20奈米以下節(jié)點(diǎn)的碳奈米管非揮發(fā)性記憶體合作開發(fā)計畫，IMEC官員期望該種記憶體可取代DRAM。如果該技術(shù)開發(fā)進(jìn)度一切順利，可望在2013年發(fā)表更多進(jìn)展，而該公司的策略伙伴也或許會現(xiàn)身。

　　新一代電晶體專家SuVolta

　　總部位于美國加州的SuVolta在2005年成立時名為DSM Solutions，一開始塬本計畫進(jìn)軍創(chuàng)新型態(tài)的接面場效電晶體(junction FET)市場，后來經(jīng)歷了一次重新評估，并在2011年Scott Thompson任職該公司技術(shù)長后，以摻雜(doping)技術(shù)推出全耗盡平面電晶體(fully-depleted planar transistor)架構(gòu)，取代過去其他業(yè)者使用絕緣上覆硅晶圓的方式(即FD-SOI)。

　　確實(shí)，SuVolta的PowerShrink電晶體所具備的深度耗盡通道可望提供FinFET與FD-SOI之外的n通道FET方案，但看來目前并沒有任何一家領(lǐng)先級IDM廠商或晶圓代工業(yè)者想嘗試。不過Globalfoundries執(zhí)行長Ajit Manocha已經(jīng)表示，該公司正在評估FinFET與FD-SOI之外的第叁種製程──super-steep retrograde well (SSRW)，基本上就是SuVolta所開發(fā)的技術(shù)。

　　目前尚不清楚Globalfoundries是否與SuVolta合作，或是兩者是各自獨(dú)立開發(fā);無論是哪種情況，SuVolta的未來發(fā)展都值得繼續(xù)關(guān)注。SuVolta的PowerShrink電晶體製程可提供與FD-SOI類似的優(yōu)勢，但不需要使用SOI晶圓;該種電晶體亦能達(dá)到部分FinFET的優(yōu)勢。