集微網(wǎng)消息，1月9日，英特爾(Intel)宣布與美光(Micron)即將在第三代3D NAND之后分道揚鑣。今日***DIGITIMES報道指出，業(yè)界透露英特爾在3D NAND布局押寶大陸市場，不僅擴(kuò)充大陸12吋廠的產(chǎn)能，后續(xù)不排除以技術(shù)授權(quán)等方式，加速攜手紫光集團(tuán)，屆時恐顛覆NAND Flash產(chǎn)業(yè)。

DIGITIMES報道指出，英特爾在2012年開始陸續(xù)退出新加坡廠的股份，并降低對IM Flash合資廠的持股，英特爾更開始擴(kuò)張大陸市場，將大連廠改裝成3D NAND工廠，埋下英特爾與美光在3D NAND布局各奔前程的伏筆。觀察近些年英特爾在NAND Flash的策略，早已步步疏離美光，雙方正式宣告離異，業(yè)界并不驚訝。

DIGITIMES稱，紫光集團(tuán)與英特爾一直有意擴(kuò)大合作，傳出有延伸至存儲器產(chǎn)業(yè)的跡象，業(yè)界推測英特爾與美光“分手”的原因之一，可看作英特爾大連3D NAND廠與紫光集團(tuán)展開合作所做的前期布局。

至于兩家公司分道揚鑣的理由，此前有業(yè)界人士分析，在NAND堆疊層數(shù)破百后，需要調(diào)整String Stacking的堆疊方式，因為雙方對此看法不同，因而分手。另外一種可能是，目前3D NAND的生產(chǎn)主流是電荷儲存式（Charge trap） ，三星電子等廠商均采用這一方式，英特爾/美光是唯一采用浮閘（floating gate）架構(gòu)的廠商。也許是兩家公司中有一家想改采電荷儲存式架構(gòu)，但這相當(dāng)于承認(rèn)失敗，表明從2D NAND轉(zhuǎn)換成3D NAND后，選用浮閘是一個錯誤決定，因而鬧翻。

據(jù)DIGITIMES援引NAND Flash產(chǎn)業(yè)人士分析，若英特爾與紫光集團(tuán)合體進(jìn)攻3D NAND市場，這將會是三星、東芝(Toshiba)等大廠最怕見到的情況，因為一旦大陸勢力介入現(xiàn)在六強(qiáng)鼎立的3D NAND市場生態(tài)，恐讓市場供需更快速失衡，陷入供過于求。站在英特爾角度，若英特爾引入紫光勢力，不但可以給三星、東芝等陣營下馬威，更可以有條件換取大陸更好的發(fā)展空間，這一招聯(lián)陸抗日韓來說是非常不錯的戰(zhàn)術(shù)。

集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)也發(fā)表文章認(rèn)為，美光與英特爾未來在獨立開發(fā)NAND Flash技術(shù)后，也不排除尋求如中國廠商等其他廠商合作的可能性，以增加其市場影響力。

據(jù)集微網(wǎng)掌握的消息分析，這一事件應(yīng)該與紫光集團(tuán)的關(guān)系不大。

據(jù)悉，在3D NAND制程方面，英特爾和美光已進(jìn)入第二代產(chǎn)品可堆疊64層，目前正在研發(fā)第三代產(chǎn)品，預(yù)料將可實現(xiàn)96層的堆疊技術(shù)，有望在2018年底、2019年初問世。未來，兩家公司還會繼續(xù)共同研發(fā) 3D XPoint 存儲器，此一技術(shù)被譽(yù)為打破摩爾定律的革命技術(shù)。

英特爾強(qiáng)調(diào)，雙方都認(rèn)為，獨立之后，將能抽出更多精力優(yōu)化自身產(chǎn)品、服務(wù)客戶，且不會對路線圖和技術(shù)節(jié)點造成影響。DRAMeXchange也表示，由于96層3D NAND直到2019年才逐漸成為主流，分析美光與英特爾拆分結(jié)盟的決議要到2020年后才會影響雙方產(chǎn)品的規(guī)劃與結(jié)構(gòu)。