Kioxia 廠商介紹:KIOXIA Group 是 NAND 閃存的最大制造商之一。 1987年,KIOXIA發(fā)明了世界上第一個用于數(shù)據存儲的NAND閃存。該技術現(xiàn)在正用于從
2025-12-21 12:26:21
的主要產品是高速和低功耗 SRAM 以及低密度和中密度 DRAM、NOR/NAND 閃存和 eMMC 產品。我們以具有成本效益的高質量半導體產品瞄準這些關鍵市場,并尋求
2025-12-21 11:21:28
蘋果測試反向無線充電,支持設備應急供電,或成未來無線生態(tài)新功能。
2025-12-20 08:19:00
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函數(shù)調用對于處理器的性能消耗是很小的,只占有函數(shù)執(zhí)行工作中性能消耗的一小部分。參數(shù)傳入函數(shù)變量寄存器中有一定的限制。這些參數(shù)必須是整型兼容的(char,shorts,ints和floats都占用
2025-12-12 07:50:08
正是這一年,閃迪(Sandisk)創(chuàng)立,此后長期深耕閃存領域,并以一系列革命性突破定義了行業(yè)軌跡,成為全球閃存技術存儲行業(yè)的標桿。 專業(yè)從事閃存技術研發(fā)與存儲產品制造,閃迪早在1991年就推出全球首款基于閃存技術的商用型固態(tài)硬盤,
2025-12-11 08:58:59
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)為基本寫入單位
以塊(Block)為基本擦除單位
讀取偏向順序讀寫
這種結構大幅提高了存儲密度,使 NAND 的容量成本優(yōu)勢極其明顯,但也帶來兩個問題:
寫入小數(shù)據時需“讀—改—寫
2025-12-08 17:54:19
鴻蒙系統(tǒng)對手機市場會產生怎樣的影響?現(xiàn)在汽車是不是也用上鴻蒙系統(tǒng)了?
2025-12-04 20:47:38
全部渠道和消費類產品執(zhí)行10%普漲。美光、三星等存儲大廠也紛紛跟進漲價。 ? 針對NAND閃存四季度合約價上漲的預期,TrendForce給出的平均漲幅預估為5%-10%。顯然,此次閃迪的大幅漲價已遠超預估價格。 ? 臺媒稱,受閃迪11月大幅調漲NAND閃存合約價格的影響,創(chuàng)見、宜鼎國
2025-11-11 09:20:24
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:原理、性能與應用 隨著消費電子、工業(yè)控制、汽車電子和安防監(jiān)控等領域對高密度、低成本存儲需求的不斷攀升,SD NAND閃存因其體積小、集成度高、易于部署的特點,成為SD卡(SD、SDHC、SDXC等
2025-10-30 08:38:40
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一、并行NAND閃存的基本概念 并行NAND閃存(Parallel NAND)是一種通過多條數(shù)據線同時傳輸多位數(shù)據的非易失性存儲芯片。不同于串行NAND依靠單線傳輸數(shù)據,并行NAND通過多個數(shù)據引腳
2025-10-30 08:37:07
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縱向深入:多系列精準布局 芯天下針對不同場景需求,精準設計并推出多樣化的NAND產品系列: SPI NAND 系列 XT26G08DWSIGA / 26G08DWSIGA: 容量:8Gbit 工作
2025-10-30 08:33:39
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在數(shù)據洪流的時代,存儲介質就如同數(shù)字世界的基石,支撐著各類設備的正常運轉。SD NAND、TF卡和SD卡,雖同屬NAND Flash存儲介質家族,卻因各自獨特的“個性”,在不同領域綻放光彩。接下來
2025-10-29 14:24:25
352 、成本、開發(fā)周期,甚至最終的用戶體驗。 今天我們來聊聊兩種在嵌入式設備中常見的 NAND 閃存技術: SD NAND 和 SPI NAND 。這兩者雖然都屬于 NAND 閃存家族,但它們在接口方式、性能表現(xiàn)、開發(fā)難度以及應用場景上卻大相徑庭。 如果把
2025-10-24 08:37:33
393 場景提供高性價比的全國產解決方案。一、功率密度提升的核心邏輯材料特性突破:
GaN(氮化鎵)作為寬禁帶半導體,電子遷移率(2000cm2/Vs)和飽和漂移速度(2.5×10?cm/s)遠超傳統(tǒng)硅基器件
2025-10-22 09:09:58
近日,在IDC最新發(fā)布的全球企業(yè)存儲系統(tǒng)季度跟蹤報告中,戴爾科技集團再度蟬聯(lián)全閃存存儲供應商收入榜首!
2025-10-15 14:19:16
1562 控,成為覆蓋多場景的優(yōu)質存儲解決方案,為用戶解鎖高效、安全的數(shù)字體驗。 高性能突破,重塑數(shù)據交互效率 針對當前用戶對數(shù)據傳輸速度的核心需求,瀚海微SD NAND/TF卡搭載先進NAND閃存技術,實現(xiàn)毫秒級讀寫響應。在消費場景中,從運動相機
2025-10-14 10:18:31
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高密度配線架和中密度配線架的核心區(qū)別在于端口密度、空間利用率、應用場景及管理效率,具體對比如下: 一、核心區(qū)別:端口密度與空間占用 示例: 高密度配線架:1U高度可容納96個LC雙工光纖端口(48芯
2025-10-11 09:56:16
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給大家?guī)硪恍I(yè)界消息: 全球首顆!中國研發(fā)全新架構閃存芯片 日前,復旦大學團隊在《自然》發(fā)表成果,成功研制全球首顆二維—硅基混合架構閃存芯片“長纓(CY-01)”。相關成果率先實現(xiàn)全球首顆二維-硅
2025-10-10 18:20:05
1664 電子發(fā)燒友網綜合報道,SK海力士宣布,已正式向客戶供應其全球率先實現(xiàn)量產的移動端NAND閃存解決方案產品ZUFS 4.1。 ? SK海力士通過與客戶的密切合作,于今年6月成功完成了該產品的客戶驗證
2025-09-19 09:00:00
3507 北京時間9月10日凌晨1點;蘋果秋季發(fā)布會馬上就要開始了,蘋果發(fā)布會官方直播地址分享給大家,再帶大家一起先預測一下發(fā)布會的亮點,探索Apple?的創(chuàng)新世界;各式新款的 iPhone、iPad
2025-09-09 18:12:32
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八類網線尚未普及,其應用場景主要集中在數(shù)據中心、企業(yè)網絡、高性能計算等對高速率、大帶寬有嚴格需求的領域,家庭用戶中普及率較低。以下為具體分析: 一、八類網線的核心優(yōu)勢 高速率與低延遲 支持
2025-09-09 10:43:55
965 NAND Flash是什么?NAND Flash(閃存)是一種非易失性存儲器技術,主要用于數(shù)據存儲。與傳統(tǒng)的DRAM或SRAM不同,NAND Flash在斷電后仍能保存數(shù)據。它通過電荷的存儲與釋放來實現(xiàn)數(shù)據的存儲。
2025-09-08 09:51:20
6270 
U-Boot 無法識別 NAND
2025-09-03 06:37:13
FAQ_MA35_Family_Linux 從沒有 NAND 的 SPI-NAND 啟動
2025-09-02 07:30:35
如何在“SD 卡 NAND 閃存”的情況下使用 Non-OS NVTFAT
2025-09-01 07:58:40
修復使用 uboot 時 NAND 啟動停止的問題
2025-09-01 07:08:25
N9H30如何使用 NuWriter 進行 NAND 閃存?
2025-09-01 06:01:11
SD NAND 是一種貼片式存儲芯片,內部集成 NAND Flash 和 SD 控制器,兼容 SD 協(xié)議,可直接焊接在 PCB 上,無需插卡槽。相比傳統(tǒng) TF 卡,SD NAND 具有以下優(yōu)勢:
2025-08-19 14:40:11
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要求,并探索構建HBF的技術生態(tài)系統(tǒng)。 ? 高帶寬閃存(HBF)是一種專為 AI 領域設計的新型存儲器架構。在設計上,HBF結合了3D NAND閃存和高帶寬存儲器(HBM)的特性,能更好地滿足AI推理
2025-08-15 09:23:12
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業(yè)務調整或為美光在華業(yè)務持續(xù)收縮的重要信號。 ? 針對“美光近日中國區(qū)業(yè)務調整”一事,美光正式回應表示: ? 鑒于移動NAND產品在市場持續(xù)疲軟的財務表現(xiàn),以及相較于其他 NAND 機會增長放緩,我們將在全球范圍內停止未來移動NAND產品的開發(fā),
2025-08-13 08:46:00
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針對“美光近日中國區(qū)業(yè)務調整”一事,美光正式回應CFM閃存市場: 鑒于移動 NAND 產品在市場持續(xù)疲軟的財務表現(xiàn),以及相較于其他 NAND 機會增長放緩,我們將在全球范圍內停止未來移動 NAND
2025-08-12 13:39:30
2944 NAND閃存芯片是一種非易失性存儲技術,廣泛應用于現(xiàn)代電子設備中。以下是其核心功能、特點和應用場景的詳細分析: 1. 核心功能 數(shù)據存儲:以電信號形式長期保存數(shù)據,斷電后數(shù)據不丟失。 快速讀寫:支持
2025-08-11 10:43:44
1645 我對 PSOC6 的電流消耗有疑問。
我知道通常情況下,較低的電壓消耗較少的電流,但是
當我查看數(shù)據表時,3.3V 時的電流消耗全面低于 1.8V 時的電流消耗。這是為什么呢?
另外,認為電流與該范圍(1.8V 至 3.3V)內的電壓呈線性關系是否正確?
2025-08-11 06:44:24
SD NAND微型化設計,直接貼片,節(jié)省空間
6×8mm / 9×12.5mm 超小封裝,比傳統(tǒng)TF卡更節(jié)省PCB面積,適用于空間受限的嵌入式設備(如智能穿戴、無人機、IoT終端)。
貼片式焊接,抗震性強,避免插卡式存儲的接觸不良問題,提升產品可靠性。
2025-08-05 10:25:38
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蘋果最快有望9月推出新款iPad Pro,并導入重大革新設計,將搭載性能更強大的自研M5芯片,并且擬首度采用雙鏡頭,全面提升AI性能與攝像效果。業(yè)界看好,iPad Pro大革新,有助激發(fā)新一波買氣,臺積電、大立光、鴻海、玉晶光等供應鏈同步吃補。
2025-07-26 16:40:20
844 近日,由DOIT傳媒主辦的“存力覺醒 AI未來——2025全球閃存峰會”在南京盛大召開。此次峰會匯聚了全球存儲領域精英,深入探討在人工智能浪潮中,閃存技術如何賦能數(shù)字化轉型,推動產業(yè)發(fā)展邁向新高度。
2025-07-15 13:55:44
1607 近日,由DOIT傳媒主辦的2025全球閃存峰會(FMW 2025) 在南京盛大開幕。本屆峰會以“存力覺醒 AI未來”為主題,聚焦以閃存和內存芯片為核心的存儲器產業(yè)生態(tài)創(chuàng)新與變革。作為國內CXL技術
2025-07-11 16:12:50
1420 SK海力士致力于成為“全方位面向AI的存儲器供應商(Full Stack AI Memory Provider)”,不僅在DRAM領域持續(xù)創(chuàng)新,在NAND閃存(NAND Flash,以下簡稱NAND
2025-07-10 11:37:59
1508 2025年7月9日,F(xiàn)MW2025全球閃存峰會即將在南京上演!紫光閃芯C9展位將攜企業(yè)級、消費級SSD及全系列閃存產品亮相,硬核科技直接拉滿!
2025-07-05 16:53:16
2264 NAND
文章目錄
NAND
一、FLASH閃存是什么?
二、SD NAND Flash
三、STM32例程
一、FLASH閃存是什么?
簡介
FLASH閃存是屬于內存器件的一種,“Flash
2025-07-03 14:33:09
全球著名技術分析機構DCIG(Data Center Intelligence Group)發(fā)布報告《DCIG 2025-26安全NAS存儲(容量10PB以上)TOP5》(以下簡稱“報告”),華為OceanStor Dorado全閃存憑借領先的數(shù)據安全和NAS能力,榮登TOP5榜單。
2025-06-24 15:44:53
973 高密度配線架與中密度配線架的核心區(qū)別體現(xiàn)在端口密度、空間利用率、應用場景適配性、成本結構及擴展能力等方面,以下為具體分析: 一、端口密度與空間利用率 高密度配線架 端口密度:每單位空間(如1U機架
2025-06-13 10:18:58
696 電子發(fā)燒友網站提供《蘋果ipad5電路原理圖.pdf》資料免費下載
2025-06-05 17:11:05
7 電子發(fā)燒友網站提供《Micron-MT29F系列NAND閃存規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-05-30 16:35:44
8 IPAD 同時支持PD9V快充的OTG芯片有合適的嗎
2025-05-29 08:00:49
電子發(fā)燒友網綜合報道,SK海力士宣布公司成功開發(fā)出搭載全球最高321層1Tb(太比特,Terabit)TLC(Triple Level Cell)4D NAND閃存的移動端解決方案產品UFS 4.1
2025-05-23 01:04:00
8530 使用體驗報告》顯示,通過對平臺用戶的問卷調研,回收的4023份有效樣本中,約八成職場人在工作中使用AI工具,其中33.4%的職場人每周都會使用,13.4%每天使用1-3次,10.1%則每天使用3次以上,且28.5%的00后與AI的互動頻率高于其他代際職場人。這些數(shù)據不僅凸顯了
2025-05-16 17:39:32
673 3D閃存有著更大容量、更低成本和更高性能的優(yōu)勢,本文介紹了3D閃存的制造工藝與挑戰(zhàn)。
2025-04-08 14:38:39
2039 
3 月 28 日消息,根據 SK 海力士向韓國金融監(jiān)管機構 FSS 披露的文件,該企業(yè)已在當?shù)貢r間今日完成了收購英特爾 NAND 閃存及 SSD 業(yè)務案的第二階段,交易正式完成。 這筆交易
2025-03-28 19:27:58
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的。若一味增加GPU和內存數(shù)量,無疑將導致本地AI訓練的成本奇高,無法獲得普及效應。 ? 圖:群聯(lián)電子執(zhí)行長潘健成 ? 群聯(lián)電子推出了獨家發(fā)明且也是全球第一家將NAND應用于AI服務器中的滿血版AI訓推一體機平價方案aiDAPTIV+。通過aiDAPTIV+,企業(yè)可以在本地邊緣環(huán)
2025-03-26 09:28:33
3170 
隨著電子設備的廣泛應用,NAND閃存和eMMC作為主流存儲介質,其使用壽命受到廣泛關注。本文將探討其損壞的軟件原因,并提供延長使用壽命的實用方法。前言長時間運行后出現(xiàn)NAND或者eMMC損壞,可能
2025-03-25 11:44:24
2589 
Apple 設備用戶。
l支持”Find My”:可通過蘋果的“Apple Find My Network” 和谷歌的“Goole Find My Device”實現(xiàn)全球查找功能,使用戶能夠快速找到遺失
2025-03-23 22:14:01
地址訪問 單元密度相對較低 NAND 特性 串聯(lián)存儲單元結構(8-32 個單元串聯(lián)) 僅支持順序訪問 高單元密度設計 二、接口
2025-03-18 12:06:50
1167 優(yōu)化模式下低啟動低消耗的充電器icU6018集成電路的啟動電流主要用于激活電路中的各個組件,確保它們達到正常工作所需的電壓和電流條件。啟動電流的大小對于電路的穩(wěn)定性和可靠性至關重要,過大的啟動電流
2025-03-13 16:15:42
656 
NAND Flash?和?SD卡(SD NAND)的存儲扇區(qū)分配表都是用于管理存儲設備中扇區(qū)的分配信息。它們記錄了哪些扇區(qū)已被使用、哪些是空閑的,以及文件或數(shù)據與扇區(qū)的對應關系,以便實現(xiàn)數(shù)據的準確讀寫和存儲空間的有效管理。
2025-03-13 15:20:28
1686 
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存儲結構與層次:NAND Flash 通常作為底層存儲介質,其存儲扇區(qū)分配表相對較為底層和直接,與閃存芯片的物理結構緊密相關。它需要考慮閃存的擦除、寫入特性,以及壞塊管理等底層操作。而SD卡(米客方
2025-03-13 10:45:59
NAND閃存是一種非易失性存儲技術,廣泛用于固態(tài)硬盤、USB閃存盤和手機存儲中,具有高速讀寫和耐用性強的特點。
2025-03-12 10:21:14
5317 
如文章標題我在使用ST原廠VL53L1X-SATEL時發(fā)現(xiàn)待機功耗遠超手冊值,下圖一是板的硬件原理圖,下圖二是功耗數(shù)據,下圖三是數(shù)據手冊關于這個器件的功耗說明。在我的嘗試中沒有
2025-03-10 06:45:21
前幾天,有幸得到了深圳雷龍發(fā)展公司送來的SD NAND樣品。他們給了兩顆32Gbit的SD NAND以及一塊轉接板,并且已經將NAND焊接上去了。
在這之前,本人只在項目中使用或聽說過eMMC
2025-03-08 14:28:11
電子發(fā)燒友網報道(文 / 吳子鵬)日前,知名科技記者馬克?古爾曼 (Mark Gurman) 爆料稱,蘋果公司雖致力于重塑 Siri 以適配生成式人工智能時代,但其進展并不順利。蘋果設備用戶最早要到
2025-03-04 02:03:00
2973 兩家公司預展第十代3D閃存技術,為性能、能效和位密度設立新標準舊金山,國際固態(tài)電路會議(ISSCC)——鎧俠株式會社與閃迪公司聯(lián)合發(fā)布一項尖端3D閃存技術,憑借4.8Gb/sNAND接口速度、卓越
2025-02-25 11:31:38
862 
芯片燒錄領導者昂科技術近期宣布了其燒錄軟件的最新迭代,并公布了一系列新增兼容芯片型號。在此次更新中,芯成半導體(ISSI)推出的串行閃存IS25WP128F已被昂科燒寫工具AP8000所支持
2025-02-19 09:14:28
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市場研究機構TrendForce近日對2025年NAND閃存價格走勢進行了預測,預計全年價格將呈現(xiàn)V型波動。 據TrendForce分析,2025年一季度,NAND閃存價格預計將下滑13%-18
2025-02-18 11:03:00
2819 特點W25X10CL(1M位)串行閃存為容量有限的系統(tǒng)提供了一種存儲解決方案空間、引腳和電源。25X系列提供的靈活性和性能遠遠超出了普通串行閃存設備。它們是代碼下載應用程序以及存儲語音、文本和數(shù)
2025-02-15 15:25:20
據韓媒The Elec報道,三星顯示(Samsung Display)已決定推遲其第八代OLED面板生產線的安裝計劃。這一決定背后,是OLED iPad銷售表現(xiàn)不佳以及蘋果推遲發(fā)布OLED
2025-02-14 13:55:41
977 近日,據韓媒報道,三星位于中國西安的NAND閃存工廠正在加速推進技術升級與產能擴張計劃。該工廠在成功將制程從第六代V-NAND(即136層技術)轉換至第八代V-NAND(238層技術)的基礎上,年內
2025-02-14 13:43:27
1088 MT29GZ6A6BPIET-53AAT.112是一款高性能的NAND閃存存儲器,由MICRON制造,專為滿足各類電子設備的存儲需求而設計。該產品具備出色的存儲密度和快速的讀寫速度,適用于多種應用場
2025-02-14 07:36:52
MT29GZ5A5BPGGA-53AIT.87J是一款高性能的NAND閃存存儲器,由MICRON制造,專為滿足各類電子設備的存儲需求而設計。該產品具備出色的存儲密度和快速的讀寫速度,適用于多種應用場
2025-02-14 07:36:06
MT29AZ5A3CHHTB-18AIT.109是一款高性能的NAND閃存存儲器,由MICRON制造,專為滿足各類電子設備的存儲需求而設計。該產品具備出色的存儲密度和快速的讀寫速度,適用于多種應用場
2025-02-14 07:34:35
MT28EW256ABA1LJS-0SIT是一款高性能的NOR閃存存儲器,由MICRON制造,專為滿足各種電子設備的存儲需求而設計。該產品具備出色的存儲密度和快速的讀寫速度,適用于多種應用場景。目前
2025-02-14 07:29:58
據外媒最新報道,為了應對NAND閃存市場的供應過剩問題,三星電子與SK海力士兩大半導體巨頭已悄然采取措施,通過工藝轉換實現(xiàn)“自然減產”。 據業(yè)內消息透露,自去年年底以來,三星電子和SK海力士正積極
2025-02-12 10:38:13
856 TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的內存現(xiàn)貨價格趨勢報告顯示,DRAM和NAND閃存市場近期呈現(xiàn)出不同的態(tài)勢。
2025-02-08 16:41:02
930 本帖最后由 xxkj2010 于 2025-2-8 14:23 編輯
雷龍SD NAND測試報告一次偶然的機會,很幸運得到深圳市雷龍發(fā)展有限公司的芯片贈送,今天收到了芯片和測試板。雷龍也很破費
2025-02-08 14:12:24
FORESEE eMMC 是一款采用球柵陣列(BGA)封裝設計的嵌入式存儲解決方案。FORESEE eMMC 由 NAND 閃存和 eMMC 控制器組成。該控制器能夠管理接口協(xié)議、耗損均衡、壞塊管理
2025-02-08 14:06:20
近日,根據TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的內存現(xiàn)貨價格趨勢報告,DRAM和NAND閃存市場近期呈現(xiàn)出截然不同的表現(xiàn)。 在DRAM方面,消費者需求在春節(jié)過后依然沒有顯著回暖,市場呈現(xiàn)出疲軟態(tài)勢
2025-02-07 17:08:29
1017 各位大佬好,
我目前正在使用xilinx 7系列fpga進行基于onfi4.0標準nv-ddr3接口的nand flash控制器的開發(fā)。目前在物理層接口上,特別是從nand讀取數(shù)據時,調試存在
2025-02-06 15:02:49
近日,據市場研究機構TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的報告指出,DRAM內存與NAND閃存市場近期均呈現(xiàn)出低迷的走勢。 特別是在DRAM市場方面,春節(jié)長假過后,消費者對于DRAM的需求并未如預期
2025-02-06 14:47:47
930 蘋果公司近期發(fā)布了針對iPhone、iPad和Mac的最新軟件更新,這一更新舉措標志著蘋果在全面推廣其人工智能服務方面邁出了重要一步。 據悉,此次更新包括iOS 18.3、iPadOS 18.3以及
2025-02-05 14:04:27
694 前段時間收到了雷龍廠家郵寄的兩個 SD NAND 樣片,說要發(fā)文章的,一直擱置了,今天測試 esp32 的開發(fā)板的時候,發(fā)現(xiàn)之前的 SD 卡不識別了,好奇怪,對比之后發(fā)現(xiàn)卡在電腦上是正常的,不明所以
2025-01-31 15:41:00
、愛立信、中興通訊、諾基亞等科技巨頭繼續(xù)領跑全球5G標準必要專利排名。值得注意的是,中國智能手機品牌OPPO憑借出色的技術創(chuàng)新實力,成功躋身全球前十,位列第八。 截至2025年初,全球范圍內已確立的5G標準必要專利家族總數(shù)達到了約56,000個。這些關鍵專利對于推
2025-01-23 13:46:34
1354 據韓媒The Elec報道,蘋果公司將于2025年例行更新iPad Pro產品線。不過,此次更新幅度較小,整體規(guī)格與2024款相似。 據悉,2025款iPad Pro主要變化是引入韓國公司LX
2025-01-22 15:14:00
4898 近日,據韓媒最新報道,全球NAND Flash存儲器市場正面臨供過于求的嚴峻挑戰(zhàn),導致價格連續(xù)四個月呈現(xiàn)下滑趨勢。為應對這一不利局面,各大存儲器廠商紛紛采取減產措施,旨在平衡市場供求關系,進而穩(wěn)定
2025-01-20 14:43:55
1095 感謝深圳市雷龍發(fā)展 Leah @jim 聯(lián)系免費提供NAND FLASH試用,樣品兩片芯片和一塊轉接板已收到。下面是實物樣品圖片:
提供的兩個芯片樣品型號分別為CSNP64GCR01-AOW
2025-01-19 13:26:38
NAND、SPI NAND和Raw NAND SD的英文全稱是Secure Digital Memory,就是我們所熟知的SD卡 固態(tài)硬盤(Solid State Disk,SSD)是以NAND閃存介質為主的一種
2025-01-15 18:16:49
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NAND閃存介質為主的一種存儲產品,應用于筆記本電腦、臺式電腦、移動終端、服務器和數(shù)據中心等場合.
NAND閃存類型
按照每個單元可以存儲的位數(shù),可以將NAND閃存類型分為SLC、MLC
2025-01-15 18:15:53
近日,三星電子已做出決定,將減少其位于中國西安工廠的NAND閃存產量。這一舉措被視為三星電子為保護自身盈利能力而采取的重要措施。 當前,全球NAND閃存市場面臨供過于求的局面,預計今年NAND閃存
2025-01-14 14:21:24
866 近日,三星電子宣布將對其在中國西安的NAND閃存工廠實施減產措施,以應對全球NAND市場供過于求的現(xiàn)狀及預期的價格下滑趨勢。據《朝鮮日報》報道,三星決定將該工廠的晶圓投入量削減超過10%,預計每月
2025-01-14 10:08:09
851 電子發(fā)燒友網站提供《EE-278:NAND閃存與ADSP-21161 SHARC處理器接口.pdf》資料免費下載
2025-01-08 15:11:47
0 World)。這已經是歐姆龍連續(xù)第八年榮膺此殊榮。 本次評選吸引了全球3500家企業(yè)參與,競爭異常激烈。歐姆龍憑借76分的優(yōu)異成績,從眾多參評企業(yè)中脫穎而出,成為最終入選的321家企業(yè)之一,同時也是37家入選的日本企業(yè)之一。這一成績不僅是對歐姆龍在可持
2025-01-08 11:22:25
936 陶瓷電容的密度,若是指其材料密度,則主要取決于所使用的陶瓷材料種類,通常以克/立方厘米(g/cm3)或千克/立方米(kg/m3)為單位來表示。MLCC(多層陶瓷電容器)中使用的陶瓷材料的密度通常在
2025-01-07 15:38:16
987 電子發(fā)燒友網站提供《EE-279:NAND閃存與ADSP-2126x SHARC處理器接口.pdf》資料免費下載
2025-01-07 14:08:07
0 近日,據韓媒最新報道,蘋果公司在其2024款iPad Pro機型中首次引入了OLED面板技術,初期市場反應尚算積極。然而,近期該平板產品的銷量卻呈現(xiàn)出下滑趨勢。 為應對這一市場變化,蘋果的OLED
2025-01-06 13:58:07
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