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CSD95378BQ5M 帶 TAO 偏移的 60A 同步降壓 NexFET? 智能功率級(jí)

數(shù)據(jù):

描述

CSD95378BQ5M NexFET?智能功率級(jí)的設(shè)計(jì)針對(duì)高功率,高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器中的使用進(jìn)行了高度優(yōu)化。這款產(chǎn)品集成了驅(qū)動(dòng)器IC和功率MOSFET來完善功率級(jí)開關(guān)功能。該組合可在
5mm x 6mm小型封裝中提供高電流,高效率的高速切換功能。它還集成了準(zhǔn)確電流感測和溫度感測功能,以前,PCB封裝已經(jīng)過優(yōu)化,可幫助減少設(shè)計(jì)時(shí)間并簡化總體系統(tǒng)設(shè)計(jì)的完成。

特性

  • 60A持續(xù)運(yùn)行電流能力
  • 電流30A時(shí),系統(tǒng)效率為93.4%
  • 電流30A時(shí),低功耗損耗為2.8W
  • 高頻工作(高達(dá)1.25MHz)
  • 支持強(qiáng)制連續(xù)傳導(dǎo)模式(FCCM)的二極管仿真模式
  • 溫度補(bǔ)償雙向電流感測
  • 模擬溫度輸出(0°C時(shí)400mV)
  • 故障監(jiān)控
    • 高端短路,過流和過熱保護(hù)
  • 3.3V和5V脈寬調(diào)制(PWM)信號(hào)兼容
  • 三態(tài)PWM輸入
  • 集成型自舉二極管
  • 用于擊穿保護(hù)的經(jīng)優(yōu)化死區(qū)時(shí)間
  • 高密度5mm×6mm SON封裝
  • 超低電感封裝
  • 系統(tǒng)已優(yōu)化的PCB封裝
  • 符合RoHS環(huán)保標(biāo)準(zhǔn) - 無鉛引腳鍍層
  • 無鹵素

所有商標(biāo)均為其所有各自所有者。

參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?功率 MOSFET 模塊

?
VDS (V)
Power Loss (W)
Ploss Current (A)
ID, Continuous Drain Current at Ta=25degC (A)
Configuration
Package (mm)
Operating Temperature Range (C)
Pin/Package
CSD95378BQ5M
20 ? ?
2.8 ? ?
30 ? ?
60 ? ?
PowerStage ? ?
SON5x6 PowerStage ? ?
-55 to 150 ? ?
12LSON-CLIP ? ?

方框圖 (1)

技術(shù)文檔

數(shù)據(jù)手冊(cè)(1)
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