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CSD97396Q4M CSD97396Q4M 同步降壓 NexFET? 功率級

數(shù)據(jù):

描述

CSD97396Q4M NexFET功率級的設(shè)計經(jīng)過高度優(yōu)化,適用于高功率,高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。這個產(chǎn)品集成了驅(qū)動器集成電路(IC此和,驅(qū)動器IC支持ULQ模式,此驅(qū)動器模式支持針對Windows8的聯(lián)網(wǎng)待機功能。借助于三態(tài)PWM輸入,靜態(tài)電流可減少至130μA,并支持立即響應(yīng)。當(dāng)跳過#保持在三態(tài)時,電流可減少至8μA(恢復(fù)切換通常需要20μs)。這個組合在小型3.5 x 4.5mm外形尺寸封裝中實現(xiàn)具有高電流,高效和高速開關(guān)功能的器件。此外,印刷電路板(PCB)封裝已經(jīng)過優(yōu)化,可幫助減少設(shè)計時間并簡化總體系統(tǒng)設(shè)計的完成。

特性

  • 15A電流下超過93%的系統(tǒng)效率
  • 最大額定持續(xù)電流30A,峰值65A
  • < li>高頻運行(高達2MHz)
  • 高密度 - 3.5mm×4.5mm小外形尺寸無引線封裝(SON)尺寸
  • 超低電感封裝
  • < li>系統(tǒng)優(yōu)化的PCB封裝
  • 超低靜態(tài)(ULQ)電流模式
  • 與3.3V和5V脈寬調(diào)制(PWM)信號兼容
  • 支持強制連續(xù)傳導(dǎo)模式(FCCM)的二極管仿真模式
  • 輸入電壓高達24V
  • 三態(tài)PWM輸入
  • 集成型自舉二極管
  • < li>擊穿保護
  • 符合RoHS綠色環(huán)保標(biāo)準(zhǔn) - 無鉛引腳鍍層
  • 無鹵素

應(yīng)用范圍

< ul>
  • 超級本/筆記本DC /DC轉(zhuǎn)換器
  • 多相Vcore和DDR解決方案
  • 在網(wǎng)絡(luò)互聯(lián),電信,和計算系統(tǒng)中的負(fù)載點同步降壓
  • 所有商標(biāo)均為其各自所有者的財產(chǎn)。

    參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?功率 MOSFET 模塊

    ?
    VDS (V)
    Power Loss (W)
    Ploss Current (A)
    ID, Continuous Drain Current at Ta=25degC (A)
    Configuration
    Package (mm)
    Operating Temperature Range (C)
    Pin/Package
    CSD97396Q4M
    30 ? ?
    2 ? ?
    15 ? ?
    30 ? ?
    PowerStage ? ?
    SON 3.5x4.5 PowerStage ? ?
    -40 to 150 ? ?
    8VSON-CLIP ? ?

    技術(shù)文檔

    數(shù)據(jù)手冊(1)
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