優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)

• 導(dǎo)通電阻：4.7 Ω（最大值，25°C）
• 導(dǎo)通電阻平坦度：0.5 Ω
• 額定電源電壓：±15 V/+12 V/±5 V
• 3 V邏輯兼容輸入

• 每個(gè)通道的連續(xù)電流最高達(dá)115 mA
• 軌到軌工作
• 先開后合式開關(guān)動(dòng)作
• 16/20引腳TSSOP和4 mm × 4 mm LFCSP_VQ封裝

產(chǎn)品詳情

ADG1433/ADG1434均為單芯片工業(yè)CMOS(iCMOS) 模擬開關(guān)，分別內(nèi)置三個(gè)/四個(gè)獨(dú)立可選的單刀雙擲(SPDT)開關(guān)。所有通道均采用先開后合式開關(guān)，防止開關(guān)通道時(shí)發(fā)生瞬時(shí)短路。ADG1433（LFCSP和TSSOP封裝）和ADG1434（僅LFCSP封裝）提供EN輸入，用來使能或禁用器件。禁用時(shí)，所有通道均關(guān)斷。iCMOS是一種模塊式制造工藝，集高電壓CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）與雙極性技術(shù)于一體。利用這種工藝，可以開發(fā)工作電壓達(dá)33 V的各種高性能模擬IC，并實(shí)現(xiàn)以往的高壓器件所無法實(shí)現(xiàn)的尺寸。與采用傳統(tǒng)CMOS工藝的模擬IC不同，iCMOS器件不但可以承受高電源電壓，同時(shí)還能提升性能、大幅降低功耗并減小封裝尺寸。這些開關(guān)具有超低導(dǎo)通電阻和導(dǎo)通電阻平坦度，對(duì)于低失真性能至關(guān)重要的數(shù)據(jù)采集和增益切換應(yīng)用堪稱理想解決方案。 iCMOS結(jié)構(gòu)可確保功耗極低，因而這些器件非常適合便攜式電池供電儀表。

應(yīng)用

方框圖