優(yōu)勢和特點

• 低頻至 1.4GHz 帶寬
• 采用單個演示電路獲得 100kHz 至 1GHz 的平坦增益
• 低頻截止由用戶定義
• 15.9dB 功率增益
• 在 1MHz 時具有 52dBm OIP3
• 在 150MHz 時具有 47dBm OIP3
• 在 150MHz 時 NF = 3.22dB
• 1nV/√Hz 總輸入噪聲密度 (在 150MHz)
• 在高達 1.2GHz 頻率下 S11 < -10dB
• 在高達 1.0GHz 頻率下 S22 < -10dB
• > 2V_P-P 線性輸出擺幅
• P1dB = 19.2dBm
• DC 功率 = 475mW
• 50Ω 單端操作
• 不易受到 V_CC 變化的影響
• A 級器件在 150MHz 頻率下進行了 100% 的 OIP3 測試
• 輸入 / 輸出在內(nèi)部匹配至 50Ω
• 單 5V 電源
• 可實現(xiàn)無條件穩(wěn)定
  

產(chǎn)品詳情

LTC^?6433-15 是一款具卓越線性度 (在低于 100kHz 至超過 1000MHz 的頻率范圍內(nèi)) 以及低相關(guān)輸出噪聲的增益部件放大器。

高線性度、低噪聲和低功率耗散的獨特組合使該器件成為許多信號鏈路應(yīng)用的理想選擇。LTC6433-15 易于使用，所需的外部組件極少。其輸入 / 輸出在內(nèi)部匹配至 50Ω，且僅從單 5V 電源吸收 95mA 電流。

LTC6433-15 在寬帶寬范圍內(nèi)工作。單個演示電路可提供從 100kHz 至 1GHz 的平坦增益。

雖然該器件不能執(zhí)行 DC 耦合操作，但是用戶可以通過選擇合適的外部組件來定義低頻截止。

片內(nèi)偏置和溫度補償功能可在環(huán)境變化的情況下保持器件性能。

LTC6433-15 采用一種高性能 SiGe BiCMOS 工藝，以實現(xiàn)與類似 GaAs 放大器相當(dāng)?shù)慕^佳可重復(fù)性。所有 A 級 LTC6433-15 器件的 OIP3 指標(biāo)均在 150MHz 頻率下進行測試并提供相關(guān)保證。LTC6433-15 采用具有裸露襯墊的 4mm x 4mm 24 引腳 QFN 封裝，旨在改善熱管理并實現(xiàn)低電感。

應(yīng)用

• 單端 IF 放大器
• ADC 驅(qū)動器
• CATV
• 測試設(shè)備
  

方框圖