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單粒子翻轉(zhuǎn)引起SRAM型FPGA的故障機理闡述

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AD8671S粒子效應輻射報告

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2021-05-14 08:10:556

ADL5513S粒子閉鎖輻射報告

ADL5513S粒子閉鎖輻射報告
2021-05-14 09:42:301

AD574S粒子效應輻射報告

AD574S粒子效應輻射報告
2021-05-14 17:03:093

AD8346S粒子效應輻射報告

AD8346S粒子效應輻射報告
2021-05-14 17:53:3610

AD768S粒子效應輻射報告

AD768S粒子效應輻射報告
2021-05-14 18:09:0524

ADL5501S粒子效應輻射報告

ADL5501S粒子效應輻射報告
2021-05-14 18:11:159

AD8306S粒子效應輻射報告

AD8306S粒子效應輻射報告
2021-05-17 18:42:392

AD8212S粒子效應輻射報告

AD8212S粒子效應輻射報告
2021-05-17 20:39:326

AD8182S粒子效應輻射報告

AD8182S粒子效應輻射報告
2021-05-18 11:42:033

AD6645S粒子效應輻射報告

AD6645S粒子效應輻射報告
2021-05-19 13:09:493

ADuM7442S粒子效應輻射報告

ADuM7442S粒子效應輻射報告
2021-05-24 13:20:205

有效容忍粒子多點翻轉(zhuǎn)的加固鎖存器

隨著集成電路工藝不斷改進,電荷共享效應誘發(fā)的粒子多點翻轉(zhuǎn)已經(jīng)成為影響芯片可靠性的重要因素為此提出一種有效容忍粒子多點翻轉(zhuǎn)的加固鎖存器:低功耗多點翻轉(zhuǎn)加固鎖存器( low power
2021-06-03 14:42:3614

主控芯片CPU/FPGA存儲及粒子翻轉(zhuǎn)科普

半導體存儲器是一種能存儲大量二進制信息的半導體器件,半導體存儲器種類很多,一般按功能來分,可以分為只讀存儲器(ROM)和隨機存儲器(RAM)。
2022-03-29 14:59:392664

航空電子設(shè)計之“粒子翻轉(zhuǎn)”問題

粒子效應是一種瞬態(tài)效應,指某個特定的高能粒子穿過電路敏感區(qū)域所引起的電路故障,這個故障可能是可恢復的或是永久性的。
2022-07-13 11:23:055428

粒子翻轉(zhuǎn)效應的FPGA模擬技術(shù) (上)

隨著半導體工藝的不斷發(fā)展,器件特征尺寸逐漸減少,激發(fā)單粒子翻轉(zhuǎn)(Single Event Upset, SEU)效應所需的能量閾值呈幾何級下降趨勢。例如,65 nm工藝下器件發(fā)生電平翻轉(zhuǎn)需6500個電荷,16 nm工藝下器件電平翻轉(zhuǎn)僅需1000個電荷 。
2023-02-09 10:12:212779

粒子翻轉(zhuǎn)效應的FPGA模擬技術(shù) (下)

**旁路電路注入故障** 旁路電路技術(shù)的實現(xiàn)原理和掃描鏈技術(shù)類似,在原有的電路結(jié)構(gòu)上添加附加電路來使電路能夠模擬粒子翻轉(zhuǎn)效應 ^[25-26]^ 。以寄存器為例,在正常狀態(tài)下寄存器保持其原本的功能,在故障注入模式下通過外部控制信號驅(qū)動附加電路從旁路修改寄存器的數(shù)值。
2023-02-09 10:13:252087

SRAMFPGA在軌會遇到的問題及其影響

SRAMFPGA屬于核心元器件,因此對SRAMFPGA進行抗輻照加固設(shè)計非常必要。今天貧道主要給大家布道一下SRAMFPGA在軌會遇到的問題及其影響。
2023-08-11 10:30:453592

SRAMFPGA的抗輻照加固設(shè)計

讓一顆SRAMFPGA在太空長期穩(wěn)定運行的難度,就類似練成獨孤九劍的難度。
2023-08-15 10:36:086252

FPGA如何抵抗粒子效應?

隨著工藝水平的提高,FPGA內(nèi)核電壓逐步降低,器件的輻射總劑量承受能力會越來越高,因此對采用先進工藝的高性能FPGA來講,總劑量效應影響會相對減小。
2023-10-08 10:29:403244

粒子效應置信區(qū)間計算

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《粒子效應置信區(qū)間計算.pdf》資料免費下載
2024-09-10 10:31:220

重離子軌道環(huán)境粒子效應估算應用說明

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《重離子軌道環(huán)境粒子效應估算應用說明.pdf》資料免費下載
2024-09-10 10:32:431

皮秒脈沖激光技術(shù)在AS32S601粒子效應評估中的應用

可靠性的重要因素之一。為了評估芯片在輻射環(huán)境中的抗粒子效應能力,皮秒脈沖激光技術(shù)作為一種先進的模擬手段被廣泛應用。本文將以 AS32S601 MCU 的粒子效應評估為例,詳細介紹皮秒脈沖激光技術(shù)在該領(lǐng)域的應用。 一、粒子效應概述 粒子效應是指高能粒子
2025-04-03 17:05:121086

多款CANFD芯片粒子效應對比分析

系統(tǒng)的芯片,其抗粒子效應能力的評估對于保障系統(tǒng)穩(wěn)定運行具有重要意義。本文以SIT1042AQ、TCAN1042HGVD和ASM1042ACANFD芯片為例,基于
2025-04-07 09:27:34666

一文詳解半導體器件中的粒子效應

我們知道,帶電離子穿透半導體材料的過程中,會與靶材原子發(fā)生交互作用,沿離子運動軌跡生成電子 - 空穴對,這一物理過程正是粒子效應的誘發(fā)根源。從作用機理來看,半導體器件及集成電路中粒子效應的產(chǎn)生需經(jīng)歷三個核心階段,各階段的物理行為存在顯著差異:
2025-09-08 09:48:181145

一文詳解粒子效應的電荷收集

在探討粒子翻轉(zhuǎn)基本機理時,深入理解并掌握各類電荷收集過程及其作用機理至關(guān)重要,這些過程與機理對明確粒子效應特征、開展相關(guān)試驗數(shù)據(jù)分析具有重要參考價值。針對上述機理,已有研究者開展了系統(tǒng)性分析,本文將梳理核心結(jié)論,為試驗結(jié)果分析提供基礎(chǔ)理論支撐。
2025-09-08 09:50:19932

智多晶SA5Z-50 FPGA器件通過粒子效應測試

在商業(yè)航天時代,如何讓衛(wèi)星、火箭等航天器在嚴酷的太空環(huán)境中穩(wěn)定工作,同時有效控制成本,是整個行業(yè)面臨的核心挑戰(zhàn)。近日,智多晶的SA5Z-50 FPGA器件傳來好消息,其成功通過了一項關(guān)鍵的“粒子效應”測試,為解決這一挑戰(zhàn)提供了新的選擇。
2025-11-02 16:49:101977

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