科銳首席執(zhí)行官Gregg Lowe表示：“
英飛凌具有很好的美譽度，是我們長期且優(yōu)質的商業(yè)伙伴。這項
協議的
簽署，體現了科銳
SiC碳化硅晶圓片技術的高品質和我們的產能擴充，同時將加速
SiC碳化硅基方案更為廣泛的采用，這對于實現更快、更小、更輕、更強大的電子系統(tǒng)至關重要?！?/div>
2018-04-04 09:00:59
8214 碳化硅（SiC），通常被稱為金剛砂，是唯一由硅和碳構成的合成物。雖然在自然界中以碳硅石礦物的形式存在，但其出現相對罕見。然而，自從1893年以來，粉狀碳化硅就已大規(guī)模生產，用作研磨劑。碳化硅在研磨領域有著超過一百年的歷史，主要用于磨輪和多種其他研磨應用。
2023-09-08 15:24:023024 
的各種碳化硅（SiC）材料的供應安全。 ? 據了解，碳化硅是高效而強大的功率半導體，尤其是光伏、工業(yè)電源和電動汽車充電基礎設施等領域半導體不可或缺的基礎材料。雙方達成的這一協議意味著，為滿足日益增長的半導體需求，英飛凌給必不可少的SiC基材爭取到更多的回旋余地。 ? 該公司工業(yè)
2021-05-07 10:58:401788 極快反向恢復速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂技術600V碳化硅二極管現貨選型相比于Si半導體材料，SiC半導體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場較大、熱導率較高的特點，SiC
2019-10-24 14:25:15
碳化硅（SiC）具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、飽和電子漂移速度高、熱導率大、介電常數小、抗輻射能力強、化學穩(wěn)定性良好等特點，被認為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導體材料
2020-09-24 16:22:14
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
器件的特點 碳化硅SiC的能帶間隔為硅的2.8倍(寬禁帶),達到3.09電子伏特。其絕緣擊穿場強為硅的5.3倍,高達3.2MV/cm.，其導熱率是硅的3.3倍,為49w/cm.k?！ ∷c硅半導體材料
2019-01-11 13:42:03
更新換代，SiC并不例外 新一代半導體開關技術出現得越來越快。下一代寬帶隙技術仍處于初級階段，有望進一步改善許多應用領域的效率、尺寸和成本。雖然，隨著碳化硅技術的進步，未來還將面臨挑戰(zhàn)，例如，晶圓
2023-02-27 14:28:47
應用，處理此類應用的唯一方法是使用IGBT器件。碳化硅或簡稱SiC已被證明是一種材料，可以用來構建類似MOSFET的組件，使電路具有比以往IGBT更高的效率。如今，SiC受到了很多關注，不僅因為它
2023-02-24 15:03:59
5G將于2020年將邁入商用，加上汽車走向智慧化、聯網化與電動化的趨勢，將帶動第三代半導體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。根據拓墣產業(yè)研究院估計，2018年全球SiC基板產值將達1.8
2019-05-09 06:21:14
應用領域。更多規(guī)格參數及封裝產品請咨詢我司人員！附件是海飛樂技術碳化硅二極管選型表，歡迎大家選購！碳化硅（SiC）半導體材料是自第一代元素半導體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導體材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導體材料的一種，主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應用于各種半導體材料當中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管
2020-06-28 17:30:27
的碳化硅壓敏電阻由約90%的不同晶粒尺寸的碳化硅和10%的陶瓷粘合劑和添加劑制成。將原材料制成各種幾何尺寸的壓敏電阻，然后在特定的大氣和環(huán)境條件下在高溫下燒結。然后將一層黃銅作為電觸點噴上火焰。其他標準
2024-03-08 08:37:49
進一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
碳化硅（SiC）即使在高達1400℃的溫度下，仍能保持其強度。這種材料的明顯特點在于導熱和電氣半導體的導電性極高。碳化硅化學和物理穩(wěn)定性，碳化硅的硬度和耐腐蝕性均較高。是陶瓷材料中高溫強度好的材料
2021-01-12 11:48:45
。超硬度的材料包括:金剛石、立方氮化硼，碳化硼、碳化硅、氮化硅及碳化鈦等。3)高強度。在常溫和高溫下，碳化硅的機械強度都很高。25℃下，SiC的彈性模量，拉伸強度為1.75公斤/平方厘米，抗壓強度為
2019-07-04 04:20:22
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過，自1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現在比較好的材料，為什么應用的領域會受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料，比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶（3.26eV）、高臨界場（3×106V/cm）和高導熱系數（49W/mK）使功率半導體器件效率更高，運行速度更快
2023-02-28 16:34:16
用于一些高壓、高溫、高效率及高功率密度的應用場合。碳化硅(SiC)材料因其優(yōu)越的物理特性，開始受到人們的關注和研究。自從碳化硅1824年被瑞典科學家Jns Jacob Berzelius發(fā)現以來，直到
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
項目名稱：基于碳化硅功率器件的永磁同步電機先進驅動技術研究試用計劃：申請理由：碳化硅作為最典型的寬禁帶半導體材料，近年來被越來越廣泛地用于高頻高溫的工作場合。為了提高永磁同步電機伺服控制系統(tǒng)的性能
2020-04-21 16:04:04
*附件：國產SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲能變流器PCS中的應用.pdf
2025-01-20 14:19:40
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結構是如何構成的？
2021-06-18 08:32:43
具有決定性的影響。因此，深入理解柵極氧化層的特性，并掌握其可靠性測試方法，對于推動碳化硅 MOSFET的應用和發(fā)展具有重要意義。今天的“SiC科普小課堂”將聚焦于“柵極氧化層”這一新話題：“什么是柵極
2025-01-04 12:37:34
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
碳化硅 (SiC) 是一種下一代材料，可以顯著降低功率損耗并實現更高的功率密度、電壓、溫度和頻率，同時減少散熱。高溫可操作性降低了冷卻系統(tǒng)的復雜性，從而降低了電源系統(tǒng)的整體架構。與過去幾十年相比
2022-06-13 11:27:24
大功率適配器為了減小對電網的干擾，都會采用PFC電路、使用氮化鎵的充電器，基本也離不開碳化硅二極管，第三代半導體材料幾乎都是同時出現，強強聯手避免短板。創(chuàng)能動力推出的碳化硅二極管
2023-02-22 15:27:51
，換向電感只能在DBC設計的限制范圍內得到改善。由此產生的換向電感約為 20nH，對于 6 組功率模塊，這允許在中低功率范圍內使用全 SiC 模塊。在全碳化硅中，MiniSKiiP 提供 25A 至
2023-02-20 16:29:54
對于高壓開關電源應用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢。在這里我們看看在設計高性能門極驅動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
的發(fā)展趨勢，對 SiC 器件封裝技術進行歸納和展望。近20多年來，碳化硅(Silicon Carbide，SiC)作為一種寬禁帶功率器件，受到人們越來越多的關注。與硅相比，碳化硅具有很多優(yōu)點，如：碳化硅
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題，解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問題，如果你有類似的困惑，歡迎前來探討，鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢它有高導熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
的門檻變得越來越低，價格也在逐步下降，應用領域也在慢慢扭轉被海外品牌一統(tǒng)天下的局面。據統(tǒng)計，目前國內多家龍頭企業(yè)已開始嘗試與內資品牌合作。而SiC-MOSFET, 當前國內品牌尚不具備競爭優(yōu)勢。碳化硅
2019-09-17 09:05:05
范圍-5V~-15V，客戶根據需求選擇合適值，常用值有-8V、-10V、-15V； · 優(yōu)先穩(wěn)定正電壓，保證開通穩(wěn)定。 2）碳化硅MOSFET：不同廠家碳化硅MOSFET對開關電壓要求不盡相同
2023-02-27 16:03:36
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能，特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
°C。系統(tǒng)可靠性大大增強，穩(wěn)定的超快速本體二極管，因此無需外部續(xù)流二極管。三、碳化硅半導體廠商SiC電力電子器件的產業(yè)化主要以德國英飛凌、美國Cree公司、GE、ST意法半導體體和日本羅姆公司、豐田
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
碳化硅(SiC)基地知識
碳化硅又稱金鋼砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料
2009-11-17 09:41:491558 硅與碳的唯一合成物就是碳化硅 （SiC），俗稱金剛砂。 SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。 不過，自 1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產用作研磨劑。 碳化硅用作研磨劑已有一百多年的歷史，主要用于磨輪和眾多其他研磨應用
2017-05-06 11:32:45
54 硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過，自1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2018-04-11 11:37:005762 
科銳（Nasdaq: CREE）宣布與意法半導體（NYSE: STM）簽署多年協議，將為意法半導體STMicroelectronics生產和供應Wolfspeed碳化硅（SiC）晶圓片。
2019-01-14 15:24:584706 Cree， Inc. （Nasdaq： CREE）宣布，作為公司長期增長戰(zhàn)略的一部分，將投資10億美元用于擴大SiC（碳化硅）產能，在公司美國總部北卡羅萊納州達勒姆市建造一座采用最先進技術的自動化
2019-05-14 10:24:444139 第三代半導體材料碳化硅的發(fā)展在功率器件市場成為絕對的焦點。全球功率器件龍頭廠商英飛凌持續(xù)投入碳化硅器件的研發(fā)生產，并打入多個應用市場。日前，在英飛凌科技舉辦的媒體見面會上，該公司大中華區(qū)工業(yè)功率控制事業(yè)部副總裁于代輝和工業(yè)功率控制事業(yè)部總監(jiān)馬國偉博士介紹了英飛凌碳化硅SiC市場的最新進展。
2019-07-02 16:33:217396 意法半導體與羅姆集團旗下的SiCrystal公司簽署一了份碳化硅（SiC）晶圓長期供應協議。
2020-01-17 09:07:481766 碳化硅半導體 一、碳化硅材料的特性 SiC（碳化硅）是由硅（Si）和碳（C）組成的化合物半導體。與 Si 相比，SiC 具有十倍的介電擊穿場強、三倍的帶隙和三倍的熱導率。在半導體材料中形成器件結構所
2021-06-15 17:27:1411132 
英飛凌科技股份公司與GT Advanced Technologies（GTAT）已經簽署碳化硅（SiC）晶棒供貨協議，合同預期五年。
2020-11-13 11:48:481308 碳化硅正被用于多種電力應用。ROHM 與意法半導體之間的協議將增加其在行業(yè)中的廣泛采用。 汽車和工業(yè)市場都在加速采用SiC 材料的能源解決方案。制造碳化硅 (SiC) 晶圓的過程比制造硅晶圓要復雜
2022-07-28 17:05:012982 
【2022年9月19日，德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）與高意集團 （納斯達克代碼：IIVI）簽署了一份多年期碳化硅（SiC）晶圓供應協議
2022-09-20 11:39:121051 
移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中RF 解決方案的領先供應商 Qorvo, Inc.（納斯達克代碼：QRVO）與半導體晶圓制造商 SK Siltron CSS 今日宣布，雙方已簽署一份多年期的碳化硅 (SiC) 裸片和外延片供應協議。
2022-11-09 10:53:291128 碳化硅技術龍頭企業(yè) 碳化硅市場格局 碳化硅產業(yè)鏈分為SiC襯底、EPI外延片、器件、模組等環(huán)節(jié)，目前全球碳化硅市場基本被國外壟斷，根據Yole數據顯示，Cree、英飛凌、羅姆約占據了90％的SiC
2023-02-02 15:02:545134 當地時間12日，英飛凌宣布，正在擴大與碳化硅（SiC）供應商合作，已與Resonac簽署一份新采購合作長單，補充并擴大了雙方2021年簽訂的合同。
2023-02-02 15:19:54667 碳化硅（SiC）是第三代化合物半導體材料。半導體材料可用于制造芯片，這是半導體行業(yè)的基石。碳化硅是通過在電阻爐中高溫熔化石英砂，石油焦，鋸末等原材料而制造的。
2023-02-02 16:23:4430593 碳化硅（SiC）是比較新的半導體材料。一開始，我們先來了解一下它的物理特性和特征。SiC的物理特性和特征：SiC是由硅(Si)和碳(C)組成的化合物半導體材料。其結合力非常強，在熱、化學、機械方面都非常穩(wěn)定。
2023-02-08 13:42:087403 
功率半導體碳化硅（SiC）技術 Silicon Carbide Adoption Enters Next Phase 碳化硅（SiC）技術的需求繼續(xù)增長，這種技術可以最大限度地提高當今電力系統(tǒng)的效率
2023-02-15 16:03:4410 英飛凌科技持續(xù)擴大與碳化硅（SiC）供應商的合作。英飛凌是一家總部位于德國的半導體制造商，此次與Resonac Corporation（原昭和電工）簽署了全新的多年期供應和合作協議。
2023-02-17 09:31:15542 介紹了SIC碳化硅材料的特性，包括材料結構，晶體制備，晶體生長，器件制造工藝細節(jié)等等。。。歡迎大家一起學習
2023-03-31 15:01:4818 援引英飛凌科技股份公司2023年5月3日官網消息： 【英飛凌公司正推動其碳化硅（SiC）供應商體系多元化，并與中國碳化硅材料供應商北京天科合達半導體股份有限公司簽訂了一份長期供貨協議，以確保獲得更多
2023-05-04 14:21:061194 ）。安森美將為極氪提供EliteSiC碳化硅（SiC）功率器件，以提高其智能電動汽車（EV）的能效，從而提升性能，加快充電速度，延長續(xù)航里程。 極氪將采用安森美的 M3E 1200V ?EliteSiC MOSFET ，以配合其不斷擴大的高性能純電車型產品陣容，實現更強的電氣和機械性能及可靠性。這
2023-05-11 20:16:29915 
電氣化的強勁增長 除了產能投資外，兩家公司還將在進一步 優(yōu)化主驅逆變器系統(tǒng) 方面達成合作 緯湃科技（Vitesco Technologies） 和 安森美（onsemi） 今天宣布了一項價值19億美元（17.5億歐元）的 碳化硅產品10年期供應協議 ，以實現緯湃科技在電氣化技術方面的提升。緯
2023-06-02 19:55:01975 
長達 10 年的供應協議要求 Wolfspeed 自 2025 年向瑞薩電子供應規(guī)?；a的 150mm 碳化硅裸晶圓和外延片，這將強化公司致力于從硅向碳化硅半導體功率器件產業(yè)轉型的愿景。
2023-07-06 10:36:371106 證交所股票代碼：BWA)，擴大碳化硅（SiC）方面的戰(zhàn)略合作，協議總價值超10億美元。博格華納計劃將安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件集成到其VIPER功率模塊中。長期以來，雙方
2023-07-19 11:15:031178 
協議。英飛凌將建設并保留向現代/起亞供應碳化硅及硅功率模塊和芯片的產能直至 2030 年?，F代/起亞將出資支持這一產能建設和產能儲備。 ? 英飛凌與現代汽車和起亞簽署了碳化硅（SiC）和硅（Si）功率半導體長期供貨協議 ? 現代汽車集團執(zhí)行副總裁兼全球戰(zhàn)略辦公室（GSO）負責人 Heung Soo
2023-11-09 14:07:51766 
碳化硅（SiC），又名碳化硅，是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導通電阻。
2023-12-12 09:47:332699 
12 月 22 日消息，據意法半導體官微消息，該公司與理想汽車簽署了一項碳化硅（SiC）長期供貨協議。
2023-12-24 10:35:241212 2023年5月，英飛凌與天科合達簽訂了長期協議，以確保獲得更多而且具有競爭力的碳化硅材料供應。天科合達主要為英飛凌供6英寸的碳化硅襯底，同時還將提供8英寸碳化硅材料，助力英飛凌向8英寸SiC晶圓的過渡。
2024-01-11 16:38:331213 
英飛凌與韓國SK Siltron子企業(yè)SK Siltron CSS最近達成了一項重要協議。根據該協議，SK Siltron CSS將為英飛凌提供6英寸碳化硅（SiC）晶圓，以支持英飛凌在SiC半導體生產方面的需求。
2024-01-17 14:08:351192 ）與全球碳化硅技術引領者 Wolfspeed 公司（美國紐約證券交易所上市代碼：WOLF）于今日宣布擴大并延伸現有的長期 150mm 碳化硅晶圓供應協議（原先的協議簽定于 2018 年 2 月）。
2024-01-24 09:51:011100 英飛凌和美國碳化硅制造商Wolfspeed近日共同發(fā)表聲明，延長并擴大了已于2018年2月簽訂的150毫米碳化硅晶圓長期供應合同。該合作內容還包含了一份多年的產能預留協議。
2024-01-24 14:26:311151 英飛凌科技（Infineon Technologies）與美國半導體制造商Wolfspeed近日宣布，雙方將擴大并延長現有的晶圓供應協議。這一協議的擴展將進一步加強英飛凌與Wolfspeed之間的合作關系，以滿足市場對碳化硅（SiC）晶圓產品日益增長的需求。
2024-01-24 17:19:521459 1月23日，山東有研硅半導體表示已與山東粵海金于1月17日正式簽署了《碳化硅襯底片業(yè)務合作協議》，該協議旨在充分發(fā)揮雙方各自優(yōu)勢，創(chuàng)新業(yè)務合作模式，共同拓展碳化硅襯底片市場與客戶。
2024-01-29 14:36:571705 技術領域的領導者Wolfspeed（NYSE代碼：WOLF）近日宣布擴展并延長雙方最初于2018年2月簽署的150mm碳化硅晶圓長期供應協議。經過此次擴展，雙方的合作又新增了一項多年期產能預訂協議。這不僅有助于提升英飛凌總體供應鏈的穩(wěn)定性，還能幫助滿足汽車、太陽能和電動汽車應用以及儲
2024-01-30 14:19:16898 
英飛凌技術公司與美國北卡羅來納州達勒姆市的Wolfspeed公司 — 一家專門生產碳化硅（SiC）材料和功率半導體器件的制造商 — 已經擴大并延長了他們的現有長期150毫米碳化硅（SiC）晶圓供應
2024-01-30 17:06:001340 
近日，芯聯集成與蔚來汽車簽署了碳化硅模塊產品的生產供貨協議。根據協議條款，芯聯集成將成為蔚來首款自研1200V碳化硅模塊的獨家生產供應商。
2024-01-31 10:29:511038 英飛凌科技與Wolfspeed近日宣布，將擴展并延長雙方最初于2018年2月簽署的150mm碳化硅晶圓長期供應協議。這一合作旨在滿足不斷增長的市場需求，并提升英飛凌供應鏈的穩(wěn)定性。
2024-01-31 17:31:141385 英飛凌科技與Wolfspeed宣布，將擴展并延長他們最初于2018年2月簽署的150mm碳化硅晶圓長期供應協議。經過這次擴展，雙方的合作新增了一項多年期產能預訂協議。這一合作不僅有助于提升英飛凌總體供應鏈的穩(wěn)定性，還能滿足汽車、太陽能和電動汽車應用以及儲能系統(tǒng)對碳化硅半導體產品日益增長的需求。
2024-02-02 10:35:331272 近日，國內領先的半導體企業(yè)芯動半導體與國際知名半導體供應商意法半導體成功簽署碳化硅（SiC）芯片戰(zhàn)略合作協議。這一協議的達成，標志著雙方在SiC功率模塊領域的合作邁出了堅實的一步，將共同推動SiC芯片在新能源汽車市場的廣泛應用。
2024-03-15 09:44:431103 羅姆與服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體（簡稱ST）宣布，雙方將在意法半導體與羅姆集團旗下SiCrystal公司現有的150mm（6英寸）碳化硅（SiC）襯底晶圓多年長期供貨協議基礎上，
2024-04-23 10:17:57957 代碼:STM) 宣布，雙方將在意法半導體與羅姆集團旗下SiCrystal公司現有的150mm (6英寸) 碳化硅 (SiC) 襯底晶圓多年長期供貨協議基礎上，繼續(xù)擴大合作。根據新簽署的長期供貨協議
2024-04-26 11:30:001058 
近日，汽車電子領域的佼佼者意法半導體（簡稱ST）與全球知名汽車及新能源汽車制造商吉利汽車集團宣布了一項重要合作。雙方已簽署碳化硅（SiC）器件的長期供應協議，標志著雙方在原有合作基礎上，對碳化硅器件的聯合研發(fā)與應用將邁入新的階段。
2024-06-04 14:30:471236 服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體（簡稱ST）與全球汽車及新能源汽車龍頭制造商吉利汽車集團宣布，雙方簽署碳化硅（SiC）器件長期供應協議，在原有合作基礎上進一步加速碳化硅器件
2024-06-04 14:36:531453 近日，半導體行業(yè)的佼佼者意法半導體（STMicroelectronics）與領先的汽車制造商吉利汽車集團宣布簽署了一份長期碳化硅（SiC）供應協議。此舉不僅鞏固了雙方在SiC器件領域的現有合作，更標志著雙方合作關系的進一步深化。
2024-06-06 09:40:44994 近日，工業(yè)材料領域的佼佼者Entegris宣布與知名芯片制造商安森美半導體簽署了一項長期供應協議。根據協議內容，Entegris將為安森美提供制造碳化硅（SiC）半導體的專業(yè)技術解決方案，標志著雙方在高科技材料供應領域的深度合作邁入新階段。
2024-08-09 10:39:131084 碳化硅SiC材料應用 1. 半導體領域 碳化硅是制造高性能半導體器件的理想材料，尤其是在高頻、高溫、高壓和高功率的應用中。SiC基半導體器件包括肖特基二極管、MOSFETs、JFETs和功率模塊等
2024-11-25 16:28:542901 隨著科技的不斷進步，電子器件的性能要求也日益提高。傳統(tǒng)的硅（Si）材料在某些應用中已經接近其物理極限，尤其是在高溫、高壓和高頻領域。碳化硅（SiC）作為一種寬帶隙（WBG）半導體材料，因其卓越的電學
2024-11-25 16:30:082707 碳化硅SiC制造工藝詳解 碳化硅（SiC）作為一種高性能的半導體材料，其制造工藝涉及多個復雜步驟，以下是對SiC制造工藝的詳細介紹： 原材料選擇與預處理 SiC生產的基礎在于原材料的精選。多用純凈
2024-11-25 16:32:276212 ????????意法半導體與雷諾集團簽署長期供貨協議，保證安培碳化硅功率模塊的供應安全。
2024-12-05 10:41:211095 碳化硅（SiC）是一種高性能的陶瓷材料，因其卓越的物理和化學特性而在許多工業(yè)領域中得到廣泛應用。從高溫結構部件到電子器件，SiC的應用范圍廣泛，其獨特的性能使其成為許多應用中的首選材料。 碳化硅
2025-01-23 17:11:342732 在半導體技術領域，材料的選擇對于器件的性能至關重要。硅（Si）作為最常用的半導體材料，已經有著悠久的歷史和成熟的技術。然而，隨著電子器件對性能要求的不斷提高，碳化硅（SiC）作為一種新型半導體材料
2025-01-23 17:13:032591 在碳化硅（SiC）技術的應用中，許多工程師對SiC的性能評價存在誤解，尤其是關于“單位面積導通電阻（Rsp）”和“高溫漂移”的問題。作為“碳化硅何以英飛凌”的系列文章，本文將繼續(xù)為您揭開這些誤區(qū)
2025-04-30 18:21:20761 
9 月 28 日消息，兩家重要功率半導體企業(yè)德國英飛凌 Infineon 和日本羅姆 ROHM 本月 25 宣布雙方就建立碳化硅 (SiC) 功率器件封裝合作機制簽署了備忘錄。 根據這份協議，雙方
2025-09-29 18:24:361709 
電子發(fā)燒友網報道（文/梁浩斌）近期國內碳化硅襯底供應商陸續(xù)獲得海外大廠的訂單，4月底，天岳先進在2022年年報中披露去年公司與博世集團簽署了長期協議，公司將為博世供應碳化硅襯底產品。 ? 5月3日在
2023-05-06 01:20:003988 
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工商網監(jiān)
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