美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技術(shù)的全新1200 V肖特基二極管系列
2012-11-22 14:09:06
1450 碳化硅二極管是單極器件，因此與傳統(tǒng)的硅快速恢復(fù)二極管(硅FRD)相比，碳化硅二極管具有理想的反向恢復(fù)特性。當(dāng)器件從正向切換到反向阻斷方向時(shí)，幾乎沒(méi)有反向恢復(fù)功率，反向恢復(fù)時(shí)間小于20ns，甚至600V10A碳化硅二極管的反向恢復(fù)時(shí)間也小于10ns。
2023-02-08 17:23:233979 
IGBT分立器件一般由IGBT和續(xù)流二極管(FWD)構(gòu)成，續(xù)流二極管按材料可分為硅材料和碳化硅材料，按照器件結(jié)構(gòu)可分為PIN二極管和肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)。材料與結(jié)構(gòu)兩兩組合就形成了4種結(jié)果：硅
2023-09-22 10:26:251009 
Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二極管特性 封裝外形?最大結(jié)溫為 175°C?高浪涌電流容量?零反向恢復(fù)電流?零正向恢復(fù)電壓?高頻工作?開(kāi)關(guān)特性不受溫度
2020-03-13 13:42:49
極快反向恢復(fù)速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂(lè)技術(shù)600V碳化硅二極管現(xiàn)貨選型相比于Si半導(dǎo)體材料，SiC半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場(chǎng)較大、熱導(dǎo)率較高的特點(diǎn)，SiC
2019-10-24 14:25:15
不變。這是由于碳化硅肖特基二極管是單極器件，沒(méi)有少數(shù)載流子注入和自由電荷的存儲(chǔ)。在恢復(fù)瞬態(tài)，所涉及的電荷只有結(jié)耗盡區(qū)電荷，而且它比相同結(jié)構(gòu)的Si器件結(jié)耗盡區(qū)電荷至少小一個(gè)數(shù)量級(jí)。這對(duì)于要求工作于高阻斷
2020-09-24 16:22:14
?二極管的參數(shù)是選用二極管的決定性因素之一，二極管的壓降的其中的一種。? 二極管在正向?qū)ǖ臅r(shí)候，流過(guò)電流的時(shí)候會(huì)產(chǎn)生壓降。一般情況下，這個(gè)壓降和正向電流以及溫度有關(guān)。通常硅二極管，電流越大，壓降越大。溫度越高，壓降越小。但是碳化硅二極管卻是溫度越高，壓降越大。二極管規(guī)格書(shū)下載：
2021-03-22 17:25:26
PN結(jié)器件優(yōu)越的指標(biāo)是正向?qū)妷旱停哂械偷膶?dǎo)通損耗?！ 〉栊ぬ鼗?b class="flag-6" style="color: red">二極管也有兩個(gè)缺點(diǎn)，一是反向耐壓VR較低，一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大。 二、碳化硅半導(dǎo)體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
應(yīng)用領(lǐng)域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產(chǎn)品請(qǐng)咨詢(xún)我司人員！附件是海飛樂(lè)技術(shù)碳化硅二極管選型表，歡迎大家選購(gòu)！碳化硅（SiC）半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導(dǎo)體材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導(dǎo)通電
2023-04-11 15:29:18
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場(chǎng)強(qiáng)等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開(kāi)關(guān)管
2020-06-28 17:30:27
明顯優(yōu)勢(shì)，可以用來(lái)做成高耐壓的肖特基二極管，目前650V-1700V碳化硅肖特基二極管在消費(fèi)、工業(yè)、汽車(chē)、軍工等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用。 03 碳化硅肖特基二極管結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)析 肖特基二極管：以金屬為陽(yáng)極，以N
2023-02-28 16:55:45
，能夠有效降低產(chǎn)品成本、體積及重量。 碳化硅具有載流子飽和速度高和熱導(dǎo)率大的特點(diǎn)，應(yīng)用開(kāi)關(guān)頻率可達(dá)到1MHz，在高頻應(yīng)用中優(yōu)勢(shì)明顯，其中碳化硅肖特基二極管（SiC JBS）耐壓可以達(dá)到6000V以上
2023-02-28 16:34:16
阻。盡管普通二極管的“慣性”較大，但是在超過(guò)200V的工作電壓場(chǎng)合，普通的PIN二極管占主導(dǎo)地位?！ ≡从诠杌男ぬ鼗?b class="flag-6" style="color: red">二極管，近年來(lái)開(kāi)發(fā)出來(lái)新的基于碳化硅(SiC)的肖特基二極管用于一些效率很關(guān)鍵的電力
2019-01-02 13:57:40
是1000V。FR106,FR107300ns快速恢復(fù)二極管FR101-FR105150nsSR260肖特基二極管 10ns左右反向恢復(fù)時(shí)間短，特別適用于高頻電路。二、碳化硅二極管碳化硅是一種新材料，幾乎不
2023-02-15 14:24:47
大功率適配器為了減小對(duì)電網(wǎng)的干擾，都會(huì)采用PFC電路、使用氮化鎵的充電器，基本也離不開(kāi)碳化硅二極管，第三代半導(dǎo)體材料幾乎都是同時(shí)出現(xiàn)，強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手避免短板。創(chuàng)能動(dòng)力推出的碳化硅二極管
2023-02-22 15:27:51
并聯(lián)二極管的特性參數(shù)對(duì)比 如圖13所示，混合碳化硅分立器件的反向恢復(fù)時(shí)間Trr，反向恢復(fù)電流Irr和反向恢復(fù)損耗Err明顯降低?！ ?5 總結(jié) 基本半導(dǎo)體主要推出了650V 50A和650V
2023-02-28 16:48:24
MOSFET之所以有如此的大吸引力，在于與它們具有比硅器件更出眾的可靠性，在持續(xù)使用內(nèi)部體二極管的連續(xù)導(dǎo)通模式（CCM）功率因數(shù)校正（PFC）設(shè)計(jì)，例如圖騰功率因數(shù)校正器的硬開(kāi)關(guān)拓?fù)渲校?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅
2023-03-14 14:05:02
：Gen1》 Gen2 》 Gen3 VF：Gen1》 Gen2 》 Gen3 產(chǎn)品優(yōu)點(diǎn) 綜上所述，基本半導(dǎo)體推出的第三代碳化硅肖特基二極管有以下優(yōu)點(diǎn)： 更低VF：第三代二極管具有更低VF，同時(shí)
2023-02-28 17:13:35
、反向恢復(fù)時(shí)間短的半導(dǎo)體二極管）主要用于各種功率轉(zhuǎn)換器的開(kāi)關(guān)功率器件（如IGBT或MOSFET），以起到續(xù)流效果。碳化硅肖特基二極管4.1 碳化硅肖特基二極管基本型肖特基二極管，也稱(chēng)為熱載流二極管，通過(guò)
2023-02-07 15:59:32
°C。系統(tǒng)可靠性大大增強(qiáng)，穩(wěn)定的超快速本體二極管，因此無(wú)需外部續(xù)流二極管。三、碳化硅半導(dǎo)體廠(chǎng)商SiC電力電子器件的產(chǎn)業(yè)化主要以德國(guó)英飛凌、美國(guó)Cree公司、GE、ST意法半導(dǎo)體體和日本羅姆公司、豐田
2023-02-20 15:15:50
C4D05120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管更加堅(jiān)固可靠。將碳化硅
2022-06-02 18:35:42
C4D08120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管更加堅(jiān)固可靠。將碳化硅
2022-06-02 18:48:49
E4D10120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管更加堅(jiān)固可靠。將碳化硅
2022-06-02 18:54:09
C4D10120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管更加堅(jiān)固可靠。將碳化硅
2022-06-03 18:14:54
C4D20120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管更加堅(jiān)固可靠。將碳化硅
2022-06-03 19:07:00
碳化硅(SiC)功率器件的市場(chǎng)領(lǐng)先者科銳公司(Nasdaq: CREE)日前宣布推出全新系列封裝型二極管。在現(xiàn)有碳化硅肖特基二極管技術(shù)條件下，該系列二極管可提供業(yè)界最高的阻斷電壓。
2012-02-07 15:40:401701 G2S06505A 650V 5A 碳化硅肖特基功率二極管 TO-220
2016-06-17 15:42:45
4 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體推出最新650 V碳化硅（SiC）肖特基二極管系列產(chǎn)品，擴(kuò)展了SiC二極管產(chǎn)品組合。
2018-03-01 13:14:179302 2018年6月5日 —推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體 (ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON)，發(fā)布了碳化硅 (SiC) 肖特基二極管的擴(kuò)展系列，包括專(zhuān)門(mén)用于要求嚴(yán)苛的汽車(chē)應(yīng)用的器件。
2018-06-21 16:08:424497 相比硅二極管，GEN2碳化硅肖特基二極管可顯著降低開(kāi)關(guān)損耗，并大幅提高電力電子系統(tǒng)的效率和可靠性。
2018-07-06 15:11:355265 據(jù)外媒報(bào)道，在今年的紐倫堡PCIM歐洲展會(huì)上，英飛凌（Infineon）推出了首款車(chē)用碳化硅產(chǎn)品，肖特基（Schottky）二極管，并為其新創(chuàng)了一個(gè)品牌名CoolSiC。
2018-09-21 14:36:505349 因?yàn)楸菊鬏d流子激發(fā)導(dǎo)致器件性能失效。碳化硅材料在發(fā)生雪崩擊穿前所能夠忍受的極限電場(chǎng)是硅材料和砷化鎵(GaAs)的5~20倍12。這一高極限電場(chǎng)可以用來(lái)制造高壓、大功率器件。?大功率碳化硅二極管
2018-11-20 15:28:071867 碳化硅MOSFET寄生體二極管具有極小的反向恢復(fù)時(shí)間trr和反向恢復(fù)電荷Qrr。如圖所示，同一額定電流900V的器件，碳化硅MOSFET 寄生二極管反向電荷只有同等電壓規(guī)格硅基MOSFET的5
2019-04-28 15:11:4910932 碳化硅材料半導(dǎo)體，雖然隨著技術(shù)的發(fā)展，目前碳化硅成本下降很多，但是據(jù)市場(chǎng)價(jià)格表現(xiàn)同類(lèi)型的硅材料與碳化硅材料的半導(dǎo)體器件價(jià)格相差十倍有余。碳化硅單晶體可以制作晶體管（二極管和三極管）。因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅的禁
2020-07-10 11:20:062598 碳化硅二極管的應(yīng)用改善了絕緣芯變壓器結(jié)構(gòu)的輸出部分的發(fā)熱，受IGBT的開(kāi)關(guān)頻率的限制沒(méi)有真正發(fā)揮碳化硅的高頻特性，隨著開(kāi)關(guān)頻率的提高，碳化硅二極管的優(yōu)勢(shì)會(huì)更明顯。
2020-08-14 16:51:5510828 
）今日宣布推出最新通過(guò)認(rèn)證的700和1200V碳化硅（SiC）肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）功率器件，為電動(dòng)汽車(chē)（EV）系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提供了符合嚴(yán)苛汽車(chē)質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)的解決方案，同時(shí)支持豐富的電壓、電流和封裝選項(xiàng)。
2020-10-29 15:24:343420 碳化硅肖特基
二極管（SiCSBD）是一種單極型器件，采用結(jié)勢(shì)壘肖特基
二極管結(jié)構(gòu)（JBS），因此相比于傳統(tǒng)的硅快恢復(fù)
二極管（SiFRD），
碳化硅肖特基
二極管具有理想的反向恢復(fù)特性?？梢杂行Ы档头聪蚵╇?/div>
2020-11-17 15:55:056966 碳化硅肖特基二極管的優(yōu)點(diǎn) 碳化硅SiC的能帶間隔為硅的2.8倍（寬禁帶），達(dá)到3.09電子伏特。其絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)為硅的5.3倍，高達(dá)3.2MV/cm.，其導(dǎo)熱率是硅的3.3倍，為49w/cm.k
2021-01-13 09:42:412238 領(lǐng)域商用的大門(mén)。 圖1：SMBF封裝碳化硅肖特基二極管 針對(duì)PD快充“小輕薄”的特點(diǎn)，碳化硅功率器件領(lǐng)先企業(yè)基本半導(dǎo)體在國(guó)內(nèi)率先推出SMBF封裝碳化硅肖特基二極管，該產(chǎn)品具有體積小、正向?qū)▔旱秃涂估擞磕芰?qiáng)等特點(diǎn)，能很好地滿(mǎn)足PD快充對(duì)器件
2021-04-19 11:37:023698 
二次側(cè)整流二極管通常使用FRD（快速恢復(fù)二極管）和SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）等，本文提到的基本半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管B1D30120HC基本沒(méi)有開(kāi)關(guān)損耗，而且VF具有正向溫度系數(shù)，有利于提高車(chē)載充電機(jī)實(shí)際的效率。
2022-07-26 14:43:341889 碳化硅肖特基功率二極管G4S06510AT產(chǎn)品規(guī)格書(shū)免費(fèi)下載。
2022-08-30 15:10:172 碳化硅肖特基功率二極管G5S06504AT產(chǎn)品規(guī)格書(shū)免費(fèi)下載。
2022-08-30 15:04:300 碳化硅肖特基功率二極管G5S06505AT產(chǎn)品規(guī)格書(shū)免費(fèi)下載。
2022-08-30 14:54:360 碳化硅肖特基功率二極管G5S06506AT產(chǎn)品規(guī)格書(shū)免費(fèi)下載。
2022-08-30 09:41:292 碳化硅肖特基功率二極管G5S06508AT產(chǎn)品規(guī)格書(shū)免費(fèi)下載。
2022-08-30 09:40:440 碳化硅肖特基功率二極管G5S06510AT產(chǎn)品規(guī)格書(shū)免費(fèi)下載。
2022-08-30 09:34:182 碳化硅肖特基功率二極管G4S06515AT產(chǎn)品規(guī)格書(shū)免費(fèi)下載。
2022-08-30 09:30:450 碳化硅肖特基功率二極管G51XT產(chǎn)品規(guī)格書(shū)免費(fèi)下載。
2022-08-31 14:40:510 碳化硅肖特基功率二極管G5S06502AT產(chǎn)品規(guī)格書(shū)免費(fèi)下載。
2022-08-31 14:39:090 采碳化硅肖特基功率二極管GAS06520A產(chǎn)品規(guī)格書(shū)免費(fèi)下載。
2022-08-31 14:38:073 碳化硅肖特基功率二極管GAS06520H產(chǎn)品規(guī)格書(shū)免費(fèi)下載。
2022-08-31 14:36:530 碳化硅肖特基功率二極管GAS06520L產(chǎn)品規(guī)格書(shū)免費(fèi)下載。
2022-08-31 14:36:130 碳化硅肖特基功率二極管GAS06520P產(chǎn)品規(guī)格書(shū)免費(fèi)下載。
2022-08-31 14:35:231 碳化硅肖特基功率二極管G52YT產(chǎn)品規(guī)格書(shū)免費(fèi)下載。
2022-08-31 11:39:150 碳化硅肖特基功率二極管G4H06510AT產(chǎn)品規(guī)格書(shū)免費(fèi)下載。
2022-08-31 11:38:320 碳化硅肖特基功率二極管GAS06540B產(chǎn)品規(guī)格書(shū)免費(fèi)下載。
2022-08-31 11:32:572 碳化硅肖特基功率二極管G4S06506AT產(chǎn)品規(guī)格書(shū)免費(fèi)下載。
2022-08-31 11:32:091 碳化硅肖特基功率二極管G4S06508AT產(chǎn)品規(guī)格書(shū)免費(fèi)下載。
2022-08-31 11:29:500 碳化硅肖特基功率二極管G5S06520AT產(chǎn)品規(guī)格書(shū)免費(fèi)下載。
2022-08-31 11:09:480 碳化硅肖特基功率二極管G53YT產(chǎn)品規(guī)格書(shū)免費(fèi)下載。
2022-08-31 10:59:100 碳化硅肖特基功率二極管GAS06520D產(chǎn)品規(guī)格書(shū)免費(fèi)下載。
2022-08-31 10:40:441 碳化硅肖特基功率二極管G5S12030BH產(chǎn)品規(guī)格書(shū)免費(fèi)下載。
2022-08-31 10:39:580 碳化硅肖特基功率二極管GRS06501AT產(chǎn)品規(guī)格書(shū)免費(fèi)下載。
2022-08-31 09:55:104 高技術(shù)耐火原料中，碳化硅為應(yīng)用最廣泛、最經(jīng)濟(jì)的一種，可以稱(chēng)為金鋼砂或耐火砂。 碳化硅基于SiC的肖特基二極管具有高能效、高功率密度、小尺寸和高可靠性，可以在電力電子技術(shù)領(lǐng)域打破硅的極限，成為新能源及電力電子的首選器件。 碳
2023-02-05 16:34:592272 碳化硅的能帶間隔為硅的2.8倍（寬禁帶），達(dá)到3.09電子伏特。其絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)為硅的5.3倍，高達(dá)3.2MV/cm，其導(dǎo)熱率是硅的3.3倍，為49w/cm·k。它與硅半導(dǎo)體材料一樣，可以制成結(jié)型器件、場(chǎng)效應(yīng)器件、和金屬與半導(dǎo)體接觸的肖特基二極管。
2023-02-09 09:44:591112 碳化硅二極管具有較短的恢復(fù)時(shí)間、溫度針對(duì)電源開(kāi)關(guān)個(gè)人行為的危害較小、規(guī)范操作溫度范疇為-55℃到175℃，那樣更平穩(wěn)，還大幅度降低熱管散熱器的要求。碳化硅二極管的關(guān)鍵優(yōu)點(diǎn)取決于它具有極快的電源開(kāi)關(guān)速率且無(wú)反向恢復(fù)電流量，與硅元器件對(duì)比，它可以大幅度降低開(kāi)關(guān)損耗并完成非凡的能耗等級(jí)。
2023-02-09 10:05:521327 
碳化硅二極管是用碳化硅為原料制作而成的二極管。碳化硅二極管，號(hào)稱(chēng)反向恢復(fù)時(shí)間為零，是高效PFC boost電路的專(zhuān)用升壓二極管。以碳化硅二極管為代表的第三代半導(dǎo)體材料的發(fā)展開(kāi)始受到重視，并在智能
2023-02-10 17:45:173676 碳化硅二極管是一種由碳化硅材料制成的半導(dǎo)體器件，它具有較高的強(qiáng)度、輕量、耐磨性和耐腐蝕性。碳化硅二極管的工作原理是，當(dāng)電壓通過(guò)碳化硅二極管時(shí)，電子會(huì)從N極流向P極，從而產(chǎn)生電流。碳化硅二極管可以用于汽車(chē)電子控制系統(tǒng)，以及其他電子設(shè)備中，用于控制電流和電壓。
2023-02-15 15:13:421714 碳化硅二極管是一種由碳化硅材料制成的半導(dǎo)體器件，它具有較高的強(qiáng)度、輕量、耐磨性和耐腐蝕性。
2023-02-15 15:21:401513 碳化硅二極管是一種由碳化硅材料制成的二極管，具有良好的耐腐蝕性、耐磨性、抗拉強(qiáng)度和抗壓強(qiáng)度等特性，可以用于電路中的放大、檢測(cè)、控制等功能。
2023-02-16 14:40:561939 書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：用于紫外發(fā)光二極管的碳化硅上的氮化鋁鎵編號(hào)：JFKJ-21-1173作者：華林科納 一直在使用碳化硅（碳化硅）襯底生長(zhǎng)氮化鋁(AlGaN)結(jié)構(gòu)，針對(duì)278nm深紫
2023-02-21 09:21:581 我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件：碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開(kāi)說(shuō)明。碳和硅進(jìn)過(guò)化合先合成碳化硅，然后碳化硅打磨成為粉末，碳化硅粉末經(jīng)過(guò)碳化硅單晶生長(zhǎng)成為碳化硅晶錠；碳化硅晶錠
2023-02-21 10:04:113178 
SiC碳化硅二極管起步電壓為650V，電流6A到10A，主要用于UPS、快充、微逆、電源、電動(dòng)工具、消費(fèi)類(lèi)產(chǎn)品、工控。碳化硅二極管料號(hào)為：KN3D06065F（650V碳化硅二極管，電流6A，貼片
2023-02-21 10:12:244173 
什么是第三代半導(dǎo)體？我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統(tǒng)稱(chēng)為第三代半導(dǎo)體，這個(gè)是相對(duì)以硅基為核心的第二代半導(dǎo)體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件，也就是SiC碳化硅二極管
2023-02-21 10:16:473722 ，碳化硅二極管封裝小型化成為趨勢(shì)。那么各個(gè)碳化硅二極管廠(chǎng)家推出了更小的封裝DFN5X6,DFN8X8,超薄型封裝。主要用于高功率密度電源和PD快充這樣子的應(yīng)用中。
2023-02-21 13:38:163524 
碳化硅二極管是什么 碳化硅二極管是一種半導(dǎo)體器件，它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐壓能力和高的溫度耐受性，因此碳化硅二極管具有較低的反向漏電流、高溫下穩(wěn)定性良好、響應(yīng)速度快等特點(diǎn)，廣泛用于高功率、高頻率、高溫、高壓等領(lǐng)域，如電源、變頻器、太陽(yáng)能、電動(dòng)汽車(chē)等。
2023-06-02 14:10:321819 碳化硅肖特基二極管（Silicon Carbide Schottky Diode）是一種高性能半導(dǎo)體器件，具有低開(kāi)啟電壓、高速開(kāi)關(guān)、高溫性能等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于電源、驅(qū)動(dòng)、逆變器、電動(dòng)汽車(chē)等領(lǐng)域。
2023-06-04 16:09:004311 碳化硅肖特基二極管是一種基于碳化硅材料的半導(dǎo)體器件，具有高速、高溫、高功率特性。其原理基于肖特基效應(yīng)，即在金屬與半導(dǎo)體接觸處形成一個(gè)肖特基勢(shì)壘，使得半導(dǎo)體中的載流子向金屬一側(cè)偏移，形成整流效應(yīng)。
2023-06-07 17:10:342339 7.2肖特基勢(shì)磊二極管（SBD）第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：7.1.3雙極型功率器件優(yōu)值系數(shù)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件
2022-02-09 09:27:531337 
7.4結(jié)勢(shì)壘肖特基（JBS）二極管與混合pin肖特基（MPS）二極管第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：7.3.4電流-電壓關(guān)系∈《碳化硅技術(shù)
2022-02-15 11:20:415480 7.3pn與pin結(jié)型二極管第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：7.2肖特基勢(shì)磊二極管（SBD）∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件
2022-02-10 09:18:151372 今天鑫環(huán)電子就為大家講解一下碳化硅二極管的應(yīng)用領(lǐng)域及優(yōu)勢(shì)。??一、太陽(yáng)能逆變器。??碳化硅二極管是太陽(yáng)能發(fā)電用二極管的基本原材料，碳化硅二極管在各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)上都優(yōu)于普通雙極二極管技術(shù)。碳化硅二極管
2022-12-14 11:36:052135 
碳化硅材料的半導(dǎo)體，雖然隨著技術(shù)的發(fā)展，目前碳化硅的成本已經(jīng)下降了不少，但按市場(chǎng)性?xún)r(jià)比來(lái)看，同類(lèi)型的硅材料與碳化硅半導(dǎo)體器件的價(jià)格相差十倍以上。碳化硅單晶可用于制造晶體管（二極管和晶體管）。由于
2023-10-09 17:00:451060 碳化硅二極管的優(yōu)點(diǎn)和局限性分析 碳化硅（SiC）二極管是一種新型半導(dǎo)體材料，在高頻電源電子裝置中得到了廣泛應(yīng)用。與傳統(tǒng)的硅（Si）材料相比，碳化硅二極管具有許多優(yōu)點(diǎn)和局限性。下面是對(duì)碳化硅二極管
2023-12-21 11:31:274769 在當(dāng)今快速發(fā)展的電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）材料因其出色的物理性能而備受關(guān)注。作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，碳化硅在制造高效、高溫和高速的電子器件方面具有巨大潛力。其中，碳化硅肖特基二極管作為一種重要
2023-12-29 09:54:291624 SiC二極管，全稱(chēng)SiC碳化硅勢(shì)壘二極管，也被稱(chēng)為SiC碳化硅肖特基二極管（SiC SBD），是碳化硅（SiC）功率器件的一種，屬于第三代半導(dǎo)體材料的應(yīng)用范疇。SiC作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，相比
2024-09-10 14:55:023943 選擇光伏板碳化硅二極管需考慮以下因素。
2024-09-29 14:33:141654 
?為什么BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管全面取代FRD快恢復(fù)二極管 在科技政策與法規(guī)的推動(dòng)下，半導(dǎo)體行業(yè)正經(jīng)歷一場(chǎng)深刻的變革。隨著對(duì)高效能、低能耗電子設(shè)備需求的不斷增長(zhǎng)，BASiC基本公司
2025-02-06 11:51:051091 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PSC1065B1碳化硅肖特基二極管規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-12 16:09:580 結(jié)合國(guó)產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)格局和技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)，SiC碳化硅二極管公司已經(jīng)成為國(guó)產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對(duì)象，比如2024已經(jīng)有超過(guò)兩家SiC碳化硅二極管公司破產(chǎn)清算，僅有碳化硅二極管
2025-02-28 10:34:31753 PI的超快速Q(mào)speed H系列二極管現(xiàn)可達(dá)到650V以及高達(dá)30A的電壓電流額定值。這些高功率器件具有業(yè)界最低的硅二極管反向恢復(fù)電荷(Qrr)。它們是碳化硅(SiC)二極管的理想替代品，可提供與其相當(dāng)?shù)男屎碗妷航殿~性能，同時(shí)具有硅二極管的價(jià)格優(yōu)勢(shì)和供應(yīng)保證。
2025-03-27 13:46:55864 
Wolfspeed 推出新型頂部散熱（TSC） 碳化硅 MOSFET 和肖特基二極管 優(yōu)化熱管理并節(jié)約能耗 Wolfspeed 正在擴(kuò)展其行業(yè)領(lǐng)先的碳化硅（SiC）MOSFET 和肖特基二極管分立
2025-07-09 10:50:321361 
在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）肖特基二極管正憑借其卓越性能逐漸成為主流。今天我要和大家分享安森美（onsemi）的一款碳化硅肖特基二極管——NDSH20120C - F155，深入探討它的特性、參數(shù)和應(yīng)用。
2025-12-01 15:55:06208 
作為電子工程師，我們?cè)陔娫丛O(shè)計(jì)領(lǐng)域總是不斷追求更高的效率、更快的頻率和更小的體積。碳化硅（SiC）肖特基二極管的出現(xiàn)，為我們帶來(lái)了新的解決方案。今天就來(lái)詳細(xì)分析安森美（onsemi）的一款碳化硅肖特基二極管——NDSH10120C - F155。
2025-12-01 16:07:55218 
探索LSIC2SD065D40CC碳化硅肖特基二極管：性能與應(yīng)用的深度解析 作為電子工程師，在設(shè)計(jì)電路時(shí)，二極管的選擇至關(guān)重要。今天，我們來(lái)深入探討一款高性能的碳化硅肖特基二極管
2025-12-15 16:10:20275 
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