1. 外媒：鴻海擬與意法半導(dǎo)體聯(lián)手在印度建設(shè)芯片廠
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援引知情人士消息報導(dǎo)，鴻海(富士康) 正在與意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics NV) 聯(lián)手在印度建設(shè)一家半導(dǎo)體工廠，盼獲得印度政府支持以擴(kuò)大在該國的業(yè)務(wù)。
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知情人士表示，鴻海和意法半導(dǎo)體正在向印度政府申請補(bǔ)助建設(shè)一座40納米芯片工廠。這種成熟制程技術(shù)的芯片常用于汽車、相機(jī)、印表機(jī)和各式各樣的其他機(jī)器。鴻海曾試圖與印度億萬富豪阿加渥(Anil Agarwal) 的Vedanta Resources建立合作關(guān)系，然而一年來進(jìn)度甚微，最終破局。此次透過與意法半導(dǎo)體合作，芯片代工制造商鴻海利用前者在芯片產(chǎn)業(yè)先驅(qū)的專業(yè)知識，擴(kuò)張利潤豐厚但困難重重的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。
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2. 外媒：目前為止僅發(fā)現(xiàn)華為Mate 60 Pro內(nèi)存為進(jìn)口 其余部件中國制造
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據(jù)報道，華為公司的Mate 60 Pro智能手機(jī)除了主處理器外，還采用了異常高比例的中國零部件，這表明中國在發(fā)展國內(nèi)技術(shù)能力方面取得了進(jìn)展。
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據(jù)本周報道，華為手機(jī)搭載了在中國設(shè)計和制造的7納米麒麟處理器，這是中國芯片制造行業(yè)的一項突破。然而，根據(jù)TechInsights拆解該設(shè)備的最新一輪分析，華為還使用了中國公司生產(chǎn)的許多其他組件。該手機(jī)的射頻前端模塊來自昂瑞微（Beijing OnMicro Electronics Co.），衛(wèi)星通信調(diào)制解調(diào)器來自華力創(chuàng)通（Hwa Create Co.）。分析顯示，其射頻收發(fā)器來自廣州天潤芯科技（Guangzhou Runxin Information Technology Co.）。
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3. 三星開發(fā)新一代“緩存DRAM”：能效提升60%，速度延遲降低50%
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據(jù)報道，繼高帶寬內(nèi)存（HBM）之后，三星電子將開發(fā)新一代DRAM技術(shù)。援引業(yè)內(nèi)消息稱，三星先進(jìn)封裝（AVP）業(yè)務(wù)部門正在開發(fā)“Cache DRAM”（緩存DRAM）的下一代DRAM技術(shù)，目標(biāo)是在2025年開始量產(chǎn)。據(jù)報道，三星透露，與HBM相比，緩存DRAM將能效提高60%，并將數(shù)據(jù)移動延遲降低50%。
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有傳言稱，三星緩存DRAM將采用與HBM不同的封裝方法。HBM目前水平連接到GPU，但緩存DRAM將垂直連接到GPU。由于HBM垂直連接多個DRAM以提高數(shù)據(jù)處理速度，因此有報道稱，緩存DRAM只需要一顆芯片即可存儲與整個HBM相同數(shù)量的數(shù)據(jù)。
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4. 騰訊混元大模型正式亮相：參數(shù)規(guī)模超千億，已在多個內(nèi)部產(chǎn)品測試
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在2023 騰訊全球數(shù)字生態(tài)大會上，騰訊正式發(fā)布混元大模型。據(jù)介紹，混元大模型參數(shù)規(guī)模超千億，預(yù)訓(xùn)練語料超 2 萬億 tokens，騰訊云、騰訊廣告、騰訊游戲、騰訊金融科技、騰訊會議、騰訊文檔、微信搜一搜、QQ 瀏覽器等超過 50 個騰訊業(yè)務(wù)和產(chǎn)品，已經(jīng)接入騰訊混元大模型測試，并取得初步效果。
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該模型同時也服務(wù)產(chǎn)業(yè)場景，客戶可以基于 API 調(diào)用混元，也可以基于混元做專屬的行業(yè)大模型?；煸竽Ｐ吞柗Q能夠識別“陷阱”，拒絕被“誘導(dǎo)”回答一些難以回答甚至是不能回答的問題，比如“如何更好地超速”，拒答率提升 20%。
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5. 特斯拉墨西哥工廠再延遲，或于2026年至2027年投產(chǎn)
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據(jù)墨西哥媒體報道，特斯拉位于墨西哥北部新萊昂州的新工廠可能要到2026年或2027年才能投產(chǎn)，而不是原先墨西哥當(dāng)?shù)卣賳T爆料的2024年。
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據(jù)悉，在今年3月1日的特斯拉投資者日活動上，馬斯克正式宣布將在墨西哥建設(shè)新的超級工廠，并計劃于2024年開始投產(chǎn)。計劃建設(shè)的墨西哥工廠占地接近4200英畝，據(jù)透露投資或?qū)⒊^50億美元，成為特斯拉最大的生產(chǎn)基地。
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6. 三星：美國廠有主場優(yōu)勢 4納米廠進(jìn)度領(lǐng)先臺積電
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據(jù)韓國報道，三星電子聯(lián)席CEO Kyung Kye-hyun表示，旗下的得州泰勒（Taylor）廠預(yù)計2024年底開始投產(chǎn)4納米制程芯片，進(jìn)度超臺積電，有信心與臺積電競爭。他強(qiáng)調(diào)，三星在美國有“主場優(yōu)勢”（home game）、臺積電則是在“客場”（away game）比賽。
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Kyung Kye-hyun稱，三星有望在晶圓代工市場獲得成功，市值也將隨之達(dá)到1000萬億韓元（7520億美元)。他說，三星創(chuàng)造出“環(huán)繞柵極”（gate-all-around，GAA）半導(dǎo)體制造制程，晶圓代工事業(yè)早已領(lǐng)先競爭對手，但在人力資源方面遇到挑戰(zhàn)。
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