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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>半導(dǎo)體技術(shù)>半導(dǎo)體新聞>GlobalFoundries拋棄三星和意法半導(dǎo)體在第二代FD-SOI技術(shù)上達成合作

GlobalFoundries拋棄三星和意法半導(dǎo)體在第二代FD-SOI技術(shù)上達成合作

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Full HD等級的一部電影(3.7GB),更適合搭載于5G與人工智能設(shè)備上。除了技術(shù)上精益求精,三星平澤的大型半導(dǎo)體投資工程正進入第二階段。根據(jù)規(guī)劃,第二階段的規(guī)模是第一階段的2倍,也平澤當(dāng)
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看好28奈米FD-SOI技術(shù) 借力成該技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者

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半導(dǎo)體獲2013年度電子成就獎(ACE)能源技術(shù)

半導(dǎo)體(ST)宣布半導(dǎo)體完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體元件(FD-SOI技術(shù)榮獲2013年度電子成就獎(ACE)能源技術(shù)獎。根據(jù)客戶的節(jié)能與性能權(quán)衡策略,FD-SOI芯片本身可節(jié)約20%至50%的能耗,使終端設(shè)備可更快散熱,并實現(xiàn)更長的使用壽命。
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三星確認驍龍 820 使用第二代 14nm FinFET 工藝

驍龍 820 此前已經(jīng)傳聞將會由三星代工生產(chǎn),今天三星官方正式確認了這個消息,并且表示大規(guī)模生產(chǎn)使用的是三星最新的第二代 14nm FinFET 工藝。
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大爆料!三星Gear VR第二代產(chǎn)品將支持面部和眼球追蹤?

VR日報訊 一直以來移動VR雖說價格上和便攜性上占優(yōu)勢,但位置追蹤一直是它的軟肋,因此這也直接影響用戶虛擬現(xiàn)實里的體驗,行動和交互都受限制。 目前三星的Gear VR還并未推出實際的第二款新產(chǎn)品,外界也一直好奇,第二代能否在位置追蹤問題上有所突破。
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三星宣布已經(jīng)完成第二代10nm的質(zhì)量驗證工作

三星今天宣布,繼去年10月率先量產(chǎn)10nm工藝移動芯片后,日前已經(jīng)完成了第二代10nm的質(zhì)量驗證工作,即將量產(chǎn)。
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三星宣布第二代10nm制程已完成開發(fā)

三星上周四宣布,第二代10納米FinFET制程已經(jīng)開發(fā)完成,未來爭取10納米產(chǎn)品代工訂單將如虎添翼。 三星第一10納米制程于去年10月領(lǐng)先同業(yè)導(dǎo)入量產(chǎn),目前的三星Exynos 9與高通驍龍835處理器均是以第一10納米制程生產(chǎn)。
2017-04-25 01:08:11746

三星芯片業(yè)務(wù)再登臺階,第二代10nm今年內(nèi)量產(chǎn)!

前進的步伐還是不會被徹底推翻的??萍嫉膭?chuàng)新也不會因此而止步。日前,三星官方正式宣布他們將會開產(chǎn)第二代10nm工藝制程的芯片,三星電子4月20日正式宣布,他們已經(jīng)完成了第二代10nm制程的驗證工作,同時即將正式量產(chǎn)。
2017-04-25 09:50:22852

三星完成第二代10nm工藝質(zhì)量驗證,即將量產(chǎn)

  據(jù)韓媒報道,高通已經(jīng)與三星攜手,合作開發(fā)下一代手機處理器。繼去年10月份三星率先量產(chǎn)第一10nm LPE(low-power early)工藝處理器后,日前已經(jīng)完成第二代10nm LPP
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三星全球首發(fā)第二代10nm DRAM產(chǎn)品

三星被人稱為世界最賺錢的公司之一,三星Q3凈利潤高達98.7億美元。近日三星又公布了第二代10納米級8Gb DDR4 DRAM芯片的消息,更是讓人羨慕不已。
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華虹半導(dǎo)體第二代90納米嵌入式閃存開始量產(chǎn)

近日華虹半導(dǎo)體第二代90納米嵌入式閃存工藝平臺已經(jīng)宣布量產(chǎn),是第一的基礎(chǔ)上實現(xiàn)了多方面的技術(shù)提升。目前,90nm G2 eFlash已實現(xiàn)了高良率的穩(wěn)定量產(chǎn),標志著華虹半導(dǎo)體特色化嵌入式閃存技術(shù)上的又一次成功。
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三星開始量產(chǎn)第二代10納米級制程工藝DRAM內(nèi)存芯片

據(jù)韓聯(lián)社北京時間12月20日報道,三星電子今天宣布,已開始量產(chǎn)第二代10納米級制程工藝DRAM內(nèi)存芯片。
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半導(dǎo)體公司選擇格芯22FDX?提升其FD-SOI平臺和技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力

據(jù)報道,半導(dǎo)體公司決定選擇格芯22FDX?用來提升其FD-SOI平臺和技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力,格芯FDX技術(shù)將賦能ST為新一消費者和工業(yè)應(yīng)用提供高性能、低功耗的產(chǎn)品。
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格羅方德宣布新一處理器解決方案

集微網(wǎng)消息,格羅方德(GlobalFoundries)于 10 日宣布,全球半導(dǎo)體供應(yīng)商半導(dǎo)體(ST)選擇采用格羅方德 22 納米 FD-SOI(22FDX)制程技術(shù)平臺,以支持用于工業(yè)及消費性
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FD SOI生態(tài)系統(tǒng)逐步完善 與FinFET勢均力敵

工藝節(jié)點進展方面,三星電子晶圓代工業(yè)務(wù)執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理 ES Jung表示,三星晶圓代工業(yè)務(wù)發(fā)展路線將包括FinFET和FD-SOI兩個方向,FD-SOI平臺路線如下圖。目前FD-SOI工藝主要
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三星Galaxy S9將使用第二代10納米LPP處理器

之前傳聞三星Galaxy Note 9將會采用7nm芯片組,但是根據(jù)今日最新消息,或?qū)⒉辉诓捎?nm芯片組,同時三星宣布Galaxy S9智能手機將使用第二代10納米LPP處理器,并且10納米LPP芯片已經(jīng)進行批量生產(chǎn)了。
2018-02-01 16:08:401667

三星預(yù)計今年將采用其28nm FD-SOI制程出樣20余款芯片

晶圓代工廠格芯日前宣布其22納米全耗盡型絕緣上覆硅(FD-SOI)制程技術(shù)取得了36項設(shè)計訂單,其中有超過十幾項設(shè)計將會在今年出樣(tape-out)。另一方面,其競爭對手三星則預(yù)計今年將采用其28nm FD-SOI制程出樣20余款芯片。
2018-05-02 16:16:135272

格羅方德半導(dǎo)體今日發(fā)布了全新的12nm FD-SOI半導(dǎo)體工藝平臺12FDXTM

格羅方德半導(dǎo)體今日發(fā)布了全新的12nm FD-SOI半導(dǎo)體工藝平臺12FDXTM,實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)首個多節(jié)點FD-SOI路線圖,從而延續(xù)了其領(lǐng)先地位。新一12FDXTM平臺建立在其22FDXTM平臺的成功基礎(chǔ)之上,專為未來的移動計算、5G連接、人工智能、無人駕駛汽車等各類應(yīng)用智能系統(tǒng)而設(shè)計。
2018-05-14 15:54:003070

第一、第二代、第三代半導(dǎo)體材料是什么?有什么區(qū)別

本文首先分別對第一半導(dǎo)體材料、第二代半導(dǎo)體材料和第三代半導(dǎo)體材料進行了概述,其次介紹了第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)用領(lǐng)域及我國第三代半導(dǎo)體材料的前景展望。
2018-05-30 14:27:17152618

三星第二代10nm級8Gb DDR4 DRAM量產(chǎn),有助于滿足全球不斷飆升需求

12月20日,三星宣布已開始量產(chǎn)第二代10nm級8Gb DDR4 DRAM,并持續(xù)擴大整體10nm級DRAM的生產(chǎn),有助于滿足全球不斷飆升的DRAM芯片需求,繼續(xù)加強三星市場競爭力。
2018-07-31 14:55:251102

三星宣布他們有17種FD-SOI產(chǎn)品進入大批量產(chǎn)階段

生產(chǎn)FD-SOI工藝的公司有ST Micro(其正在將此工藝用作28納米IDM的生產(chǎn)),三星代工廠(28納米工藝投產(chǎn)中,18納米工藝計劃投產(chǎn)),以及格芯代工廠(22納米工藝投產(chǎn)中,12納米計劃投產(chǎn))。
2018-08-02 11:35:245500

三星第二代NPU已完成開發(fā),將應(yīng)用于Galaxy S10和Note 10

三星前硬件設(shè)計工程師近日LinkedIn透露,三星已經(jīng)完成第二代NPU解決方案的開發(fā)。目前三星第二代NPU規(guī)格和其它細節(jié)仍不得而知,但據(jù)悉將應(yīng)用于新的Exynos 9820高階智能手機SoC,核心配置核心為2、2和4個。
2018-10-11 10:39:134633

華虹半導(dǎo)體第二代BCD工藝平臺成功量產(chǎn)

2018年10月10日,華虹半導(dǎo)體有限公司宣布,其第二代0.18微米5V/40V BCD工藝平臺已成功量產(chǎn),該平臺具有導(dǎo)通電阻低、高壓種類全、光刻層數(shù)少等優(yōu)勢,對于工業(yè)控制應(yīng)用和DC-DC轉(zhuǎn)換器等產(chǎn)品是理想的工藝選擇。
2018-10-16 15:41:179230

Soitec與三星晶圓代工廠擴大合作 保障FD-SOI晶圓供應(yīng)

Soitec與三星晶圓代工廠擴大合作 保障FD-SOI晶圓供應(yīng),滿足當(dāng)下及未來消費品、物聯(lián)網(wǎng)和汽車應(yīng)用等領(lǐng)域的需求,確保FD-SOI技術(shù)大量供應(yīng)。
2019-01-22 09:07:00871

三星采用第二代10nm工藝級別的DRAM芯片量產(chǎn)

三星電子今天宣布,開始量產(chǎn)業(yè)界首款、采用第二代10nm工藝(1y-nm)級別的DRAM芯片。
2018-12-11 09:40:551196

三星發(fā)布第二代MciroLED面板電視 219英寸徹底震撼了觀眾

三星日前發(fā)布了第二代MciroLED面板電視,包括75寸(The Window)、219寸(The Wall)兩款型號,并在CES 2019上進行了展示,尤其是219英寸徹底震撼了觀眾,一如其名一臺電視就是一面墻的感覺。
2019-01-14 10:16:571583

華碩或在第季度與騰訊合作發(fā)布第二代ROG電競手機

業(yè)界消息稱,華碩計劃在今年第季度發(fā)布第二代ROG電競手機,并有望與騰訊游戲達成合作,國內(nèi)市場加強推廣。
2019-04-09 09:15:572892

高級工藝未來分化,FD-SOI受益

長期跟蹤研究半導(dǎo)體工藝和技術(shù)趨勢的IBS CEO Handel Jones發(fā)表演講,并對FD-SOI未來走勢做出預(yù)測。
2019-08-06 16:25:004363

Intel第二代QLC硬盤技術(shù)改進 壽命提升了50%

盡管很多人并不喜歡QLC閃存,但是不斷降低成本的壓力下,從三星到美光再到Intel等公司已經(jīng)把QLC閃存作為重點來抓,Intel今天就推出了第二代QLC閃存的665P系列硬盤,1TB只要83美元。
2019-11-27 08:56:581537

三星第二代無線耳機信息曝光,支持主動降噪技術(shù)

12月4日消息 三星正在為其即將推出的智能手機Galaxy S11,S11 Plus和S11e進行最后潤色,預(yù)計將在明年2月發(fā)布,屆時這家韓國制造商還有望推出其第二代無線耳機,現(xiàn)在該耳機的信息已經(jīng)曝光。
2019-12-04 14:35:294304

半導(dǎo)體推出BlueNRG-2開發(fā)工具 提高藍牙5.0性能和效率

半導(dǎo)體推出兼容低功耗藍牙5.0標準的STEVAL-IDB008V1M評估板,可加快使用了基于半導(dǎo)體第二代低功耗藍牙系統(tǒng)芯片(SoC)BlueNRG-2的模組的應(yīng)用開發(fā)速度。
2020-06-23 10:42:023487

半導(dǎo)體第二代SiC功率MosFET特性

半導(dǎo)體(ST)推出了第二代SiC功率MosFET,具有單位面積極低的導(dǎo)通電阻(RDSon)和優(yōu)良的開關(guān)性能,開關(guān)損耗結(jié)溫范圍內(nèi)幾乎沒有變化。 ST提供廣泛的第二代S MOSFET:額定擊穿電壓
2020-11-26 16:33:521805

三星S21系列首發(fā)高通第二代3D超聲波指紋識別技術(shù)

1月14日晚間,三星正式發(fā)布2021年度旗艦——三星S21系列,搭載高通驍龍888,定位最高的三星S21 Ultra還支持S Pen,成為S系列首款支持S Pen的手機。除此之外,該系列手機還首發(fā)高通第二代3D超聲波指紋識別技術(shù)。
2021-01-15 11:23:514767

應(yīng)對技術(shù)“卡脖子” 華為哈勃“被迫營業(yè)”,瞄準第二代半導(dǎo)體材料

半導(dǎo)體公司,而這次華為瞄準的卻是第二代半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體材料領(lǐng)域一般劃分成三代,第一半導(dǎo)體材料是以硅為主導(dǎo),第二代則是以砷化鎵、磷化銦為代表,第三代則是以氮化鎵和碳化硅為主導(dǎo)。而此時華為哈勃“被迫營業(yè)”,
2021-01-27 16:13:403008

中興第二代屏下攝像技術(shù)使屏幕質(zhì)變

中興通訊呂錢浩展示了第二代屏下攝像技術(shù)的樣機。
2021-02-24 11:41:082738

Lattice基于三星28nm FD-SOI平臺推出FPGA產(chǎn)品加強邊緣AI能力

Lattice基于三星28nm FD-SOI平臺推出了一系列FPGA產(chǎn)品,包括嵌入式視頻方面應(yīng)用比較多的CrossLink-NX,重新定義的Certus-NX,去年Q4問世的基于安全的FPGA Mach-NX,以及最新推出的CertusPro-NX,另外明年還會推出基于FD-SOI平臺的兩款新品。
2021-08-14 10:07:446557

谷歌第二代Tensor將由三星以4nm制程工藝代工,本月開始量產(chǎn)

據(jù)媒體報道稱,谷歌第二代Tensor芯片將于這個月開始量產(chǎn),代工方為三星,將會采用4nm制程工藝大規(guī)模生產(chǎn)該芯片。 Tensor是谷歌公司為其智能手機自研的芯片,第一去年8月發(fā)布,而第二代
2022-06-02 14:52:451942

三星已成功開發(fā)出其開創(chuàng)性的第二代SmartSSD

利用Arm內(nèi)核并采用客戶開發(fā)的相關(guān)知識產(chǎn)權(quán)(IP)和軟件,三星第二代SmartSSD可實現(xiàn)更高效的數(shù)據(jù)處理。相較于三星傳統(tǒng)的數(shù)據(jù)中心SSD,對數(shù)據(jù)庫進行重度掃描的查詢時長可縮短逾50%,功耗降低70%,CPU利用率可高達97%。
2022-07-21 10:11:091229

三星與AMD共同研發(fā)第二代智能固態(tài)硬盤

  據(jù)消息報道,三星電子近日宣布,該公司已與AMD共同研發(fā)第二代智能固態(tài)硬盤(SmartSSD),這將搶占未來市場。
2022-07-22 17:03:433079

半導(dǎo)體與 Soitec 就碳化硅襯底制造技術(shù)達成合作

企業(yè)法國 Soitec 半導(dǎo)體公司正式宣布,雙方碳化硅襯底領(lǐng)域的合作邁入新階段,半導(dǎo)體將在未來 18 個月內(nèi)對
2022-12-05 14:09:42929

半導(dǎo)體SiC MOSFET的路線圖

顯然特斯拉用的是半導(dǎo)體2018年的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品,第四產(chǎn)品目前還沒有推出。溝槽型是發(fā)展方向,但半導(dǎo)體要到2025年才開始推出。
2023-03-14 11:22:393150

第一、第二代和第三代半導(dǎo)體知識科普

Ⅲ—Ⅴ族半導(dǎo)體。我國使用的“第三代半導(dǎo)體材料”一詞,對應(yīng)的是人類歷史上大規(guī)模應(yīng)用半導(dǎo)體材料所帶來的次產(chǎn)業(yè)革命。目前,第三代半導(dǎo)體發(fā)展迅速,第一、第二代半導(dǎo)體工業(yè)中仍得到廣泛應(yīng)用,三代半導(dǎo)體中發(fā)揮著不可替代的作用。
2023-09-12 16:19:276881

第八屆上海FD-SOI論壇成功舉行 芯原FD-SOI IP迅速成長賦能產(chǎn)業(yè)

于2019年舉行。因特殊原因暫停了年,2023年主辦方重啟再次主辦,第八屆FD-SOI論壇,邀請到國內(nèi)外幾乎所有FD-SOI生態(tài)內(nèi)的重要企業(yè)專家參與。年內(nèi)國內(nèi)外的科技環(huán)境發(fā)生了巨大的變化,FD-SOI的產(chǎn)業(yè)格局和技術(shù)又有哪些變化? ? 半導(dǎo)體工藝2001年的新工藝技術(shù)的兩條路
2023-11-01 16:39:043350

半導(dǎo)體與致瞻科技就SiC達成合作!

今日(1月18日),半導(dǎo)體官微宣布,公司與聚焦于碳化硅(SiC)半導(dǎo)體功率模塊和先進電力電子變換系統(tǒng)的中國高科技公司致瞻科技合作,為致瞻科技電動汽車車載空調(diào)中的壓縮機控制器提供半導(dǎo)體三代碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù)
2024-01-19 09:48:161639

三星啟動二代3納米制程試制,瞄準60%良率

臺積電是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造企業(yè),也是三星的主要競爭對手。雙方都在積極爭取客戶,并計劃在上半年實現(xiàn)第二代3納米GAA架構(gòu)制程的大規(guī)模量產(chǎn)。
2024-01-22 15:53:261324

Samsung研發(fā)第二代3納米工藝 SF3

據(jù)報道,韓國三星代工廠已經(jīng)開始試制其第二代 3 納米級別工藝技術(shù)的芯片,稱為 SF3。這一發(fā)展標志著半導(dǎo)體行業(yè)的一個重要里程碑,因為三星與臺積電競爭下一先進工藝節(jié)點的量產(chǎn)主導(dǎo)權(quán)。韓國知名權(quán)威
2024-01-22 16:10:141629

三星半導(dǎo)體將其“第二代3納米”工藝正式更名為“2納米”!

近期,科技巨頭三星半導(dǎo)體做出了一個引人注目的決策:將其“第二代3納米”工藝正式更名為“2納米”。
2024-03-06 13:42:141890

FD-SOI與PD-SOI他們的區(qū)別在哪?

本文簡單介紹了兩種常用的SOI晶圓——FD-SOI與PD-SOI。
2024-03-17 10:10:365137

半導(dǎo)體攜手三星推出18nm FD-SOI工藝,支持嵌入式相變存儲器

據(jù)悉,FD-SOI 是一種先進的平面半導(dǎo)體技術(shù),能夠通過簡化制作流程進行精準的漏電流控制,相較于現(xiàn)有的 40nm EPM 技術(shù),新工藝大幅度提高了性能指標:能效提升 50%,數(shù)字密度增加倍有余,并能夠承載更大的片上存儲和更低的噪音系數(shù)。
2024-03-21 14:00:231482

半導(dǎo)體攜手三星打造創(chuàng)新突破,推出18納米高性能微控制器(MCU)

近日,半導(dǎo)體公司宣布,將推出一種基于18納米全耗盡絕緣體上硅(FD-SOI)技術(shù)的新進工藝,這一技術(shù)還配備了嵌入式相變存儲器(ePCM),意在為下一嵌入式處理設(shè)備提供強大支持。該技術(shù)
2024-03-21 11:59:371056

半導(dǎo)體突破20納米技術(shù)節(jié)點,打造極具競爭力的新一MCU

半導(dǎo)體(簡稱ST)發(fā)布了一項基于18納米全耗盡絕緣體上硅(FD-SOI技術(shù)并整合嵌入式相變存儲器(ePCM)的先進制造工藝,支持下一嵌入式處理器升級進化。
2024-03-25 18:13:111941

半導(dǎo)體將推出基于新技術(shù)的下一STM32微控制器

半導(dǎo)體(ST)近日宣布,公司成功研發(fā)出基于18納米全耗盡絕緣體上硅(FD-SOI技術(shù),并整合了嵌入式相變存儲器(ePCM)的先進制造工藝。這項新工藝技術(shù)半導(dǎo)體三星晶圓代工廠共同研發(fā)的成果,旨在推動下一嵌入式處理器的升級進化。
2024-03-28 10:22:191146

芯原戴偉民博士回顧FD-SOI發(fā)展歷程并分享市場前沿技術(shù)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/吳子鵬)2024年10月23日,第九屆上海FD-SOI論壇浦東香格里拉酒店召開,芯原股份創(chuàng)始人、董事長兼總裁戴偉民博士做開幕致辭,并分享了過往和當(dāng)前FD-SOI發(fā)展的一些情況
2024-10-23 10:02:421288

IBS首席執(zhí)行官再談FD-SOI對AI的重要性,≥12nm和≤28nm區(qū)間FD-SOI是更好的選擇

FD-SOI技術(shù)的市場發(fā)展現(xiàn)狀與趨勢,尤其是該技術(shù)AIGC時代的應(yīng)用前景。通過具體分析和比較FD-SOI、Bulk CMOS和F
2024-10-23 10:22:161108

三星電子:18FDS將成為物聯(lián)網(wǎng)和MCU領(lǐng)域的重要工藝

相變存儲器(ePCM)。 ? FD-SOI領(lǐng)域,三星已經(jīng)深耕多年,其和半導(dǎo)體之間的合作也已經(jīng)持續(xù)多年。早在2014年,半導(dǎo)體就曾對外宣布,選擇三星28nm FD-SOI工藝來量產(chǎn)自己的產(chǎn)品
2024-10-23 11:53:05990

解讀芯原股份基于FD-SOI的RF IP技術(shù)平臺:讓SoC實現(xiàn)更好的通信

空間。當(dāng)然,從AIoT這個應(yīng)用方向也能夠看出,RF IP對于基于FD-SOI工藝打造芯片是至關(guān)重要的。 ? 第九屆上海FD-SOI論壇上,芯原股份無線IP平臺高級總監(jiān)曾毅分享了主題為《為SoC設(shè)計提供基于FD-SOI的IP技術(shù)平臺》的報告,詳細介紹了芯原股份基于FD-SOI的無線
2024-10-23 16:04:441107

Quobly與半導(dǎo)體建立戰(zhàn)略合作, 加快量子處理器制造進程,實現(xiàn)大型量子計算解決方案

?此次合作將借助半導(dǎo)體的28nm FD-SOI商用量產(chǎn)半導(dǎo)體制造工藝,以實現(xiàn)具有成本競爭力的大型量子計算解決方案 ??Quobly和半導(dǎo)體計劃第一商用產(chǎn)品將于2027年上市,產(chǎn)品市場定位
2024-12-19 10:17:281151

Quobly與半導(dǎo)體攜手推進量子計算

電子應(yīng)用領(lǐng)域的客戶提供變革性的服務(wù)。 Quobly將借助半導(dǎo)體先進的FD-SOI半導(dǎo)體工藝技術(shù),共同推動量子計算技術(shù)的突破。這一合作不僅將使得大規(guī)模量子計算變得更加可行,同時也將顯著降低其成本,為量子計算的廣泛應(yīng)用奠定堅實基礎(chǔ)。 通過此次合作,Quobly和半導(dǎo)體
2024-12-23 15:40:411036

ST汽車MCU:FD-SOI+PCM相變存儲

)和三星合作,它已經(jīng)微控制器領(lǐng)域找到了自己的出路。早在2018年,半導(dǎo)體就宣布,它正在為汽車市場提供采用28nm FD-SOI工藝制造的嵌入式PCM (ePCM)微控制器?,F(xiàn)在,半導(dǎo)體宣布了
2025-01-21 10:27:131124

類比半導(dǎo)體推出全新第二代高邊開關(guān)芯片HD8004

致力于提供高品質(zhì)汽車驅(qū)動芯片和高品質(zhì)工業(yè)模擬芯片供應(yīng)商上海類比半導(dǎo)體技術(shù)有限公司(下稱“類比半導(dǎo)體”或“類比”)宣布推出全新第二代高邊開關(guān)芯片HD8004,單通道低內(nèi)阻4.3mΩ產(chǎn)品。
2025-05-21 18:04:201179

類比半導(dǎo)體推出全新第二代高邊開關(guān)芯片HD80012

致力于提供高品質(zhì)汽車驅(qū)動芯片和高品質(zhì)工業(yè)模擬芯片供應(yīng)商上海類比半導(dǎo)體技術(shù)有限公司(下稱“類比半導(dǎo)體”或“類比”)宣布推出全新第二代高邊開關(guān)芯片HD80012,單通道低內(nèi)阻1.2mΩ產(chǎn)品。
2025-07-02 15:19:401138

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