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因?yàn)楣β?a href='http://www.brongaenegriffin.com/tags/mosfet/' target='_blank' class='arckwlink_none'>MOSFET的導(dǎo)通電阻和耐壓有以下的關(guān)系,即Rds(on)∞BVds2.4~2.7所在總芯片面積相等的情況下,如把幾個(gè)低壓MOSFET串聯(lián)連接,比1個(gè)高耐壓MOSFET的導(dǎo)通電阻低。
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