仁懋電子（MOT）推出的 MOT7N70D 是一款面向高壓開關場景的 N 溝道增強型功率 MOSFET，憑借 700V 耐壓、低導通損耗及高速開關特性，廣泛適用于高效開關電源、電子鎮(zhèn)流器、LED 電源等領域。以下從品牌定位、器件特性、電氣參數(shù)等維度展開詳細說明。

一、品牌背景：仁懋電子（MOT）與高壓功率半導體布局

仁懋電子（MOT）聚焦功率半導體器件研發(fā)，在中高壓 MOSFET 領域具備技術積累，產(chǎn)品以 “高耐壓、高魯棒性” 為核心優(yōu)勢，服務于開關電源、工業(yè)控制、照明電子等場景。MOT7N70D 系列作為其高壓產(chǎn)品線的代表型號，針對 700V 級應用場景優(yōu)化了導通電阻與開關速度，在半橋拓撲、高壓直流轉換等場景中表現(xiàn)突出。

二、MOT7N70D 基本信息

MOT7N70D 是N 溝道增強型功率 MOSFET，核心定位為 “高壓高效開關器件”，適配 700V 系統(tǒng)的功率控制需求（如高壓電源、電子鎮(zhèn)流器等）。其核心特性包括：

• 電壓適配：漏源極耐壓（VDS）達 700V，兼容高壓供電系統(tǒng)；
• 電流能力：25℃ 下連續(xù)漏極電流（ID）為 7A，脈沖漏極電流（IDpk）達 14A，滿足負載瞬間啟動與持續(xù)工作需求；
• 導通損耗：柵源電壓（VGS=10V）下導通電阻（RDS (on)）典型值為 1.28Ω，在高壓小電流場景中平衡損耗與成本；
• 封裝形式：采用 TO-251 直插封裝，單管包裝為 70 個 / 管，適配傳統(tǒng)插裝式高壓電路設計。

三、核心特性

MOT7N70D 圍繞 “高壓高效開關” 需求打造，具備以下技術優(yōu)勢：

• 超低柵極電荷：優(yōu)化柵極電荷特性，降低驅動電路功耗，提升開關頻率適配性；
• 低反向傳輸電容：減少米勒效應影響，支持更高 dv/dt 工況，增強電路抗干擾能力；
• 快速開關能力：開關速度快，適合高頻開關電源、電子鎮(zhèn)流器等對開關速度敏感的場景；
• 雪崩能量測試：通過雪崩能量測試，在感性負載開關、異常過壓等場景下可靠性更高；
• 高魯棒性設計：強化 dv/dt 耐受能力，適應工業(yè)級高壓環(huán)境的嚴苛工作條件。

四、關鍵電氣參數(shù)（Tc=25℃，除非特殊說明）

1. 絕對最大額定值

• 漏源極電壓（VDS）：最大值 700V，超過此值易導致器件擊穿；
• 柵源極電壓（VGS）：±30V，柵極驅動需控制在該范圍內以避免柵極氧化層損壞；
• 連續(xù)漏極電流（ID）：7A（Tc=25℃），隨結溫升高需降額使用；
• 脈沖漏極電流（IDpk）：14A（脈沖寬度≤300μs，占空比≤2%），支持負載短時過載；
• 雪崩能量（EAS）：單脈沖最大值 480mJ，應對感性負載關斷時的能量沖擊；
• 峰值反向恢復 dv/dt：2.2V/ns，在高速開關場景中抑制電壓尖峰；
• 功耗（PD）：74W（Tc=25℃），需搭配散熱措施保障長期可靠工作；
• 結溫范圍（TJ）：-55~+150℃，存儲溫度范圍同結溫下限至 +150℃。

五、封裝與型號釋義

MOT7N70D 屬于仁懋電子高壓 MOSFET 系列的 “鹵化版本”，型號釋義如下：

• MOT：品牌標識（仁懋電子）；
• 7N：代表 “7A 額定電流（N 溝道）”；
• 70：代表 “700V 漏源耐壓”；
• D：版本標識（鹵化工藝，對應封裝 TO-251）。

其封裝與包裝形式為：TO-251 直插封裝，單管包裝 70 個 / 管，適用于插裝式高壓電路的批量生產(chǎn)與維護。

六、典型應用場景

MOT7N70D 憑借 700V 耐壓與高效開關特性，典型應用包括：

• 高效開關模式電源：適配 700V 級 AC-DC/DC-DC 轉換器，在服務器電源、工業(yè)電源中實現(xiàn)高效能量轉換；
• 半橋式電子鎮(zhèn)流器：用于熒光燈、高壓氣體放電燈的鎮(zhèn)流器電路，通過高速開關實現(xiàn)燈光穩(wěn)定驅動；
• LED 電源：在高壓 LED 驅動電源中作為主開關管，兼顧耐壓與效率需求；
• 高壓負載控制：如高壓繼電器替代、高壓電磁閥驅動等場景，利用其高耐壓特性簡化電路設計。

七、信息來源

仁懋電子（MOT）官方產(chǎn)品手冊（注：上述參數(shù)均基于手冊標注整理，實際應用需以最新版手冊及器件批次測試數(shù)據(jù)為準。）