IRLR U120NPbF的HEXFET功率MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)免費(fèi)下載
資料介紹
來自國際整流器的第五代HEXFET采用先進(jìn)的處理技術(shù),以實(shí)現(xiàn)每個(gè)硅區(qū)的最小電阻。這一優(yōu)點(diǎn),加上HexFET功率MOSFET眾所周知的快速開關(guān)速度和加固設(shè)備設(shè)計(jì),為設(shè)計(jì)者提供了一個(gè)非常有效的設(shè)備,可用于各種應(yīng)用。
D-PAK設(shè)計(jì)用于表面安裝,使用氣相、紅外或波峰焊接技術(shù)。直導(dǎo)式(IRFU系列)適用于通孔安裝應(yīng)用。在典型的表面安裝應(yīng)用中,功率耗散水平可達(dá)1.5瓦。

表面安裝(IRLR120N)
直引線(IRLU120N)
先進(jìn)工藝技術(shù)
快速切換
完全雪崩額定值
無鉛的
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