仁懋電子(MOT)推出的MOT5146T是一款面向 120V 低壓大電流場景的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET,憑借 4.5mΩ 超低導(dǎo)通電阻、250A 超大電流承載能力及先進(jìn)溝槽單元設(shè)計(jì),適用于高功率系統(tǒng)逆變器、輕型電動(dòng)車、BMS(電池管理系統(tǒng))、無人機(jī)等大功率場景。
一、產(chǎn)品基本信息
- 器件類型:N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET
- 核心參數(shù):
- 漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):120V,適配低壓大電流供電場景;
- 導(dǎo)通電阻(\(R_{DS(on)}\),\(V_{GS}=10V\)):典型值4.5mΩ,低壓場景下導(dǎo)通損耗極低;
- 連續(xù)漏極電流(\(I_D\)):250A(\(T_c=25^\circ\text{C}\)),\(T_c=100^\circ\text{C}\)時(shí)降額為177A;脈沖漏極電流(\(I_{DM}\))達(dá)396A,滿足負(fù)載瞬時(shí)超大電流需求。
二、核心特性
- 超級(jí) trench 單元設(shè)計(jì):采用先進(jìn)溝槽結(jié)構(gòu),大幅降低導(dǎo)通電阻,提升電流密度,適配大電流功率轉(zhuǎn)換場景;
- 高魯棒性設(shè)計(jì):單脈沖雪崩能量達(dá)2620mJ,結(jié)到環(huán)境熱阻(\(R_{thJA}\))40℃/W,結(jié)到殼熱阻(\(R_{thJC}\))0.45℃/W,大電流工況下結(jié)溫控制更穩(wěn)定;
- 表面貼裝封裝:適配小型化、高功率密度的電源與動(dòng)力系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
三、關(guān)鍵電氣參數(shù)(\(T_c=25^\circ\text{C}\),除非特殊說明)
- 柵源極電壓(\(V_{GS}\)):最大值 ±20V,柵極驅(qū)動(dòng)需控制在該范圍以避免氧化層損壞;
- 功耗(\(P_D\)):375W,實(shí)際應(yīng)用需結(jié)合散熱設(shè)計(jì)(如散熱墊、金屬基板)保障長期可靠工作;
- 結(jié)溫范圍(\(T_J\)):-55~+150℃,存儲(chǔ)溫度范圍與結(jié)溫區(qū)間一致。
四、封裝與應(yīng)用場景
- 封裝形式:表面貼裝封裝,適配高功率密度的電路設(shè)計(jì)需求;
- 典型應(yīng)用:
- 高功率系統(tǒng)逆變器:在工業(yè)或新能源領(lǐng)域的逆變器中作為功率開關(guān),低損耗特性提升能量轉(zhuǎn)換效率;
- 輕型電動(dòng)車與無人機(jī):為電動(dòng)摩托車、無人機(jī)的動(dòng)力系統(tǒng)提供大電流功率控制,保障動(dòng)力輸出與系統(tǒng)可靠性;
- BMS(電池管理系統(tǒng)):在電池充放電管理回路中,實(shí)現(xiàn)大電流高效切換,保障電池安全與性能。
五、信息來源
仁懋電子(MOT)官方產(chǎn)品手冊(注:以上參數(shù)基于手冊標(biāo)注整理,實(shí)際應(yīng)用需以最新版手冊及器件批次測試數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。)
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選型手冊:MOT90N03D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

選型手冊:MOT5146T N 溝道功率 MOSFET 晶體管
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